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文檔簡介

拓展資料1：單邊界雙邊界多邊界問題圖片區(qū)一.分析方法問題：帶電粒子在磁場中運(yùn)動(dòng)的半徑公式、周期公式是什么？如果是求部分圓周運(yùn)動(dòng)時(shí)間呢？帶電粒子在磁場中運(yùn)動(dòng)的難點(diǎn)是軌跡問題：畫軌跡，找圓心，求半徑是解決問題的關(guān)鍵。注意：帶粒子在磁場中偏轉(zhuǎn)的角度等于對應(yīng)圓弧的圓心角。Oθθ1.如何找圓心？速度與半徑垂直，故初、末速度垂線的交點(diǎn)是圓心初速度垂線與圓弧中垂線的交點(diǎn)是圓心2.如何求半徑？dL有時(shí)可以直接得到半徑，有時(shí)可以利用勾股定理求半徑，總之利用幾何關(guān)系求半徑。dθd二.常見模型1.進(jìn)入直線邊界①帶電粒子進(jìn)入磁場與邊界的夾角和離開磁場時(shí)與邊界的夾角大小相等②注意區(qū)分帶電粒子的電性，不同電性粒子軌跡不一樣③若進(jìn)入磁場的粒子方向在0~180度范圍內(nèi)變化，你能大致畫出所有有粒子經(jīng)過的區(qū)域所構(gòu)成的圖形嗎？二.常見模型2.離開直線邊界①右邊離開：軌跡是半圓，離開的點(diǎn)與P點(diǎn)連線是直徑，此時(shí)最遠(yuǎn)②左邊離開：軌跡恰好與邊界相切，此時(shí)最遠(yuǎn)二.常見模型畫出有粒子離開的區(qū)域形狀(負(fù)電)求粒子能離開磁場滿足的條件畫軌跡二.常見模型3.雙邊界問題①若R<d/2右邊不能離開，左邊只能在P上方0~2R之間離開②若d/2<R<d右邊能離開，距離Pˊ上下端距離x，滿足：左邊只能在P上方0~2R之間離開二.常見模型3.雙邊界問題③若R>d右邊能離開，距離Pˊ上下端距離x，滿足：左邊只能在P上方0~2x之間離開④求粒子能從右邊離開磁場的最短時(shí)間問題對應(yīng)軌跡為PPˊ圓弧。二.常見模型4.多邊界問題①從左邊界離開磁場，速度需要滿足什么條件？②從上邊界離開磁場，速度需要滿足什么條件？③從下邊界離開磁場，速度需要滿足什么條件？二.常見模型各種各樣的多邊界問題例1.如圖所示，一個(gè)質(zhì)量為m、帶負(fù)電荷粒子電荷量為q、不計(jì)重力的帶電粒子從x軸上的P點(diǎn)以速度v沿與x軸成60?的方向射入第一象限內(nèi)的勻強(qiáng)磁場中，并恰好垂直于y軸射出第一象限。已知OP＝

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