金屬晶體離子晶體教學(xué)課件高二下學(xué)期化學(xué)人教版選擇性必修2

第三章晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)第三節(jié)金屬晶體與離子晶體課時(shí)一

金屬晶體

離子晶體學(xué)習(xí)目標(biāo)01.知道金屬晶體的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，能借助金屬晶體模型說(shuō)明金屬晶體中粒子及粒子間的相互作用02.能從金屬原子結(jié)構(gòu)的視角認(rèn)識(shí)金屬鍵的本質(zhì)03.能從“電子氣理論”解析金屬具有導(dǎo)電性、導(dǎo)熱性和延展性的原因04.知道離子晶體中微粒及其離子間的相互作用05.了解離子晶體的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，并能根據(jù)晶體的一般物理性質(zhì)做出判斷金屬晶體01金屬晶體01金屬晶體復(fù)習(xí)回顧通過(guò)前面對(duì)于分子晶體與離子晶體的學(xué)習(xí)，我們可以總結(jié)研究晶體的一般思路為根據(jù)這個(gè)思路，你能預(yù)測(cè)金屬晶體的構(gòu)成微粒和相互作用嗎？構(gòu)成的微粒微粒間相互作用晶體類型物質(zhì)的性質(zhì)01金屬晶體01金屬晶體通過(guò)視頻我們不難發(fā)現(xiàn)：

金屬晶體是由金屬原子構(gòu)成的，它們的結(jié)構(gòu)就好像很多硬球一層一層很緊密地堆積，每一個(gè)金屬原子的周圍有較多相同的原子圍繞著。那么金屬原子又是如何“粘結(jié)”在一起的呢？01金屬晶體電子氣理論由于金屬原子的最外層電子數(shù)較少，容易失去電子成為金屬離子，金屬脫落下來(lái)的價(jià)電子幾乎均勻分布在整個(gè)晶體中，像遍布整塊金屬的“電子氣”，從而把所有金屬原子維系在一起。這些電子又稱為自由電子。金屬晶體的電子氣理論示意圖01金屬晶體金屬鍵金屬陽(yáng)離子自由電子金屬鍵(在金屬晶體中，原子之間以金屬鍵相互結(jié)合)金屬鍵的本質(zhì)金屬陽(yáng)離子與自由電子之間的強(qiáng)烈的相互作用01金屬晶體不同的金屬其構(gòu)成原子不同，原子間所形成的金屬鍵強(qiáng)弱不同，故物質(zhì)的物理性質(zhì)差別很大。如何解釋呢？01金屬晶體金屬晶體中，自由電子在外加電場(chǎng)作用下，發(fā)生定向移動(dòng)，形成電流，使金屬具有良好的導(dǎo)電性，金屬晶體中除自由電子外的金屬陽(yáng)離子在其位置附近振動(dòng)，加熱時(shí)，金屬陽(yáng)離子的振動(dòng)加強(qiáng)，阻礙自由電子的運(yùn)動(dòng)，因而金屬的電阻隨溫度升高而增大。通性一：金屬的導(dǎo)電性以及金屬的電阻隨溫度升高而增大“電子氣理論”解釋金屬的通性01金屬晶體+++++++++++++++---------------金屬晶體中，自由電子在運(yùn)動(dòng)中不斷地與金屬陽(yáng)離子碰撞，從而發(fā)生能量交換，當(dāng)金屬晶體的一端受熱，加強(qiáng)了該端的金屬陽(yáng)離子的振動(dòng)，自由電子將熱能迅速地傳遞到另一端，使金屬整體的溫度很快的升高，所以金屬有很好的導(dǎo)熱性。通性二：金屬的導(dǎo)熱性“電子氣理論”解釋金屬的通性01金屬晶體金屬晶體中，由于自由電子的“膠合”作用，當(dāng)金屬受到外力作用時(shí)，晶體中的各原子層就會(huì)發(fā)生相對(duì)滑動(dòng)，但不會(huì)改變?cè)瓉?lái)的排列方式，而且彌漫在金屬原子間的電子氣可以起到類似軸承中滾珠之間潤(rùn)滑劑的作用，所以金屬有良好的延展性。通性三：金屬的延展性“電子氣理論”解釋金屬的通性01金屬晶體形成的金屬鍵強(qiáng)弱不同金屬單質(zhì)熔點(diǎn)/℃Li180.5Na97.81K63.65Rb38.89Cs28.40請(qǐng)同學(xué)們運(yùn)用“電子氣理論”解釋金屬的熔點(diǎn)和硬度差大的原因以及與什么因素有關(guān)？01金屬晶體金屬晶體中，除了純金屬，還有大量的合金。合金的組成和結(jié)構(gòu)非常復(fù)雜多樣。大多數(shù)合金以一種金屬為主要組成，如以鐵為主要成分的碳鋼、錳鋼、不銹鋼等，以銅為主要成分的黃銅、青銅、白銅等。FeC鋼AuCuK金01金屬晶體“電子氣理論”把金屬鍵描述為金屬原子脫落下來(lái)的

