MOOC 材料科學(xué)基礎(chǔ)（上）-西北工業(yè)大學(xué) 中國大學(xué)慕課答案

MOOC材料科學(xué)基礎(chǔ)（上）-西北工業(yè)大學(xué)中國大學(xué)慕課答案第一章原子結(jié)構(gòu)及鍵合作業(yè)第一章原子結(jié)構(gòu)及鍵合測驗1、問題：離子鍵通過（）成鍵選項：A、價電子轉(zhuǎn)移?B、共用電子對C、自由電子與陽離子D、靜電偶極吸引力正確答案:【價電子轉(zhuǎn)移?】2、問題：共價鍵通過（）成鍵選項：A、共用電子對B、價電子轉(zhuǎn)移C、自由電子與陽離子D、靜電偶極吸引力正確答案:【共用電子對】3、問題：金屬鍵通過（）成鍵選項：A、自由電子與陽離子B、價電子轉(zhuǎn)移C、共用電子對D、靜電偶極吸引力正確答案:【自由電子與陽離子】4、問題：共價鍵為主的晶體：選項：A、熔點高B、塑性差C、硬度低D、固態(tài)導(dǎo)電正確答案:【熔點高#塑性差】5、問題：金屬鍵為主的晶體：選項：A、硬度有高有低B、固態(tài)導(dǎo)電C、液態(tài)導(dǎo)電D、熔點都高E、塑性都差正確答案:【硬度有高有低#固態(tài)導(dǎo)電#液態(tài)導(dǎo)電】6、問題：分子鍵為主的晶體：選項：A、硬度低B、熔點低C、固態(tài)導(dǎo)電D、塑性差正確答案:【硬度低#熔點低】7、問題：離子鍵為主的晶體：選項：A、熔點高B、塑性差C、硬度低D、固態(tài)導(dǎo)電E、液態(tài)不導(dǎo)電正確答案:【熔點高#塑性差】8、問題：分子鍵有方向性選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】9、問題：氫鍵有方向性選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】10、問題：一般地離子鍵比共價鍵的鍵合強度大。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】11、問題：共價鍵有方向性選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】12、問題：金屬鍵鍵合強度相差很大。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】13、問題：金屬鍵有方向性選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】第二章晶體的結(jié)構(gòu)（一）：作業(yè)第二章晶體的結(jié)構(gòu)（一）：測驗1、問題：立方晶系包括：選項：A、簡單立方B、面心立方C、體心立方D、底心立方正確答案:【簡單立方#面心立方#體心立方】2、問題：正交晶系包括：選項：A、簡單正交B、底心正交C、面心正交D、體心正交正確答案:【簡單正交#底心正交#面心正交#體心正交】3、問題：晶體結(jié)構(gòu)有無數(shù)多種。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】4、問題：晶體結(jié)構(gòu)和空間點陣中的點都表示原子。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】5、問題：相似的晶體結(jié)構(gòu)可屬于不同點陣。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】6、問題：差別很大的晶體結(jié)構(gòu)可以屬于同一點陣。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】7、問題：空間點陣可以劃分為七大晶系，包括14種點陣類型。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】8、問題：按照不同法則，點陣中可以選取多種不同的基本單元體。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】9、問題：晶胞就是點陣中最小的單元體。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】第二章晶體的結(jié)構(gòu)（二）：作業(yè)第二章晶體的結(jié)構(gòu)（二）：測驗1、問題：在簡單立方晶胞中畫出晶面選項：A、B、C、D、正確答案:【】2、問題：點陣常數(shù)為a的體心立方晶體中，（110）晶面間距為選項：A、B、aC、D、正確答案:【】3、問題：在簡單立方晶胞中畫出晶面選項：A、B、C、D、正確答案:【】4、問題：點陣常數(shù)為a的面心立方晶體中，（100）晶面間距為選項：A、B、aC、D、正確答案:【】5、問題：點陣常數(shù)為a的簡單立方晶體中，（100）晶面間距為選項：A、aB、C、D、正確答案:【a】6、問題：點陣常數(shù)為a的面心立方晶體中，（111）晶面間距為選項：A、B、C、aD、正確答案:【】7、問題：立方晶系中，具有完全相同指數(shù)的晶向與晶面選項：A、相互垂直B、相互平行C、45°相交D、夾角不確定正確答案:【相互垂直】8、問題：非立方晶系中，具有完全相同指數(shù)的晶向與晶面選項：A、有可能相互垂直B、有可能相互平行C、夾角不確定D、45°相交正確答案:【有可能相互垂直】9、問題：點陣常數(shù)為a的面心立方晶體中，（110）晶面間距為選項：A、B、C、D、a正確答案:【】10、問題：晶向指數(shù)表示選項：A、晶體中任意兩點的連線B、晶體中平行、同向的晶體學(xué)方向C、頂點到頂點的連線D、表示了原子之間的方向與距離正確答案:【晶體中任意兩點的連線#晶體中平行、同向的晶體學(xué)方向】11、問題：晶面指數(shù)表示選項：A、晶體中一個晶面B、晶體中所有平行的晶面C、晶面的指數(shù)是唯一的D、不同晶面的指數(shù)肯定不同正確答案:【晶體中一個晶面#晶體中所有平行的晶面】第二章晶體的結(jié)構(gòu)（三）：作業(yè)第二章晶體的結(jié)構(gòu)（三）：測驗1、問題：面心立方、體心立方和密排六方的配位數(shù)分別為選項：A、74％、68％、74％B、68％、68%、68%C、68％、74%、68%D、74％、74%、74%正確答案:【74％、68％、74％】2、問題：體心立方八面體間隙和四面體間隙大小rB/rA分別為選項：A、0.15、0.29B、0.29、0.15C、0.414、0.15D、0.414、0.29正確答案:【0.15、0.29】3、問題：面心立方、體心立方、密排六方的八面體間隙和四面體間隙大小rB/rA選項：A、面心立方與密排六方相同B、面心立方與體心立方相同C、密排六方與體心立方相同D、都不相同正確答案:【面心立方與密排六方相同】4、問題：體心立方密排面、密排方向分別為選項：A、{110},111B、{100},111C、{111},110D、{111},111正確答案:【{110},111】5、問題：面心立方、體心立方和密排六方的晶胞原子數(shù)分別為選項：A、4、2、6B、4、2、4C、2、4、4D、4、4、6正確答案:【4、2、6】6、問題：面心立方八面體間隙和四面體間隙大小rB/rA分別為選項：A、0.414、0.225B、0.414、0.15C、0.29、0.15D、0.414、0.29正確答案:【0.414、0.225】7、問題：面心立方密排面、密排方向分別為選項：A、{111},110B、{110},111C、{100},111D、{111},111正確答案:【{111},110】8、問題：面心立方密排面的堆垛方向和次序為選項：A、111,ABCB、110,ABCC、{111},ABD、[001],AB正確答案:【111,ABC】9、問題：體心立方密排面的堆垛方向和次序為選項：A、110,ABB、110,ABCC、{111},ABD、[001],ABC正確答案:【110,AB】第三章晶體缺陷（一）：作業(yè)第三章晶體缺陷（一）：測驗1、問題：點缺陷種類包括選項：A、空位B、間隙原子C、溶質(zhì)原子D、雜質(zhì)原子正確答案:【空位#間隙原子#溶質(zhì)原子#雜質(zhì)原子】2、問題：點缺陷使晶體的選項：A、電阻升高B、電子狀態(tài)改變C、發(fā)生點陣畸變D、強度升高正確答案:【電阻升高#電子狀態(tài)改變#發(fā)生點陣畸變#強度升高】3、問題：點缺陷是選項：A、零維缺陷B、三個方向上尺寸都很小C、二個方向上尺寸很小D、一個方向上尺寸很小正確答案:【零維缺陷#三個方向上尺寸都很小】4、問題：點缺陷種類包括選項：A、弗蘭克缺陷B、肖脫基缺陷C、反位原子D、空位片正確答案:【弗蘭克缺陷#肖脫基缺陷#反位原子】5、問題：完整晶體中是不含空位的。