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文檔簡(jiǎn)介
2.物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)1.(2023·湖北,9)價(jià)層電子對(duì)互斥理論可以預(yù)測(cè)某些微粒的空間結(jié)構(gòu)。下列說(shuō)法正確的是()A.CH4和H2O的VSEPR模型均為四面體B.SOeq\o\al(2-,3)和COeq\o\al(2-,3)的空間構(gòu)型均為平面三角形C.CF4和SF4均為非極性分子D.XeF2與XeO2的鍵角相等答案A解析甲烷分子的中心原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4,水分子的中心原子價(jià)層電子對(duì)數(shù)也為4,所以VSEPR模型均為四面體,A正確;SOeq\o\al(2-,3)中中心原子的孤電子對(duì)數(shù)為1,COeq\o\al(2-,3)中中心原子的孤電子對(duì)數(shù)為0,所以SOeq\o\al(2-,3)的空間構(gòu)型為三角錐形,COeq\o\al(2-,3)的空間構(gòu)型為平面三角形,B錯(cuò)誤;CF4為正四面體結(jié)構(gòu),為非極性分子,SF4的中心原子有孤電子對(duì),為極性分子,C錯(cuò)誤;XeF2和XeO2分子中,中心原子孤電子對(duì)數(shù)不相等,所以鍵角不等,D錯(cuò)誤。2.(2023·浙江1月選考,12)共價(jià)化合物Al2Cl6中所有原子均滿(mǎn)足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu),一定條件下可發(fā)生反應(yīng):Al2Cl6+2NH3=2Al(NH3)Cl3,下列說(shuō)法不正確的是()A.Al2Cl6的結(jié)構(gòu)式為B.Al2Cl6為非極性分子C.該反應(yīng)中NH3的配位能力大于氯D.Al2Br6比Al2Cl6更難與NH3發(fā)生反應(yīng)答案D解析由雙聚氯化鋁分子中所有原子均滿(mǎn)足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)可知,分子的結(jié)構(gòu)式為,是結(jié)構(gòu)對(duì)稱(chēng)的非極性分子,故A、B正確;由反應(yīng)方程式可知,氨分子更易與具有空軌道的鋁原子形成配位鍵,配位能力大于氯原子,故C正確;溴元素的電負(fù)性小于氯元素,原子的原子半徑大于氯原子,則鋁溴鍵弱于鋁氯鍵,所以雙聚溴化鋁的鋁溴鍵更易斷裂,比雙聚氯化鋁更易與氨氣反應(yīng),故D錯(cuò)誤。3.(2023·北京,10)下列事實(shí)不能通過(guò)比較氟元素和氯元素的電負(fù)性進(jìn)行解釋的是()A.F—F鍵的鍵能小于Cl—Cl鍵的鍵能B.三氟乙酸的Ka大于三氯乙酸的KaC.氟化氫分子的極性強(qiáng)于氯化氫分子的極性D.氣態(tài)氟化氫中存在(HF)2,而氣態(tài)氯化氫中是HCl分子答案A解析F原子半徑小,電子云密度大,兩個(gè)原子間的斥力較強(qiáng),F(xiàn)—F不穩(wěn)定,因此F—F的鍵能小于Cl—Cl的鍵能,與電負(fù)性無(wú)關(guān),A符合題意;氟的電負(fù)性大于氯的電負(fù)性,F(xiàn)—C的極性大于Cl—C的極性,使F3C—的極性大于Cl3C—的極性,導(dǎo)致三氟乙酸的羧基中的羥基的極性更大,更容易電離出氫離子,酸性更強(qiáng),B不符合題意;氟的電負(fù)性大于氯的電負(fù)性,F(xiàn)—H的極性大于Cl—H的極性,導(dǎo)致HF分子極性強(qiáng)于HCl,C不符合題意;氟的電負(fù)性大于氯的電負(fù)性,與氟原子相連的氫原子可以與另外的氟原子形成分子間氫鍵,因此氣態(tài)氟化氫中存在(HF)2,D不符合題意。