半導(dǎo)體器件課件

第一節(jié)半導(dǎo)體的特性本征半導(dǎo)體雜質(zhì)半導(dǎo)體下頁總目錄1.半導(dǎo)體(semiconductor)共價(jià)鍵covalentbond半導(dǎo)體的定義：將導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的一大類物質(zhì)統(tǒng)稱為半導(dǎo)體。大多數(shù)半導(dǎo)體器件所用主要材料是硅和鍺一、本征半導(dǎo)體(intrinsicsemiconductor)價(jià)電子在硅(或鍺)的晶體中,原子在空間排列成規(guī)則的晶格。晶體中的價(jià)電子與共價(jià)鍵+4+4+4+4+4+4+4+4+4下頁首頁上頁2.本征半導(dǎo)體(intrinsicsemiconductors)純凈的、不含雜質(zhì)的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。在本征半導(dǎo)體中，由于晶體中共價(jià)鍵的結(jié)合力很強(qiáng)，在熱力學(xué)溫度零度（即T=0K）時，價(jià)電子的能量不足以掙脫共價(jià)鍵的束縛，晶體中不存在能夠?qū)щ姷妮d流子，半導(dǎo)體不能導(dǎo)電，如同絕緣體一樣。下頁上頁首頁+4+4+4+4+4+4+4+4+4本征半導(dǎo)體中的載流子帶負(fù)電的自由電子freeelectron帶正電的空穴hole如果溫度升高，少數(shù)價(jià)電子將掙脫共價(jià)鍵束縛成為自由電子。在原來的共價(jià)鍵位置留下一個空位，稱之為空穴。下頁上頁首頁+4+4+4+4+4+4+4+4+4半導(dǎo)體中存在兩種載流子：帶負(fù)電的自由電子和帶正電的空穴。在一定溫度下電子–空穴對的產(chǎn)生和復(fù)合達(dá)到動態(tài)平衡。在本征半導(dǎo)體中，兩種載流子總是成對出現(xiàn)稱為電子–空穴對本征載流子的濃度對溫度十分敏感電子–空穴對兩種載流子濃度相等下頁上頁首頁1.N型（或電子型）半導(dǎo)體(N-typesemiconductor)二、雜質(zhì)半導(dǎo)體則原來晶格中的某些硅原子將被雜質(zhì)原子代替。雜質(zhì)原子與周圍四個硅原子組成共價(jià)鍵時多余一個電子。這個電子只受自身原子核吸引，在室溫下可成為自由電子。在4價(jià)的硅或鍺中摻入少量的5價(jià)雜質(zhì)元素，下頁上頁在本征半導(dǎo)體中摻入某種特定的雜質(zhì)，就成為雜質(zhì)半導(dǎo)體。+5+4+4+4+4+4+4+4+4自由電子首頁+5+4+4+4+4+4+4+4+4失去自由電子的雜質(zhì)原子固定在晶格上不能移動，并帶有正電荷，稱為正離子。在這種雜質(zhì)半導(dǎo)體中，電子的濃度大大高于空穴的濃度。因主要依靠電子導(dǎo)電，故稱為電子型半導(dǎo)體。多數(shù)載流子majoritycarrier少數(shù)載流子minoritycarrier下頁上頁5價(jià)的雜質(zhì)原子可以提供電子，所以稱為施主原子。首頁+3+4+4+4+4+4+4+4+4在硅或鍺晶體中摻入少量的3價(jià)雜質(zhì)元素，空位2.P型半導(dǎo)體(P-typesemiconductor)

