TCEC 20191128 光伏發(fā)電站背接觸單晶硅片技術(shù)要求_第1頁
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ICS27.160F12T/CEC中國電力企業(yè)聯(lián)合會標(biāo)準(zhǔn)T/CEC20191128光伏發(fā)電系統(tǒng)背接觸單晶硅片技術(shù)要求Technicalrequirementofinterdigitatedbackcontactmonocrystallinesiliconwaferforphotovoltaicsystem(征求意見稿）20XX-XX-XX發(fā)布 20XX-XX-XX實施中國電力企業(yè)聯(lián)合會發(fā) 布II1范圍 12規(guī)范性引用文件 13術(shù)語和定義 14性能要求 25檢驗規(guī)則 36標(biāo)志、包裝、運輸和貯存 5附錄A（資料性附錄）單晶硅片尺寸規(guī)格 6附錄B（規(guī)范性附錄）單晶硅片性能檢驗記錄表 7附錄C（規(guī)范性附錄）單晶硅片抽樣檢驗表 8T/CEC20191128前言本標(biāo)準(zhǔn)按照GB/T1.1-2009《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分：標(biāo)準(zhǔn)的結(jié)構(gòu)和編寫》給出的規(guī)則起草。請注意本標(biāo)準(zhǔn)的某些內(nèi)容可能涉及專利，本標(biāo)準(zhǔn)的發(fā)布機構(gòu)不應(yīng)承擔(dān)識別這些專利的責(zé)任。本標(biāo)準(zhǔn)由提出。本標(biāo)準(zhǔn)由中國電力企業(yè)聯(lián)合會歸口。本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：本標(biāo)準(zhǔn)首次發(fā)布。本標(biāo)準(zhǔn)在執(zhí)行過程中的意見或建議反饋至中國電力企業(yè)聯(lián)合會標(biāo)準(zhǔn)化管理中心（北京市白廣路二條一號，100761）。___

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