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半導(dǎo)體耗盡層厚度

半導(dǎo)體耗盡層厚度耗盡情況反型情況會算其厚度了解閾值反型點(diǎn)條件常用器件摻雜范圍半導(dǎo)體耗盡層厚度小節(jié)內(nèi)容11.1.4平帶電壓來源定義如果沒有功函數(shù)差及氧化層電荷,平帶電壓為多少?如何算11.1MOS電容閾值電壓:公式閾值電壓：達(dá)到閾值反型點(diǎn)時所需的柵壓表面勢=費(fèi)米勢的2倍|QSDmax|=eNaxdTQSDns忽略反型層電荷11.1MOS電容閾值電壓:與摻雜/氧化層電荷的關(guān)系P型襯底MOS結(jié)構(gòu)Q‘ss越大，則VTN的絕對值越大；Na越高，則VTN的值（帶符號）越大Na很小時，VTN隨Na的變化緩慢，且隨Q’ss的增加而線性增加

Na很大時，VTN

隨Na

的變化劇烈，且與Q’ss

的相關(guān)性變?nèi)?1.1MOS電容閾值電壓:導(dǎo)通類型VTN>0MOSFET為增強(qiáng)型VG=0時未反型，加有正柵壓時才反型VTN<0MOSFET為耗盡型VG=0時已反型，加有負(fù)柵壓后才能脫離反型P型襯底MOS結(jié)構(gòu)11.1MOS電容閾值電壓:n型襯底情形費(fèi)米勢表面耗盡層最大厚度單位面積表面耗盡層電荷單位面積柵氧化層電容平帶電壓閾值電壓11.1MOS電容n型襯底與p型襯底的比較p型襯底MOS結(jié)構(gòu)n型襯底MOS結(jié)構(gòu)增強(qiáng)型、耗盡型都可能增強(qiáng)型（除非摻P型雜質(zhì)）MOSFET類型閾值電壓典型值金屬-半導(dǎo)體功函數(shù)差11.1MOS電容表面反型層電子密度與表面勢的關(guān)系11.1MOS電容表面空間電荷層電荷與表面勢的關(guān)系堆積平帶耗盡弱反型強(qiáng)反型小節(jié)內(nèi)容11.1.6電荷分布分布圖為什么書中可以經(jīng)常忽略反型點(diǎn)的電荷?p32711.1.5閾值電壓概念電中性條件與誰有關(guān)?如何理解?N型P型及摻雜的關(guān)系11.2節(jié)內(nèi)容理想情況CV特性頻率特性氧化層電荷及界面態(tài)的影響實例11.2C-V特性什么是C-V特性？平帶電容-電壓特性11.2C-V特性

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