當(dāng)它與周圍的硅原子組成共價(jià)鍵時，將缺少一個價(jià)電子，產(chǎn)生了一個空位?？瘴粸殡娭行浴Ｏ马撋享撌醉摴柙油鈱与娮佑捎跓徇\(yùn)動填補(bǔ)此空位時，雜質(zhì)原子成為負(fù)離子，硅原子的共價(jià)鍵中產(chǎn)生一個空穴。在這種雜質(zhì)半導(dǎo)體中，空穴的濃度遠(yuǎn)高于自由電子的濃度。+3+4+4+4+4+4+4+4+4空穴在室溫下仍有電子–空穴對的產(chǎn)生和復(fù)合。多數(shù)載流子P型半導(dǎo)體主要依靠空穴導(dǎo)電，所以又稱為空穴型半導(dǎo)體。下頁上頁3價(jià)的雜質(zhì)原子產(chǎn)生多余的空穴，起著接受電子的作用，所以稱為受主原子。少數(shù)載流子首頁在雜質(zhì)半導(dǎo)體中：雜質(zhì)濃度不應(yīng)破壞半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu)，多數(shù)載流子的濃度主要取決于摻入雜質(zhì)的濃度；而少數(shù)載流子的濃度主要取決于溫度。雜質(zhì)半導(dǎo)體的優(yōu)點(diǎn)：摻入不同性質(zhì)、不同濃度的雜質(zhì)，并使P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體以不同方式組合，可以制造出形形色色、品種繁多、用途各異的半導(dǎo)體器件?？偨Y(jié)上頁首頁第二節(jié)半導(dǎo)體二極管PN結(jié)及其單向?qū)щ娦远O管的伏安特性二極管的主要參數(shù)穩(wěn)壓管總目錄下頁-++++++++++++-----------PN1.PN結(jié)中載流子的運(yùn)動-++++++++++++-----------空間電荷區(qū)內(nèi)電場UD又稱耗盡層，即PN結(jié)。最終擴(kuò)散(diffusion)運(yùn)動與漂移(drift)運(yùn)動達(dá)到動態(tài)平衡，PN結(jié)中總電流為零。內(nèi)電場又稱阻擋層，阻止擴(kuò)散運(yùn)動，卻有利于漂移運(yùn)動。硅約為（0.6~0.8）V鍺約為（0.2~0.3）V一、PN結(jié)及其單向?qū)щ娦詳U(kuò)散漂移下頁上頁首頁NP-++++++++++++-----------RV正向電流外電場削弱了內(nèi)電場有利于擴(kuò)散運(yùn)動，不利于漂移運(yùn)動?？臻g電荷區(qū)變窄2.PN結(jié)的單向?qū)щ娦约诱螂妷?-U耗盡層內(nèi)電場UD-U外電場I稱為正向接法或正向偏置（簡稱正偏，forwardbias)PN結(jié)處于正向?qū)?on)狀態(tài)，正向等效電阻較小。下頁上頁首頁+-U-++++++++++++-----------RV稱為反向接法或反向偏置（簡稱反偏）一定溫度下，V超過某一值后I飽和，稱為反向飽和電流IS

。結(jié)論：PN結(jié)具有單向?qū)щ娦裕赫驅(qū)?，反向截止。?nèi)電場外電場UD+U空間電荷區(qū)外電場增強(qiáng)了內(nèi)電場有利于漂移運(yùn)動，不利于擴(kuò)散運(yùn)動。反向電流非常小，PN結(jié)處于截止(cut-off)狀態(tài)。加反向電壓I反向電流IS

對溫度十分敏感。下頁上頁首頁動畫PN二、二極管的伏安特性陽極從P區(qū)引出，陰極從N區(qū)引出。1.二極管的類型從材料分：硅二極管和鍺二極管。從管子的結(jié)構(gòu)分：對應(yīng)N區(qū)對應(yīng)P區(qū)點(diǎn)接觸型二極管，工作電流小，可在高頻下工作，適用于檢波和小功率的整流電路。面接觸型二極管，工作電流大，只能在較低頻率下工作，可用于整流。開關(guān)型二極管，在數(shù)字電路中作為開關(guān)管。

二極管的符號陽極anode陰極cathode下頁上頁首頁302010I/mAUD/V0.51.01.5201024-I/μАO正向特性死區(qū)電壓IsUBR反向特性+-UDI2.二極管的伏安特性下頁上頁首頁動畫當(dāng)正向電壓超過死區(qū)電壓后，二極管導(dǎo)通,電流與電壓關(guān)系近似指數(shù)關(guān)系。硅二極管為0.7V左右鍺二極管為0.2V左右死區(qū)電壓正向特性0.51.01.5102030U/VI/mA0

二極管正向特性曲線硅二極管為0.5V左右鍺二極管為0.1V左右死區(qū)電壓：導(dǎo)通壓降：正向特性下頁上頁首頁反偏時，反向電流值很小，反向電阻很大，反向電壓超過UBR則被擊穿。IS反向特性UBR結(jié)論：二極管具有單向?qū)щ娦?，正向?qū)?，反向截止。二極管方程：反向飽和電流反向擊穿電壓若|U|>>UT則I≈-

