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遷移率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系2024/5/182

遷移率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系多種散射機制存在時2024/5/183對于摻雜的Si、Ge

主要散射機制：電離雜質(zhì)散射和聲學(xué)波散射2024/5/1841.雜質(zhì)濃度很高的情況Ni>1018cm-32024/5/1852.雜質(zhì)濃度不是很高的情況2024/5/1863.室溫下，高純Si、Ge、GaAs的遷移率μn(cm2/V·s)μp(cm2/V·s)Si1350500Ge39001900GaAs800030002024/5/187問題：對于摻雜的GaAs該如何分析？主要散射機制：電離雜質(zhì)散射、聲學(xué)波散射、光學(xué)波散射2024/5/188注意：此處的摻雜濃度是摻入雜質(zhì)的總濃度2024/5/189與雜質(zhì)濃度的關(guān)系重摻雜：不完全電離，μ減小，偏離直線關(guān)系2024/5/1810與溫度的關(guān)系雜質(zhì)半導(dǎo)體載流子來源遷移率因素雜質(zhì)電離1本征激發(fā)2電離雜質(zhì)散射3晶格散射42024/5/1811與溫度的關(guān)系載流子變化遷移率變化1234低溫隨T增加忽略隨T增加忽略室溫全電離次要次要隨T降低高溫次要隨T增加次要次要室溫雜質(zhì)半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體主要由ni決定，ρ單調(diào)下降2024/5/1812例2用本征半導(dǎo)體Si制成一個熱敏電阻，在290K時電阻R1=500Ω，設(shè)Si的Eg=1.12eV，且不隨溫度變化，假設(shè)載流子遷移率不變，計算在T=325K時熱敏電阻的近似值。13在室溫下，對Si材料有Ni3×10155.5×10151.3×10162.3×10162.6×10162×10172.03×1017μn1040102010101000990700690μp430420400390380300290則摻雜情況P：3×1015B：1.3×1016P：1.0×1016B：1.0×1016P：1.3×1016B：3×1015Ga：1.0×1017A

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