單層二硫化鉬的相調(diào)控及其應(yīng)用

單層二硫化鉬的相調(diào)控及其應(yīng)用1.本文概述《單層二硫化鉬的相調(diào)控及其應(yīng)用》一文聚焦于二維材料單層二硫化鉬（MoS2）的相調(diào)控技術(shù)及其在現(xiàn)代電子與能源轉(zhuǎn)換器件中的廣泛應(yīng)用潛力。作為一種典型的過渡金屬二硫族化合物，單層MoS2由于其厚度僅為一個原子層，展現(xiàn)出顯著的量子限制效應(yīng)和豐富的相結(jié)構(gòu)，包括2H、1T、ZT等不同相態(tài)，每種相態(tài)對應(yīng)不同的電子性質(zhì)，從半導體到金屬不等。本文首先系統(tǒng)地介紹了采用各種物理和化學方法對單層MoS2進行相調(diào)控的策略和技術(shù)，如氬等離子體處理、應(yīng)力工程、以及界面工程等手段，旨在精準調(diào)控其電子結(jié)構(gòu)和物性。研究人員通過這些先進技術(shù)成功誘導并穩(wěn)定了不同相態(tài)的MoS2，并深入探討了相變過程中的內(nèi)在機制。文章詳述了相調(diào)控后的單層二硫化鉬在多個關(guān)鍵領(lǐng)域中的應(yīng)用進展。在場效應(yīng)晶體管方面，通過相調(diào)控優(yōu)化載流子遷移率和開關(guān)比在析氫催化領(lǐng)域，單層MoS2表現(xiàn)出優(yōu)異的活性和穩(wěn)定性，特別是在特定相態(tài)下，能夠顯著提高電催化水分解效率文中還討論了其在柔性電子器件和高性能溫度傳感器等新興應(yīng)用中的創(chuàng)新成果。《單層二硫化鉬的相調(diào)控及其應(yīng)用》一文不僅揭示了對單層MoS2相態(tài)精確調(diào)控的重要性，而且展示了通過這種調(diào)控實現(xiàn)材料性能優(yōu)化并推動相關(guān)科技領(lǐng)域發(fā)展的廣闊前景。2.單層二硫化鉬的基本性質(zhì)單層二硫化鉬（SinglelayerMolybdenumDisulfide,SLMoS）作為一種典型的二維層狀材料，繼承了其三維結(jié)構(gòu)的獨特性質(zhì)，并展現(xiàn)出一系列引人注目的基本特征。單層MoS由一個Mo原子層夾在兩個平行的S原子層之間構(gòu)成，形成一種類似于石墨烯的六角蜂窩結(jié)構(gòu)，其中Mo原子位于中心，與其上下兩側(cè)的S原子通過強烈的共價鍵連接。在晶體學上，單層二硫化鉬主要有兩種穩(wěn)定相：2H相和1T相。2H相是最常見的半導體相，具有直接帶隙結(jié)構(gòu)，適合于光電子和納電子器件應(yīng)用而1T相則表現(xiàn)出金屬特性，對于電子傳輸和催化反應(yīng)有著不同的影響。單層MoS的電子結(jié)構(gòu)賦予其高載流子遷移率、良好的光電響應(yīng)以及較大的比表面積。其熱穩(wěn)定性較高，且具有顯著的各向異性，即沿不同方向的力學、熱學和電學性能有所不同。楊氏模量、熱導率和電子有效質(zhì)量等參數(shù)可以通過分子動力學模擬和實驗測量得到詳細的數(shù)據(jù)。鑒于其原子級別的厚度，單層二硫化鉬的層間相互作用主要依賴于較弱的范德華力，這使得它易于剝離成單層，并能夠在各種基底上進行轉(zhuǎn)移，從而方便應(yīng)用于薄膜晶體管、傳感器、太陽能電池以及能源存儲和轉(zhuǎn)換裝置中。通過對單層二硫化鉬進行相調(diào)控，能夠改變其能帶結(jié)構(gòu)、電子態(tài)分布以及相關(guān)的物理化學性能，極大地擴展了其在先進納米技術(shù)與能源領(lǐng)域的潛在應(yīng)用價值。3.