4.(2023·廣東,14)化合物XYZ4ME4可作肥料,所含的5種元素位于主族,在每個(gè)短周期均有分布,僅有Y和M同族。Y的基態(tài)原子價(jià)層p軌道半充滿(mǎn),X的基態(tài)原子價(jià)層電子排布式為nsn-1,X與M同周期,E在地殼中含量最多。下列說(shuō)法正確的是()A.元素電負(fù)性:E>Y>ZB.氫化物沸點(diǎn):M>Y>EC.第一電離能:X>E>YD.YZ3和YEeq\o\al(-,3)的空間結(jié)構(gòu)均為三角錐形答案A解析由題給信息分析知,E為O,Y為N,Z為H,M為P,X為Mg。元素電負(fù)性:O>N>H,A正確;氫化物沸點(diǎn):H2O>NH3>PH3,B錯(cuò)誤;第一電離能:N>O>Mg,C錯(cuò)誤;NH3價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4,有1個(gè)孤電子對(duì),空間結(jié)構(gòu)為三角錐形,NOeq\o\al(-,3)價(jià)層電子對(duì)數(shù)為3,沒(méi)有孤電子對(duì),空間結(jié)構(gòu)為平面三角形,D錯(cuò)誤。5.(2023·新課標(biāo)卷,9)一種可吸附甲醇的材料,其化學(xué)式為[C(NH2)3]4[B(OCH3)4]3Cl,部分晶體結(jié)構(gòu)如下圖所示,其中[C(NH2)3]+為平面結(jié)構(gòu)。下列說(shuō)法正確的是()A.該晶體中存在N—H…O氫鍵B.基態(tài)原子的第一電離能:C<N<OC.基態(tài)原子未成對(duì)電子數(shù):B<C<O<ND.晶體中B、N和O原子軌道的雜化類(lèi)型相同答案A解析由晶體結(jié)構(gòu)圖可知,[C(NH2)3]+中的—NH2的H與[B(OCH3)4]-中的O形成氫鍵,因此,該晶體中存在N—H…O氫鍵,A正確;同一周期元素原子的第一電離能從左到右呈遞增趨勢(shì),但是第ⅡA、ⅤA族元素的原子結(jié)構(gòu)比較穩(wěn)定,其第一電離能高于同周期的相鄰元素的原子,因此,基態(tài)原子的第一電離能從小到大的順序?yàn)镃<O<N,B不正確;B、C、O、N的未成對(duì)電子數(shù)分別為1、2、2、3,因此,基態(tài)原子未成對(duì)電子數(shù):B<C=O<N,C不正確;[C(NH2)3]+為平面結(jié)構(gòu),則其中的C和N原子軌道雜化類(lèi)型為sp2;[B(OCH3)4]-中B與4個(gè)O形成了4個(gè)σ鍵,B沒(méi)有孤電子對(duì),則B的原子軌道雜化類(lèi)型為sp3;[B(OCH3)4]-中O分別與B和C形成了2個(gè)σ鍵,O原子還有2個(gè)孤電子對(duì),則O的原子軌道的雜化類(lèi)型均為sp3;綜上所述,晶體中B、О和N原子軌道的雜化類(lèi)型不相同,D不正確。6.(2023·北京,1)中國(guó)科學(xué)家首次成功制得大面積單晶石墨炔,是碳材料科學(xué)的一大進(jìn)步。下列關(guān)于金剛石、石墨、石墨炔的說(shuō)法正確的是()A.三種物質(zhì)中均有碳碳原子間的σ鍵B.三種物質(zhì)中的碳原子都是sp3雜化C.三種物質(zhì)的晶體類(lèi)型相同D.三種物質(zhì)均能導(dǎo)電答案A解析金剛石中所有碳原子均采用sp3雜化,石墨中所有碳原子均采用sp2雜化,石墨炔中苯環(huán)上的碳原子采用sp2雜化,碳碳三鍵上的碳原子采用sp雜化,B項(xiàng)錯(cuò)誤;金剛石為共價(jià)晶體,石墨為混合型晶體,石墨炔為分子晶體,C項(xiàng)錯(cuò)誤;金剛石不能導(dǎo)電,D項(xiàng)錯(cuò)誤。