2023年高考化學(xué)易錯(cuò)點(diǎn)(26)物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)(知識(shí)點(diǎn)講解)

26物質(zhì)構(gòu)造與性質(zhì)瞄準(zhǔn)高考1〔2023課標(biāo)ⅠLi是最輕的固體金屬，承受Li到廣泛應(yīng)用。答復(fù)以下問題：以下Li原子電子排布圖表示的狀態(tài)中，能量最低和最高的分別為 、 〔填標(biāo)號。A．B．C．D．Li+與H?具有一樣的電子構(gòu)型，r(Li+)小于r(H?)，緣由是 。LiAlH4

是有機(jī)合成中常用的復(fù)原劑，LiAlH4

中的陰離子空間構(gòu)型是 中心原子的雜化形式為 。LiAlH中，存在 〔填標(biāo)號。4A．離子鍵B．σ鍵C．π鍵D．氫鍵LiO是離子晶體，其晶格能可通過圖(a)Born?Haber循環(huán)計(jì)算得到。2可知，Li原子的第一電離能為 kJ·mol?1，O=O鍵鍵能為 kJ·mol?1，LiO晶格能為 kJ·mol?1。2LiO具有反螢石構(gòu)造，晶胞如圖(b)所示。晶胞參數(shù)為0.4665nm，阿伏加德羅常數(shù)的值為N，則LiO2 A 2的密度為 g·cm?3〔列出計(jì)算式?！敬鸢浮緿 C Li+核電荷數(shù)較大正四周體sp3 AB 520 498 2908〔1〕Li1s22s1DC22p能級上，能量最高；〔2〕由于鋰的核電荷數(shù)較大，原子核對最外層電子的吸引力較大，因此Li＋H－；2〔HS2HS2S8FeS2SO2SO3HSO2 4熔點(diǎn)/℃?85.5115.2?75.516.810.3>600〔分解〕沸點(diǎn)/℃?60.3444.6?10.045.0337.0答復(fù)以下問題：基態(tài)Fe原子價(jià)層電子的電子排布圖〔軌道表達(dá)式〕，基態(tài)S原子電子占據(jù)最高能級的電子云輪廓圖為 形。依據(jù)價(jià)層電子對互斥理論，HS、SO、SO 的氣態(tài)分子中，中心原子價(jià)層電子對數(shù)不同于其他分子的是2 2 3 。圖〔a〕為S的構(gòu)造，其熔點(diǎn)和沸點(diǎn)要比二氧化硫的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)高很多，主要緣由為 。8氣態(tài)三氧化硫以單分子形式存在，其分子的立體構(gòu)型形，其中共價(jià)鍵的類型有 種；固體三氧化硫中存在如圖〔b〕所示的三聚分子，該分子中S原子的雜化軌道類型為 。FeS2

晶體的晶胞如圖〔c〕所示。晶胞邊長為anm、FeS2

相對式量為M，阿伏加德羅常數(shù)的值為N

，其晶A體密度的計(jì)算表達(dá)式為 g·cm?3；晶胞中Fe2+位于

所形成的正八面體的體心，該正八面體的邊長為 nm。【答案】 啞鈴〔紡錘〕HS S 相對分子質(zhì)量大，分子間范德華力強(qiáng)平面三2 8角2 sp33〔2023課標(biāo)Ⅲ〕鋅在工業(yè)中有重要作用，也是人體必需的微量元素。答復(fù)以下問題：Zn原子核外電子排布式為 。黃銅是人類最早使用的合金之一，主要由Zn和Cu組成。第一電離能Ⅰ〔Zn〕 Ⅰ〔Cu)(填“大于”1 1或“小于”)。緣由是 。ZnF具有較高的熔點(diǎn)〔872℃)，其化學(xué)鍵類型是 ；ZnF

ZnCl、ZnBr、ZnI2 2能夠溶于乙醇、乙醚等有機(jī)溶劑，緣由是 。

2 2 2《中華本草》等中醫(yī)典籍中，記載了爐甘石〔ZnCO〕入藥，可用于治療皮膚炎癥或外表創(chuàng)傷。ZnCO中，3 3陰離子空間構(gòu)型為 ，C原子的雜化形式為 。金屬Zn晶體中的原子積存方式如以下圖，這種積存方式稱為 。六棱柱底邊邊長為acm，高為cc，阿伏加德羅常數(shù)的值為N，Zn的密度 g·c〔列出計(jì)算式。A【答案】[Ar]3d104s2 大于Zn核外電子排布為全滿穩(wěn)定構(gòu)造，較難失電子離子鍵ZnF2

為離子化合物，ZnCl2

、ZnBr2

、ZnI2

的化學(xué)鍵以共價(jià)鍵為主、極性較小 平面三角形 sp2 六方最密積存〔A 型〕3為6× cm3。所以密度為： g·cm-3。4〔2023課標(biāo)Ⅰ〕鉀和碘的相關(guān)化合物在化工、醫(yī)藥、材料等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。答復(fù)以下問題：元素K的焰色反響呈紫紅色，其中紫色對應(yīng)的輻射波長為 nm〔填標(biāo)號。A．404.4 B．553.5 C．589.2 D．670.8 E.766.5基態(tài)K原子中，核外電子占據(jù)的最高能層的符號是 ，占據(jù)該能層電子的電子云輪廓圖外形為 。K和Cr屬于同一周期，且核外最外層電子構(gòu)型一樣，但金屬K的熔點(diǎn)、沸點(diǎn)等都比金屬Cr低，緣由是 。〔3〕X射線衍射測定等覺察，IAsF中存在I+離子。I+離子的幾何構(gòu)型為 ，中心原子的雜化形3 6 3 3式為 。KIO3

