2018年射頻開關(guān)和LNA技術(shù)升級及產(chǎn)業(yè)化項目可行性研究報告

2018年射頻開關(guān)和LNA技術(shù)升級及產(chǎn)業(yè)化項目可行性研究報告2018年9月目錄TOC\o"1-5"\h\z\u一、項目概況 3二、項目必要性分析 31、更新現(xiàn)有產(chǎn)品線，滿足通訊技術(shù)的發(fā)展對射頻器件的要求 32、應(yīng)用新材料，進一步改善現(xiàn)有產(chǎn)品性能 43、縮短研發(fā)周期，適應(yīng)消費電子產(chǎn)品高速換代更替的需要 4三、項目前景及可行性分析 51、射頻開關(guān)及射頻低噪聲放大器需求持續(xù)增長，本項目具有廣闊的市場前景 52、公司在射頻開關(guān)及射頻低噪聲放大器領(lǐng)域具備領(lǐng)先的技術(shù)能力和豐富的研發(fā)經(jīng)驗 63、穩(wěn)定的上游供應(yīng)鏈和下游客戶需求為項目的順利實施創(chuàng)造條件 6四、項目投資概算 7五、項目建設(shè)內(nèi)容 81、項目建設(shè)內(nèi)容概述 82、本項目產(chǎn)品開發(fā)的具體內(nèi)容 83、產(chǎn)品開發(fā)規(guī)劃 9六、項目實施進度 10七、項目環(huán)保情況 10

一、項目概況本項目將針對公司現(xiàn)有的射頻開關(guān)和射頻低噪聲放大器系列產(chǎn)品進行技術(shù)升級和產(chǎn)業(yè)化，通過工藝改進和新材料應(yīng)用，提升上述產(chǎn)品的性能和可靠性，并開發(fā)滿足5G通信高頻需求的射頻開關(guān)和射頻低噪聲放大器產(chǎn)品。該項目的產(chǎn)品將主要應(yīng)用于移動智能終端設(shè)備。二、項目必要性分析1、更新現(xiàn)有產(chǎn)品線，滿足通訊技術(shù)的發(fā)展對射頻器件的要求5G通信及物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展為射頻器件行業(yè)帶來新的增長機遇，同時也為射頻器件設(shè)計企業(yè)提出新的挑戰(zhàn)：射頻前端器件需要支持的頻段數(shù)量大幅增加；高頻段信號處理難度增加，系統(tǒng)對射頻器件的性能要求大幅提高；載波聚合及MIMO技術(shù)應(yīng)用逐步普及要求各射頻器件進行相應(yīng)的技術(shù)更新。通過本次項目實施，公司將對現(xiàn)有射頻低噪聲放大器、射頻開關(guān)產(chǎn)品的性能進行改善，以不斷滿足新的市場需求：提升通用開關(guān)性能，以滿足不同信號制式的需要；針對5G通信的高頻需求，開發(fā)應(yīng)用在毫米波頻率的射頻開關(guān)、射頻低噪聲放大器、多天線的射頻開關(guān)模塊；配合載波聚合以及MIMO的應(yīng)用需求，開發(fā)新型載波聚合開關(guān)和多通道多模式LNA。上述技術(shù)改進和產(chǎn)品更新將進一步豐富公司射頻開關(guān)和射頻低噪聲放大器產(chǎn)品線，擴大產(chǎn)品應(yīng)用范圍，使公司在技術(shù)演進和需求變動中保持市場領(lǐng)先地位。2、應(yīng)用新材料，進一步改善現(xiàn)有產(chǎn)品性能目前硅單晶材料是制作普通集成電路芯片的主要原料，但受限于材料特性，很難適用于高頻/高壓/高功率應(yīng)用。而砷化鎵（GaAs）和鍺硅因天然具備禁帶寬度寬、截止頻率高、功率密度大等特點，可更好滿足射頻器件的性能需求，其在射頻領(lǐng)域的應(yīng)用規(guī)模和應(yīng)用范圍不斷擴大。通過本次募投項目建設(shè)，公司將投入研發(fā)采用砷化鎵和鍺硅工藝的高性能射頻低噪聲放大器，以積極應(yīng)對生產(chǎn)材料及工藝革新的趨勢，更好地滿足客戶對于射頻開關(guān)及射頻低噪聲放大器產(chǎn)品的性能需求。