形成遍布整塊晶體的“_______”，被所有原子所共用，從而把所有的_________維系在一起歸納總結(jié)：金屬鍵價(jià)電子電子氣金屬原子金屬陽(yáng)離子自由電子①金屬鍵的強(qiáng)弱主要決定于金屬元素的原子半徑和價(jià)電子數(shù)。原子半徑越大、價(jià)電子數(shù)越少，金屬鍵越弱；反之，金屬鍵越強(qiáng)。②金屬鍵越強(qiáng)，金屬的熔、沸點(diǎn)越高，硬度越大。如：熔點(diǎn)最高的金屬是

，硬度最大的金屬是

。③金屬鍵沒(méi)有方向性和飽和性。鎢鉻概念

和

成鍵粒子金屬鍵的強(qiáng)弱和對(duì)金屬性質(zhì)的影響01金屬晶體試用金屬鍵解釋Na、Mg、Al的熔點(diǎn)逐漸升高的原因。原子半徑逐漸減小，價(jià)電子數(shù)逐漸增多，金屬鍵逐漸增強(qiáng)，熔點(diǎn)逐漸升高。Na鈉的熔點(diǎn)：97.8℃Mg鎂的熔點(diǎn)：650℃Al鋁的熔點(diǎn)：660.4℃01金屬晶體金屬晶體的性質(zhì)：在金屬晶體中，原子間以

相結(jié)合。金屬鍵歸納總結(jié)：金屬晶體鐵鍋導(dǎo)熱性銅絲導(dǎo)電性金箔玫瑰花延展性01金屬晶體思考討論如何用“電子氣理論”解釋金屬的通性？延展性

當(dāng)金屬受到外力作用時(shí)，晶體中的各原子層就會(huì)發(fā)生回相對(duì)滑動(dòng)，但排列方式不變，而且彌漫在金屬原子間的電子氣可以起到類似軸承中滾珠之間潤(rùn)滑劑的作用，所以金屬有良好的延展性。01金屬晶體如何用“電子氣理論”解釋金屬的通性？導(dǎo)電性思考討論01金屬晶體如何用“電子氣理論”解釋金屬的通性？

當(dāng)金屬晶體的某一端在受熱時(shí)，其附近內(nèi)部的自由電子做劇烈的無(wú)序運(yùn)動(dòng)，從而與金屬陽(yáng)離子發(fā)生碰撞。在碰撞過(guò)程中，引起兩者能量交換，能量高的自由電子將自己的能量傳遞給金屬陽(yáng)離子。導(dǎo)熱性01金屬晶體

金屬晶體內(nèi)部存在自由電子，當(dāng)光線投射到金屬表面時(shí)，自由電子吸收可見(jiàn)光，然后又把各種波長(zhǎng)的光大部分再反射出來(lái),這就使絕大多數(shù)金屬呈現(xiàn)銀灰色或銀白色光澤。（某些金屬因易吸收某些頻率光而呈特殊顏色）如何用“電子氣理論”解釋金屬的通性？金屬光澤

金屬在粉末狀態(tài)時(shí)，金屬原子的取向雜亂，排列不規(guī)則，吸收可見(jiàn)光后不能再反射出來(lái)，所以金屬粉末常呈暗灰色或黑色01金屬晶體知識(shí)延伸金屬晶體的堆積方式金屬原子在二維空間（平面）上有二種排列方式球?qū)η?、四球一空、非密置層球?qū)p、三球一空、密置層01金屬晶體在三維空間也可以