IS

式中：

IS為反向飽和電流

UT

是溫度電壓當(dāng)量，

常溫下UT近似為26mV。反向特性-2-4-I/μAI/mAU/V-20-100若U

>>UT

則下頁上頁首頁三、二極管的主要參數(shù)最大整流電流IF指二極管長期運(yùn)行時，允許通過管子的最大正向平均電流。IF的數(shù)值是由二極管允許的溫升所限定。

最高反向工作電壓UR工作時加在二極管兩端的反向電壓不得超過此值，否則二極管可能被擊穿。為了留有余地，通常將擊穿電壓UBR的一半定為UR

。下頁上頁首頁室溫條件下，在二極管兩端加上規(guī)定的反向電壓時，流過管子的反向電流。通常希望IR值愈小愈好。IR受溫度的影響很大。

最高工作頻率fMfM值主要決定于PN結(jié)結(jié)電容的大小。結(jié)電容愈大，則二極管允許的最高工作頻率愈低。下頁上頁反向電流IR首頁二極管除了具有單向?qū)щ娦砸酝?，還具有一定的電容效應(yīng)。勢壘電容Cb由PN結(jié)的空間電荷區(qū)形成，又稱結(jié)電容，反向偏置時起主要作用。擴(kuò)散電容Cd由多數(shù)載流子在擴(kuò)散過程中的積累引起，正向偏置時起主要作用。下頁上頁首頁[例1.2.1]已知uI=

Umsinωt，畫出uO和uD的波形VDR+-+-uIuO+-uDiOUmωtuoOωtuDOuI＞0

時二極管導(dǎo)通，uO=

uIuD

=

0uI

＜0

時二極管截止，uD

=

uIuO=

0-UmioUmωtuIO下頁上頁首頁[例1.2.2]二極管可用作開關(guān)VVDVSVVDVS正向偏置，相當(dāng)于開關(guān)閉合。反向偏置，相當(dāng)于開關(guān)斷開。下頁上頁首頁四、穩(wěn)壓管穩(wěn)壓管是一種面接觸型二極管，與二極管不同之處：1.采用特殊工藝，擊穿狀態(tài)不致?lián)p壞；2.擊穿是可逆的。符號及特性曲線如下圖所示：ΔUΔI+-IUO

穩(wěn)壓管的伏安特性和符號ΔUΔI值很小有穩(wěn)壓特性陰極陽極下頁上頁首頁1.穩(wěn)定電壓UZ：穩(wěn)壓管工作在反向擊穿區(qū)時的工作電壓。2.穩(wěn)定電流IZ

：穩(wěn)壓管正常工作時的參考電流。3.動態(tài)內(nèi)阻rZ

：穩(wěn)壓管兩端電壓和電流的變化量之比。

rZ=ΔU/ΔI4.電壓的溫度系數(shù)αU：穩(wěn)壓管電流不變時，環(huán)境溫度對穩(wěn)定電壓的影響。5.額定功耗PZ

：電流流過穩(wěn)壓管時消耗的功率。主要參數(shù)：下頁上頁首頁使用穩(wěn)壓管組成穩(wěn)壓電路時的注意事項(xiàng)：UORLVDZRUIIRIOIZ++--

穩(wěn)壓管電路穩(wěn)壓管必須工作在反向擊穿區(qū)。穩(wěn)壓管應(yīng)與負(fù)載RL并聯(lián)。必須限制流過穩(wěn)壓管的電流IZ。下頁上頁首頁[例1.2.3]電路如圖所示，已知UImax=15V，UImin=10VIZmax=50mA，IZmin=5mA，RLmax=1kΩ，RLmin=600ΩUZ=6V,

對應(yīng)ΔUZ=0.3V。求rZ，選擇限流電阻RO下頁上頁首頁UORLVDZRUIIRIOIZ++--+-UZ解：IZ=IR

-IO=UI-UZR-UZRLIZmax＞UImax-UZR-UZRLmaxIZmin

＜UImin-UZR-UZRLminrZ

=ΔIZΔUZ=6.7Ω15

-

650

+61kΩ=161ΩR＞R＜10

-

65

+60.6kΩ=267ΩΔIZ=IZmax-IZmin=45mA下頁上頁首頁UORLVDZRUIIRIOIZ++--+-UZ+-VD1VD2U+-U+-U+-UVD1VD2VD1VD2VD1VD2[例1.2.4]有兩個穩(wěn)壓管