a=0.446nm，晶胞中K、I、O分別處于頂角體心面心位置如以下圖K與O間的最短距離 n與K緊鄰的O個(gè)數(shù) 。在KIO3

晶胞構(gòu)造的另一種表示中，I處于各頂角位置，則K處于 位置，O處于 位置?！緟⒖即鸢浮俊?〕A 〔2〕N 球形K的原子半徑較大且價(jià)電子數(shù)較少，金屬鍵較弱〔3〕V形 sp3 〔4〕0.315 12 〔5〕體心棱心5．〔2023課標(biāo)Ⅱ〕我國科學(xué)家最近成功合成了世界上首個(gè)五氮陰離子鹽(N)(HO)(NH)Cl〔R代表。答復(fù)下56 3 3 44列問題：氮原子價(jià)層電子對的軌道表達(dá)式〔電子排布圖〕為 。元素的基態(tài)氣態(tài)原子得到一個(gè)電子形成氣態(tài)負(fù)一價(jià)離子時(shí)所放出的能量稱作第一電子親和能E1。其次期局部元素的E1變化趨勢如圖〔a〕所示，其中除氮元素外，其他元素的 E1自左而右依次增大的緣由是 ；氮元素的E1呈現(xiàn)特別的緣由是 。經(jīng)X射線衍射測得化合物R的晶體構(gòu)造，其局部構(gòu)造如圖〔b〕所示。①從構(gòu)造角度分析，R中兩種陽離子的一樣之處為 ，不同之處為 〔填標(biāo)號〕中心原子的雜化軌道類型C．立體構(gòu)造

中心原子的價(jià)層電子對數(shù)D．共價(jià)鍵類型②RN

-中的σ鍵總數(shù)為 個(gè)。分子中的大π鍵可用符號n

mπ5 mn代表參與形成的大π鍵電子數(shù)〔如苯分子中的大π鍵可表示為6，則6

-中的大π鍵應(yīng)表示為5 。③圖〔b〕中虛線代表氫鍵，其表示式為〔NH+〕N-H┄Cl、 、 。4〔4〕Rdg·cm-3anmy個(gè)[(N

)(H

O)(NH

)Cl]單元，該單元的相對質(zhì)量為M，則y的計(jì)算表達(dá)式為 ?！緟⒖即鸢浮?/p>

56 3 3 44〔1〕〔2〕同周期隨著核電荷數(shù)依次增大，原子半徑漸漸變小，故結(jié)合一個(gè)電子釋放出的能量依次增大 N的2p能級處于半布滿狀態(tài)，相對穩(wěn)定，不易結(jié)合一個(gè)電子〔3〕①ABD；C ②5N 6A 5③〔HO+〕O—H…N 〔NH+〕N—H…N3 4d(a107)3N〔4〕 M A6．〔2023課標(biāo)Ⅲ〕爭論覺察，在CO低壓合成甲醇反響〔CO+3H=CHOH+HO〕中，Co氧化物負(fù)載的Mn氧化2 2 2 3 2物納米粒子催化劑具有高活性，顯示出良好的應(yīng)用前景。答復(fù)以下問題：Co基態(tài)原子核外電子排布式為 。元素Mn與O中，第一電離能較大的是 ，基態(tài)原子核外未成對電子數(shù)較多的是 。CO和CHOH分子中C原子的雜化形式分別為 和 。2 3〔3〕在CO 低壓合成甲醇反響所涉及的4 種物質(zhì)中，沸點(diǎn)從高到低的挨次為 ，緣由是2 。硝酸錳是制備上述反響催化劑的原料，Mn(NO)中的化學(xué)鍵除了鍵外，還存在 。32MgO具有NaCl型構(gòu)造〔如圖，其中陰離子承受面心立方最密積存方式X射線衍射試驗(yàn)測得MgO的胞參數(shù)為a=0.420nm，則r(O2-)為 nm。MnO也屬于NaCl型構(gòu)造，晶胞參數(shù)為a”=0.448nm，則r(Mn2+)為 nm?！敬鸢浮?〕1s22s22p63s23p63d74s2或[Ar]3d74s2 O Mnspsp3〔3〕HO>CH