球?qū)η颍驅(qū)p01金屬晶體1、簡(jiǎn)單立方堆積原子位置：配位數(shù)：含有原子數(shù)：相切球：邊長(zhǎng)與半徑關(guān)系：空間利用率：頂點(diǎn)61邊長(zhǎng)上的兩個(gè)原子52%01金屬晶體2、體心立方堆積原子位置：配位數(shù)：含有原子數(shù)：相切球：邊長(zhǎng)與半徑關(guān)系：空間利用率：頂點(diǎn)、體心82體對(duì)角線上的三個(gè)原子68%01金屬晶體123456123456AB，

第二層對(duì)第一層來(lái)講最緊密的堆積方式是將球?qū)?zhǔn)1，3，5位。(或?qū)?zhǔn)2，4，6位；1、3位置太近只能填一個(gè)空隙）關(guān)鍵是第三層，對(duì)第一二層來(lái)說(shuō)，第三層可有兩種最緊密堆積方式若金屬原子均采用密堆積01金屬晶體123456AB，

第二層對(duì)第一層來(lái)講最緊密的堆積方式是將球?qū)?zhǔn)1，3，5位。(或?qū)?zhǔn)2，4，6位；1、3位置太近只能填一個(gè)空隙）1、將第三層的球?qū)?zhǔn)第一層的球2、第三層的球?qū)?zhǔn)第一層的2、4、6位置AB，123456兩層形成一個(gè)周期，ABAB方式，形成六方緊密堆積三層形成一個(gè)周期，ABCABC方式，面心立方最密堆積01金屬晶體3、六方最密立方堆積原子位置：配位數(shù)：含有原子數(shù)：相切球：高與邊長(zhǎng)關(guān)系：空間利用率：頂點(diǎn)、體內(nèi)124四面體的四個(gè)頂點(diǎn)74%01金屬晶體4、面心立方最密堆積原子位置：配位數(shù)：含有原子數(shù)：相切球：邊長(zhǎng)與半徑關(guān)系：空間利用率：頂點(diǎn)、面心124面對(duì)角線上的三個(gè)原子74%離子晶體02離子晶體02離子晶體

通過(guò)視頻發(fā)現(xiàn)從溶液中析出的鹽自發(fā)的呈多面體形狀，說(shuō)明鹽也是晶體。

請(qǐng)你分析出構(gòu)成鹽的微粒是什么，微粒間的作用力又是什么？屬于什么晶體類型02離子晶體靜電作用力離子晶體鈉離子、氯離子成鍵本質(zhì)晶體類型成鍵微粒NaCl晶胞02離子晶體觀察氯化鈉的晶胞模型，并思考：晶胞中各離子的位置分布？探究一面心：_____個(gè)氯離子體心：_____個(gè)鈉離子棱上：_____個(gè)鈉離子頂點(diǎn)：_____個(gè)氯離子1128602離子晶體每個(gè)Na+同時(shí)吸引著6個(gè)Cl-，分別在前后左右上下的位置鈉離子所處的環(huán)境觀察氯化鈉的晶胞模型，并思考：晶胞中各離子的位置分布？探究一02離子晶體每個(gè)Cl-同時(shí)吸引著6個(gè)Na+，分別在前后左右上下的位置觀察氯化鈉的晶胞模型，并思考：晶胞中各離子的位置分布？探究一氯離子所處的環(huán)境02離子晶體鈉離子所處的環(huán)境氯離子所處的環(huán)境為什么會(huì)出現(xiàn)這種情況呢？陰陽(yáng)離子間的靜電作用沒(méi)有方向性，每個(gè)粒子周圍會(huì)盡可能多的吸引帶相反電荷的離子，以達(dá)到降低體系能量的目的，故離子鍵沒(méi)有方向性和飽和性。所以離子在晶體中常常也趨向于采用盡可能緊密地堆積形式，可以視為圓球的密堆積，只不過(guò)陰離子、陽(yáng)離子的半徑是不同的，是不等徑圓球的密堆積02離子晶體Na＋位于_______和_______Cl－位于_______和_______棱上位置：12×＝341棱上體心晶胞內(nèi)位置：1×1＝1頂點(diǎn)面心頂點(diǎn)位置：8×＝181面心位置：6×

