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金屬和半導(dǎo)體接觸整流理論金屬和半導(dǎo)體接觸整流理論一.外加電壓對(duì)n型阻擋層（Vs<0）的作用1.外加電壓V=0半導(dǎo)體側(cè)電子勢(shì)壘高度:無(wú)凈電流2.加正向電壓V>0半導(dǎo)體側(cè)電子勢(shì)壘高度降低為-q[（Vs）0+V)]金屬側(cè)電子勢(shì)壘高度不變。電流方向M→S，由S→M的電子形成正向電流。3.加反向電壓V<0半導(dǎo)體側(cè)電子勢(shì)壘高度增加為：-q[（Vs）0+V)]電流方向S→M，由M→S的電子形成反向電流阻擋層的I/V特性正向電流隨外加正向電壓增加而增大；金屬一側(cè)勢(shì)壘很高，反向電流很小，且趨于飽和。阻擋層具有單向?qū)щ娦浴魈匦?。P型半導(dǎo)體n型和p型阻擋層的作用阻擋層具有整流特性；正向電流規(guī)定為半導(dǎo)體多子形成的電流；

n型:金屬極加正電壓，V>0，形成電子由半導(dǎo)體到金屬的正向電流；電流方向：金屬→半導(dǎo)體p型：金屬極加負(fù)電壓V<0，形成空穴由半導(dǎo)體到金屬的正向電流；電流方向：半導(dǎo)體→金屬1.擴(kuò)散理論流過(guò)勢(shì)壘的電流主要由電子在耗盡區(qū)的擴(kuò)散和漂移過(guò)程決定。適于勢(shì)壘區(qū)寬度遠(yuǎn)大于電子的平均自由程的半導(dǎo)體二.理論模型耗盡區(qū):雜質(zhì)全電離，電荷由雜質(zhì)電離形成。電場(chǎng)僅存在空間電荷區(qū)。方向指向半導(dǎo)體表面。泊松方程：利用邊界條件：勢(shì)壘中的電場(chǎng)V>0,勢(shì)壘寬度xd隨V增加而減小，半導(dǎo)體側(cè)勢(shì)壘降低。V<0，勢(shì)壘寬度xd隨V增加而增加，半導(dǎo)體側(cè)勢(shì)壘升高這種依賴(lài)于外加電壓的勢(shì)壘，稱(chēng)為肖特基勢(shì)壘。最大電場(chǎng)隨反向電壓的增加而增大，正向電壓的增加而減小，且隨摻雜濃度的增加而增大；勢(shì)壘區(qū)寬度隨反向電壓的

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