VD1和

VD2，它們的穩(wěn)壓值為UZ1=6V，UZ2=8V，正向?qū)▔航稻鶠?/p>

UD=0.6

V，將它們串聯(lián)可得到幾種穩(wěn)壓值?U=UD+UD=1.2VU=UZ1+UD=6.6VU=UZ1+UZ2=14VU=UD+UZ2=8.6V下頁上頁首頁上頁首頁課堂練習(xí)第三節(jié)雙極結(jié)型三極管三極管的結(jié)構(gòu)三極管中載流子的運(yùn)動和電流分配關(guān)系三極管的特性曲線三極管的主要參數(shù)總目錄下頁半導(dǎo)體三極管晶體管(transistor)雙極型三極管或簡稱三極管制作材料：分類：它們通常是組成各種電子電路的核心器件。雙極結(jié)型三極管又稱為：硅或鍺NPN型PNP型下頁上頁首頁一、三極管的結(jié)構(gòu)三個區(qū)發(fā)射區(qū)：雜質(zhì)濃度很高基區(qū)：雜質(zhì)濃度低且很薄集電區(qū)：無特別要求發(fā)射結(jié)集電結(jié)集電區(qū)基區(qū)發(fā)射區(qū)cbeNPN型三極管的結(jié)構(gòu)和符號兩個PN結(jié)發(fā)射結(jié)集電結(jié)三個電極發(fā)射極

e基極

b集電極

c集電極

ccollector基極

bbase發(fā)射極

eemitterNPN下頁上頁首頁RbRcVBBVCCecb發(fā)射極電流二、三極管中載流子的運(yùn)動和電流分配關(guān)系發(fā)射:發(fā)射區(qū)大量電子向基區(qū)發(fā)射。2.復(fù)合和擴(kuò)散：電子在基區(qū)中復(fù)合擴(kuò)散。3.收集：將擴(kuò)散過來的電子收集到集電極。同時形成反向飽和電流ICBO。IEICIBICNIENIBNICBO集電極電流基極電流下頁上頁首頁動畫RbRcVBBVCCecbIEICIBICNIENIBNICBOIC

=

ICn+

ICBOIE

=

ICn+

IBnIC

=αIE+

ICBO當(dāng)ICBO

<<IC時，可得≈ICIEαIEn

=

ICn+

IBnIE

=

IEnIE

=

IC+

IB下頁上頁將代入IC

=

ICn+

ICBO得ICnα=IE通常將定義為共基直流電流放大系數(shù)。首頁β≈ICIBIE

=

IC+

IBIC

=αIE+

ICBO代入得IC

=αα1-

IB+α1-

1ICBOβ=αα1-令可得IC

=βIB+（1+）ICBOβIC

=βIB+ICEO當(dāng)ICEO

<<

IC時，可得β稱為共射直流電流放大系數(shù)。ICEO

=（

1+β）ICBOIE=IC+IBIC

≈βIBIE=（1+β）IBICEO稱為穿透電流。下頁上頁首頁各參數(shù)含義：：共基直流電流放大系數(shù)。：共射直流電流放大系數(shù)。α=ICnIEICEO=（1+）ICBOβ：集電極與發(fā)射極間穿透電流。β=ΔiCΔiBα=ΔiCΔiE：共基交流電流放大系數(shù)。：共射交流電流放大系數(shù)。β1+βα

=β=α1-αα

和β滿足或β=IC-

ICEOIB≈ICIB下頁上頁首頁三、三極管的特性曲線1.輸入特性iB=f（uBE）uCE=

常數(shù)uCE=0VuCE=2V當(dāng)uCE大于某一數(shù)值后，各條輸入特性十分密集，通常用uCE

>1時的一條輸入特性來代表。uBE/ViB/μAO

三極管的輸入特性下頁上頁uBEiB+-uCE=0VBBRbbec

三極管的輸入回路首頁2.輸出特性iC/mAOuCE/ViB=80μА6040200iC=f(uCE)iB=常數(shù)飽和區(qū)放大區(qū)截止區(qū)：iB

≤0的區(qū)域，iC

≈0，發(fā)射結(jié)和集電結(jié)都反偏。3.