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】6、問題：常溫下，空位可以被完全消除。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】7、問題：點缺陷尺度太小，所有主要影響晶體的物理性質(zhì)，對力學(xué)性質(zhì)基本沒有影響。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】8、問題：點缺陷是熱力學(xué)平衡缺陷。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】第三章晶體缺陷（二）：作業(yè)第三章晶體缺陷（二）：測驗1、問題：螺位錯的柏氏矢量選項：A、與位錯線不平行，也不垂直B、與位錯線垂直C、與位錯線平行D、與位錯先正方向無關(guān)正確答案:【與位錯線不平行，也不垂直】2、問題：刃位錯的柏氏矢量選項：A、與位錯線垂直B、與位錯線平行C、與位錯線不平行，也不垂直D、與位錯先正方向無關(guān)正確答案:【與位錯線垂直】3、問題：螺位錯的柏氏矢量選項：A、與位錯線平行B、與位錯線不平行，也不垂直C、與位錯線垂直D、與位錯先正方向無關(guān)正確答案:【與位錯線平行】4、問題：位錯是選項：A、一維缺陷B、線性缺陷C、二個方向上尺寸很小D、熱力學(xué)平衡缺陷正確答案:【一維缺陷#線性缺陷#二個方向上尺寸很小】5、問題：位錯的基本類型包括選項：A、螺位錯B、刃位錯C、混合位錯D、位錯環(huán)正確答案:【螺位錯#刃位錯#混合位錯】6、問題：柏氏矢量選項：A、反映畸變的大小B、反映畸變的方向C、與標定用的柏氏回路大小、形狀無關(guān)D、與位錯線方向有關(guān)正確答案:【反映畸變的大小#反映畸變的方向#與標定用的柏氏回路大小、形狀無關(guān)#與位錯線方向有關(guān)】7、問題：隨著位錯線的彎曲，柏氏矢量是可變的。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】8、問題：一個柏氏回路只要包含的位錯沒有變，則無論柏氏回路的大小、形狀、位置如何變化，所得的柏氏矢量不變。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】9、問題：位錯的密度可以分為體密度和面密度。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】10、問題：混合位錯就是既有螺型位錯分量，又有刃型位錯分量的位錯。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】11、問題：一根位錯先不能終止與晶體內(nèi)部。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】第三章晶體缺陷（三）：作業(yè)第三章晶體缺陷（三）：測驗1、問題：刃位錯滑移選項：A、滑移量＝柏氏矢量的模B、滑移面唯一C、需要外力平行于柏氏矢量或具有平行的分量D、需要外力垂直于位錯線或具有垂直的分量正確答案:【滑移量＝柏氏矢量的模#滑移面唯一#需要外力平行于柏氏矢量或具有平行的分量#需要外力垂直于位錯線或具有垂直的分量】2、問題：螺位錯滑移選項：A、滑移量＝柏氏矢量的模B、滑移面不唯一C、需要外力平行于柏氏矢量或具有平行的分量D、需要外力平行于位錯線或具有平行的分量正確答案:【滑移量＝柏氏矢量的模#滑移面不唯一#需要外力平行于柏氏矢量或具有平行的分量#需要外力平行于位錯線或具有平行的分量】3、問題：混合位錯滑移選項：A、滑移量＝柏氏矢量的模B、位錯線沿法線方向運動C、需要外力平行于柏氏矢量或具有平行的分量D、需要外力平行于位錯線或具有平行的分量正確答案:【滑移量＝柏氏矢量的模#位錯線沿法線方向運動#需要外力平行于柏氏矢量或具有平行的分量】4、問題：刃位錯的滑移是選項：A、依次逐排的運動B、正、負刃位錯運動方向相反C、b與位錯線確定的晶面一定是其滑移面D、原子面上的整體平移正確答案:【依次逐排的運動#正、負刃位錯運動方向相反】5、問題：螺位錯的滑移是選項：A、依次逐排的運動B、左螺、右螺位錯運動方向相反C、在任意經(jīng)過位錯線的原子面上運動D、原子面上的整體平移正確答案:【依次逐排的運動#左螺、右螺位錯運動方向相反】6、問題：半原子面縮短是正攀移選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】7、問題：只有刃位錯才能發(fā)生交滑移選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】8、問題：只有螺位錯才能發(fā)生攀移選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】9、問題：攀移對塑性變形沒有直接作用，但可以使滑移繼續(xù)選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】10、問題：刃位錯的攀移和交滑移都是守恒運動選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】11、問題：攀移對塑性變形沒有意義選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】12、問題：交滑移可以躲避障礙物，有利于塑性變形選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】13、問題：只有刃位錯才能攀移選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】14、問題：螺位錯的交滑移和滑移都是守恒運動選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】15、問題：攀移和交滑移都是躲避障礙物的運動方式選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】第三章晶體缺陷（四）：作業(yè)第三章晶體缺陷（四）：測驗1、問題：螺位錯的應(yīng)力場選項：A、是純剪切應(yīng)力場B、沿z方向建立模型時，僅有z方向的切應(yīng)力，正應(yīng)力為零C、遠離位錯線時，應(yīng)力場逐漸減弱D、與θ角無關(guān)正確答案:【是純剪切應(yīng)力場#沿z方向建立模型時，僅有z方向的切應(yīng)力，正應(yīng)力為零#遠離位錯線時，應(yīng)力場逐漸減弱#與θ角無關(guān)】2、問題：研究位錯應(yīng)力場的基本假設(shè)包括選項：A、完全彈性體，服從胡可定律B、各向同性C、連續(xù)介質(zhì)，可以用連續(xù)函數(shù)表達D、可研究位錯線核心區(qū)至外圍全范圍正確答案:【完全彈性體，服從胡可定律#各向同性#連續(xù)介質(zhì)，可以用連續(xù)函數(shù)表達】3、問題：混合位錯的應(yīng)力場選項：A、可分解為刃型位錯分量和螺型位錯分量B、既有正應(yīng)力，也有切應(yīng)力C、遠離位錯線時，應(yīng)力場逐漸減弱D、軸向?qū)ΨQ，與θ角無關(guān)正確答案:【可分解為刃型位錯分量和螺型位錯分量#既有正應(yīng)力，也有切應(yīng)力#遠離位錯線時，應(yīng)力場逐漸減弱】4、問題：刃位錯的應(yīng)力場選項：A、既有正應(yīng)力，也有切應(yīng)力B、沿z方向建立模型時，與z方向有關(guān)的切應(yīng)力為零C、遠離位錯線時，應(yīng)力場逐漸減弱D、含半原子面部分為壓應(yīng)力區(qū)，不含半原子面部分為拉應(yīng)力區(qū)正確答案:【既有正應(yīng)力，也有切應(yīng)力#沿z方向建立模型時，與z方向有關(guān)的切應(yīng)力為零#遠離位錯線時，應(yīng)力場逐漸減弱#含半原子面部分為壓應(yīng)力區(qū)，不含半原子面部分為拉應(yīng)力區(qū)】5、問題：位錯線附近區(qū)域畸變嚴重，因而不符合連續(xù)介