OH>CO>H，HOCHOH均為非極性分子，HO中氫鍵比甲醇多，CO

分子量較大，范德華2 3力較大

2 2 2 3 2 2〔4〕π鍵、離子鍵 〔5〕0.148 0.076鎖定考點(diǎn)一、原子構(gòu)造能層與能級由必修的學(xué)問，我們已經(jīng)知道多電子原子的核外電子的能量是不同的，由內(nèi)而外可以分為：第一、二、三、四、五、六、七……能層KLMNOPQ……能量由低到高能層一二三四五六七……符號最多電子數(shù)K2L8M18N32O P50……能層一二三四五六七……符號最多電子數(shù)K2L8M18N32O P50……Q……)但是同一個(gè)能層的電子，能量也可能不同，還可以把它們分成能級(S、P、d、F)，就好比能層是樓層，能級是樓梯的階級。各能層上的能級是不一樣的。能 層 K能 層 KLMNO ……能 級 1s2s2p3s3p3d4s4p4d4f……最多電子數(shù) 22 62 6 102 61014……各能層電子數(shù)2 8 18 32 50 ……每個(gè)能層中，能級符號的挨次是ns、np、nd、nf……任一能層，能級數(shù)=能層序數(shù)s、p、d、f……1、3、5、7……的兩倍各能層所包含的能級類型及各能層、能級最多容納的電子數(shù)見下表：2.構(gòu)造原理依據(jù)構(gòu)造原理，只要我們知道原子序數(shù)，就可以寫出幾乎全部元素原子的電子排布。即電子所排的能級挨次：1s2s2p3s3p4s3d4p5s4d5p6s4f5d6p7s……電子填充的先后挨次〔構(gòu)造原理〕為：1s 2s2p 3s3p 4s3d4p 5s4d5p 6s4f5d6p 7s5f6d7pns(n－2)f(n－1)dnp構(gòu)造原理提示了原子核外電子的能級分布。不同能層的能級有穿插現(xiàn)象，如E(3d)＞E(4s)、E(4d)＞E(5s)、E(5d)＞E(6s)、E(6d)＞E(7s)、E(4f)＞E(5p)等?！布窜壍辣硎臼健车闹饕罁?jù)之一。如：Na：1s22s22p63s1，能級符號上面數(shù)字是該能級上的電子數(shù)。元素原子的電子排布〔—36號氫H1s1 ……鈉Na1s22s22p63s1 ……鉀K 1s22s22p63s23p64s1 【Ar】4s1 ……有少數(shù)元素的基態(tài)原子的電子排布對于構(gòu)造原理有一個(gè)電子的偏差，如：鉻Cr [Ar]3d54s1 銅 Cu [Ar]3d104s124 2921 、、溴〕的電子排布氯：1s22s22p63s23p21 電子云和原子軌道：電子運(yùn)動(dòng)的特點(diǎn)：①質(zhì)量微?、谶\(yùn)動(dòng)空間微?、蹣O高速運(yùn)動(dòng)。因此，電子運(yùn)動(dòng)來能用牛頓運(yùn)動(dòng)定律來描述，只能用統(tǒng)計(jì)的觀點(diǎn)來描述。我們不行能像描述宏觀運(yùn)動(dòng)物體電子云。常把電子消滅的概率約為90%這種電子云輪廓圖成為原子軌道。S的原子軌道是球形的，能層序數(shù)越大，原子軌道的半徑越大。P的原子軌道是紡錘形的，每個(gè)P3個(gè)軌道，它們相互垂直，分別以P、P、P為符號。P原子軌道的平x y z均半徑也隨能層序數(shù)增大而增大。s電子的原子軌道都是球形的(原子核位于球心)，能層序數(shù)，2越大，原子軌道的半徑越大。這是由于1s，2s，3s……這是不難理解的，打個(gè)比方，神州五號必需依靠推動(dòng)(供給能量)才能抑制地球引力上天，2s電子比1s電子能量高，抑制原子核的吸引在離核更遠(yuǎn)的空間消滅的概率就比1s2s1s電子云更集中。[重點(diǎn)難點(diǎn)]泡利原理和洪特規(guī)章量子力學(xué)告知我們：ns能級各有一個(gè)軌道，np3個(gè)軌道，nd5個(gè)軌道，nf7個(gè)軌道.2個(gè)電子，通常稱為電子對，用方向相反的箭頭“↑↓”來表示。一個(gè)原子軌道里最多只能容納2個(gè)電子，而且自旋方向相反，這個(gè)原理成為泡利原理。推理各電子層的軌道數(shù)和容納的電子數(shù)。洪特規(guī)章。洪特規(guī)章的特例：對于同一個(gè)能級，當(dāng)電子排布為全布滿、半布滿或全空時(shí)，是比較穩(wěn)定的。特例：Cr 1s22s22p63s23p63d54s1 Cu 1s22s22p63s23p63d104s124 29↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑半布滿 全布滿軌道表示式：用“□”表示軌道，用“↑”或“↓”表示容納的電子。1s 1s：H ↑ ：H ↑ He1 2 ↑1s2s1s2s2p↑↑↑↑36Li ↑ ↑↑↑↑↑36留意：ns1個(gè)軌道，np3個(gè)軌道，nd5個(gè)軌道，nf7個(gè)軌道。而每個(gè)軌2個(gè)電子，通常稱為電子對，用方向相反的箭頭“↑↓”來表示?！啊薄啊北硎咀赃x方向相反。基態(tài)、激發(fā)態(tài)、光譜基態(tài)：最低能量狀態(tài)。如處于最低能量狀態(tài)的原子稱為基態(tài)原子。激發(fā)態(tài)：較高能量狀態(tài)〔相對基態(tài)而言。如基態(tài)原子的電子吸取能量后，電子躍遷至較高能級成為激發(fā)態(tài)原子。光譜：不同元素的原子發(fā)生躍遷時(shí)會(huì)吸取〔基態(tài)→激發(fā)態(tài)〕和放出〔基態(tài)→激發(fā)態(tài)〕能量，產(chǎn)生不同的光譜——原子光譜〔吸取光譜和放射光譜。