7.(2023·湖北,15)鑭La和H可以形成一系列晶體材料LaHn,在儲(chǔ)氫和超導(dǎo)等領(lǐng)域具有重要應(yīng)用。LaHn屬于立方晶系,晶胞結(jié)構(gòu)和參數(shù)如圖所示。高壓下,LaH2中的每個(gè)H結(jié)合4個(gè)H形成類(lèi)似CH4的結(jié)構(gòu),即得到晶體LaHx。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是()A.LaH2晶體中La的配位數(shù)為8B.晶體中H和H的最短距離:LaH2>LaHxC.在LaHx晶胞中,H形成一個(gè)頂點(diǎn)數(shù)為40的閉合多面體籠D.LaHx單位體積中含氫質(zhì)量的計(jì)算式為eq\f(40,4.84×10-83×6.02×1023)g·cm-3答案C解析由LaH2的晶胞結(jié)構(gòu)可知,La位于頂點(diǎn)和面心,晶胞內(nèi)8個(gè)小立方體的中心各有1個(gè)H原子,若以頂點(diǎn)La研究,與之最近的H原子有8個(gè),則La的配位數(shù)為8,故A正確;由LaHx晶胞結(jié)構(gòu)可知,每個(gè)H結(jié)合4個(gè)H形成類(lèi)似CH4的結(jié)構(gòu),H和H之間的最短距離變小,則晶體中H和H的最短距離:LaH2>LaHx,故B正確;由題干信息可知,在LaHx晶胞中,每個(gè)H結(jié)合4個(gè)H形成類(lèi)似CH4的結(jié)構(gòu),這樣的結(jié)構(gòu)有8個(gè),頂點(diǎn)數(shù)為4×8=32,但整個(gè)晶胞中H原子不形成閉合多面體籠,故C錯(cuò)誤;1個(gè)LaHx晶胞中含有5×8=40個(gè)H原子,含H質(zhì)量為eq\f(40,NA)g,晶胞的體積為(484.0×10-10cm)3=(4.84×10-8)3cm3,則LaHx單位體積中含氫質(zhì)量的計(jì)算式為eq\f(40,4.84×10-83×6.02×1023)g·cm-3,故D正確。8.(2023·湖南,11)科學(xué)家合成了一種高溫超導(dǎo)材料,其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,該立方晶胞參數(shù)為apm。阿伏加德羅常數(shù)的值為NA。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是()A.晶體最簡(jiǎn)化學(xué)式為KCaB6C6B.晶體中與K+最近且距離相等的Ca2+有8個(gè)C.晶胞中B和C原子構(gòu)成的多面體有12個(gè)面D.晶體的密度為eq\f(2.17×1032,a3·NA)g·cm-3答案C解析根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)可知,其中K個(gè)數(shù):8×eq\f(1,8)=1,Ca個(gè)數(shù):1,B個(gè)數(shù):12×eq\f(1,2)=6,C個(gè)數(shù):12×eq\f(1,2)=6,故其最簡(jiǎn)化學(xué)式為KCaB6C6,A正確;K+位于晶胞頂角,Ca2+位于體心,則晶體中與K+最近且距離相等的Ca2+有8個(gè),B正確;根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)可知,晶胞中B和C原子構(gòu)成的多面體有14個(gè)面,C錯(cuò)誤;該晶胞含1個(gè)KCaB6C6,則晶胞質(zhì)量為eq\f(217,NA)g,晶胞體積為a3×10-30cm3,則其密度為eq\f(2.17×1032,a3·NA)g·cm-3,D正確。9.