質(zhì)模型的相關(guān)假設(shè)選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】6、問題：位錯的應(yīng)變能越高，位錯穩(wěn)定性越好選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】7、問題：柏氏矢量的模越小，位錯的應(yīng)變能越高選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】8、問題：具有同樣柏氏矢量的刃位錯與螺位錯，刃位錯的應(yīng)變能較高選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】9、問題：位錯引起點陣畸變，因而必然具有應(yīng)變能選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】第三章晶體缺陷（五）：作業(yè)第三章晶體缺陷（五）：測驗1、問題：位錯線張力選項：A、使位錯自發(fā)收縮B、與位錯柏氏矢量大小有關(guān)C、是一虛擬力D、方向垂直與位錯線正確答案:【使位錯自發(fā)收縮#與位錯柏氏矢量大小有關(guān)】2、問題：作用在刃位錯線上的力選項：A、垂直位錯線B、與柏氏矢量大小有關(guān)C、總是與外力方向相同D、就是外加切應(yīng)力正確答案:【垂直位錯線#與柏氏矢量大小有關(guān)】3、問題：作用在螺位錯線上的力選項：A、垂直位錯線B、與柏氏矢量大小有關(guān)C、總是與外力方向相同D、就是外加切應(yīng)力正確答案:【垂直位錯線#與柏氏矢量大小有關(guān)】4、問題：作用在混合位錯線上的力選項：A、垂直位錯線B、與柏氏矢量大小有關(guān)C、總是與外力方向相同D、就是外加切應(yīng)力正確答案:【垂直位錯線#與柏氏矢量大小有關(guān)】5、問題：位錯線張力類似與液體表明張力選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】6、問題：位錯線引起的畸變越大，線張力越強選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】7、問題：作用在位錯線上的力與柏氏矢量大小有關(guān)選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】8、問題：位錯線張力的作用是降低體系能量選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】9、問題：作用在位錯線上的力與外力大小有關(guān)選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】10、問題：作用在位錯線上的力是實際推動位錯運動的力選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】第三章晶體缺陷（六）：作業(yè)第三章晶體缺陷（六）：測驗1、問題：異號、平行位錯之間相互選項：A、吸引B、排斥C、纏繞D、交割正確答案:【吸引】2、問題：同號、平行位錯之間相互選項：A、排斥B、吸引C、纏繞D、交割正確答案:【排斥】3、問題：異號、平行位錯相互靠近可降低體系能量選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】4、問題：同號、平行位錯相互靠近可降低體系能量選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】5、問題：位錯交割產(chǎn)生的位錯線拐彎必然對位錯的后續(xù)運動產(chǎn)生影響選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】6、問題：位錯塞積引起的集中應(yīng)力大小與外應(yīng)力大小相同選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】7、問題：位錯塞積必然阻礙位錯運動選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】8、問題：位錯可能通過攀移或交滑移繞過障礙物，減輕位錯塞積選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】9、問題：位錯交割后，必然在位錯線上形成拐彎選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】10、問題：位錯塞積是位錯與面缺陷間的彈性交互作用選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】第三章晶體缺陷（七）：作業(yè)第三章晶體缺陷（七）：測驗1、問題：F-R源中位錯線彎曲成半圓狀態(tài)時，回縮力最小選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】2、問題：F-R源開動需要克服一定的臨界阻力（勢壘）選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】3、問題：F-R源開動臨界切應(yīng)力值與固定點間距大小有關(guān)選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】4、問題：位錯增殖機制可以使晶體中的位錯密度提高數(shù)個數(shù)量級選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】5、問題：位錯源只有Frank-Read這一種類型選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】6、問題：F-R源中位錯線彎曲成半圓狀態(tài)時，所需外應(yīng)力最小選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】7、問題：F-R源開動要克服位錯滑移阻力和位錯線張力選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】8、問題：F-R源中位錯線彎曲成半圓狀態(tài)時，兩端點位錯必為同性質(zhì)、異號位錯選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】9、問題：F-R源中位錯線彎曲成半圓狀態(tài)時，兩端點位錯運動方向必定同向選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】第三章晶體缺陷（八）：作業(yè)第三章晶體缺陷（八）：測驗1、問題：單位位錯是選項：A、柏氏矢量等于點陣矢量B、柏氏矢量等于點陣矢量數(shù)倍C、柏氏矢量小于點陣矢量D、柏氏矢量不等于點陣矢量正確答案:【柏氏矢量等于點陣矢量】2、問題：部分位錯是選項：A、柏氏矢量小于點陣矢量B、柏氏矢量等于點陣矢量整數(shù)倍C、柏氏矢量等于點陣矢量D、柏氏矢量大于點陣矢量正確答案:【柏氏矢量小于點陣矢量】3、問題：堆垛層錯選項：A、是面缺陷B、無畸變能C、對晶體沒有影響D、引起較大的畸變正確答案:【是面缺陷】4、問題：全位錯是選項：A、柏氏矢量等于點陣矢量整數(shù)倍B、柏氏矢量等于點陣矢量C、柏氏矢量小于點陣矢量D、柏氏矢量不等于點陣矢量正確答案:【柏氏矢量等于點陣矢量整數(shù)倍】5、問題：Fcc晶體中，單位位錯的?？