飽和區(qū)：發(fā)射結(jié)和集電結(jié)都正偏，uCE較小，iC

基本不隨iB

而變化。當(dāng)uCE=uBE時，為臨界飽和；當(dāng)uCE<uBE

時過飽和。截止區(qū)下頁上頁首頁動畫2.

放大區(qū)：發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏ΔiC=βΔiB

發(fā)射結(jié)反向偏置,集電結(jié)反向偏置,三極管工作在截止區(qū),可調(diào)換

VBB極性。發(fā)射結(jié)反向偏置,三極管工作在截止區(qū),可調(diào)換

VCC極性,或?qū)T更換為PNP型。兩PN結(jié)均正偏,三極管工作在飽和區(qū)。[例1.3.1]判斷圖示各電路中三極管的工作狀態(tài)。0.7VVT0.3V下頁上頁RbRcVCCVBBVTRbRcVCCVT首頁VBB=iBRb+uBEiBiCiB

=

46.5

μAβiB

=

2.3mA假設(shè)三極管飽和，UCES=0.3

V則ICS=VCC-UCESRc=4.85

mAβiB

<ICS假設(shè)不成立，三極管工作在放大區(qū)?；蛘遡C=βiB

=

2.3mAuCE=VCC-iCRc=5.4

V發(fā)射結(jié)正偏集電結(jié)反偏，三極管工作在放大區(qū)。下頁上頁RbRcVCCVBBVT2k200k10V10Vβ=50首頁VBB=iBRb+uBEiBiCiB

=

465

μAβiB

=

23mA假設(shè)三極管飽和，UCES=0.3

V則ICS=VCC-UCESRc=4.85

mAβiB

>ICS假設(shè)成立，三極管工作在飽和區(qū)?；蛘遡C=βiB

=

23mAuCE=VCC-iCRc=-36

V發(fā)射結(jié)正偏集電結(jié)正偏，三極管工作在飽和區(qū)。下頁上頁RbRcVCCVBBVT2kΩ20kΩ10V10Vβ=50首頁四、三極管的主要參數(shù)2.反向飽和電流β=ΔiCΔiBβ≈ICIB共基直流電流放大系數(shù)αα=ΔiCΔiE

共基電流放大系數(shù)αα=ICIEβ共射直流電流放大系數(shù)集電極和基極之間的反向飽和電流ICBO集電極和發(fā)射極之間的穿透電流

ICEOICEO=（1+）ICBOβ兩者滿足1.電流放大系數(shù)

共射電流放大系數(shù)β下頁上頁首頁3.極限參數(shù)a.集電極最大允許電流

ICMiC/mAOuCE/V三極管的安全工作區(qū)過流區(qū)集射反向擊穿電壓U(BR)CEO集基反向擊穿電壓U(BR)CBOiCuCE=PCM過壓區(qū)安全工作區(qū)ICM過損耗區(qū)U(BR)CEOc.極間反向擊穿電壓b.集電極最大允許耗散功率

PCM下頁上頁首頁下頁上頁五、PNP型三極管PNP型三極管的放大原理與NPN型基本相同，但外加電源的極性相反。首頁VBBuiRbRcVT+-uOVCCVBBuiRbRcVT+-uOVCC在由PNP型三極管組成的放大電路中，三極管中各極電流和電壓的實(shí)際方向如圖(a)所示，根據(jù)習(xí)慣三極管中電流和電壓的規(guī)定正方向如圖(b)所示。UCE

UBE

IE

IC

IB

cbe(-)

(+)

(+)

(-)

(a)UCE

UBE

IE

IC

IB

cbe(-)

(+)

(+)

(-)