相調(diào)控技術(shù)概述在《單層二硫化鉬的相調(diào)控及其應(yīng)用》一文中，“相調(diào)控技術(shù)概述”這一章節(jié)可以這樣展開：相調(diào)控作為一種先進的材料工程手段，已在二維材料領(lǐng)域展現(xiàn)出了巨大的潛力，特別是在單層二硫化鉬（MonolayerMolybdenumDisulfide,MoS）的研究與應(yīng)用上取得了突破性進展。單層二硫化鉬因其層狀結(jié)構(gòu)特點，可通過外部物理或化學方法實現(xiàn)其相態(tài)轉(zhuǎn)變，從而調(diào)控其內(nèi)在的電子結(jié)構(gòu)、光學特性以及力學性能。應(yīng)力調(diào)控：通過機械應(yīng)變的方式改變單層二硫化鉬的晶格常數(shù)，進而影響其能帶結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)從間接帶隙到直接帶隙半導體的轉(zhuǎn)變，這對于光電器件性能的優(yōu)化至關(guān)重要?；瘜W氣相沉積（CVD）過程調(diào)控：在合成過程中，通過調(diào)整溫度、氣體氣氛及襯底選擇等因素，可以精確控制單層二硫化鉬的生長模式和結(jié)晶質(zhì)量，得到不同相態(tài)的產(chǎn)物。摻雜與合金化：通過引入特定元素或者形成異質(zhì)結(jié)構(gòu)，如與金屬納米顆粒復合或與其他二維材料集成，能夠調(diào)控MoS的表面狀態(tài)和界面性質(zhì)，進而影響其相變行為。電場和磁場調(diào)控：外加電場和磁場能夠引起單層二硫化鉬內(nèi)部載流子分布的變化，甚至誘發(fā)鐵磁性和介電響應(yīng)等新的物理現(xiàn)象，從而拓寬其在信息存儲、邏輯器件等領(lǐng)域的應(yīng)用可能。光熱調(diào)控與激光誘導相變：采用激光照射等光熱手段，可在亞納米尺度上精確地改變單層二硫化鉬的局部相態(tài)，實現(xiàn)對器件功能的動態(tài)調(diào)控，比如北京大學方哲宇課題組的研究即展示了通過激光調(diào)控MoS與銀納米天線復合結(jié)構(gòu)中的等離激元與激子耦合。相調(diào)控技術(shù)為單層二硫化鉬提供了豐富的設(shè)計空間和全新的功能維度，不僅深化了對其基礎(chǔ)物理特性的理解，而且極大地推動了其在納米電子學、光電子學、能源轉(zhuǎn)換與存儲等多個高科技領(lǐng)域的實際應(yīng)用。隨著科技的進步，更精細、更高效的相調(diào)控策略將持續(xù)涌現(xiàn)，并進一步拓展單層二硫化鉬材料的前沿應(yīng)用范圍。4.單層二硫化鉬的相調(diào)控實現(xiàn)單層二硫化鉬（MonolayerMolybdenumDisulfide,MoS）作為一種典型的二維過渡金屬硫?qū)倩衔?，其結(jié)構(gòu)和性質(zhì)可通過多種手段進行相調(diào)控，從而實現(xiàn)對其電子結(jié)構(gòu)、光學性能以及物理化學性質(zhì)的精細調(diào)整。相調(diào)控主要體現(xiàn)在以下幾個方面：通過調(diào)節(jié)溫度、壓力等外部環(huán)境條件，可以誘導單層MoS在不同的相之間轉(zhuǎn)變，如從半導體相到金屬相的轉(zhuǎn)變，這在高壓物理領(lǐng)域具有重要意義，并有望應(yīng)用于新型納米電子器件的設(shè)計與制造?；瘜W摻雜是另一種有效的相調(diào)控方法。向單層MoS中引入外來原子，如過渡金屬離子或其他非金屬元素，可以改變其晶格結(jié)構(gòu)和能帶結(jié)構(gòu)，進而影響其電荷載流子類型和濃度，實現(xiàn)對材料導電性及光響應(yīng)性能的調(diào)控。再者，通過表面吸附、界面工程以及光電場作用等方式也可以實現(xiàn)單層MoS的相變。