利用光譜分析可以覺察元素或利用特征譜線鑒定元素。能量最低原理。處于最低能量的原子叫做基態(tài)原子。激發(fā)態(tài)原子。電子從較高能量的激發(fā)態(tài)躍遷到較低能量的激發(fā)態(tài)乃至基態(tài)時(shí)，將釋放能量。光〔輻射〕是電子釋放能量的重要形式之一。不同元素的原子發(fā)生躍遷時(shí)會(huì)吸取或釋放不同的光，可以用光譜儀攝取各種元素的電子的吸取光譜或放射光原子光譜稱為光譜分析。二、分子構(gòu)造共價(jià)鍵⑴.共價(jià)鍵的本質(zhì)及特征共價(jià)鍵的本質(zhì)是在原子之間形成共用電子對，其特征是具有飽和性和方向性。⑵.共價(jià)鍵的類型①按成鍵原子間共用電子對的數(shù)目分為單鍵、雙鍵、三鍵。②按共用電子對是否偏移分為極性鍵、非極性鍵。③按原子軌道的重疊方式分為σπ鍵，前者的電子云具有軸對稱性，后者的電子云具有鏡像對稱性。說明：①兩原子間形成的共價(jià)鍵中，共價(jià)單鍵為σ鍵，共價(jià)雙鍵中有一個(gè)σπ鍵，共價(jià)三鍵中有一個(gè)σ鍵和二個(gè)π鍵。②并不是全部的分子中都含有共價(jià)鍵，如單原子的稀有氣體分子中無共價(jià)鍵。⑶.鍵參數(shù)1mol化學(xué)鍵釋放的最低能量，鍵能越大，化學(xué)鍵越穩(wěn)定。②鍵長：形成共價(jià)鍵的兩個(gè)原子之間的核間距，鍵長越短，共價(jià)鍵越穩(wěn)定。2的分子中，兩個(gè)共價(jià)鍵之間的夾角。④鍵參數(shù)對分子性質(zhì)的影響鍵長越短，鍵能越大，分子越穩(wěn)定．⑷.等電子原理原子總數(shù)一樣、價(jià)電子總數(shù)一樣的分子具有相像的化學(xué)鍵特征，它們的很多性質(zhì)相近。應(yīng)用：①推斷微粒成鍵方式、空間構(gòu)型；②推想性質(zhì)。如CO與N2。等電子體類型常見等電子體空間構(gòu)型等電子體類型常見等電子體空間構(gòu)型2原子10電子(價(jià)電子，下同)CO，N，CN-，C2-O2直線形22，NO+，22原子14電子F，2，O2-直線形2Cl23原子8電子HOH-V形2，HS，2N 2CO，NO，CNO，-N3，-N 2，OSCN，-3原子16電子22HgCl，2直線形BeCl(g)23原子18電子O，SO，O-V形32N 24原子8電子NH，3PH，3CH3，-HO+三角錐形34原子24電子SO(g)3，CO2-3，NO-3，BO3-3，平面三角形BF34原子26電子SO2-3，ClO-3，BrO-O-3，I3，XeO三角錐形35原子8電子CH，HHH-4SiH，正四周體形4N 4，P 4，B 455原子32電子CCl，SiF，Si 4，S 4，Cl 4，P 4O4-O2-O-O3-正四周體形4412原子30電子CH，NBH(俗稱無機(jī)苯)6 63 3 6平面六邊形7原子48電子Al 6 ，Si 6 ，P 6，SFF3-F2-F-八面體形6分子的立體構(gòu)型⑴價(jià)層電子對互斥理論①價(jià)電子：原子在參與化學(xué)反響時(shí)能夠用于成鍵的電子，是原子核外跟元素化合價(jià)有關(guān)的電子。在主族元素中，價(jià)電子數(shù)就是最外層電子數(shù)。②價(jià)層：就是顯現(xiàn)化合價(jià)的電子層，通常指原子的最外層電子層。價(jià)電子數(shù)就是最外層電子數(shù)。②價(jià)層：就是顯現(xiàn)化合價(jià)的電子層，通常指原子的最外層電子層。③價(jià)層電子對：指的是形成σ鍵的電子對和孤對電子。孤對電子的存在，增加了電子對間的排斥力，影響了分子中的鍵角，會(huì)轉(zhuǎn)變分子構(gòu)型的根本類型。④價(jià)層電子對互斥理論根本觀點(diǎn)：分子中的價(jià)層電子對---成鍵電子對(即σ鍵〕和孤對電子由于相互排斥作用，盡可能趨向彼此遠(yuǎn)離以減小排斥力而實(shí)行對稱的空間構(gòu)造。[一般電子對間的排斥大?。汗码娮訉﹂g的排斥〔孤-孤排斥〕＞孤對電子和成鍵電子對間的排斥〔孤-成排斥〕＞成鍵電子對間的排斥〔成-成排斥〕]心的化合物?！?〕依據(jù)價(jià)層電子對互斥模型推斷分子的構(gòu)型Ⅰ、價(jià)層電子對互斥模型說明的是價(jià)層電子對〔含孤電子對〕的空間構(gòu)型，而分子的空間構(gòu)型指的是成鍵電子對空間構(gòu)型，不包括孤電子對。①當(dāng)中心原子無孤電子對時(shí)，兩者的構(gòu)型全都；②當(dāng)中心原子有孤電子對時(shí)，兩者的構(gòu)型不全都。Ⅱ、對AB 型分子或離子，其價(jià)層電子對數(shù)(亦即為雜化軌道數(shù))的推斷方法為：m規(guī)定：①作為配位原子，鹵素F、Cl、Br、I和H1個(gè)，氧族：O、S：0個(gè)；7個(gè)價(jià)電子計(jì)算，氧族元素的原子按6個(gè)價(jià)電子計(jì)算；②對于簡潔離子，應(yīng)加或減離子的電荷數(shù)；例如PO43-3個(gè)價(jià)電子。11對電子處理。Ⅲ、分子空間構(gòu)型價(jià)層電雜價(jià)電子對排成鍵電孤對分子電子對空子化布或VSEPR子對數(shù)電子間構(gòu)型空間 實(shí)例對數(shù)類模型及雜化(即σ對數(shù)構(gòu)型型 軌道夾角 鍵〕直線形sp 2 02