＝321觀察氯化鈉的晶胞模型，并解釋：NaCl表示什么含義?探究二02離子晶體觀察氯化鈉的晶胞模型，并解釋：NaCl表示什么含義?探究二一個(gè)晶胞中的氯離子和鈉離子均為四個(gè)，二者的比值是1:1。故并不存在單獨(dú)的氯化鈉分子，只是在整個(gè)晶體中，氯離子與鈉離子的個(gè)數(shù)比為1:1。因此，氯化鈉的化學(xué)式表示的只是表示氯化鈉的組成。02離子晶體觀察氯化鈉的晶胞模型，并解釋：NaCl的熔點(diǎn)較高、硬度較大的原因?探究二在NaCl中，離子間存在著較強(qiáng)的離子鍵，使離子晶體的硬度較大，難于壓縮；而且，要使它們由固態(tài)變成液態(tài)或氣態(tài)，需要較多的能量破壞這些較強(qiáng)的離子鍵，因此，NaCl具有較高的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)。02離子晶體分析：晶胞中各離子的位置分布情況?問(wèn)題1CsCl的晶胞中，1個(gè)銫離子處于立方體的中心，8個(gè)氯離子是位于頂點(diǎn)銫離子所處的環(huán)境：每個(gè)Cs+同時(shí)吸引著8個(gè)Cl?氯離子所處的環(huán)境：每個(gè)Cl?同時(shí)吸引著8個(gè)Cs+結(jié)合所學(xué)內(nèi)容并根據(jù)氯化銫的結(jié)構(gòu)分析和性質(zhì)來(lái)回答問(wèn)題：CsCl的晶胞Cl-Cs+02離子晶體分析：晶體中是否存在氯化銫分子?CsCl表示什么含義?問(wèn)題21

81Cs+位于_______Cl－位于_______體心頂點(diǎn)一個(gè)晶胞中氯離子和銫離子都是一個(gè)，兩者的比例為1:1。即沒(méi)有單獨(dú)存在的氯化銫分子，氯化銫這個(gè)化學(xué)式表示的就是氯化銫的組成結(jié)合所學(xué)內(nèi)容并根據(jù)氯化銫的結(jié)構(gòu)分析和性質(zhì)來(lái)回答問(wèn)題：CsCl的晶胞Cl-Cs+02離子晶體CsCl的熔點(diǎn)較高(645℃)的原因是什么？問(wèn)題3在CsCl中，離子間存在著較強(qiáng)的離子鍵，使離子晶體的硬度較大，難于壓縮；而且，要使它們由固態(tài)變成液態(tài)或氣態(tài)，需要較多的能量破壞這些較強(qiáng)的離子鍵，因此，CsCl具有較高的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)。結(jié)合所學(xué)內(nèi)容并根據(jù)氯化銫的結(jié)構(gòu)分析和性質(zhì)來(lái)回答問(wèn)題：CsCl的晶胞Cl-Cs+02離子晶體Na＋、Cs＋所帶電荷一樣，但Na＋的半徑小于Cs＋的半徑，NaCl中離子鍵強(qiáng)于CsCl中離子鍵，所以NaCl的熔點(diǎn)高于CsCl的熔點(diǎn)。NaCl的熔點(diǎn)為801℃，CsCl的熔點(diǎn)為645℃，試解釋其原因。02離子晶體+++++++++++++++---------------與電源正極相連的電極與電源負(fù)極相連的電極金屬晶體的導(dǎo)電性與金屬晶體中自由電子有關(guān)，在外加電場(chǎng)條件下，自由電子定向運(yùn)動(dòng)而形成電流。離子晶體的性質(zhì)探究NaCl等離子晶體在熔融狀態(tài)下導(dǎo)電、水溶液導(dǎo)電與金屬導(dǎo)電有什么不同?探究四02離子晶體離子晶體固態(tài)時(shí)不能導(dǎo)電，因?yàn)殛庩?yáng)離子不能自由移動(dòng)，在熔融或水溶液狀態(tài)下發(fā)生電離，產(chǎn)生自由移動(dòng)的陰陽(yáng)離子，離子晶體才能夠?qū)щ?。NaCl溶液能夠?qū)щ娙廴诘腘aCl能夠?qū)щ奛aCl等離子晶體在熔融狀態(tài)下導(dǎo)電、水溶液導(dǎo)電與金屬導(dǎo)電有什么不同?探究四02離子晶體離子晶體較脆，延展性較差施加外力發(fā)生滑動(dòng)同種電荷相互排斥，使晶面裂開(kāi)離子晶體是否具有較好的延展性?探究五02離子晶體化合物熔點(diǎn)/℃化合物熔點(diǎn)/℃CaO2613Na2SO4884CuCl21326Ca2SiO42130NH4NO3169.6Na3PO4340BaSO41580CH3COOCs194LiPF6200(分解溫度)NaNO2270①?gòu)谋碇袛?shù)據(jù)可知，離子晶體的熔點(diǎn)差異也較大離子晶體的熔點(diǎn)是否都較高？分析下表中的數(shù)據(jù)，能得出什么結(jié)論？探究六②從表中還發(fā)現(xiàn)，大量離子晶體的陰離子或陽(yáng)離子不是單原子，離子組成差異較大，有些晶體中還存在共價(jià)鍵，然而貫穿整個(gè)晶體的主要作用力仍是陰陽(yáng)離子之間的作用力。02離子晶體歸納總結(jié)：離子鍵及其影響因素離子鍵沒(méi)有方向性和飽和性概念離子所帶電荷數(shù)