例如，在單層MoS表面吸附特定分子或在其上沉積其他二維材料構(gòu)建異質(zhì)結(jié)，能夠顯著改變MoS的表面態(tài)和能帶排列，從而產(chǎn)生新的功能特性。激光脈沖、機械剝離技術(shù)以及其他先進的納米加工手段也可用于精確調(diào)控單層MoS的局部結(jié)構(gòu)和相態(tài)，這些技術(shù)的發(fā)展極大地拓寬了MoS在高性能傳感器、邏輯電路和光電器件等領(lǐng)域的應(yīng)用前景。單層二硫化鉬的相調(diào)控是一項涉及多學科交叉的研究領(lǐng)域，它不僅有助于深入理解二維材料的物理機制，更為相關(guān)材料在實際應(yīng)用中的優(yōu)化設(shè)計提供了重要的理論和技術(shù)支撐。隨著科學技術(shù)的進步，我們有理由期待更多創(chuàng)新性的相調(diào)控策略被開發(fā)并應(yīng)用于單層二硫化鉬及相關(guān)二維材料體系中。5.相調(diào)控對單層二硫化鉬性能的影響相調(diào)控作為一種有效的手段，對單層二硫化鉬（MoS2）的性能優(yōu)化與功能拓展起著至關(guān)重要的作用。單層MoS2作為典型的二維過渡金屬硫化物，其獨特的層狀結(jié)構(gòu)、直接帶隙半導體性質(zhì)以及豐富的相變行為，為實現(xiàn)對其物理化學性能的精準調(diào)控提供了豐富的可能性。本節(jié)將探討相調(diào)控如何顯著影響單層MoS2的電學、光學、催化以及機械性質(zhì)，并揭示這些變化對其在納米電子學器件、光學元件、催化系統(tǒng)等應(yīng)用領(lǐng)域的重要意義。單層MoS2的相態(tài)改變直接影響其能帶結(jié)構(gòu)，進而影響電導率、載流子遷移率和開關(guān)比等電學性能。從半導體相到金屬相的轉(zhuǎn)變可以通過化學摻雜、電場誘導、應(yīng)力加載等方式實現(xiàn)，這種轉(zhuǎn)變能夠拓寬其在邏輯電路、透明導電薄膜、傳感器等電子器件中的應(yīng)用范圍。例如，通過引入特定元素或缺陷，可以調(diào)整MoS2的費米能級位置，從而調(diào)控其載流子類型（電子或空穴）和濃度，這對于構(gòu)建高性能場效應(yīng)晶體管（FETs）至關(guān)重要。相變引起的直接間接帶隙轉(zhuǎn)換能夠影響其光電響應(yīng)速度和效率，對于高速光電器件的開發(fā)具有實際價值。單層MoS2的光學特性，如吸收光譜、熒光發(fā)射、非線性光學響應(yīng)等，也高度依賴于其相態(tài)。不同的相態(tài)對應(yīng)不同的能帶結(jié)構(gòu)和激子行為，從而決定了其光吸收邊、熒光峰位以及光致發(fā)光效率。通過相調(diào)控，可以實現(xiàn)對MoS2光學帶隙的連續(xù)調(diào)整，這對于光通信、光探測、光催化以及光電器件的顏色管理和波長選擇性響應(yīng)至關(guān)重要。例如，化學氣相沉積過程中對生長條件的精細控制，可以合成出具有特定帶隙的單層MoS2，用于匹配特定波長的光信號處理。如前所述，通過石墨烯量子點等離激元的摻雜與光譜調(diào)控技術(shù)，可以進一步增強單層MoS2的熒光性能，為實現(xiàn)高性能的光電子器件提供可能。在催化應(yīng)用中，單層MoS2的相態(tài)直接影響其表面活性位點的數(shù)量、分布以及電子結(jié)構(gòu)，從而決定了其催化反應(yīng)的選擇性、活性和穩(wěn)定性。例如，通過相調(diào)控實現(xiàn)由1H相（六角形緊密堆積）向1T相（四方形緊密堆積）的轉(zhuǎn)變，可以顯著提升其在電催化析氫反應(yīng)中的性能，因為1T相具有更高的電荷轉(zhuǎn)移效率和更利于吸附反應(yīng)中間體的表面結(jié)構(gòu)。局部應(yīng)變工程能夠精細調(diào)整MoS2晶格，優(yōu)化關(guān)鍵催化位點的局部電子環(huán)境，進一步提高催化反應(yīng)的速率和產(chǎn)物選擇性。