高二物理競(jìng)賽課件半導(dǎo)體的晶胞占有率

半導(dǎo)體的晶胞占有率隨著晶胞占有率增加，團(tuán)簇的平均尺度增加.當(dāng)晶胞占有率達(dá)到某一值時(shí)，漫延團(tuán)簇產(chǎn)生.若蔓延的范圍從－∞→+∞，產(chǎn)生擴(kuò)展態(tài)；若蔓延團(tuán)簇的范圍有限，則產(chǎn)生局域態(tài).域態(tài)如下圖所示.每個(gè)Se團(tuán)簇中局域態(tài)波函數(shù)用圓形表示.空間重疊的波函數(shù)粒子由A達(dá)到B的幾率為從A達(dá)到B所有可能路徑的幾率幅求和的模方，即其中第一項(xiàng)表示從A到B點(diǎn)經(jīng)典的擴(kuò)散幾率，第二項(xiàng)表示不同路徑間的量子干在宏觀系統(tǒng)中，由于許可的路徑數(shù)很多，路徑的長(zhǎng)度，走向由明顯不同，幾率幅的位相有顯著差別，導(dǎo)致對(duì)所有路徑求和時(shí)，干涉項(xiàng)的平均值因不同路徑位相的非關(guān)聯(lián)性而消失,即涉.對(duì)于背向散射，干涉項(xiàng)中唯一不為零的項(xiàng)是對(duì)應(yīng)一條自相交路徑,該過程對(duì)應(yīng)彈性碰撞過程，散射前后波矢滿足每次散射所導(dǎo)致位相變化對(duì)時(shí)間反演具有對(duì)稱性：設(shè)C點(diǎn)電子位相為第i次散射位相變化為這樣反時(shí)針回到C的位相為順時(shí)針回到C的位相為散射前后幾率幅具有相同的絕對(duì)值,于是因此干涉項(xiàng)為相干背散射幾率較強(qiáng)意味著電子回到某個(gè)點(diǎn)的幾率較大，達(dá)到其它點(diǎn)的幾率較小，這明顯預(yù)示著電子局域的開始.4.漫延團(tuán)簇●團(tuán)簇是由幾個(gè)乃至上千個(gè)原子、分子或離子通過物理或化學(xué)結(jié)合力組成的相對(duì)穩(wěn)定的微觀或亞微觀聚集體，其物理和化學(xué)性質(zhì)隨所含的原子數(shù)目而變化.團(tuán)簇是材料尺度納米材料的一個(gè)概念。如圖所示，相鄰的晶胞形成一個(gè)團(tuán)簇，圖中的團(tuán)簇分別由2個(gè)、3個(gè)、7個(gè)團(tuán)簇構(gòu)成.形成團(tuán)簇.當(dāng)圓密度達(dá)到一定值時(shí)，蔓延團(tuán)簇形成，產(chǎn)生擴(kuò)展態(tài)；若蔓延團(tuán)簇的范圍有限,則對(duì)應(yīng)局域態(tài).另外,圓的密度和尺寸與態(tài)密度尾能量有關(guān),當(dāng)能量增加到遷移邊時(shí)，漫延團(tuán)簇形成.第11章激子激子概述1.激子是束縛著電子和空穴對(duì).2.分類●按半導(dǎo)體材