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半導(dǎo)體的功函數(shù)半導(dǎo)體的功函數(shù)對于半導(dǎo)體而言，功函數(shù)依賴于？摻雜類型和摻雜水平因?yàn)橘M(fèi)米能級的位置會隨著摻雜而改變。特征點(diǎn)VMG這個特征點(diǎn)可以用能帶圖來解釋

特征點(diǎn)特征點(diǎn)VMG柵壓增加超過平帶電壓后，沿著價帶頂與費(fèi)米能級之間差異增加的方向產(chǎn)生了能帶的彎曲這種情形是與表面的空穴減少（甚至最終消除）相聯(lián)系的能帶彎曲的結(jié)果是使禁帶中央（Ei線）接近費(fèi)米能級。特征點(diǎn)就是當(dāng)禁帶中央Ei線恰好與表面處的費(fèi)米能級相交的點(diǎn)在特征點(diǎn)處，硅襯底的表面處于本征硅的情形下當(dāng)能帶的彎曲大于它時，禁帶中央Ei線在某一點(diǎn)會穿過費(fèi)米能級，使得費(fèi)米能級相較于離開價帶頂?shù)木嚯x而言更接近于導(dǎo)帶底這意味著電子（P型襯底中的少子）的濃度大于硅表面空穴的濃度——在表面產(chǎn)生了一個反型層費(fèi)米能級的變化表示了什么？弱反型

注意反型層中的電子（P型區(qū)中的少子）來自于熱產(chǎn)生的電子-空穴對。由于熱產(chǎn)生是一個很緩慢的過程，電子無法快速的響應(yīng)柵壓的改變。因此當(dāng)柵信號的頻率高于100Hz時，所描述的這種電容的增加無法觀察到。高頻電容由所能達(dá)到的最大耗盡層寬度決定。能帶圖剖面圖強(qiáng)反型在強(qiáng)反型中，柵壓的變化不會導(dǎo)致表面勢的顯著變化這即是說，表面勢有一個固定值方便起見，我們假設(shè)在強(qiáng)反型模式下使表面勢達(dá)到的柵壓被定義為閾值電壓閾值電壓強(qiáng)反型的C-V曲線費(fèi)米勢

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