(2023·遼寧,14)晶體結(jié)構(gòu)的缺陷美與對(duì)稱(chēng)美同樣受關(guān)注。某富鋰超離子導(dǎo)體的晶胞是立方體(圖1),進(jìn)行鎂離子取代及鹵素共摻雜后,可獲得高性能固體電解質(zhì)材料(圖2)。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是()A.圖1晶體密度為eq\f(72.5,NA×a3×10-30)g·cm-3B.圖1中O原子的配位數(shù)為6C.圖2表示的化學(xué)式為L(zhǎng)iMg2OClxBr1-xD.Mg2+取代產(chǎn)生的空位有利于Li+傳導(dǎo)答案C解析根據(jù)均攤法,圖1的晶胞中含Li:8×eq\f(1,4)+1=3,O:2×eq\f(1,2)=1,Cl:4×eq\f(1,4)=1,1個(gè)晶胞的質(zhì)量為eq\f(3×7+16+35.5,NA)g=eq\f(72.5,NA)g,晶胞的體積為(a×10-10cm)3=a3×10-30cm3,則晶體的密度為eq\f(72.5,NA×a3×10-30)g·cm-3,A項(xiàng)正確;圖1晶胞中,O位于面心,與O等距離最近的Li有6個(gè),O原子的配位數(shù)為6,B項(xiàng)正確;根據(jù)均攤法,圖2中Li:1,Mg或空位為8×eq\f(1,4)=2,O:2×eq\f(1,2)=1,Cl或Br:4×eq\f(1,4)=1,Mg的個(gè)數(shù)小于2,根據(jù)正負(fù)化合價(jià)的代數(shù)和為0,圖2的化學(xué)式為L(zhǎng)iMgOClxBr1-x,C項(xiàng)錯(cuò)誤;進(jìn)行鎂離子取代及鹵素共摻雜后,可獲得高性能固體電解質(zhì)材料,說(shuō)明Mg2+取代產(chǎn)生的空位有利于Li+的傳導(dǎo),D項(xiàng)正確。10.(2023·山東,5)石墨與F2在450℃反應(yīng),石墨層間插入F得到層狀結(jié)構(gòu)化合物(CF)x,該物質(zhì)仍具潤(rùn)滑性,其單層局部結(jié)構(gòu)如圖所示。下列關(guān)于該化合物的說(shuō)法正確的是()A.與石墨相比,(CF)x導(dǎo)電性增強(qiáng)B.與石墨相比,(CF)x抗氧化性增強(qiáng)C.(CF)x中C—C的鍵長(zhǎng)比C—F短D.1mol(CF)x中含有2xmol共價(jià)單鍵答案B解析石墨晶體中每個(gè)碳原子上未參與雜化的1個(gè)2p軌道上電子在層內(nèi)離域運(yùn)動(dòng),故石墨晶體能導(dǎo)電,而(CF)x中沒(méi)有未參與雜化的2p軌道上的電子,故與石墨相比,(CF)x導(dǎo)電性減弱,A錯(cuò)誤;石墨層間插入F后形成的C—F鍵長(zhǎng)短,鍵能極大,分子結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性增強(qiáng),抗氧化性增強(qiáng),B正確;已知C的原子半徑比F的大,故可知(CF)x中C—C的鍵長(zhǎng)比C—F的長(zhǎng),C錯(cuò)誤;由題干結(jié)構(gòu)示意圖可知,在(CF)x中每個(gè)C與周?chē)?個(gè)碳原子、1個(gè)F原子形成共價(jià)鍵,每個(gè)C—C被2個(gè)碳原子共用,即1mol(CF)x中含有2.5xmol共價(jià)單鍵,D錯(cuò)誤。1.(2022·福建,4)某非線(xiàn)性光學(xué)晶體由鉀元素(K)和原子序數(shù)依次增大的X、Y、Z、W四種短周期元素組成。X與Y、Z與W均為同周期相鄰元素,X的核外電子總數(shù)為最外層電子數(shù)的2倍,Z為地殼中含量最多的元素。下列說(shuō)法正確的是()A.簡(jiǎn)單氫化物沸點(diǎn):Z>WB.YW3分子的空間結(jié)構(gòu)為三角錐形C.