中國(guó)IGBT（絕緣柵雙極性晶體管）行業(yè)現(xiàn)狀與競(jìng)爭(zhēng)格局分析

-1-中國(guó)IGBT（絕緣柵雙極性晶體管）行業(yè)現(xiàn)狀與競(jìng)爭(zhēng)格局分析一、IGBT（絕緣柵雙極性晶體管）行業(yè)概況2、定義及分類(lèi)IGBT又稱(chēng)絕緣柵雙極性晶體管，是由BJT（雙極型三極管）與MOSFET（絕緣型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合型全控電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，在電路中作為電路開(kāi)關(guān)，通過(guò)開(kāi)關(guān)控制改變電壓，擁有柵極G、集電極C、與發(fā)射極E，由柵極與發(fā)射極之間的電壓決定其導(dǎo)通與關(guān)斷。IGBT的用途包括變頻、整流、變壓、放大功率與功率控制等，是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心。2、MOSFET、IGBT和BJT性能對(duì)比IGBT是功率半導(dǎo)體中的核心器件，兼具M(jìn)OSFET及BJT兩類(lèi)器件優(yōu)勢(shì)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。金氧半場(chǎng)效晶體管（MOSFET）輸入阻抗高、驅(qū)動(dòng)功率小、開(kāi)關(guān)速度快；而雙極型三極管（BJT）飽和壓降低，BJT更強(qiáng)調(diào)工作功率，MOSFET更強(qiáng)調(diào)工作頻率，因此IGBT兼有以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，性能優(yōu)勢(shì)顯著。MOSFET、IGBT和BJT性能對(duì)比二、IGBT（絕緣柵雙極性晶體管）行業(yè)相關(guān)政策國(guó)家相關(guān)政策大力支持核心元器件國(guó)產(chǎn)化。近年來(lái)為了推動(dòng)功率半導(dǎo)體行業(yè)尤其是IGBT產(chǎn)業(yè)健康快速發(fā)展，國(guó)家相關(guān)部門(mén)不僅制定了相關(guān)的一系列政策措施，還不斷加大扶持力度。其中，IGBT曾被劃為02專(zhuān)項(xiàng)重點(diǎn)扶持項(xiàng)目實(shí)施長(zhǎng)達(dá)15年并于2021年成功收官。同時(shí)，IGBT國(guó)產(chǎn)化還是國(guó)家十四五規(guī)劃中關(guān)鍵半導(dǎo)體器件的發(fā)展重點(diǎn)之一。來(lái)自市場(chǎng)需求持續(xù)增長(zhǎng)和國(guó)家大量投入資金的雙重刺激，不僅吸引了一批擁有豐富IGBT經(jīng)驗(yàn)的海外華人歸國(guó)，也給包括斯達(dá)半導(dǎo)、比亞迪、中車(chē)時(shí)代電氣等在內(nèi)的企業(yè)提供了掌握IGBT核心技術(shù)的機(jī)會(huì)，進(jìn)一步推進(jìn)IGBT國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程，早日擺脫IGBT產(chǎn)品進(jìn)口依賴(lài)這一現(xiàn)狀。三、IGBT（絕緣柵雙極性晶體管）行業(yè)現(xiàn)狀1、全球據(jù)Yole數(shù)據(jù)，2022年全球IGBT的市場(chǎng)規(guī)模約為68億美元，受益于新能源汽車(chē)、新能源、工業(yè)控制等領(lǐng)域的需求大幅增加，預(yù)計(jì)2025年全球IGBT市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到80億美元。其中，中國(guó)是全球最大的IGBT市場(chǎng)，約占全球市場(chǎng)規(guī)模的40%。2、中國(guó)國(guó)內(nèi)IGBT產(chǎn)量不斷增加，自給率逐年上升。IGBT行業(yè)準(zhǔn)入門(mén)檻高、技術(shù)難度大、研發(fā)和產(chǎn)線建設(shè)周期長(zhǎng)、資金投入大。