梢圆煌x項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】6、問題：模越小的單位位錯，穩(wěn)定性越高選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】7、問題：弗蘭克不全位錯是螺位錯選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】8、問題：肖克萊不全位錯線一定是平面曲線選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】9、問題：位錯反應(yīng)肯定是合并，這樣才能降低體系自由能選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】10、問題：Fcc晶體中，最短單位位錯是選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】11、問題：若位錯反應(yīng)能夠自發(fā)進行，必然使體系自由能降低選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】12、問題：位錯反應(yīng)實質(zhì)上是應(yīng)變場的拆分和合并選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】13、問題：擴展位錯越寬，畸變能越低選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】14、問題：只有密排面才能產(chǎn)生層錯選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】15、問題：以AB為堆垛周期的原子面也可以產(chǎn)生層錯選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】16、問題：不全位錯是局部層錯的邊界選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】17、問題：弗蘭克不全位錯線可以是平面曲線，也可以是空間曲線選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】18、問題：若位錯反應(yīng)能夠自發(fā)進行，不一定需要使反應(yīng)前后的柏氏矢量和相等選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】19、問題：Bcc晶體中，最短單位位錯是選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】20、問題：肖克萊不全位錯可以是刃位錯、螺位錯，也可以是混合位錯選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】第三章晶體缺陷（九）：作業(yè)第三章晶體缺陷（九）：測驗1、問題：小角度晶界是位向差小于10°的晶界選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】2、問題：相界兩側(cè)是異質(zhì)的（不同的固體相之間的分界面）選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】3、問題：表面指是不同態(tài)（固態(tài)與氣態(tài)、液態(tài)）物質(zhì)之間的分界面選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】4、問題：層錯是原子堆垛順序發(fā)生錯誤形成的分界面選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】5、問題：孿晶面是孿晶的對稱面，屬于孿晶界的一部分選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】6、問題：亞晶界是亞晶粒之間的分界面選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】7、問題：按界面兩側(cè)是否同種介質(zhì)，可分為晶界和相界選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】8、問題：小角度晶界可以理解為位錯墻選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】9、問題：孿晶面上的原子為兩側(cè)孿晶所共有選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】10、問題：按界面兩側(cè)原子匹配程度分，可分為共格、半共格和非共格界面選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】11、問題：按界面兩側(cè)晶體的位向差大小分類，可分為小角晶界和大角晶界選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】12、問題：孿晶界是孿晶之間的分界面選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】13、問題：與孿晶面不重合的孿晶界是非共格界面選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】14、問題：小角晶界中位錯密度越大，位向差越大選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】15、問題：小角晶界中位錯密度越大，晶界能越大選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】16、問題：大角晶界畸變能大于小角晶界，所以大角晶界的晶界能較高選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】17、問題：晶界兩側(cè)是同質(zhì)的（相同的固體相之間的分界面）選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】18、問題：層錯不產(chǎn)生晶格畸變選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】19、問題：孿晶面是共格界面選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】20、問題：亞晶之間的位向差一般小于10°，所以亞晶界往往是小角度晶界選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】21、問題：小角晶界中位向差越大，晶界能越大選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】第四章固體中的相：作業(yè)第四章固體中的相：測驗1、問題：非晶相的形成條件包括選項：A、熔融態(tài)的粘度B、冷卻速度C、原子尺寸大小D、晶體結(jié)構(gòu)正確答案:【熔融態(tài)的粘度#冷卻速度】2、問題：影響間隙固溶體的固溶度的因素有選項：A、電負性B、原子半徑差C、組元晶體結(jié)構(gòu)D、電子濃度正確答案:【電負性#原子半徑差#組元晶體結(jié)構(gòu)#電子濃度】3、問題：固體中的相是指選項：A、結(jié)構(gòu)相同B、性質(zhì)相同C、聚集狀態(tài)相同D、均勻體正確答案:【結(jié)構(gòu)相同#性質(zhì)相同#聚集狀態(tài)相同#均勻體】4、問題：影響置換固溶體的固溶度的因素有選項：A、電負性B、原子半徑差C、組元晶體結(jié)構(gòu)D、電子濃度正確答案:【電負性#原子半徑差#組元晶體結(jié)構(gòu)#電子濃度】5、問題：晶態(tài)的陶瓷材料的特點包括選項：A、以離子鍵為主B、原子比例比較嚴格，可以用分子式表示C、典型的非金屬性質(zhì)D、以共價鍵為主正確答案:【以離子鍵為主#原子比例比較嚴格，可以用分子式表示#典型的非金屬性質(zhì)】6、問題：硅酸鹽結(jié)構(gòu)包括選項：A、島狀硅酸鹽B、鏈狀硅酸鹽C、層狀硅酸鹽D、網(wǎng)狀硅酸鹽正確答案:【島狀硅酸鹽#鏈狀硅酸鹽#層狀硅酸鹽#網(wǎng)狀硅酸鹽】7、問題：影響間隙固溶體固溶度的因素主要是原子尺寸差，另外組元晶體結(jié)構(gòu)、電負性和原子價也有影響選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】8、問題：對某一個具體的固溶體而言，并非所有影響固溶度的因素都起作用選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】9、問題：影響間隙固溶體固溶度的因素只有原子尺寸差選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】10、問題：固溶體與化合物都是兩種或多種原子混合形成的，若不形成新晶體結(jié)構(gòu)，則為固溶體，若形成了新晶體結(jié)構(gòu)，則為化合物選