直線CO/BeCl2 2形三角形平面3sp230三角形2三角形平面3sp230三角形21V形3 3 3BCl/CHO3 2O/SO3 22

/PbCl/SnBr2四周 CCl/SO2-/NH

+/C四周體 4

4 4 4體形 H4sp3242

三角3 1 錐形

O+/NF/NH3 3 322 2 V形 H2O/H2

S/SCl三角5 0 PCl5雙錐三角雙錐〔了解〕4 1

變形四周 SF4體5sp3d

3 2 形 ClFT3T直線2 3 I-3形⑶分子構(gòu)型與雜化軌道理論雜化軌道的要點(diǎn)當(dāng)原子成鍵時(shí)，原子的價(jià)電子軌道相互混雜，形成與原軌道數(shù)相等且能量一樣的雜化軌道。雜化軌道數(shù)不同，軌道間的夾角不同，形成分子的空間外形不同。⑷分子構(gòu)型與價(jià)層電子對互斥模型對電子。①當(dāng)中心原子無孤對電子時(shí)，兩者的構(gòu)型全都；②當(dāng)中心原子有孤對電子時(shí)，兩者的構(gòu)型不全都。⑶配位化合物①配位鍵與極性鍵、非極性鍵的比較②配位化合物a(或原子)與某些分子或離子(稱為配體)以配位鍵結(jié)合形成的化合物。b[Ag(NH3)2]OH，中心離子為Ag＋，配體為NH32。分子的性質(zhì)⑴分子間作用力的比較⑵分子的極性極性分子：正電中心和負(fù)電中心不重合的分子。非極性分子：正電中心和負(fù)電中心重合的分子。⑶溶解性①“相像相溶”規(guī)律：非極性溶質(zhì)一般能溶于非極性溶劑，極性溶質(zhì)一般能溶于極性溶劑．假設(shè)存在氫鍵，則溶劑和溶質(zhì)之間的氫鍵作用力越大，溶解性越好。②“相像相溶”還適用于分子構(gòu)造的相像性，如乙醇和水互溶，而戊醇在水中的溶解度明顯減?。仁中跃哂型耆粯拥慕M成和原子排列的一對分子，如左手和右手一樣互為鏡像，在三維空間里不能重疊的現(xiàn)象。⑸無機(jī)含氧酸分子的酸性無機(jī)含氧酸可寫成(HO)mROn，假設(shè)成酸元素R一樣，則n值越大，R的正電性越高，使R—O—H中O的電子R偏移，在水分子的作用下越易電離出H＋，酸性越強(qiáng)，如HClO＜HClO2＜HClO3＜HClO4。三、晶體構(gòu)造與性質(zhì)1．晶體與非晶體晶體非晶體構(gòu)造特征構(gòu)造微粒周期性有序排列構(gòu)造微粒無序排列自范性有無性質(zhì)特熔點(diǎn)固定不固定征異同表現(xiàn)各向異性各向同性二者區(qū)間接方法看是否有固定的熔點(diǎn)別方法科學(xué)方法二者區(qū)間接方法看是否有固定的熔點(diǎn)別方法科學(xué)方法對固體進(jìn)展X-射線衍射試驗(yàn)(2)氣態(tài)物質(zhì)冷卻不經(jīng)液態(tài)直接凝固(凝華)。(3)溶質(zhì)從溶液中析出。晶胞(1)概念：描述晶體構(gòu)造的根本單元。(2)晶體中晶胞的排列——無隙并置①無隙：相鄰晶胞之間沒有任何間隙。②并置：全部晶胞平行排列、取向一樣。晶格能(1定義：氣態(tài)離子形成1kJ·mo(2)影響因素①離子所帶電荷數(shù)：離子所帶電荷數(shù)越多，晶格能越大。②離子的半徑：離子的半徑越小，晶格能越大。(3)與離子晶體性質(zhì)的關(guān)系晶格能越大，形成的離子晶體越穩(wěn)定，且熔點(diǎn)越高，硬度越大?！旧疃人伎肌烤О?jì)算的思維方法晶胞計(jì)算是晶體考察的重要學(xué)問點(diǎn)之一，也是考察學(xué)生分析問題、解決問題力氣的較好素材。晶體構(gòu)造的計(jì)NA、M、晶體體積、微粒間距離、微粒半徑、夾角等，密度的表達(dá)式往往是列“均攤法”的原理，二是要有扎實(shí)的立體幾何學(xué)問，三是要生疏常見晶體的構(gòu)造特征，并能融會(huì)貫穿，舉一反三?！熬鶖偡ā痹硪粋€(gè)粒子被幾個(gè)晶胞所共有，如六棱柱晶胞中，頂點(diǎn)、側(cè)棱、底面上的棱、面心依次被6、3、4、2個(gè)晶胞所共有。M、ρ之間的關(guān)系1x1molxmolxMg(M為微粒的相對“分子”質(zhì)量)；又1ρa(bǔ)3g(a3為晶胞的體積)1molρa(bǔ)3NAgxM＝ρa(bǔ)3NA。四種晶體性質(zhì)比較類型類型分子晶體原子晶體金屬晶體離子晶體比較金屬陽離子、構(gòu)成粒子分子原子陰、陽離子自由電子粒子間的相分子間作用力共價(jià)鍵金屬鍵離子鍵互作用力有的很大，有硬度較小很大較大的很小有的很高，有熔、沸點(diǎn)較低很高較高的很低大多數(shù)易溶于水溶解性相像相溶難溶于任何溶劑常見溶劑難溶等極性溶劑一般不導(dǎo)電，溶于水后一般不具有導(dǎo)電電和熱的良導(dǎo)有的導(dǎo)電液或熔融態(tài)導(dǎo)電全部非金屬氫化物(如水、硫化氫)、局部非金局部非金屬單質(zhì)金屬氧化物(如屬單質(zhì)(X)、部物質(zhì)類別及2分非金屬氧化物(如舉例CO、SO)、幾乎全部22(如金剛石、硅、晶體硼)，局部非金屬化合物(如金屬單質(zhì)與合KO、NaO)、強(qiáng)金(如Na、Al、Fe、青銅)2(如2KOH、的酸、絕大多數(shù)有機(jī)物SiC、SiO)2NaOH)鹽(如NaCl)(有機(jī)鹽除外)晶體類型的推斷方法1．依據(jù)構(gòu)成晶體的微粒和微粒間的作用推斷(1)離子晶體的構(gòu)成微粒是陰、陽離子，微粒間的作用是離子鍵。(2)原子晶體的構(gòu)成微粒是原子，微粒間的作用是共價(jià)鍵。分子晶體的構(gòu)成微粒是分子，微粒間的作用為分子間作用力。金屬晶體的構(gòu)成微粒是金屬陽離子和自由電子，微粒間的作用是金屬鍵。2．依據(jù)物質(zhì)的分類推斷金屬氧化物(如KO)、強(qiáng)堿(如NaOH)和絕大多數(shù)的鹽類是離子晶體。2大多數(shù)非金屬單質(zhì)(除金剛石、石墨、晶體硅等)、非金屬氫化物、非金屬氧化物(除SiO2外)、幾乎全部的酸、絕大多數(shù)有機(jī)物(除有機(jī)鹽外)是分子晶體。常見的單質(zhì)類原子晶體有金剛石、晶體硅、晶體硼等，常見的化合類原子晶體有碳化硅、二氧化硅等。(4)金屬單質(zhì)是金屬晶體。3．依據(jù)晶體的熔點(diǎn)推斷(1)離子晶體的熔點(diǎn)較高。(2)原子晶體熔點(diǎn)高。分子晶體熔點(diǎn)低。金屬晶體多數(shù)熔點(diǎn)高，但也有相當(dāng)?shù)偷摹?．依據(jù)硬度和機(jī)械性能推斷離子晶體硬度較大或硬而脆。原子晶體硬度大。分子晶體硬度小且較脆。金屬晶體多數(shù)硬度大，但也有較低的，且具有延展性。留意(1)常溫下為氣態(tài)或液態(tài)的物質(zhì)，其晶體應(yīng)屬于分子晶體(Hg除外)。1.42×10－10(鍵1.54×10－10m)短，所以熔、沸點(diǎn)高于金剛石。AlCl3晶體中雖含有金屬元素，但屬于分子晶體，熔、沸點(diǎn)低(190℃)。(4)合金的硬度比成分金屬大，熔、沸點(diǎn)比成分金屬低。比較晶體的熔、沸點(diǎn)1．不同類型晶體的熔、沸點(diǎn)凹凸一般規(guī)律原子晶體>離子晶體>分子晶體。金屬晶體的熔、沸點(diǎn)差異很大，如鎢、鉑等沸點(diǎn)很高，如汞、鎵、銫等沸點(diǎn)很低，金屬晶體一般不參與比較。原子晶體由共價(jià)鍵形成的原子晶體中，原子半徑小的鍵長短，鍵能大，晶體的熔、沸點(diǎn)高。如熔點(diǎn)：金剛石>石英>碳化硅>硅。離子晶體如熔點(diǎn)：MgO>MgCl>NaCl>CsCl。2分子晶體HO>H

