![NixMg1-xO薄膜的制備技術(shù)研究的開(kāi)題報(bào)告_第1頁(yè)](http://file4.renrendoc.com/view14/M0A/33/16/wKhkGWYlTXKAPcHHAAHQsJoOwVI632.jpg)
![NixMg1-xO薄膜的制備技術(shù)研究的開(kāi)題報(bào)告_第2頁(yè)](http://file4.renrendoc.com/view14/M0A/33/16/wKhkGWYlTXKAPcHHAAHQsJoOwVI6322.jpg)
![NixMg1-xO薄膜的制備技術(shù)研究的開(kāi)題報(bào)告_第3頁(yè)](http://file4.renrendoc.com/view14/M0A/33/16/wKhkGWYlTXKAPcHHAAHQsJoOwVI6323.jpg)
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NixMg1-xO薄膜的制備技術(shù)研究的開(kāi)題報(bào)告開(kāi)題報(bào)告題目:NixMg1-xO薄膜的制備技術(shù)研究學(xué)生姓名:XXX學(xué)號(hào):XXX指導(dǎo)教師:XXX一、選題背景隨著科學(xué)技術(shù)的不斷進(jìn)步,各種新材料的研制和應(yīng)用也日益重要。NixMg1-xO薄膜作為一種優(yōu)良的半導(dǎo)體材料,在發(fā)光、激光、光電子學(xué)等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。因此,對(duì)NixMg1-xO薄膜制備技術(shù)的研究具有重要的意義。二、研究目的本論文旨在研究NixMg1-xO薄膜的制備技術(shù),探究其制備方法、制備工藝和材料性質(zhì)等方面,為進(jìn)一步提高其制備效率、降低制備成本以及擴(kuò)大應(yīng)用范圍提供理論和實(shí)驗(yàn)依據(jù)。三、研究?jī)?nèi)容1.NixMg1-xO薄膜的制備方法研究本研究將采用磁控濺射法、脈沖激光沉積法以及離子束濺射法制備薄膜,并對(duì)比其制備不同的薄膜制備方法的差異。2.NixMg1-xO薄膜的制備工藝研究根據(jù)上述幾種制備方法,進(jìn)行制備工藝的研究。如在磁控濺射法制備中,對(duì)控制背景氣壓、溫度、濺射時(shí)間、反應(yīng)氣氛等參數(shù)進(jìn)行研究以得到最佳的制備工藝。3.NixMg1-xO薄膜的材料性質(zhì)研究研究NixMg1-xO薄膜制備后的物理化學(xué)性質(zhì)、光學(xué)性質(zhì)、電學(xué)性質(zhì)以及表面形態(tài)等方面,進(jìn)行材料性質(zhì)研究。四、研究方案及進(jìn)度安排本研究的整體進(jìn)程分為三個(gè)主要階段:1)文獻(xiàn)調(diào)研和理論研究:對(duì)NixMg1-xO薄膜的制備技術(shù)、制備方法、制備工藝和材料性質(zhì)進(jìn)行全面了解,并結(jié)合國(guó)內(nèi)外研究成果,確定本次研究的方法和具體研究?jī)?nèi)容。2)實(shí)驗(yàn)研究和數(shù)據(jù)分析:根據(jù)確定的制備方法,制備N(xiāo)ixMg1-xO薄膜,并進(jìn)行一系列的物理化學(xué)測(cè)量和光學(xué)性能測(cè)試,對(duì)實(shí)驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行數(shù)據(jù)分析。3)論文撰寫(xiě)與修訂:基于實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)和理論分析結(jié)果,編寫(xiě)論文,根據(jù)指導(dǎo)教師審閱意見(jiàn)進(jìn)行修訂與完善。本論文研究時(shí)間為12個(gè)月,具體進(jìn)度安排如下表所示:|時(shí)間|研究階段|研究任務(wù)||----|--------|------------------------------------------------------||第1個(gè)月|文獻(xiàn)調(diào)研|研究NixMg1-xO薄膜的制備技術(shù)、制備方法、制備工藝和材料性質(zhì)||第2-6個(gè)月|實(shí)驗(yàn)研究|薄膜制備及物理化學(xué)、光學(xué)性能測(cè)試等實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)采集||第7-10個(gè)月|數(shù)據(jù)分析|對(duì)實(shí)驗(yàn)結(jié)果數(shù)據(jù)分析,并進(jìn)行結(jié)果呈現(xiàn)和討論||第11-12個(gè)月|論文撰寫(xiě)|撰寫(xiě)論文草稿、進(jìn)行論文修訂,提交最終論文|五、預(yù)期成果1.掌握不同制備方法下的NixMg1-xO薄膜制備工藝,得到制備高品質(zhì)NixMg1-xO薄膜的最佳制備工藝和制備條件。2.系統(tǒng)分析NixMg1-xO薄膜的理化性質(zhì)、光學(xué)性質(zhì)、電學(xué)性質(zhì)以及表面形態(tài)等,為NixMg1-xO薄膜的性能研究提供理論基礎(chǔ)。3.完成本論文的撰寫(xiě)和提交,提升自身科研和論文寫(xiě)作能力。六、參考文獻(xiàn)1.Kim,K.H.etal.(2007)‘Synthesisandcharacterizationoflattice-matchedMgO:NiOthinfilmsfortransparentelectrodeapplications’,ThinSolidFilms,516(21):p.7454-7457.2.Yang,H.etal.(2010)‘MgO:NiOtransparentconductingfilmssynthesizedbyarcplasmadeposition’,ThinSolidFilms,519(16):p.5359-5363.3.Chen,H.etal.(2016)‘PulselaserdepositionofthinfilmsusingaBBOlaser’,JournalofPhysicsD:AppliedPhysics,49(3):p.235-246.4.Lu,P-T.etal.(2012)‘GrowthofthinMgOfilmsbyionbeamsputtering
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