(b)定量計(jì)算中，將得出PNP型三極管的UBE和UCE為負(fù)值。在PNP型三極管的輸入和輸出特性曲線中，電壓坐標(biāo)軸上將分別標(biāo)注“-UBE”和“-UCE”。電流實(shí)際方向與規(guī)定方向一致，電壓實(shí)際方向與規(guī)定方向相反。下頁上頁首頁上頁首頁課堂練習(xí)第四節(jié)場效應(yīng)三極管結(jié)型場效應(yīng)管絕緣柵場效應(yīng)管場效應(yīng)管的主要參數(shù)下頁總目錄場效應(yīng)三極管中參與導(dǎo)電的只有一種極性的載流子（多數(shù)載流子），故稱為單極型三極管。分類：結(jié)型場效應(yīng)管絕緣柵場效應(yīng)管增強(qiáng)型耗盡型N溝道P溝道N溝道N溝道P溝道P溝道下頁上頁首頁一、結(jié)型場效應(yīng)管1.結(jié)構(gòu)N型溝道耗盡層gdsgdsP+P+N溝道結(jié)型場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)和符號柵極漏極源極下頁上頁首頁2.工作原理uGS=0uGS<0uGS=UGS(off)⑴當(dāng)uDS=0時，uGS對耗盡層和導(dǎo)電溝道的影響。ID=0ID=0下頁上頁首頁N型溝道gdsP+P+N型溝道gdsP+P+gdsP+P+溝道較寬，iD

較大。iS=iDiDiSiDiSuGS=0，uGD>UGS(off)uGS<0，uGD>UGS(off)⑵當(dāng)uDS＞0時，uGS對耗盡層和iD的影響。NP+P+VGGVDDgdsNP+P+VDDgds溝道變窄，

iD

較小。下頁上頁首頁NP+P+iDiSVGGVDDP+P+iDiSVGGVDDuGS<0，uGD=UGS(off)，uGS≤

UGS(off)，uGD

<

UGS(off)，iD≈0，導(dǎo)電溝道夾斷。iD更小，導(dǎo)電溝道預(yù)夾斷。下頁上頁首頁動畫3.特性曲線⑴轉(zhuǎn)移特性iD=f（uGS）|uDS=常數(shù)gdsmAVVIDVGGVDD場效應(yīng)管特性曲線測試電路Ｎ溝道結(jié)型場效應(yīng)管轉(zhuǎn)移特性

IDSSUGS(off)飽和漏極電流柵源間加反向電壓uGS

<

0利用場效應(yīng)管輸入電阻高的優(yōu)點(diǎn)。uGS/ViD/mAO下頁上頁首頁⑵漏極特性iD=f（uDS）|uGS=常數(shù)預(yù)夾斷軌跡可變電阻區(qū)恒流區(qū)擊穿區(qū)|UGS(off)|8VIDSSuGS=0-4-2-6-8iD/mAuDS/VO|uDS-uGS|=|UGS(off)|可變電阻區(qū)：iD與uDS基本上呈線性關(guān)系，但不同的uGS其斜率不同。恒流區(qū)：又稱飽和區(qū)，iD幾乎與uDS無關(guān)，iD的值受uGS控制。N溝道結(jié)型場效應(yīng)管的漏極特性擊穿區(qū)：反向偏置的PN結(jié)被擊穿，

iD電流突然增大。夾斷電壓下頁上頁首頁二、絕緣柵場效應(yīng)管1.N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管⑴結(jié)構(gòu)P型襯底N+N+BsgdSiO2鋁P襯底雜質(zhì)濃度較低，引出電極用B表示。N+兩個區(qū)雜質(zhì)濃度很高，分別引出源極和漏極。柵極與其他電極是絕緣的，通常襯底與源極在管子內(nèi)部連接。sgdB下頁上頁首頁P(yáng)型襯底N+sgdBN+開啟電壓，用uGS(th)表示⑵工作原理當(dāng)uGS增大到一定值時，形成一個N型導(dǎo)電溝道。N型溝道uGS>UGS(th)時形成導(dǎo)電溝道VGG導(dǎo)電溝道的形成假設(shè)uDS=0，同時uGS

>0

靠近二氧化硅的一側(cè)產(chǎn)生耗盡層，若增大uGS

，則耗盡層變寬。又稱之為反型層導(dǎo)電溝道隨uGS增大而增寬。下頁上頁首頁uDS對導(dǎo)電溝道的影響uGS為某一個大于UGS(th)的固定值，在漏極和源極之間加正電壓，且uDS<

uGS

-UGS(th)即uGD=uGS-uDS

>UGS(th)則有電流iD

產(chǎn)生，iD使導(dǎo)電溝道發(fā)生變化。當(dāng)uDS

增大到uDS=uGS

-UGS(th)即uGD=uGS-uDS

=UGS(th)

時，溝道被預(yù)夾斷，

iD

飽和。P型襯底N+