Te>HSe>HS。2 2 2 2組成和構(gòu)造相像的分子晶體，相對分子質(zhì)量越大，熔、沸點(diǎn)越高，如SnH>GeH>SiH>CH，F(xiàn)<Cl<Br<I。4 4 4 4 2 2 2 2CO>NCHOH>CHCH。2 3 3 3同分異構(gòu)體，支鏈越多，熔、沸點(diǎn)越低。例如：CH—CH—CH—CH—CH>3 2 2 2 3>。同分異構(gòu)體的芳香烴，其熔、沸點(diǎn)凹凸挨次是鄰>間>對位化合物。5．金屬晶體金屬離子半徑越小，離子所帶電荷數(shù)越多，其金屬鍵越強(qiáng)，金屬熔、沸點(diǎn)就越高，如熔、沸點(diǎn)：Na<Mg<Al，Li>Na>K>Rb>Cs。特別提示(1)金屬晶體的熔、沸點(diǎn)差異很大，如鎢、鉑等熔點(diǎn)很高，如汞、鎵、銫等熔點(diǎn)很低。金屬晶體的熔點(diǎn)不愿定比分子晶體的熔點(diǎn)高，如金屬晶體Na晶體的熔點(diǎn)(98℃)小于分子晶體AlCl晶體的熔3點(diǎn)(190℃)。并非存在氫鍵的分子晶體的熔、沸點(diǎn)就高，分子內(nèi)形成氫鍵，一般會(huì)使分子晶體的熔、沸點(diǎn)降低。例如鄰羥基苯甲醛(幾種常見的晶體模型

)由于形成分子內(nèi)氫鍵，比對羥基苯甲醛( )的熔、沸點(diǎn)低。原子晶體(金剛石和二氧化硅)金剛石晶體中，每個(gè)C4C形成共價(jià)鍵，C—C109°28′，最小的環(huán)是六元環(huán)。含有1molC2mol。SiO2Si4OO2個(gè)硅原子成鍵，最小的環(huán)是十二元環(huán)，在“硅氧”四周體中，處于中心的是Si原子。分子晶體干冰晶體中，每個(gè)CO2分子四周等距且緊鄰的CO212個(gè)。41molHO2mol“氫2鍵”。離子晶體NaCl型：在晶體中，每個(gè)Na＋6個(gè)Cl－，每個(gè)Cl－6個(gè)Na＋64個(gè)Na＋4Cl－。CsCl型：在晶體中，每個(gè)Cl－8個(gè)Cs＋，每個(gè)Cs＋8個(gè)Cl－8。4．石墨晶體石墨層狀晶體中，層與層之間的作用是分子間作用力，平均每個(gè)正六邊形擁有的碳原子個(gè)數(shù)是2，C原子實(shí)行的雜化方式是sp2。5．常見金屬晶體的原子積存模型構(gòu)造型式構(gòu)造型式常見金屬配位數(shù)晶胞面心立方最密積存ACu、Ag、Au121體心立方堆ANa、K、Fe82六方最密堆AMg、Zn、Ti123特別提示(1)推斷某種微粒四周等距且緊鄰的微粒數(shù)目時(shí)，要留意運(yùn)用三維想象法。如NaCl晶體中，Na＋四周Na＋數(shù)目(Na＋用“○”表示)：412個(gè)。(2)常考的幾種晶體主要有干冰、冰、金剛石、SiO、石墨、CsCl、NaCl、K、Cu等，要生疏以上代表物的空間2構(gòu)造。當(dāng)題中信息給出與某種晶體空間構(gòu)造一樣時(shí)，可以直接套用某種構(gòu)造。大題沖關(guān)A、B、C、D、E都是周期表中前四周期的元素，它們的原子序數(shù)依次增大。其中A元素原子的核外ps1。C是電負(fù)性最大的元素。D2倍，E是第Ⅷ族中原子序數(shù)最小的元素。寫出基態(tài)C原子的電子排布式 ?！矨、B、C三種元素的第一電離能由大到小的挨次為 (用元素符號表示)，緣由是 。DC 常溫下為氣體，則該物質(zhì)的晶體類型是 ，組成微粒的中心原子的軌道雜化類型為4 ，空間構(gòu)型是 ?！?〕Cu2＋簡潔與AH 形成配離子[Cu(AH)]2＋，但AC

不易與Cu2＋形成配離子，其緣由是3 34 3 。AB兩元素分別與D形成的共價(jià)鍵中極性較強(qiáng)的是 AB兩元素間能形成多種二元化合物，其中與A—互為等電子體的物質(zhì)的化學(xué)式為 。3E單質(zhì)的晶胞如以下圖，則晶體中E原子的配位數(shù)為 ，一個(gè)E的晶胞質(zhì)量為 。1s22s22p5F＞N＞ON2p能級處于較穩(wěn)定的半布滿狀態(tài)分子晶體sp3正四周體形由于電負(fù)性F＞N＞H，在NF3