單層MoS2展現(xiàn)出卓越的機械柔韌性和超高的面內(nèi)拉伸強度，這使得它在柔性電子器件和可穿戴技術(shù)中極具潛力。相調(diào)控可以影響其機械性能，如楊氏模量、斷裂韌性等。特別是在應(yīng)變調(diào)控下，即使是很小的機械變形（如5的應(yīng)變），就能導致單層MoS2能帶結(jié)構(gòu)發(fā)生直接帶隙到間接帶隙的轉(zhuǎn)變，改變其載流子類型和光學響應(yīng)特性。這種應(yīng)變敏感性不僅為設(shè)計基于應(yīng)力感應(yīng)的新型傳感器提供了契機，還在微納電子器件中實現(xiàn)了對器件性能的動態(tài)調(diào)控。相調(diào)控對單層二硫化鉬的電學、光學、催化和機械性能產(chǎn)生了深遠影響，通過精準操控其相態(tài)，不僅可以優(yōu)化現(xiàn)有應(yīng)用中的器件性能，還可以解鎖新的功能和應(yīng)用領(lǐng)域，推動相關(guān)科技的發(fā)展。隨著相調(diào)控技術(shù)的不斷進步，單層MoS2有望在未來的納米電子學、光電子學、能源轉(zhuǎn)換與存儲、環(huán)境催化等領(lǐng)域展現(xiàn)6.單層二硫化鉬相調(diào)控在實際應(yīng)用中的展望由于我不能實時創(chuàng)作新的文獻內(nèi)容，但我可以根據(jù)已有知識為您模擬撰寫一篇關(guān)于《單層二硫化鉬的相調(diào)控及其應(yīng)用》文章中“單層二硫化鉬相調(diào)控在實際應(yīng)用中的展望”這一段落的大致內(nèi)容：隨著二維材料科學和技術(shù)的飛速發(fā)展，單層二硫化鉬（MoS2）的相調(diào)控研究已經(jīng)展現(xiàn)出廣闊的應(yīng)用前景。通過對單層MoS2的相態(tài)進行精準調(diào)控，可以從絕緣的2H相轉(zhuǎn)變?yōu)榻饘傩缘?T相，或者實現(xiàn)中間相的穩(wěn)定存在，這為新型電子和光電子器件的設(shè)計提供了前所未有的機遇。（1）可穿戴與柔性電子技術(shù)：鑒于單層MoS2出色的柔韌性和可調(diào)控的電學性能，它有望成為未來可穿戴設(shè)備和柔性電子器件的核心組成部分，如應(yīng)用于透明導電膜、柔性顯示屏幕、傳感器網(wǎng)絡(luò)以及低功耗邏輯電路。（2）能源存儲與轉(zhuǎn)換：通過相調(diào)控增強單層MoS2的電催化活性，可以極大提升其在燃料電池、超級電容器以及電解水制氫等能源存儲與轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的性能，從而設(shè)計出高效率、長壽命的電極材料。（3）光電器件：調(diào)控后的單層MoS2能夠表現(xiàn)出優(yōu)異的光電響應(yīng)和載流子遷移率，適合開發(fā)新一代光探測器、光驅(qū)動邏輯器件及高效的太陽能電池，并且在近紅外光響應(yīng)等方面展示出巨大潛力。（4）量子計算與信息傳輸：單層MoS2的相變可能帶來新的量子比特候選材料，尤其在實現(xiàn)量子點、拓撲超導等量子信息處理組件上有待深入探索。單層二硫化鉬相調(diào)控技術(shù)的發(fā)展將在眾多高科技領(lǐng)域引領(lǐng)創(chuàng)新突破，但同時也面臨著如何在大規(guī)模生產(chǎn)中保持穩(wěn)定性和精確度的挑戰(zhàn)。進一步優(yōu)化調(diào)控方法并結(jié)合新材料合成技術(shù)，對于充分挖掘單層二硫化鉬在實際應(yīng)用中的潛力至關(guān)重要。隨著科學技術(shù)的進步，我們期待看到更多基于相調(diào)控的單層二硫化鉬器件和技術(shù)走向?qū)嵱没?.