我國(guó)IGBT產(chǎn)業(yè)起步較晚，核心技術(shù)一直被國(guó)外企業(yè)壟斷，但在政策的鼓勵(lì)下，我國(guó)IGBT產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速。據(jù)統(tǒng)計(jì)，2023年我國(guó)IGBT產(chǎn)量達(dá)到3624萬(wàn)只，IGBT自給率超過(guò)30%。四、IGBT（絕緣柵雙極性晶體管）行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈1、產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)疽鈭DIGBT產(chǎn)業(yè)鏈上游包括材料供應(yīng)（硅片、光刻膠、金屬材料等），是支撐IGBT行業(yè)發(fā)展的基礎(chǔ)；中游根據(jù)芯片制造的工序，包括整個(gè)IGBT的制造環(huán)節(jié)，依次劃分為IGBT設(shè)計(jì)、芯片制造以及封裝測(cè)試，下游是IGBT廣泛的各細(xì)分應(yīng)用市場(chǎng)，包括工業(yè)控制、新能源汽車(chē)、軌道交通、家用電器、新能源發(fā)電等。2、下游IGBT下游應(yīng)用前景廣闊，新能源行業(yè)成為主要驅(qū)動(dòng)力。IGBT廣泛應(yīng)用于新能源、汽車(chē)、工業(yè)、家電等領(lǐng)域。在政策驅(qū)動(dòng)下，新能源車(chē)銷(xiāo)量以及風(fēng)電光伏裝機(jī)量快速增長(zhǎng)帶動(dòng)IGBT領(lǐng)域迅速發(fā)展。2022年，中國(guó)新能源汽車(chē)在IGBT中市場(chǎng)份額達(dá)到42%，目前已經(jīng)成為IGBT下游第一大應(yīng)用。五、IGBT（絕緣柵雙極性晶體管）行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局英飛凌占據(jù)IGBT市場(chǎng)龍頭地位。從IGBT競(jìng)爭(zhēng)格局來(lái)看，2023年英飛凌全球市占率最高，IGBT單管和IGBT模塊市占率均為32%，均排名全球第一。IGBT單管全球前五大公司市占率合計(jì)70%，均為海外廠商；IGBT模塊全球前五大公司市占率合計(jì)67%，其中國(guó)產(chǎn)IGBT龍頭斯達(dá)半導(dǎo)排名全球第五，市占率約為4%。六、IGBT（絕緣柵雙極性晶體管）行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)1、應(yīng)用領(lǐng)域不斷拓展未來(lái)，隨著新能源汽車(chē)、風(fēng)力發(fā)電、光伏發(fā)電、軌道交通等領(lǐng)域的持續(xù)發(fā)展，IGBT的市場(chǎng)需求將繼續(xù)保持快速增長(zhǎng)。特別是在新能源汽車(chē)領(lǐng)域，隨著電動(dòng)汽車(chē)的普及和智能化水平的提高，對(duì)IGBT的需求將更加旺盛。此外，隨著國(guó)家對(duì)新能源、智能制造等領(lǐng)域的支持力度不斷加大，IGBT的應(yīng)用領(lǐng)域還將進(jìn)一步拓展。2、技術(shù)創(chuàng)新引領(lǐng)發(fā)展技術(shù)創(chuàng)新是推動(dòng)IGBT行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵因素。未來(lái)，隨著新材料、新工藝、新技術(shù)的應(yīng)用，IGBT的性能將得到進(jìn)一步提升，成本將進(jìn)一步降低。同時(shí)，隨著人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等新一代信息技術(shù)的快速發(fā)展，IGBT將與這些技術(shù)深度融合，為智能制造、智慧能源等領(lǐng)域的發(fā)展提供有力支撐。3、國(guó)產(chǎn)化替代加速推進(jìn)目前，國(guó)內(nèi)IGBT市場(chǎng)仍存在一定程度的進(jìn)口依賴(lài)。然而，隨著國(guó)內(nèi)企業(yè)在I