3、縮短研發(fā)周期，適應(yīng)消費電子產(chǎn)品高速換代更替的需要目前公司射頻開關(guān)和射頻低噪聲放大器產(chǎn)品銷量逐年遞增，公司產(chǎn)品線業(yè)務(wù)成熟，上游供應(yīng)渠道和下游客戶關(guān)系都比較穩(wěn)定，擁有良好的市場環(huán)境和產(chǎn)品技術(shù)條件。但是考慮到消費電子產(chǎn)品市場的特殊性，下游終端產(chǎn)品市場的變化對射頻器件的性能要求和銷量需求影響較大，產(chǎn)品技術(shù)升級速度快是射頻器件行業(yè)的典型特點。因此公司需要通過持續(xù)的升級研發(fā)保證產(chǎn)品技術(shù)性能滿足市場快速變化的需求，從而保持產(chǎn)品生命的延續(xù)，進而確保公司收入的穩(wěn)定增長。三、項目前景及可行性分析1、射頻開關(guān)及射頻低噪聲放大器需求持續(xù)增長，本項目具有廣闊的市場前景目前公司的射頻開關(guān)及射頻低噪聲放大器產(chǎn)品主要應(yīng)用于智能手機、平板電腦等移動智能終端，由于手機等移動電子設(shè)備從功能機到智能機的轉(zhuǎn)變、移動通訊技術(shù)的變革，手機需要支持更多頻段的射頻信號，因此單部手機所需射頻開關(guān)及射頻低噪聲放大器的數(shù)量不斷增加；智能手機金屬外殼的使用一定程度上會造成對射頻信號的屏蔽，天線接收的信號強度被減弱后，需要天線調(diào)諧開關(guān)提高天線對不同頻段信號的接收能力，同時需通過射頻低噪聲放大器進行信號放大以便后續(xù)處理。上述因素推動射頻開關(guān)及射頻低噪聲放大器的市場需求持續(xù)增長。根據(jù)QYRElectronicsResearchCenter的統(tǒng)計，2010-2017年，全球射頻開關(guān)市場規(guī)模從5.59億美元增長至14.47億美元，年均復(fù)合增長率14.55%，預(yù)計至2020年，市場規(guī)模將達19.01億元；射頻低噪聲放大器市場規(guī)模從8.39億美元增長至13.41億美元，年均復(fù)合增長率6.93%，預(yù)計至2020年，市場規(guī)模將達14.91億元。射頻開關(guān)、射頻低噪聲放大器市場的增長前景為本項目預(yù)期收益的實現(xiàn)提供了良好的市場環(huán)境。2、公司在射頻開關(guān)及射頻低噪聲放大器領(lǐng)域具備領(lǐng)先的技術(shù)能力和豐富的研發(fā)經(jīng)驗公司長期致力于射頻開關(guān)、射頻低噪聲放大器等射頻器件的芯片設(shè)計和產(chǎn)品銷售，在相關(guān)產(chǎn)品的技術(shù)研發(fā)領(lǐng)域處于國內(nèi)領(lǐng)先地位。公司是業(yè)界率先基于RFCMOS工藝實現(xiàn)了射頻低噪聲放大器產(chǎn)品化的企業(yè)之一；發(fā)明了拼版式集成射頻開關(guān)的方法，并申請了發(fā)明專利；是國際上先行推出集成射頻低噪聲放大器和開關(guān)的單芯片產(chǎn)品的企業(yè)之一。公司已建立起成熟的射頻開關(guān)及射頻低噪聲放大器產(chǎn)品研發(fā)團隊。以公司創(chuàng)始人為核心的技術(shù)團隊均于國內(nèi)外一流大學(xué)或研究所取得博士或碩士學(xué)位，并曾供職國內(nèi)外知名的芯片設(shè)計廠商，具備優(yōu)秀的技術(shù)能力和豐富的產(chǎn)品開發(fā)經(jīng)驗。因此，公司在射頻開關(guān)和射頻低噪聲放大器領(lǐng)域已具備豐富的技術(shù)儲備，本項目擬在現(xiàn)有產(chǎn)品的基礎(chǔ)上進行技術(shù)升級和新產(chǎn)品開發(fā)，具備較強的技術(shù)可實現(xiàn)性。3、穩(wěn)定的上游供應(yīng)鏈和下游客戶需求為項目的順利實施創(chuàng)造條件公司通過多年行業(yè)深耕，與晶圓制造商、芯片封測廠商等外協(xié)廠商形成了穩(wěn)定的合作機制，建立了穩(wěn)固、良好的合作關(guān)系。