，離子半徑

，離子鍵越強(qiáng)。影響因素陰、陽(yáng)離子之間通過(guò)

形成的化學(xué)鍵。靜電作用越多越小歸納總結(jié)：離子晶體及其物理性質(zhì)概念由

和

相互作用而形成的晶體。①熔、沸點(diǎn)較

，硬度較

。②離子晶體不導(dǎo)電，但

或

后能導(dǎo)電。③大多數(shù)離子晶體能溶于水，難溶于有機(jī)溶劑。陽(yáng)離子陰離子離子晶體的性質(zhì)高大熔化溶于水02離子晶體柔性離子晶體管：為未來(lái)生物電子器件奠定基礎(chǔ)！哥倫比亞大學(xué)神經(jīng)電子轉(zhuǎn)化實(shí)驗(yàn)室開(kāi)發(fā)出了第一個(gè)具有生物相容性的離子驅(qū)動(dòng)的晶體管。這項(xiàng)技術(shù)在在體電生理信號(hào)采集和神經(jīng)刺激方面具有重要的意義。有機(jī)柔性放大器領(lǐng)域中的重要工作，可能對(duì)未來(lái)的可植入設(shè)備、腦機(jī)界面等設(shè)備的形式產(chǎn)生深遠(yuǎn)的影響?？赡艿脑O(shè)備形式比如完全柔性可長(zhǎng)期植入的神經(jīng)電極、深部腦刺激器、植入性的高分辨率心電監(jiān)護(hù)設(shè)備等等。柔性電子在將來(lái)甚至可以作為承載深度學(xué)習(xí)的計(jì)算單元而直接植入體內(nèi)。課堂總結(jié)03課堂總結(jié)金屬鍵與金屬晶體離子晶體電子氣理論概念成鍵粒子金屬鍵的強(qiáng)弱和對(duì)金屬性質(zhì)的影響概念影響因素離子晶體的性質(zhì)金屬晶體與離子晶體課堂練習(xí)04課堂練習(xí)1．下列變化需克服共價(jià)鍵的是A．金剛石熔化

B．汞變成汞蒸氣

C．碘升華

D．食鹽溶于水【答案】A【詳解】A．金剛石為共價(jià)晶體，只存在共價(jià)鍵，熔化時(shí)克服共價(jià)鍵，故A選；B．汞受熱變成汞蒸氣，克服金屬鍵，故B不選；C．碘單質(zhì)為分子晶體，碘升華不破壞化學(xué)鍵，克服分子間作用力，故C不選；D．食鹽為離子晶體，溶于水發(fā)生電離，克服離子鍵，故D不選；故選：A。04課堂練習(xí)2．三氯化鐵的熔點(diǎn)為282℃、沸點(diǎn)為315℃，易溶于水，也易溶于乙醚等有機(jī)溶劑。在400℃時(shí)，它的蒸氣中有雙聚分子Fe2Cl6存在。則三氯化鐵的晶體類型為A．分子晶體 B．共價(jià)晶體