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】11、問題：電負性差異越大，異類原子結(jié)合力越大，容易形成化合物選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】12、問題：相是結(jié)構(gòu)、性質(zhì)、聚集狀態(tài)相同的均勻體，不涉及形貌選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】13、問題：化合物中同類原子之間結(jié)合力大，因而化合物的結(jié)構(gòu)往往是有序的選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】14、問題：固溶體中異類原子間結(jié)合力越大，固溶體的有序度（有序的范圍和有序程度）越大選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】15、問題：化合物中原子嚴格按比例結(jié)合，不存在偏差，因而可以用分子式表示選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】16、問題：固溶體中同類原子之間結(jié)合力小，往往形成是有序固溶體選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】第五章固體中的擴散：作業(yè)第五章固體中的擴散：測驗1、問題：非穩(wěn)態(tài)擴散指的是選項：A、與時間t有關(guān)B、濃度梯度隨時間變化C、與距擴散距離遠近有關(guān)D、各處濃度梯度隨位置變化正確答案:【與時間t有關(guān)#濃度梯度隨時間變化】2、問題：典型的上坡擴散誘發(fā)原因有選項：A、彈性應(yīng)力場作用B、電磁場作用C、晶界內(nèi)吸附D、調(diào)幅分解正確答案:【彈性應(yīng)力場作用#電磁場作用#晶界內(nèi)吸附#調(diào)幅分解】3、問題：穩(wěn)態(tài)擴散指的是選項：A、與時間t無關(guān)B、濃度梯度不隨時間變化C、與距擴散距離遠近無關(guān)D、各處濃度梯度不隨位置變化正確答案:【與時間t無關(guān)#濃度梯度不隨時間變化】4、問題：原子擴散激活能來自選項：A、能量起伏B、外界能量輸入C、能級躍遷D、結(jié)合鍵破壞正確答案:【能量起伏#外界能量輸入】5、問題：反應(yīng)擴散選項：A、形成新相層，并有明確界面B、反應(yīng)擴散速度受原子擴散速度和反應(yīng)速度共同影響C、不可能出現(xiàn)兩相共存區(qū)D、擴散引起反應(yīng)的擴散過程正確答案:【形成新相層，并有明確界面#反應(yīng)擴散速度受原子擴散速度和反應(yīng)速度共同影響#不可能出現(xiàn)兩相共存區(qū)#擴散引起反應(yīng)的擴散過程】6、問題：科肯道爾效應(yīng)選項：A、揭示了宏觀擴散規(guī)律與微觀擴散機制間的內(nèi)在聯(lián)系B、擴散系統(tǒng)中每一種組元都有各自的擴散系數(shù)C、擴散偶界面兩側(cè)原子遷移速度不相等D、會對擴散偶產(chǎn)生不利影響，應(yīng)盡量避免正確答案:【揭示了宏觀擴散規(guī)律與微觀擴散機制間的內(nèi)在聯(lián)系#擴散系統(tǒng)中每一種組元都有各自的擴散系數(shù)#擴散偶界面兩側(cè)原子遷移速度不相等】7、問題：影響擴散的因素包括選項：A、溫度B、晶體結(jié)構(gòu)與固溶體類型C、晶體缺陷D、化學(xué)成分正確答案:【溫度#晶體結(jié)構(gòu)與固溶體類型#晶體缺陷#化學(xué)成分】8、問題：擴散的路徑包括選項：A、體擴散B、外表面擴散C、界面擴散D、位錯擴散正確答案:【體擴散#外表面擴散#界面擴散#位錯擴散】9、問題：擴散的實際驅(qū)動力由濃度梯度提供選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】10、問題：擴散通量為零時，擴散系數(shù)也必然為零選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】11、問題：對擴散常數(shù)的影響因素主要是溫度和擴散激活能選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】12、問題：晶體化合物中，非本征缺陷少，因此非本征擴散是次要機制選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】13、問題：溶質(zhì)原子濃度越高，擴散速度必然較快選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】14、問題：若溶質(zhì)原子提高基體的熔點，將是擴散系數(shù)升高選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】15、問題：擴散通量是指擴散物質(zhì)的流量選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】16、問題：擴散第一定律只適用于穩(wěn)態(tài)擴散選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】17、問題：擴散激活能是原子跳動時需要越過的勢壘選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】18、問題：純物質(zhì)中不存在濃度梯度，因此不存在擴散選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】19、問題：晶界處原子排列混亂，因此擴散激活能高選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】20、問題：溫度越高，擴散激活能越小，擴散越快選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】21、問題：間隙固溶體中，溶質(zhì)原子越多，則占據(jù)間隙越多，剩余間隙越少，因此使得擴散系數(shù)下降選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】22、問題：若沒有宏觀擴散流，則說明沒有發(fā)生擴散選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】23、問題：非晶體固體中擴散激活能高，所以擴散系數(shù)高選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】24、問題：置換型擴散機制中，換位機制不依賴空位就能實現(xiàn)擴散，因此是主要的置換型擴散機制選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】材料科學(xué)基礎(chǔ)（上）期末考試1、問題：影響間隙固溶體的固溶度最主要的因素有選項：A、原子半徑差B、電負性C、組元晶體結(jié)構(gòu)D、電子濃度正確答案:【原子半徑差】2、問題：面心立方、體心立方和密排六方的晶胞原子數(shù)分別為選項：A、4、2、6B、4、2、4C、2、4、4D、4、4、6正確答案:【4、2、6】3、問題：混合位錯的柏氏矢量選項：A、與位錯線不平行，也不垂直B、與位錯線垂直C、與位錯線平行D、與位錯線正方向無關(guān)正確答案:【與位錯線不平行，也不垂直】4、問題：面心立方、體心立方和密排六方的配位數(shù)分別為選項：A、12、8、12B、8、8、6C、12、12、12D、12、6、8正確答案:【12、8、12】5、問題：體心立方八面體間隙和四面體間隙大小rB/rA分別為選項：A、0.15、0.29B、0.414、0.15C、0.29、0.15D、0.414、0.29正確答案:【0.15、0.29】6、問題：面心立方密排面、密排方向分別為選項：A、{111},110B、{110},111C、{100},111D、{111},111正確答案:【{111},110】7、問題：同號、平行位錯之間相互選項：A、排斥B、吸引C、纏繞D、交割正確答案:【排斥】8、問題：立方晶系包括________種點選項：A、3種B、2種C、1種D、4種正確答案:【3種】9、問題：全位錯是選項：A、柏氏矢量