原子半徑:Y<X<Z<WD.最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)水化物的堿性:X<Y答案A解析X的核外電子總數(shù)為最外層電子數(shù)的2倍,X為Be;Z為地殼中含量最多的元素,Z為O,X與Y、Z與W均為同周期相鄰元素,Y為B,W為F。H2O常溫下為液態(tài),HF常溫下為氣體,沸點(diǎn):H2O>HF,故A正確;YW3為BF3,中心B原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為3且沒(méi)有孤電子對(duì),空間結(jié)構(gòu)為平面三角形,故B錯(cuò)誤;四種元素為同周期元素,隨核電荷數(shù)增大原子半徑逐漸減小,原子半徑:Be>B>O>F,故C錯(cuò)誤;Be最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)的水化物為Be(OH)2,溶液顯兩性,B最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)的水化物為H3BO3,溶液顯酸性,故D錯(cuò)誤。2.(2023·武漢二中二模)某化合物結(jié)構(gòu)如圖所示。其中M、X、Y、Z為原子序數(shù)依次增大的短周期非金屬元素,X是有機(jī)分子的骨架元素,W基態(tài)原子的M層為全充滿(mǎn)、N層只有一個(gè)電子。下列說(shuō)法正確的是()A.原子半徑:X>Y>ZB.第一電離能:X>Y>M>WC.該配合物中X均滿(mǎn)足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)D.該配合物中X的雜化類(lèi)型有sp2、sp3答案D解析X是有機(jī)分子的骨架元素,說(shuō)明X為C元素;W基態(tài)原子的M層為全充滿(mǎn)、N層只有一個(gè)電子,即W的價(jià)層電子排布為3d104s1,即W為Cu元素;M、X、Y、Z為原子序數(shù)依次增大的短周期非金屬元素,根據(jù)結(jié)構(gòu)可知,M為H元素,Y為N元素,Z為P元素。電子層數(shù)越多,半徑越大,電子層數(shù)相同,核電荷數(shù)越小,半徑越大,則原子半徑由大到小的順序?yàn)閆>X>Y,A錯(cuò)誤;N原子的2p能級(jí)為半充滿(mǎn)狀態(tài),第一電離能較高,H原子比C原子半徑小得多,核外電子受到原子核的引力大,電離需要更多的能量,故第一電離能H>C,而Cu的電子層數(shù)最大,較容易失去一個(gè)電子,其第一電離能最小,故第一電離能由大到小的順序?yàn)閅>M>X>W,B錯(cuò)誤;該配合物中與W形成配位鍵的X不滿(mǎn)足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu),C錯(cuò)誤;該配合物中X的價(jià)層電子對(duì)數(shù)有3和4,故其雜化類(lèi)型有sp2、sp3,D正確。3.(2023·大連模擬)X、Y、Z、W是原子序數(shù)依次增大的前四周期元素,X元素的簡(jiǎn)單氫化物能與其最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)的水化物反應(yīng)生成鹽,Y元素原子的核外電子只有8種運(yùn)動(dòng)狀態(tài);Z為短周期金屬元素,其簡(jiǎn)單離子的半徑在同周期中最小;基態(tài)W原子的未成對(duì)電子數(shù)為6。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是()A.第一電離能:X>Y>ZB.