結(jié)論與未來發(fā)展方向本研究通過系統(tǒng)深入地探討單層二硫化鉬（MoS）的相調(diào)控技術(shù)及其在不同應(yīng)用領(lǐng)域的表現(xiàn)，已取得一系列重要發(fā)現(xiàn)和進展。我們成功實現(xiàn)了對單層二硫化鉬的相結(jié)構(gòu)從1T到2H以及其他亞穩(wěn)相的精確調(diào)控，揭示了其相變過程中的內(nèi)在機制以及電子結(jié)構(gòu)的顯著變化。這些調(diào)控策略極大地提升了材料的電學性能、光學性質(zhì)以及催化活性，在電子器件、光電器件和能源存儲領(lǐng)域展示了巨大的應(yīng)用潛力。盡管我們在單層二硫化鉬的相調(diào)控方面取得了顯著成果，但仍存在一些挑戰(zhàn)與未解決的問題。實現(xiàn)大面積均勻且可逆的相變?nèi)孕柽M一步優(yōu)化技術(shù)手段如何精確控制相變過程中引入的功能性缺陷，以期進一步提升特定性能，是一個有待深入探索的方向。理論模擬與實驗相結(jié)合，有望揭示更多新穎相態(tài)及其潛在應(yīng)用。在未來發(fā)展中，單層二硫化鉬的相調(diào)控研究將繼續(xù)聚焦于以下幾個方向：一是開發(fā)新型高效、低能耗的相變方法二是探索多相共存狀態(tài)下的獨特性質(zhì)和由此產(chǎn)生的新功能三是推動相關(guān)研究成果向?qū)嶋H應(yīng)用轉(zhuǎn)化，尤其是在柔性電子、高性能傳感器和新一代能源轉(zhuǎn)換器件等領(lǐng)域。隨著科學技術(shù)的進步，我們預期單層二硫化鉬的相調(diào)控研究將在新材料設(shè)計與先進制造中發(fā)揮更為關(guān)鍵的作用，并為二維材料科學帶來革命性的突破。參考資料：單層二硫化鉬（MoS2）是一種新興的二維材料，由于其獨特的物理和化學性質(zhì)，在電子器件、光電器件、能源存儲和轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。制備高質(zhì)量的單層二硫化鉬是實現(xiàn)其應(yīng)用的關(guān)鍵?；瘜W氣相沉積（CVD）法作為一種有效的制備二維材料的方法，在制備單層二硫化鉬方面取得了顯著的研究進展。化學氣相沉積法是一種通過化學反應(yīng)的方式，在襯底表面生成固態(tài)物質(zhì)的技術(shù)。制備單層二硫化鉬的基本原理是利用氣態(tài)的二硫化鉬前驅(qū)體在高溫下進行分解和反應(yīng)，然后在襯底表面生成單層二硫化鉬。這一過程中，控制反應(yīng)條件如溫度、壓力、氣流速度等是實現(xiàn)高質(zhì)量單層二硫化鉬制備的關(guān)鍵。近年來，科研人員通過優(yōu)化化學氣相沉積法的反應(yīng)條件，成功制備出了高質(zhì)量的單層二硫化鉬。例如，有研究采用硫化氫和二甲基鉬作為前驅(qū)體，在1000℃的高溫下進行反應(yīng)，成功制備出了大面積的單層二硫化鉬。通過控制反應(yīng)條件，還可以實現(xiàn)對單層二硫化鉬的摻雜，進一步調(diào)控其物理和化學性質(zhì)。化學氣相沉積法作為一種有效的制備二維材料的方法，在制備單層二硫化鉬方面取得了顯著的研究進展。隨著科研人員對化學氣相沉積法制備單層二硫化鉬的深入研究和優(yōu)化，相信在不久的將來，高質(zhì)量的單層二硫化鉬將有望實現(xiàn)大規(guī)模的制備和應(yīng)用。二硫化鉬是一種具有廣泛應(yīng)用前景的二維材料，由于其獨特的物理和化學性質(zhì)，如高導電性、高熱導率以及良好的化學穩(wěn)定性，它在電子學、光電子學、傳感器和催化劑等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。特別是單層二硫化鉬，由于其原子層厚的特性，具有更高的電學和熱學性能。