集成穩(wěn)壓器中雙極晶體管抗電離輻照性能研究的開(kāi)題報(bào)告

集成穩(wěn)壓器中雙極晶體管抗電離輻照性能研究的開(kāi)題報(bào)告一、研究背景隨著現(xiàn)代電子技術(shù)的發(fā)展，電子器件在空間、高能物理等應(yīng)用領(lǐng)域要經(jīng)受各種強(qiáng)輻射環(huán)境的試煉，因此電子器件的電離輻照特性成為了研究的重點(diǎn)。集成穩(wěn)壓器是電子器件中應(yīng)用廣泛的一種，它在電子系統(tǒng)中有著很重要的作用。然而，在輻照環(huán)境下，集成穩(wěn)壓器的性能會(huì)受到極大的影響，包括輸出電壓漂移、區(qū)間溫度系數(shù)增加、噪聲增加、開(kāi)關(guān)速度變慢、漏電流增加等等，嚴(yán)重時(shí)可能會(huì)導(dǎo)致電路失效。因此，研究集成穩(wěn)壓器在輻照環(huán)境下的抗電離輻照性能具有重要的現(xiàn)實(shí)意義和科學(xué)價(jià)值。二、研究?jī)?nèi)容和目標(biāo)本課題的研究?jī)?nèi)容是集成穩(wěn)壓器中雙極晶體管抗電離輻照性能的研究。具體研究?jī)?nèi)容包括：1.輻照環(huán)境下集成穩(wěn)壓器性能的測(cè)試方法和標(biāo)準(zhǔn)；2.集成穩(wěn)壓器中雙極晶體管的物理特性和輻照損傷機(jī)理研究；3.提出在輻照環(huán)境下提高集成穩(wěn)壓器抗輻照性能的措施。本課題的研究目標(biāo)是：1.建立集成穩(wěn)壓器輻照性能測(cè)試體系和標(biāo)準(zhǔn)；2.揭示集成穩(wěn)壓器雙極晶體管在電離輻照環(huán)境下的性能變化規(guī)律和機(jī)理；3.提出一系列可行的方案，以提高集成穩(wěn)壓器在電離輻照環(huán)境下的抗輻照性能。三、主要研究方法和技術(shù)路線(xiàn)本課題主要采用以下研究方法：1.實(shí)驗(yàn)方法：包括對(duì)集成穩(wěn)壓器的電路模擬、輻照實(shí)驗(yàn)和數(shù)據(jù)分析等；2.數(shù)值模擬方法：通過(guò)對(duì)集成穩(wěn)壓器中雙極晶體管物理特性和輻照損傷機(jī)理的模擬和分析，以提高實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性；3.理論分析方法：通過(guò)對(duì)集成穩(wěn)壓器的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、工藝參數(shù)和輻照環(huán)境因素的理論分析，來(lái)探討集成穩(wěn)壓器的抗輻照性能提高的途徑。本課題的技術(shù)路線(xiàn)是：1.建立集成穩(wěn)壓器輻照性能測(cè)試體系和標(biāo)準(zhǔn)；2.對(duì)集成穩(wěn)壓器中雙極晶體管進(jìn)行物理特性和輻照損傷機(jī)理的實(shí)驗(yàn)和數(shù)值模擬分析；3.探討在輻照環(huán)境下提高集成穩(wěn)壓器抗輻照性能的可行方案和措施。四、研究預(yù)期成果經(jīng)過(guò)研究，本課題預(yù)期達(dá)到以下成果：1.建立集成穩(wěn)壓器輻照性能測(cè)試體系和標(biāo)準(zhǔn)；2.揭示雙極晶體管在電離輻照環(huán)境下的性能變化規(guī)律和機(jī)理；3.提出一系列可行的方案，以提高集成穩(wěn)壓器在電離輻照環(huán)境下的抗輻照性能。五、研究意義和國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀本課題研究集成穩(wěn)壓器中雙極晶體管抗電離輻照性能的開(kāi)發(fā)，對(duì)于提高電子器件在高

輻照應(yīng)用環(huán)境下的可靠性和穩(wěn)定性，具有重要的現(xiàn)實(shí)意義和科學(xué)價(jià)值。目前，國(guó)內(nèi)外對(duì)電子器件的電離輻照性能的研究都處于起步階段。歐美國(guó)家已多年開(kāi)展電離輻照領(lǐng)域的研究，如美國(guó)空軍實(shí)驗(yàn)室、美國(guó)能源部、歐洲核子研究組織（CERN）等都開(kāi)