2019年4月自考04730電子技術(shù)基礎(chǔ)三試題及答案含解析

電子技術(shù)基礎(chǔ)（三）年月真題

0473020194

1、【單選題】某實(shí)際電壓源的開(kāi)路電壓為20V，短路電流為10A，當(dāng)它的外接負(fù)載為2Ω

時(shí)，負(fù)載上流過(guò)的電流為

1A

2A

A:

5A

B:

10A

C:

答D:案：C

解析：某實(shí)際電壓源的開(kāi)路電壓為20V，短路電流為10A，當(dāng)它的外接負(fù)載為2Ω時(shí)，負(fù)載

上流過(guò)的電流為5A（20V/10A=2Ω，20V/（2Ω+2Ω）=5A）

2、【單選題】在由L和C串聯(lián)而成的正弦交流電路中，若，則總電壓

u與電流i的相位關(guān)系為

u超前于i90°

u滯后于i90°

A:

u與i反相

B:

u與i同相

C:

答D:案：B

解析：

L和C串聯(lián)，正弦交流電路，若，則其電流i滯后于總電壓u。

3、【單選題】已知正弦交流電壓uˇ1=14.1sin（314t+60°）V，uˇ2=7.07sin（314t-

30°）V，則uˇ1與uˇ2之間的相位關(guān)系為

uˇ1相位超前uˇ2相位60°

uˇ1相位超前uˇ2相位90°

A:

uˇ1相位滯后uˇ2相位90°

B:

uˇ1相位滯后uˇ2相位30°

C:

答D:案：B

解析：由題干公式可知，uˇ1相位超前uˇ2相位90°

4、【單選題】將雜質(zhì)原子加入到本征半導(dǎo)體中的過(guò)程稱為

復(fù)合

晶格化

A:

綁定

B:

摻雜

C:

答D:案：D

解析：將雜質(zhì)原子加入到本征半導(dǎo)體中的過(guò)程稱為摻雜

5、【單選題】已知某電壓串聯(lián)負(fù)反饋放大電路的閉環(huán)電壓增益等于20，開(kāi)環(huán)電壓增益等于

200，則反饋深度等于

0.1

9

A:

10

B:

11

C:

答D:案：C

解析：已知某電壓串聯(lián)負(fù)反饋放大電路的閉環(huán)電壓增益等于20，開(kāi)環(huán)電壓增益等于200，

則反饋深度等于10

6、【單選題】理想運(yùn)算放大器工作在線性區(qū)的兩個(gè)基本特點(diǎn)是

虛地與虛斷

虛短與虛地

A:

虛短與虛斷

B:

斷路與短路

C:

答D:案：C

解析：理想運(yùn)算放大器工作在線性區(qū)的兩個(gè)基本特點(diǎn)：虛短與虛斷

7、【單選題】微分運(yùn)算電路能將

矩形波轉(zhuǎn)變成尖脈沖波

尖脈沖波轉(zhuǎn)變成矩形波

A:

尖脈沖波轉(zhuǎn)變成三角波

B:

三角波轉(zhuǎn)變成尖脈沖波

C:

答D:案：A

解析：微分電路是脈沖數(shù)字電路中常見(jiàn)的波形變換電路,它可以將矩形波變成尖脈沖波

8、【單選題】將交流電壓轉(zhuǎn)換成脈動(dòng)直流電壓的過(guò)程稱為

鉗位

充電

A:

整流

B:

濾波

C:

答D:案：C

解析：將交流電壓轉(zhuǎn)換成脈動(dòng)直流電壓的過(guò)程稱為整流

9、【單選題】在副方電源電壓相同的情況下，單相半波整流電路與單相橋式整流電路的輸出

電壓平均值之比等于

1：2

1：1

A:

B:

2:1

C:

答D:案：A

解析：在副方電源電壓相同的情況下，單相半波整流電路與單相橋式整流電路的輸出電壓

平均值之比等于1：2

10、【單選題】當(dāng)決定一個(gè)事件的所有條件全部具備時(shí)，這個(gè)事件才會(huì)發(fā)生。這屬于

與邏輯

或邏輯

A:

與非邏輯

B:

或非邏輯

C:

答D:案：A

解析：當(dāng)決定一個(gè)事件的所有條件全部具備時(shí)，這個(gè)事件才會(huì)發(fā)生。這屬于與邏輯

11、【單選題】在四變量卡諾圖中，邏輯上相鄰的一組最小項(xiàng)是

mˇ1和mˇ2

mˇ1和mˇ9

A:

mˇ1和mˇ7

B:

mˇ1和mˇ4

C:

D:

答案：B

解析：在四變量卡諾圖中，邏輯上相鄰的一組最小項(xiàng)是mˇ1和mˇ9

12、【單選題】下列關(guān)于TTL和CMOS集成門(mén)電路的說(shuō)法中，錯(cuò)誤的是

TTL電路速度較快

CMOS電路功耗高

A:

TTL電路抗靜電能力強(qiáng)

B:

CMOS電路集成度高

C:

答D:案：B

解析：CMOS的電路功耗由泄漏功耗、短路功耗、充放電功耗三部分組成。一般認(rèn)為CMOS

電路的功耗主要來(lái)自電容負(fù)載的充放電。CMOS電路的直流功耗幾近于零。

13、【單選題】半加器的進(jìn)位輸出端與輸入端的邏輯關(guān)系是

與

或

A:

與或

B:

異或

C:

答D:案：A

解析：半加器的進(jìn)位輸出端與輸入端是與邏輯關(guān)系

14、【單選題】下列屬于時(shí)序電路的部件的是

編碼器

譯碼器

A:

數(shù)據(jù)比較器

B:

計(jì)數(shù)器

C:

答D:案：D

解析：計(jì)數(shù)器屬于時(shí)序電路的部件

15、【單選題】PAL的門(mén)陣列

是固定的

只可一次編程

A:

可紫外線擦除后再編程

B:

可電擦除后再編程

C:

D:

答案：B

解析：PAL的門(mén)陣列只可一次編程，是一次性可編程邏輯器件。

16、【問(wèn)答題】

答案：

17、【問(wèn)答題】

答案：

18、【問(wèn)答題】題33圖所示電路中的運(yùn)放均為理想運(yùn)放。

答案：

19、【問(wèn)答題】寫(xiě)出二進(jìn)制數(shù)100111的按權(quán)展開(kāi)式，并求出相應(yīng)的十進(jìn)制數(shù)和十六進(jìn)制

數(shù)。

答案：100111ˇ2=1×2^5+0×2^4+0×2^3+1×2^2+1×2^1+1×2^0

=32+0+0+4+2+1=39ˇ10=27ˇ16

20、【問(wèn)答題】

答案：

21、【問(wèn)答題】寫(xiě)出題36圖所示電路的邏輯表達(dá)式，并化簡(jiǎn)成最簡(jiǎn)與或式。

答案：

22、【問(wèn)答題】分析題37圖所示的電路，寫(xiě)出F的表達(dá)式，并列出真值表。

答案：

23、【問(wèn)答題】寫(xiě)出題38圖所示時(shí)序電路的驅(qū)動(dòng)方程和狀態(tài)方程。

答案：

24、【問(wèn)答題】

答案：

25、【問(wèn)答題】

答案：

26、【問(wèn)答題】

答案：

27、【問(wèn)答題】題42表為74LS161真值表，試用74LS161設(shè)計(jì)一個(gè)異步置零的8進(jìn)制計(jì)

數(shù)器。要求：（1）寫(xiě)出Sˇ8的二進(jìn)制代碼；（2）寫(xiě)出反饋置零的函數(shù)表達(dá)式；

（3）在答題紙上完成題42圖的邏輯圖連線，并在各輸入輸出端標(biāo)上連接信號(hào)。

答案：

28、【填空題】某元件的電壓和電流采用的是非關(guān)聯(lián)參考方向，當(dāng)P＞0時(shí)，表明該元件此

時(shí)____功率。

答案：產(chǎn)生（或釋放）

29、【填空題】己知正弦電壓的有效值為220V，頻率為100Hz，初相位為-45°，則該正弦

電壓的瞬時(shí)值表達(dá)式為u=____。

答案：

30、【填空題】在由R和L串聯(lián)而成的正弦交流電路中，已知總電壓與總電流的相位差為

30°，感抗XˇL=100Ω，則電阻R=____Ω。

答案：

31、【填空題】晶體三極管作為放大器工作時(shí)，其發(fā)射結(jié)應(yīng)____，集電結(jié)應(yīng)反偏。

答案：正偏

32、【填空題】在共發(fā)射極、共基極、共集電極三種基本組態(tài)的放大電路中，輸出電阻最低

是____。

答案：共集電極組態(tài)（或射極跟隨器）

33、【填空題】電壓負(fù)反饋能夠穩(wěn)定輸出____。

答案：電壓

34、【填空題】理想運(yùn)算放大器工作在非線性區(qū)時(shí)，若u_<u+，則運(yùn)放的輸出電壓uo等于

____。

答案：正向飽和電壓

35、【填空題】在同相比例運(yùn)算電路中，若反饋電阻等于零，則電路成為_(kāi)___。

答案：電壓跟隨電路（或電壓跟隨器）

36、【填空題】單相橋式整流電路中，每個(gè)二極管在輸入信號(hào)的____周期內(nèi)導(dǎo)通。

答案：半個(gè)

37、【填空題】三端集成穩(wěn)壓器CW7805的輸出電壓為_(kāi)___。

答案：+5V

38、【填空題】十進(jìn)制數(shù)71轉(zhuǎn)換成二進(jìn)制數(shù)為_(kāi)___。

答案：1000111

39、【填空題】

答案：F=G（相等）