分子中，共用電子對偏向F原子，使得N原子上的孤電子對難與Cu2＋形成配位鍵Si-O鍵NO8112/N g2 A2．X、Y、Z、J、QZ在地殼中含量最高，J元素的焰色反響呈黃色，Q的最外層電子數(shù)與其電子總數(shù)之比為3∶8，X能與J形成離子化合物，且J＋的半徑大于X－的半徑，Y的氧化物是形成酸雨的主要物質(zhì)之一。請答復(fù)：Q元素在周期表中的位置為 。將這五種元素原子半徑從大到小排列，排在第三的元素原子是 (填元素符號)。元素的非金屬性Z Q(填“>”或“<”)。以下各項(xiàng)中，不能說明這一結(jié)論的事實(shí)有 (填序號)。A．Q的氫化物的水溶液放置在空氣中會(huì)變渾濁B．ZQ之間形成的化合物中元素的化合價(jià)C．Z和Q的單質(zhì)的狀態(tài) D．Z和Q在周期表中的位置XY可形成分子A，也可形成陽離子B，A、B在水溶液中酸、堿性恰好相反，寫出陽離子Ｂ的立體構(gòu)型為 ，離子中鍵角為 ；X與Q在確定條件下可以形成極不穩(wěn)定的原子個(gè)數(shù)比為1:1的化合物，該化合物分子中既有極性鍵又有非極性鍵，寫出該分子的構(gòu)造式 。MN均為上述五種元素中的三種組成的化合物，且MN都為強(qiáng)電解質(zhì)，MN在溶液反響既有沉淀出現(xiàn)又有氣體產(chǎn)生，寫出M和N反響的化學(xué)方程式： ?！敬鸢浮康谌芷诘冖鯝N>C109°28，H-S-S-HNaSO+HSO=NaSO+S↓+SO↑+HO22 3 2 4 2 4 2 2a、a3個(gè)不同能級，且每個(gè)能級上排布的電子數(shù)一樣b基態(tài)原子的p軌道電子數(shù)比a3個(gè)不同能級，且每個(gè)能級上排布的電子數(shù)一樣b基態(tài)原子的p軌道電子數(shù)比s1c在周期表所列元素中電負(fù)性最大d4縱行e基態(tài)原子M層全布滿，N層只有一個(gè)電子請答復(fù)：d屬于 區(qū)的元素，其基態(tài)原子的價(jià)電子排布圖為 。b與其同周期相鄰元素第一電離能由大到小的挨次為 (用元素符號表示)。c的氫化物水溶液中存在的氫鍵有 種，任意畫出一種 。a與其相鄰?fù)髯逶氐淖罡邇r(jià)氧化物的熔點(diǎn)凹凸挨次為 (用化學(xué)式表示)假設(shè)將a元素最高價(jià)氧化物水化物對應(yīng)的正鹽酸根離子表示為A，則A的空間構(gòu)型為 ；A的中心原子的軌道雜化類型為 ，與A互為等電子體的一種分子為 (填化學(xué)式)。e與Au的合金可形成面心立方最密積存的晶體，在晶胞中e原子處于面心，該晶體具有儲(chǔ)氫功能，氫原子可進(jìn)入到由e原子與Au原子構(gòu)成的四周體空隙中，儲(chǔ)氫后的晶胞構(gòu)造與金剛石晶胞構(gòu)造相像，該晶體儲(chǔ)氫后的化學(xué)式為 假設(shè)該晶體的相對分子質(zhì)量為M，密度為ag／cm3，則晶胞的體積為 (用N表示A阿伏加德羅常數(shù)的值)?！敬鸢浮縟 N＞O＞C4F－H…F或F－H…O或O－H…F或O－H…OSiO＞CO

平面三角形2 2sp2SO3

BFH3

CuAu4 3砷化鎵是繼硅之后爭論最深入、應(yīng)用最廣泛的半導(dǎo)體材料。答復(fù)以下問題：Ga基態(tài)原子核外電子排布式為 ，As基態(tài)原子核外有 個(gè)未成對電子。Ga、As、Se的第一電離能中大到小的挨次是 ，Ga、As、Se的電負(fù)性由大到小的挨次是 。鎵的鹵化物GaCl3GaBr鎵的鹵化物GaCl3GaBr3GaI3熔點(diǎn)/℃77.75122.3211.5沸點(diǎn)/℃201.2279346GaF3

的熔點(diǎn)超過1000℃，可能的緣由是 。二水合草酸鎵的構(gòu)造如圖1所示，其中鎵原子的配位數(shù)為 ，草酸根中碳原子的雜化軌道類型為 。砷化鎵的立方晶胞構(gòu)造如圖2所示晶胞參數(shù)為a=0.565nm，砷化鎵晶體的密度為 g/cm3(設(shè)N為阿伏A加德羅常數(shù)的值，列出計(jì)算式即可)。【答案】[Ar]3d104s24p1〔1s22s22p63s23p63d104s24p1〕3As>Se>GaSe>As>GaGaCl、GaBr、GaI

均為分子晶體，3 3 3相對分子質(zhì)量依次增大，分子間作用力增加GaF3

4sp2〔5〕晶胞中Ga原子數(shù)=8×+6×=4As原子數(shù)=4晶胞質(zhì)=4× 晶體密度4× g〔0.5651-7c〕3= g/cm3，故答案為： 。自然界中存在大量的金屬元素，其中鈉、鎂、鋁、鐵、銅等在工農(nóng)業(yè)生產(chǎn)中有著廣泛的應(yīng)用。請寫出Fe的基態(tài)原子核外電子排布式 。金屬A3個(gè)電子層，其第一至第四電離能如下：電離能電離能/(kJ·mol－1)I1I2I3I4A93218211539021771則A原子的價(jià)電子排布式為 。合成氨工業(yè)中，原料氣(N、H及少量CO、NH的混合氣)在進(jìn)入合成塔前常用醋酸二氨合銅(Ⅰ)溶液來吸2 2 3CO(Ac—CH