本項目主要基于已有射頻開關(guān)、射頻低噪聲放大器產(chǎn)品進行技術(shù)升級，公司可通過與現(xiàn)有外協(xié)廠商的合作實現(xiàn)對新產(chǎn)品的穩(wěn)定供應(yīng)，以及時滿足下游客戶的產(chǎn)品需求。公司依靠研發(fā)優(yōu)勢和質(zhì)量優(yōu)勢，在射頻開關(guān)和射頻低噪聲放大器領(lǐng)域取得領(lǐng)先市場地位，積累了豐富的客戶資源。2017年度，公司射頻開關(guān)和射頻低噪聲放大器產(chǎn)品的出貨量分別為137,347.52萬顆、42,716.29萬顆，較上年度分別增長137.64%、38.65%。公司于2012年成為三星合格供應(yīng)商，目前公司射頻前端芯片產(chǎn)品應(yīng)用于三星、小米、華為、聯(lián)想、魅族、TCL等終端廠商的產(chǎn)品。本項目所開發(fā)產(chǎn)品與公司既有產(chǎn)品具有較強的關(guān)聯(lián)性，公司現(xiàn)有直銷客戶資源和經(jīng)銷商渠道為新產(chǎn)品的銷售提供了充分保障。四、項目投資概算本項目總投資16,864.87萬元，具體投資構(gòu)成如下表所示：本項目購置的自用設(shè)備主要包括信號發(fā)生器、頻譜儀、網(wǎng)絡(luò)分析儀、邏輯分析儀、示波器、阻抗分析儀等，具體情況如下表所示：五、項目建設(shè)內(nèi)容1、項目建設(shè)內(nèi)容概述本項目的建設(shè)共分成兩期進行，第一期為項目建設(shè)前兩年，針對公司現(xiàn)有的射頻開關(guān)和射頻低噪聲放大器系列產(chǎn)品進行技術(shù)升級和產(chǎn)業(yè)化，結(jié)合市場和目標(biāo)客戶需求，采用新工藝、新材料，進行高性能通用開關(guān)、多載波聚合開關(guān)、高性能天線調(diào)諧開關(guān)、鍺硅及砷化鎵高性能LNA等產(chǎn)品的開發(fā)、測試和生產(chǎn)。第二期為項目建設(shè)第三、四年，立足于5G時代通信終端射頻芯片技術(shù)發(fā)展的需要，進行新型載波聚合開關(guān)、多通道多模式LNA、RFMEMS天線調(diào)諧開關(guān)產(chǎn)品的設(shè)計與研發(fā)，布局未來通信市場，滿足客戶對定制化、集成化、高性能、高復(fù)雜度射頻器件的需求。2、本項目產(chǎn)品開發(fā)的具體內(nèi)容本項目擬開發(fā)四種射頻開關(guān)產(chǎn)品、兩種射頻低噪聲放大器產(chǎn)品。其中，兩種開關(guān)產(chǎn)品為基于公司現(xiàn)有產(chǎn)品的技術(shù)升級，其技術(shù)改進方向如下：其他四種產(chǎn)品為新開發(fā)射頻開關(guān)/射頻低噪聲放大器產(chǎn)品，具體情況如下：3、產(chǎn)品開發(fā)規(guī)劃本項目的產(chǎn)品開發(fā)規(guī)劃如下：第一階段，新工藝的評估：基于新工藝的新設(shè)計原型仿真。第二階段，完整電路仿真：對設(shè)計進行細(xì)化，完成整體電路原理圖設(shè)計與仿真。第三階段，根據(jù)第二階段的原理圖，完成版圖設(shè)計和設(shè)計后仿真和封裝設(shè)計。第四階段，工程樣品流片和制作：投片到晶圓制造商和芯片封測廠商，完成樣品制作。第五階段，工程樣品測試：對樣品進行不同溫度，電壓，功率等條件下的規(guī)格書測試。第六階段，產(chǎn)品定型流片和制作：基于上述測試結(jié)果，對電路設(shè)計進行局部優(yōu)化并投片制作。第七階段，定型產(chǎn)品驗證：針對定型產(chǎn)品進行規(guī)格書測試，重復(fù)性和可靠性測試，確保產(chǎn)品品質(zhì)。第八階段，量產(chǎn)導(dǎo)入：針對定型產(chǎn)品開發(fā)相應(yīng)的測試硬件和程序，完成封裝可靠性驗證，投入批量試產(chǎn)。六、項目實施進度本項目建設(shè)工期為4年，共分成兩期進行，第一期為項目建設(shè)前兩年，主要對現(xiàn)有射