鍵角:XYeq\o\al(-,3)>XYeq\o\al(-,2)C.W為第四周期d區(qū)元素D.X和Y的最簡(jiǎn)單氣態(tài)氫化物中,前者更易液化答案D解析X、Y、Z、W是原子序數(shù)依次增大的前四周期元素,X元素的簡(jiǎn)單氫化物能與其最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)的水化物反應(yīng)生成鹽,X是N元素;Y元素原子的核外電子只有8種運(yùn)動(dòng)狀態(tài),Y是O元素;Z為短周期金屬元素,其簡(jiǎn)單離子的半徑在同周期中最小,Z是Al元素;基態(tài)W原子的未成對(duì)電子數(shù)為6,W是Cr元素。Al是金屬元素,第一電離能最小,N原子2p能級(jí)半充滿(mǎn),結(jié)構(gòu)穩(wěn)定,第一電離能大于同周期相鄰元素,所以第一電離能:N>O>Al,故A正確;NOeq\o\al(-,3)中N原子價(jià)層電子對(duì)數(shù)為3+eq\f(5+1-2×3,2)=3,無(wú)孤電子對(duì);NOeq\o\al(-,2)中N原子價(jià)層電子對(duì)數(shù)為2+eq\f(5+1-2×2,2)=3,有1個(gè)孤電子對(duì),所以鍵角:NOeq\o\al(-,3)>NOeq\o\al(-,2),故B正確;W是Cr元素,價(jià)層電子排布為3d54s1,為第四周期d區(qū)元素,故C正確;NH3常溫下為氣體,H2O常溫下為液體,H2O的沸點(diǎn)大于NH3,H2O更易液化,故D錯(cuò)誤。4.(2023·山東濰坊一中模擬)鈷(Co)在化學(xué)上稱(chēng)為鐵系元素,其化合物在生產(chǎn)生活中應(yīng)用廣泛。以甲醇為溶劑,Co2+可與色胺酮分子配位結(jié)合形成對(duì)DNA具有切割作用的色胺酮鈷配合物(合成過(guò)程如圖所示),下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是()A.色胺酮分子中所含元素第一電離能由大到小的順序?yàn)镹>O>H>CB.色胺酮分子中N原子均為sp3雜化C.色胺酮鈷配合物中鈷的配位數(shù)為4D.X射線(xiàn)衍射分析顯示色胺酮鈷配合物晶胞中還含有一個(gè)CH3OH分子,CH3OH是通過(guò)氫鍵作用與色胺酮鈷配合物相結(jié)合答案D解析同周期元素,從左到右第一電離能呈增大趨勢(shì),氮原子的2p軌道為穩(wěn)定的半充滿(mǎn)結(jié)構(gòu),元素的第一電離能大于O,則第一電離能由大到小的順序?yàn)镹>O>C,氫原子的原子半徑小,核外電子受到原子核的引力大于碳原子,失去1個(gè)電子消耗的能量大于碳,第一電離能大于碳,則元素第一電離能由大到小的順序?yàn)镹>O>H>C,故A正確;由結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式可知,色胺酮分子中形成雙鍵的氮原子的雜化方式為sp2雜化,故B錯(cuò)誤;由結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式可知,色胺酮鈷配合物中鈷離子與2個(gè)氮原子和2個(gè)氧原子形成配位鍵,鈷的配位數(shù)為4,故C正確;甲醇分子中的羥基可以形成氫鍵,則X射線(xiàn)衍射分析顯示色胺酮鈷配合物晶胞中還含有一個(gè)甲醇分子,說(shuō)明甲醇通過(guò)氫鍵作用與色胺酮鈷配合物相結(jié)合,故D正確。5.蘿卜硫素是具有美容效果的天然產(chǎn)物,其結(jié)構(gòu)如圖所示,該物質(zhì)由五種短周期元素構(gòu)成,其中W、X、Y、Z的原子序數(shù)依次增大,Y、Z原子核外最外層電子數(shù)相等,下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是()A.