等于點陣矢量整數(shù)倍B、柏氏矢量等于點陣矢量C、柏氏矢量小于點陣矢量D、柏氏矢量不等于點陣矢量正確答案:【柏氏矢量等于點陣矢量整數(shù)倍】10、問題：部分位錯是選項：A、柏氏矢量小于點陣矢量B、柏氏矢量等于點陣矢量整數(shù)倍C、柏氏矢量等于點陣矢量D、柏氏矢量大于點陣矢量正確答案:【柏氏矢量小于點陣矢量】11、問題：立方晶系中，具有完全相同指數(shù)的晶向與晶面選項：A、相互垂直B、相互平行C、45°相交D、夾角不確定正確答案:【相互垂直】12、問題：堆垛層錯選項：A、是面缺陷B、無畸變能C、對晶體沒有影響D、引起較大的畸變正確答案:【是面缺陷】13、問題：非立方晶系中，具有完全相同指數(shù)的晶向與晶面選項：A、有可能相互垂直B、有可能相互平行C、45°相交D、夾角不確定正確答案:【有可能相互垂直】14、問題：面心立方、體心立方和密排六方的致密度分別為選項：A、74％、68％、74％B、68％、68%、68%C、68％、74%、68%D、74％、74%、74%正確答案:【74％、68％、74％】15、問題：面心立方八面體間隙和四面體間隙大小rB/rA分別為選項：A、0.414、0.225B、0.414、0.15C、0.29、0.15D、0.414、0.29正確答案:【0.414、0.225】16、問題：面心立方、體心立方、密排六方的八面體間隙和四面體間隙大小rB/rA選項：A、面心立方與密排六方相同B、面心立方與體心立方相同C、密排六方與體心立方相同D、都不相同正確答案:【面心立方與密排六方相同】17、問題：刃位錯的柏氏矢量選項：A、與位錯線垂直B、與位錯線平行C、與位錯線不平行，也不垂直D、與位錯線正方向無關(guān)正確答案:【與位錯線垂直】18、問題：螺位錯的柏氏矢量選項：A、與位錯線平行B、與位錯線不平行，也不垂直C、與位錯線垂直D、與位錯線正方向無關(guān)正確答案:【與位錯線平行】19、問題：異號、平行位錯之間相互選項：A、吸引B、排斥C、纏繞D、交割正確答案:【吸引】20、問題：單位位錯是選項：A、柏氏矢量等于點陣矢量B、柏氏矢量等于點陣矢量數(shù)倍C、柏氏矢量小于點陣矢量D、柏氏矢量不等于點陣矢量正確答案:【柏氏矢量等于點陣矢量】21、問題：六方晶系包括________點陣選項：A、簡單六方B、密排六方C、底心六方D、體心六方正確答案:【簡單六方】22、問題：點陣常數(shù)為a的面心立方晶體中，（100）晶面間距為選項：A、B、C、D、a正確答案:【】23、問題：體心立方密排面、密排方向分別為選項：A、{110},111B、{111},110C、{100},111D、{111},111正確答案:【{110},111】24、問題：面心立方密排面的堆垛方向和次序為選項：A、111,ABCB、110,ABCC、{111},ABD、[001],AB正確答案:【111,ABC】25、問題：體心立方密排面的堆垛方向和次序為選項：A、110,ABB、110,ABCC、{111},ABD、[001],ABC正確答案:【110,AB】26、問題：科肯道爾效應(yīng)選項：A、揭示了宏觀擴散規(guī)律與微觀擴散機制間的內(nèi)在聯(lián)系B、擴散系統(tǒng)中每一種組元都有各自的擴散系數(shù)C、擴散偶界面兩側(cè)原子遷移速度不相等D、會對擴散偶產(chǎn)生不利影響，應(yīng)盡量避免正確答案:【揭示了宏觀擴散規(guī)律與微觀擴散機制間的內(nèi)在聯(lián)系#擴散系統(tǒng)中每一種組元都有各自的擴散系數(shù)#擴散偶界面兩側(cè)原子遷移速度不相等】27、問題：典型的上坡擴散誘發(fā)原因有選項：A、彈性應(yīng)力場作用B、電磁場作用C、晶界內(nèi)吸附D、調(diào)幅分解正確答案:【彈性應(yīng)力場作用#電磁場作用#晶界內(nèi)吸附#調(diào)幅分解】28、問題：位錯是選項：A、一維缺陷B、線形缺陷C、二個方向上尺寸很小D、熱力學(xué)平衡缺陷正確答案:【一維缺陷#線形缺陷#二個方向上尺寸很小】29、問題：柏氏矢量選項：A、反映畸變的大小B、反映畸變的方向C、與標定用的柏氏回路大小、形狀無關(guān)D、與位錯線方向有關(guān)正確答案:【反映畸變的大小#反映畸變的方向#與標定用的柏氏回路大小、形狀無關(guān)#與位錯線方向有關(guān)】30、問題：刃位錯的滑移是選項：A、依次逐排的運動B、正、負刃位錯運動方向相反C、原子面上的整體平移D、能在任意經(jīng)過位錯線的原子面上運動正確答案:【依次逐排的運動#正、負刃位錯運動方向相反】31、問題：混合位錯滑移選項：A、滑移量＝柏氏矢量的模B、位錯線沿法線方向運動C、需要外力平行于柏氏矢量或具有平行的分D、需要外力平行于位錯線或具有平行的分量正確答案:【滑移量＝柏氏矢量的模#位錯線沿法線方向運動#需要外力平行于柏氏矢量或具有平行的分】32、問題：混合位錯的應(yīng)力場選項：A、可分解為刃型位錯分量和螺型位錯分量B、既有正應(yīng)力，也有切應(yīng)力C、遠離位錯線時，應(yīng)力場逐漸減弱D、軸向?qū)ΨQ，與θ角無關(guān)正確答案:【可分解為刃型位錯分量和螺型位錯分量#既有正應(yīng)力，也有切應(yīng)力#遠離位錯線時，應(yīng)力場逐漸減弱】33、問題：作用在螺位錯線上的力選項：A、垂直位錯線B、與柏氏矢量大小有關(guān)C、總是與外力方向相同D、就是外加切應(yīng)力正確答案:【垂直位錯線#與柏氏矢量大小有關(guān)】34、問題：作用在混合位錯線上的力選項：A、垂直位錯線B、與柏氏矢量大小有關(guān)C、總是與外力方向相同D、就是外加切應(yīng)力正確答案:【垂直位錯線#與柏氏矢量大小有關(guān)】35、問題：正交晶系包括選項：A、簡單正交B、底心正交C、面心正交D、體心正交正確答案:【簡單正交#底心正交#面心正交#體心正交】36、問題：刃位錯滑移選項：A、滑移量＝柏氏矢量的模B、滑移面唯一C、需要外力平行于柏氏矢量或具有平行的分量D、需要外力垂直于位錯線或具有垂直的分量正確答案:【滑移量＝柏氏矢量的模#滑移面唯一#需要外力平行于柏氏矢量或具有平行的分量#需要外力垂直于位錯線或具有垂直的分量】37、問題：螺位錯滑移選項：A、滑移量＝柏氏矢量的模B、滑移面不唯一C、需要外力平行于柏氏矢量或具有平行的分量D、需要外力平行于位錯線或具有平行的分量正確答案:【滑移量＝柏氏矢量的模#滑移面不唯一#需要外力平行于柏氏矢量或具有平行的分量#需要外力平行于位錯線或具有平行的分量】38、問題：穩(wěn)態(tài)擴散指的是選項：A、與時間t無關(guān)B、濃度梯度不隨時間變化C、與距擴散距離遠近無關(guān)D、各處濃度梯度不隨位置變化正確答案:【與時間t無關(guān)#濃度梯度不隨時間變化】39、問題：研究位錯應(yīng)力場的基本假設(shè)包括選項：A、完全彈性體，服從胡可定律B、各向同性C、連續(xù)介質(zhì)，可以用連續(xù)函數(shù)表達D、可研究位錯線核心區(qū)至外圍全范圍正確答案:【完全彈性體，服從胡可定律#各向同性#連續(xù)介質(zhì)，可以用連續(xù)函數(shù)表達】40、問題：螺位錯的應(yīng)力場選項：A、是純剪切應(yīng)力場B、沿z方向建立模型時，僅有z方向的切應(yīng)力，正應(yīng)力為零C、遠離位錯線時，應(yīng)力場逐漸減弱D、與θ角無關(guān)正確答案:【是純剪切應(yīng)力場#沿z方向建立模型時，僅有z方向的切應(yīng)力，正應(yīng)力為零#遠離位錯線時，應(yīng)力場逐漸減弱#與θ角無關(guān)】41、問題：點缺陷種類包括選項：A、弗蘭克缺陷B、肖脫基缺陷C、反位原子D、空位片正確答案:【弗蘭克缺陷#肖脫基缺陷#反位原子】42、問題：影響化合物類型的因素有選項：A、電負性B、原子半徑差C、組元晶體結(jié)構(gòu)D、電子濃度正確答案:【電負性#原子半徑差#組元晶體結(jié)構(gòu)#電子濃度】43、問題：螺位錯的滑移是選項：A、依次逐排的運動B、左螺、右螺位錯運動方向相反C、能在任意經(jīng)過位錯線的原子面上運動D、原子面上的整體平移正確答案:【依次逐排的運動#左螺、右螺位錯運動方向相反#能在任意經(jīng)過位錯線的原子面上運動】44、問題：晶態(tài)的陶瓷材料的特點包括選項：A、以離子鍵為主B、原子比例比較嚴格，可以用分子式表示C、典型的非金屬性質(zhì)D、以共價鍵為正確答案:【以離子鍵為主#原子比例比較嚴格，可以用