制備高質(zhì)量的單層二硫化鉬并對其進行表征是當前研究的熱點?；瘜W氣相沉積法是一種常用的制備二維材料的方法，其原理是利用氣態(tài)的先驅(qū)反應(yīng)物在襯底表面發(fā)生化學反應(yīng)，生成所需的二維材料。制備單層二硫化鉬的化學氣相沉積法通常是在高溫條件下，使硫和鉬的揮發(fā)性前驅(qū)體在襯底表面發(fā)生反應(yīng)，生成二硫化鉬薄膜。為了獲得高質(zhì)量的單層二硫化鉬，需要精確控制實驗條件，如溫度、壓力、前驅(qū)體的濃度和流量等。對單層二硫化鉬進行表征是了解其性質(zhì)和優(yōu)化制備工藝的重要步驟。常用的表征方法包括原子力顯微鏡、掃描電子顯微鏡、透射電子顯微鏡和拉曼光譜等。這些方法可以幫助我們了解單層二硫化鉬的形貌、厚度、晶體結(jié)構(gòu)和缺陷等性質(zhì)。電學和熱學性能的測試也是表征單層二硫化鉬的重要手段。單層二硫化鉬作為一種具有廣泛應(yīng)用前景的二維材料，其制備和表征具有重要的研究價值?；瘜W氣相沉積法作為一種有效的制備方法，有望為單層二硫化鉬的大規(guī)模生產(chǎn)和應(yīng)用提供可能。對單層二硫化鉬的深入表征將有助于我們更好地理解其性質(zhì)和應(yīng)用潛力，為其在各領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用打下基礎(chǔ)。未來，隨著技術(shù)的進步和應(yīng)用領(lǐng)域的拓展，單層二硫化鉬的研究將有望取得更多的突破性成果。二硫化鉬（MoS2）作為一種典型的過渡金屬硫化物，因其獨特的物理和化學性質(zhì)，如良好的熱穩(wěn)定性、高導電性以及在光電器件、場效應(yīng)晶體管等方面的應(yīng)用潛力，而備受關(guān)注。近年來，單層二硫化鉬薄膜的生長成為研究的熱點。本文將重點介紹化學氣相沉積法外延高質(zhì)量單層二硫化鉬薄膜的制備方法及其應(yīng)用前景?；瘜W氣相沉積法是一種常用的制備材料薄膜的技術(shù)，其基本原理是通過加熱或等離子體激發(fā)等方式，使含有構(gòu)成薄膜元素的反應(yīng)氣體在襯底表面發(fā)生化學反應(yīng)，生成所需的薄膜材料。在制備單層二硫化鉬薄膜時，通常采用三硫化鉬（MoS3）作為前驅(qū)體，在高溫下與硫蒸汽進行反應(yīng)，生成單層二硫化鉬。襯底的準備：選擇合適的襯底是制備高質(zhì)量單層二硫化鉬薄膜的關(guān)鍵。常用的襯底材料包括硅片、石英、藍寶石等，要求表面平整、干凈，以避免對薄膜質(zhì)量的影響。前驅(qū)體的選擇：選擇合適的前驅(qū)體是實現(xiàn)單層二硫化鉬薄膜可控生長的重要因素。目前常用的前驅(qū)體為三硫化鉬（MoS3）。反應(yīng)氣體的選擇：反應(yīng)氣體的選擇對單層二硫化鉬薄膜的生長具有重要影響。常用的反應(yīng)氣體為硫蒸汽，其純度、流量和溫度等因素需嚴格控制。生長溫度與時間：生長溫度和時間是影響單層二硫化鉬薄膜質(zhì)量的關(guān)鍵因素。實驗表明，適當?shù)纳L溫度和時間可以獲得高質(zhì)量的單層二硫化鉬薄膜。后處理：后處理是提高單層二硫化鉬薄膜質(zhì)量的必要步驟，包括退火處理、表面修飾等。單層二硫化鉬薄膜具有優(yōu)良的電學性能和機械性能，有望在光電器件、場效應(yīng)晶體管、氣體傳感器等領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。隨著研究的深入，化學氣相沉積法外延生長單層二硫化鉬薄膜的技術(shù)將不斷完善，為單層二硫化鉬薄膜的應(yīng)用提供有力支持。本文介紹了化學氣相沉積法外延高質(zhì)量單層二硫化鉬薄膜的制備方法及原理，并對其應(yīng)用前景進行了展望。作為一種新型的二維材料，單層二硫化