第一電離能:X>Y>ZB.簡(jiǎn)單離子半徑:Z>X>YC.W、X與氫原子可形成直線(xiàn)形化合物D.W、X、Y分別形成的簡(jiǎn)單氫化物的熔、沸點(diǎn)在同主族元素中均為最高答案D解析通過(guò)結(jié)構(gòu)可知,蘿卜硫素含H、C,蘿卜硫素由五種短周期元素構(gòu)成,則W、X、Y、Z中有一種是C,還有一種是S;W、X、Y、Z的原子序數(shù)依次增大,Y、Z原子核外最外層電子數(shù)相等,結(jié)合結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式中的成鍵數(shù)目可知:X為N,Y為O,Z為S,W為C。同一周期從左到右,元素的第一電離能呈增大趨勢(shì),其中第ⅡA族和第ⅤA族元素的第一電離能均高于其相鄰元素,即N的第一電離能大于O;同一主族從上到下,元素的第一電離能逐漸減小,即O的第一電離能大于S,故第一電離能:N>O>S,A正確;N3-和O2-的核外電子排布相同,N的原子序數(shù)小于O,故離子半徑:N3->O2-,N3-、O2-核外有2個(gè)電子層,S2-核外有3個(gè)電子層,則離子半徑:S2->N3->O2-,B正確;N、C、H組成的化合物為HCN,該分子的空間結(jié)構(gòu)為直線(xiàn)形,C正確;X為N,Y為O,W為C,它們的簡(jiǎn)單氫化物分別為NH3、H2O和CH4,NH3和H2O分子間均存在氫鍵,使得它們的熔、沸點(diǎn)在同主族元素中均為最高,CH4分子間沒(méi)有氫鍵,其熔、沸點(diǎn)在同主族元素中最低,D錯(cuò)誤。6.銅金合金可作為CO2轉(zhuǎn)化為碳?xì)浠衔锏拇呋瘎?,如圖是一種銅金合金的晶胞結(jié)構(gòu)圖。下列說(shuō)法正確的是()A.該晶胞的體積為a3×10-36cm3B.Au和Cu原子數(shù)之比為3∶1C.與Au最鄰近的Cu原子數(shù)為12D.Au和Cu之間的最短距離為eq\f(1,2)apm答案C解析晶胞參數(shù)為apm,即a×10-10cm,則晶胞體積為a3×10-30cm3,A錯(cuò)誤;晶胞中,Au的個(gè)數(shù)為8×eq\f(1,8)=1,Cu的個(gè)數(shù)為6×eq\f(1,2)=3,則Au和Cu原子數(shù)之比為1∶3,B錯(cuò)誤;由圖可知,Au和Cu之間的最短距離是面對(duì)角線(xiàn)長(zhǎng)的一半,即eq\f(\r(2),2)apm,D錯(cuò)誤。7.(2023·遼寧撫順高三下學(xué)期模擬)砷化鎵(GaAs)作為第二代半導(dǎo)體材料的代表,是目前研究最成熟、生產(chǎn)量最大的半導(dǎo)體材料。GaAs晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,晶胞邊長(zhǎng)為apm,下列說(shuō)法正確的是()A.GaAs屬于離子晶體B.基態(tài)砷原子價(jià)層電子軌道表示式為C.As的配位數(shù)為4D.該晶體密度為eq\f(5.8×1036,NA×a3)g·cm-3答案C解析由GaAs晶胞結(jié)構(gòu)圖可知,該晶胞含有Ga原子和As原子,微粒間的作用力是共價(jià)鍵,屬于共價(jià)晶體,A錯(cuò)誤;基態(tài)砷原子價(jià)層電子軌道表示式為,B錯(cuò)誤;與砷原子距離最近的鎵原子的個(gè)數(shù)為4,則As的配位數(shù)為4,C正確;根據(jù)均攤法,砷原子的個(gè)數(shù)為4,鎵原子的個(gè)數(shù)為8×eq\f(1,8)+6×eq\f(1,2)=4,則該晶體的密度為eq\f(\f(4×145,NA),10-30a3)g·cm-3=eq\
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