COO—)，其反響是：[Cu(NH)]Ac＋CO＋NH [Cu(NH)

CO]Ac[醋酸羰3基三氨合銅(Ⅰ)] ΔH<0。

32 3 33①C、N、O三種元素的第一電離能由小到大的挨次為 。②協(xié)作物[Cu(NH)CO]Ac中心原子的配位數(shù)為 。33③在確定條件下NH與CO能合成尿素[CO(NH)]，尿素中C原子和N原子軌道的雜化類型分別為 ；13 2 22mol尿素分子中，σ鍵的數(shù)目為 。NaCl和MgO都屬于離子化合物，NaCl的熔點(diǎn)為801.3℃，MgO的熔點(diǎn)高達(dá)2800℃。造成兩種晶體熔點(diǎn)差距的主要緣由是 。〔5〕(NH)SO、NHNO等顆粒物及揚(yáng)塵等易引起霧霾。其中NH+的空間構(gòu)型是 (用文字描述)，42 4 4 3 4與NO互為等電子體的分子是 (填化學(xué)式)?！?〕銅的化合物種類很多，如圖是氯化亞銅的晶胞構(gòu)造〔黑色球表示Cu+，白色球表示C，晶胞的棱為ac，則氯化亞銅密度的計(jì)算式為＝ g·c－用N 表示阿伏加德羅常。A【答案】[Ar]3d64s23s2C<O<N4sp2、sp37NMgO晶體所含離子半徑小，電荷數(shù)多，晶格能大正四周體 SO 或A 3BF3鹵族元素的化合物在科研和生產(chǎn)中有許多重要用途。如：2molSb(CH ) 、2m3 3olSb(CH)Br和2molSb(CH)Br

進(jìn)展重組反響可生成空間位阻最小的離子化合物

(CH)][Sb

(CH)Br]，32 3 2

2 352

32 6Sb與N同主族。請答復(fù)：〔1〕 中，H、C、Br的電負(fù)性由小到大的挨次為 ，溴原子的價(jià)電子排布式為 ?！?〕[Sb(CH)]+的構(gòu)造式為 ，Sb原子的雜化軌道類型為 。寫出一種與CH

-互為等2 35 3電子體的分子 ?！?〕X射線衍射測定等覺察，IAsF 中存在I+離子。I+離子的幾何構(gòu)型為 。3 6 3 3確定條件下SbCl 與GaCl 以物質(zhì)的量之比為l：l混合得到一種固態(tài)離子化合物，其構(gòu)造組成可能為：3 3(a)[GaCl+][SbCl- ]或(b)[SbCl+][GaCl-]，該離子化合物最可能的構(gòu)造組成為 (填“a”或“b”)，理由是2 4 2 4 。固態(tài)PCl 構(gòu)造中存在PCl＋5 4

和PCl-兩種離子，其晶胞如以下圖。6晶胞的邊長為apm，阿伏加德羅常數(shù)值用N表示。則PCl＋A 4態(tài)PCl 的密度為 g?cm-3。5

和PCl -之間的最短距離為 pm，固6【答案】H<C<Br 4s24p5 sp3雜化 NH V形 b GaCl 分子中，Ga原子四周價(jià)層電子對數(shù)3 3為3，是電子對的承受體，更簡潔與Cl—上的孤電子對結(jié)合，形成配位鍵，構(gòu)成[GaCl-]離子，因此可能構(gòu)造應(yīng)4是[SbCl+][GaCl-] a2 4及其化合物在工業(yè)生產(chǎn)及生活中用途格外廣泛。答復(fù)以下問題：基態(tài)亞銅離子價(jià)電子排布式為 ；第一電離能I(Cu)

I(Zn)〔填“＞”或“＜”〕緣由 ；Cu(CHCN)2+比四氨合銅離子還穩(wěn)定，配離子中Cu的配位數(shù)是 ，配體中碳原子的雜化類型是3 4 ,1molCHCN中σ鍵的個(gè)數(shù)為 ；3CuCl是有機(jī)合成中常見催化劑CuCl熔化后幾乎不導(dǎo)電推想CuCl晶體中化學(xué)鍵類型為 加強(qiáng)熱會(huì)分解生成銅，銅晶體的積存方式為 〔用文字表示。冰晶體的構(gòu)造與金剛石的構(gòu)造相像，屬立方晶系。如圖，將金剛石晶胞中的C原子全部置換成O原子，O原子與最近距離的四個(gè)O原子相連，H原子插入兩個(gè)相連的O原子之間，與氧形成一個(gè)共價(jià)鍵和一個(gè)氫鍵，即為冰中的共價(jià)鍵和氫鍵。0℃時(shí)冰晶體中氫鍵的鍵長〔A—H…B〕為 pm〔列式并計(jì)算〔0℃時(shí)0.9g˙cm-3〕【答案】3d10＜Cu3d104s13d上的全滿較穩(wěn)定構(gòu)造，Zn的價(jià)電子排布式3d104s2就是較穩(wěn)定構(gòu)造不易失去一個(gè)電子所以第一電離能I(Cu) < I(Zn)4sp3sp雜化5N共價(jià)A鍵面心立方最密積存8(1)寫出鎳原子的電子排布式 。丙酮( (寫一種)。

)分子中2號碳原子的雜化方式為 ；與CS 互為等電子體的陰離子是2含0.1mol[Cr(HO)Cl]Cl·HO的水溶液與足量硝酸銀溶液反響生成 molAgCl沉淀。2 2 2H2O分子的鍵角比H2S分子的鍵角大，緣由是 。N,P屬于同族元素，但是它們的簡潔氫化物NH,PH在水中溶解度差異很大，其緣由是 3 3由銅與氯形成的一種化合物的晶胞構(gòu)造如以下圖(黑點(diǎn)代表銅原子)。①該晶體的化學(xué)式為 。②將晶胞內(nèi)的4個(gè)黑點(diǎn)相互連接所形成的立體構(gòu)型是 。③晶體中與一個(gè)氯原子距離最近的氯原子有 個(gè)。④該晶體的密度為ρ