分子式表示#典型的非金屬性質(zhì)】45、問題：硅酸鹽結(jié)構(gòu)包括選項：A、島狀硅酸鹽B、鏈狀硅酸鹽C、層狀硅酸鹽D、網(wǎng)狀硅酸鹽正確答案:【島狀硅酸鹽#鏈狀硅酸鹽#層狀硅酸鹽#網(wǎng)狀硅酸鹽】46、問題：刃位錯的應(yīng)力場選項：A、既有正應(yīng)力，也有切應(yīng)力B、沿z方向建立模型時，與z方向有關(guān)的切應(yīng)力為零C、遠離位錯線時，應(yīng)力場逐漸減弱D、含半原子面部分為壓應(yīng)力區(qū)，不含半原子面部分為拉應(yīng)力區(qū)正確答案:【既有正應(yīng)力，也有切應(yīng)力#沿z方向建立模型時，與z方向有關(guān)的切應(yīng)力為零#遠離位錯線時，應(yīng)力場逐漸減弱#含半原子面部分為壓應(yīng)力區(qū)，不含半原子面部分為拉應(yīng)力區(qū)】47、問題：反應(yīng)擴散選項：A、形成新相層，并有明確界面B、反應(yīng)擴散速度受原子擴散速度和反應(yīng)速度共同影響C、不可能出現(xiàn)兩相共存區(qū)D、擴散引起反應(yīng)的擴散過程正確答案:【形成新相層，并有明確界面#反應(yīng)擴散速度受原子擴散速度和反應(yīng)速度共同影響#不可能出現(xiàn)兩相共存區(qū)#擴散引起反應(yīng)的擴散過程】48、問題：作用在刃位錯線上的力選項：A、垂直位錯線B、與柏氏矢量大小有關(guān)C、總是與外力方向相同D、就是外加切應(yīng)力正確答案:【垂直位錯線#與柏氏矢量大小有關(guān)】49、問題：影響擴散的因素包括選項：A、溫度B、晶體結(jié)構(gòu)與固溶體類型C、晶體缺陷D、化學(xué)成分正確答案:【溫度#晶體結(jié)構(gòu)與固溶體類型#晶體缺陷#化學(xué)成分】50、問題：位錯線張力選項：A、使位錯自發(fā)收縮B、與位錯柏氏矢量大小有關(guān)C、是一虛擬力D、方向垂直與位錯線正確答案:【使位錯自發(fā)收縮#與位錯柏氏矢量大小有關(guān)】51、問題：小角度晶界包括選項：A、對稱傾側(cè)B、不對稱傾側(cè)C、扭轉(zhuǎn)晶界D、相界正確答案:【對稱傾側(cè)#不對稱傾側(cè)#扭轉(zhuǎn)晶界】52、問題：影響置換固溶體的固溶度的因素有選項：A、電負性B、原子半徑差C、組元晶體結(jié)構(gòu)D、電子濃度正確答案:【電負性#原子半徑差#組元晶體結(jié)構(gòu)#電子濃度】53、問題：非晶相的形成條件包括選項：A、熔融態(tài)的粘度B、冷卻速度C、原子尺寸大小D、晶體結(jié)構(gòu)正確答案:【熔融態(tài)的粘度#冷卻速度】54、問題：非穩(wěn)態(tài)擴散指的是選項：A、與時間t有關(guān)B、濃度梯度隨時間變化C、與距擴散距離遠近有關(guān)D、各處濃度梯度隨位置變化正確答案:【與時間t有關(guān)#濃度梯度隨時間變化】55、問題：擴散的路徑包括選項：A、體擴散B、外表面擴散C、界面擴散D、位錯擴散正確答案:【體擴散#外表面擴散#界面擴散#位錯擴散】56、問題：點缺陷種類包括選項：A、空位B、間隙原子C、溶質(zhì)原子D、雜質(zhì)原子正確答案:【空位#間隙原子#溶質(zhì)原子#雜質(zhì)原子】57、問題：點缺陷使晶體的選項：A、電阻升高B、改變電子狀態(tài)C、引起點陣畸變D、強度升高正確答案:【電阻升高#改變電子狀態(tài)#引起點陣畸變#強度升高】58、問題：位錯類型包括選項：A、螺位錯B、刃位錯C、混合位錯D、位錯環(huán)正確答案:【螺位錯#刃位錯#混合位錯】59、問題：固體中的相是指選項：A、結(jié)構(gòu)相同B、性質(zhì)相同C、聚集狀態(tài)相同D、均勻體正確答案:【結(jié)構(gòu)相同#性質(zhì)相同#聚集狀態(tài)相同#均勻體】60、問題：影響間隙固溶體固溶度的因素只有原子尺寸差選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】61、問題：差別很大的晶體結(jié)構(gòu)可以屬于同一點陣選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】62、問題：擴散激活能是原子跳動時需要越過的勢壘選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】63、問題：晶界處原子排列混亂，因此擴散激活能高選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】64、問題：點缺陷是熱力學(xué)平衡缺陷選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】65、問題：若沒有宏觀擴散流，則說明沒有發(fā)生擴散選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】66、問題：空位可以被完全消除。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】67、問題：置換型擴散機制中，換位機制不依賴空位就能實現(xiàn)擴散，因此是主要的置換型擴散機制選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】68、問題：一根位錯先不能終止與晶體內(nèi)部。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】69、問題：半原子面縮短是正攀移選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】70、問題：攀移和交滑移都是躲避障礙物的運動方式選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】71、問題：具有同樣柏氏矢量的刃位錯與螺位錯，刃位錯的應(yīng)變能較高選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】72、問題：作用在位錯線上的力是實際推動位錯運動的力選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】73、問題：位錯可能通過攀移或交滑移繞過障礙物，減輕位錯塞積選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】74、問題：F-R源開動臨界切應(yīng)力值與固定點間距大小有關(guān)選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】75、問題：F-R源中位錯線彎曲成半圓狀態(tài)時，所需外應(yīng)力最小選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】76、問題：晶體結(jié)構(gòu)有無數(shù)多種選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】77、問題：肖克萊不全位錯線一定是平面曲線選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】78、問題：點陣中，按照不同法則，可以選取多種不同的基本單元體選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】79、問題：小角度晶界可以理解為位錯墻選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】80、問題：晶體結(jié)構(gòu)和空間點陣中的點都表示原子選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】81、問題：層錯是原子堆垛順序發(fā)生錯誤形成的分界面選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】82、問題：孿晶面上的原子為兩側(cè)孿晶所共有選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】83、問題：亞晶界是亞晶粒之間的分界面選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】84、問題：亞晶之間的位向差一般小于10°，所以亞晶界往往是小角度晶界選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】85、問題：小角晶界中位錯密度越大，位向差越大選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】86、問題：相是結(jié)構(gòu)、性質(zhì)、聚集狀態(tài)相同的均勻體，不涉及形貌選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】87、問題：固溶體與化合物都是兩種或多種原子混合形成的，若不形成新晶體結(jié)構(gòu)，則為固溶體，若形成了新晶體結(jié)構(gòu)，則為化合物選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】88、問題：隨著位錯線的彎曲，柏氏矢量是可變的。