C．金屬晶體 D．離子晶體【答案】A【詳解】通常晶體熔點(diǎn)高低順序是：共價(jià)晶體＞離子晶體＞分子晶體；三氯化鐵的熔沸點(diǎn)較低，且蒸氣中有雙聚分子Fe2Cl6存在，則符合分子晶體特點(diǎn)，故選A。04課堂練習(xí)3．下列敘述不正確的是A．離子晶體中一定含有陰、陽(yáng)離子B．離子晶體都是化合物C．固態(tài)不導(dǎo)電、溶于水能導(dǎo)電，這一性質(zhì)能說(shuō)明某晶體一定是離子晶體D．離子晶體一般具有較高的熔點(diǎn)04課堂練習(xí)【答案】C【詳解】A．離子晶體是通過(guò)離子鍵形成的，故離子晶體中一定含有陰、陽(yáng)離子，A正確；B．由陰陽(yáng)離子構(gòu)成的化合物為離子晶體，B正確；C．固體不導(dǎo)電、溶于水能導(dǎo)電的不一定是離子晶體，如AlCl3，C錯(cuò)誤；D．離子晶體是通過(guò)離子鍵形成的，鍵能較大，故離子晶體一般具有較高的熔點(diǎn)，D正確；故選C。04課堂練習(xí)4．金屬能導(dǎo)電的原因是A．金屬晶體中金屬陽(yáng)離子與自由電子間的作用較弱B．金屬晶體中的自由電子在外加電場(chǎng)作用下可發(fā)生定向移動(dòng)C．金屬晶體中的金屬陽(yáng)離子在外加電場(chǎng)作用下可發(fā)生定向移動(dòng)D．金屬晶體在外加電場(chǎng)作用下可失去電子【答案】B【詳解】金屬晶體內(nèi)部是由金屬陽(yáng)離子和自由移動(dòng)的電子構(gòu)成的，在外加電場(chǎng)作用下自由電子定向移動(dòng)，產(chǎn)生電流，這就是金屬導(dǎo)電的原因。04課堂練習(xí)5．X、Y、Z、W是原子序數(shù)依次增大的四種短周期元素。基態(tài)X、Z原子的電子均填充了3個(gè)能級(jí)，且均有2個(gè)未成對(duì)電子，W的核外電子數(shù)是X原子最外層電子數(shù)的3倍。下列說(shuō)法正確的是A．與Y同周期且第一電離能比Y小的元素有四種B．元素X的氫化物的沸點(diǎn)一定比元素Y的氫化物低C．Z與W形成WZ，屬于離子晶體可作耐高溫材料D．簡(jiǎn)單離子半徑：r(W)>r(Z)>r(Y)04課堂練習(xí)【答案】C【分析】X、Y、Z、W是原子序數(shù)依次增大的四種短周期元素?；鶓B(tài)X、Z原子的電子均填充了3個(gè)能級(jí)，且均有2個(gè)未成對(duì)電子，則X為C、Z為O，那么Y為N；W的核外電子數(shù)是X原子最外層電子數(shù)的3倍，W為12號(hào)元素Mg；據(jù)此分析解答?！驹斀狻緼．同一周期隨著原子序數(shù)變大，第一電離能變大，N的2p軌道為半充滿穩(wěn)定狀態(tài)，第一電離能大于同周期相鄰元素，則與Y同周期且第一電離能比Y小的元素有Li、Be、B、C、O共五種，A錯(cuò)誤；B．碳可以形成相對(duì)分子質(zhì)量很大的烴，其沸點(diǎn)可能很高，故元素X的氫化物的沸點(diǎn)不一定比元素Y的氫化物低，B錯(cuò)誤；C．Z與W組成的化合物氧化鎂熔點(diǎn)為2800℃，可作耐高溫材，C正確；D．電子層數(shù)越多半徑越大，電子層數(shù)相同時(shí)，核電荷數(shù)越大，半徑越??；簡(jiǎn)單離子半徑：r(Y)＞r(Z)＞r(W)，D錯(cuò)誤；故選C。04課堂練習(xí)6.下列關(guān)于金屬及金屬鍵的說(shuō)法正確的是(

)A.金屬鍵具有方向性和飽和性B.金屬鍵是金屬陽(yáng)離子與自由電子之間的相互作用C.金屬導(dǎo)電是因?yàn)樵谕饧与妶?chǎng)作用下產(chǎn)生自由電子D.金屬具有光澤是因?yàn)榻饘訇?yáng)離子吸收并放出可見(jiàn)光B04課堂練習(xí)7．下列有關(guān)金屬鍵的敘述中，錯(cuò)誤的是(

)A．金屬鍵沒(méi)有飽和性和方向性B．金屬鍵是金屬陽(yáng)離子和自由電子之間存在的強(qiáng)烈的靜電吸引作用C．金屬