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試題編號： 試題名稱：半導體物理半導體物理考試試卷〔20XX-11〕填空〔134分〕

姓名 學號純潔半導體Si中摻V族元素的雜質，當雜質電離時釋放 種雜質稱 雜質；相應的半導體稱 型半導體。當半導體中載流子濃度的分布不均勻時，載流子將做 動；在半導體存在外加電壓狀況下，載流子將做 3．np=n2標志著半導體處于 狀態(tài)，當半導體摻入的雜質含量oo i轉變時，乘積np轉變否？ ；當溫度變化時，np轉變oo oo否？ 。非平衡載流子通過 而消逝， 叫做壽命τ，壽命τ與 在 親熱相關，對于強p型和強n型材料，小注入時壽命τn為 ，壽命τp為 。是反映載流子在電場作用下運動難易程度的物理量， 映有濃度梯度時載流子運動難易程度的物理量，聯(lián)系兩者的關系式是 ，稱為 半導體中的載流子主要受到兩種散射，它們分別是 和。前者在 下起主要作用，后者在15頁試題編號： 試題名稱：半導體物理下起主要作用。半導體中淺能級雜質的主要作用是 能級雜質所起的主要作用 。CnEE的相對位置作為衡量簡并化與非簡并CF化的標準，那末， 為非簡并條件； 并條件； 為簡并條件。，反向電流密度突然開頭快速增大的現(xiàn)象稱為 ，其種類為： 、和 。指出以下圖各表示的是什么類型半導體？二、將以下英文名詞翻譯成中文，并解釋之〔624分〕〔1〕indiectrecombination 〔2〕diffusionlength〔3〕hotcarriers 〔4〕spacechargeregion25頁試題編號： 試題名稱：半導體物理三、簡要答復〔26分〕1．〔7〕p-n流子漂移運動和集中運動的方向〔在以下圖右側直線上添加尖頭即可〕。并說明集中電流和漂移電流之間的關系。釋為什么會消滅這樣的變化規(guī)律。35頁試題編號： 試題名稱：半導體物理G，空穴的壽命為τ，則光照條件下少數(shù)載流子所遵守的運動方程為pD

2p

P E P

G，t px

p

P x 寫出樣品在摻雜均勻條件下的方程表達式式四、計算〔16分〕1、 單晶硅中均勻地摻入兩種雜質摻硼1.51016cm-3,摻磷5.01015cm-3。試計算：45頁試題編號： 試題名稱：半導體物理室溫下載流子濃度〔4分〕；室溫下費米能級位置〔4分〕；室溫下電導率〔4分〕；：〔4〕。：室溫下n=1.51010cm-3, N=2.81019cm-3,i CN=1.01019cm-3, kT=0.026eV；V 0

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