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】89、問題：影響間隙固溶體固溶度的因素主要是原子尺寸差，另外組元晶體結(jié)構(gòu)、電負性和原子價也有影響選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】90、問題：化合物中原子嚴格按比例結(jié)合，不存在偏差，因而可以用分子式表示選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】91、問題：只有螺位錯才能發(fā)生攀移選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】92、問題：擴散通量是指擴散物質(zhì)的流量選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】93、問題：溫度越高，擴散激活能越小，擴散越快選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】94、問題：純物質(zhì)中不存在濃度梯度，因此不存在擴散選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】95、問題：位錯的應(yīng)變能越高，位錯穩(wěn)定性越好選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】96、問題：間隙固溶體中，溶質(zhì)原子越多，則占據(jù)間隙越多，剩余間隙越少，因此使得擴散系數(shù)下降選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】97、問題：對擴散常數(shù)D0的影響因素主要是溫度和擴散激活能選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】98、問題：同號、平行位錯相互靠近可降低體系能量選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】99、問題：非晶體固體中擴散激活能高，所以擴散系數(shù)高選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】100、問題：位錯塞積必然阻礙位錯運動選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】101、問題：溶質(zhì)原子濃度越高，擴散速度必然較快選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】102、問題：F-R源開動需要克服一定的臨界阻力（勢壘）選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】103、問題：F-R源開動要克服位錯滑移阻力和位錯線張力選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】104、問題：F-R源中位錯線彎曲成半圓狀態(tài)時，兩端點位錯必為同性質(zhì)、異號位錯選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】105、問題：相似的晶體結(jié)構(gòu)可屬于不同點陣選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】106、問題：空間點陣可以劃分為七大晶系，包括14種點陣類型選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】107、問題：Fcc晶體中，單位位錯的?？梢圆煌x項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】108、問題：不全位錯是局部層錯的邊界選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】109、問題：位錯反應(yīng)肯定是合并，這樣才能降低體系自由能選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】110、問題：位錯反應(yīng)實質(zhì)上是應(yīng)變場的拆分和合并選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】111、問題：擴展位錯越寬，畸變能越低選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】112、問題：小角晶界中位錯密度越大，晶界能越大選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】113、問題：小角晶界中位向差越大，晶界能越大選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】114、問題：一個柏氏回路只要包含的位錯沒有變，則無論柏氏回路的大小、形狀、位置如何變化，所得的柏氏矢量不變。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】115、問題：大角晶界畸變能大于小角晶界，所以大角晶界的晶界能較高選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】116、問題：位錯的密度可以分為體密度和面密度。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】117、問題：按界面兩側(cè)是否同種介質(zhì)，可分為晶界和相界選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】118、問題：混合位錯就是既有螺型位錯分量，又有刃型位錯分量的位錯。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】119、問題：只有刃位錯才能攀移選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】120、問題：刃位錯的攀移和交滑移都是守恒運動選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】121、問題：電負性差異越大，異類原子結(jié)合力越大，容易形成化合物選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】122、問題：攀移對塑性變形沒有意義選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】123、問題：化合物中同類原子之間結(jié)合力大，因而化合物的結(jié)構(gòu)往往是有序的選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】124、問題：交滑移可以躲避障礙物，有利于塑性變形選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】125、問題：固溶體中同類原子之間結(jié)合力小，往往形成是有序固溶體選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】126、問題：固溶體