SJ∕T 1477-2016 半導體分立器件 3CG120型硅PNP高頻小功率晶體管詳細規(guī)范

Detailspecificationfortype3CG120highfrequencylowpowerPNPsilicontransistor中華人民共和國工業(yè)和信息化部I——本標準依據(jù)GB/T4589.1—2006《半導體器件第10部分：分立器件和集成電路總規(guī)范》。 (新版見5.7,舊版見sCG120型PNP硅外延平面三極管規(guī)范表)測試條件由Vcp=-10V改為Vcp=VcBO,cEa(新版見5.7,舊版見3CG120型PNP硅外延平面三極管規(guī)范表)測試條件由表)測試條件由LEB=-15V為—2刪掉了交流參數(shù)Kp和M(見舊版3CG120型PNP硅外本標準由全國導體器件添準化技術(shù)委員會歸口。本標準主要起草人：侯秀萍、下巖。本標準于1979年首次發(fā)布，素次為第一次訂1SJ/T1477—2016半導體分立器件3CG120型硅PNP高頻小功率晶體管詳細規(guī)范中華人民共和國工業(yè)和信息化部評定器件質(zhì)量的根據(jù)：GB/T4589.1—2006《半導體器件第10部分：分立器件和集成電路總規(guī)范》,GB/T12560—1999《半導體器件分立器件分規(guī)范》半導體分立器件3CG120型硅PNP高頻小功率晶體管詳細規(guī)范外形符合GB/T7581-1987《半導體分立器件外形尺寸》D簡略說明高頻放大環(huán)境額定的雙極型晶體管半導體材料：徒封裝：金屬封裝(空腔應(yīng)用：在各種電路中作開關(guān)及高頻放大與振蕩用。中A3-02B型的要求。Φ工程數(shù)據(jù)Ptot=500nF:25c27C。b≤7pF尺寸數(shù)值最小最大A——jKLL24規(guī)范性引用文件凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改單)適用于本標準。GB/T4587—1994半導體分立器件和集成電路第7部分：雙極型晶體管GB/T4589.1—2006半導體器件第10部分：分立器件和集成電路總規(guī)范GB/T4937—1995半導體器件機械和氣候試驗方法半導體器件分立器件第7部分：雙極型晶體管第一篇高低頻放大環(huán)境額定的雙極型晶體管空白詳細規(guī)范GB/T7581—1987半導體分立器件外形尺寸GB/T12560—1999半導體器件分立器件分規(guī)范5極限值(絕對最大額定值)極限值見表1。除非另有規(guī)定，這些極限值在整個工作溫度范圍內(nèi)適用。章號符號單位最小值最大值4.1環(huán)境溫度Tamb-55℃4.2貯存溫度Tstg-55℃4.3最大集電極-基極直流電壓3CG120A3CG120B3CG120CVcno——-20-35-50V4.4最大集電極-發(fā)射極直流電壓3CG120A3CG120B3CG120CVEo一-15-30-45V4.5最大發(fā)射極-基極直流電壓VBoV4.6最大直流集電極電流mA4.7T=25℃,不加散熱片時的最大額定功率PotmW4.8最高結(jié)溫℃3SJ/T1477—2016表2電特性章號特性和條件除非另有規(guī)定，Ta=25℃(見GB/T4589.1—2006的4.1)符號單位試驗分組最小值最大值正向電流傳輸比VE=-10V,I=30mA色標：橙綠藍紫灰A2b、C2b特征頻率V=-10v,I=3Q^r=100MHzMHzA4、C2a集電極-基極截亡電流Va=VcmA2b集電極-發(fā)射極截止電A2b高溫下的集電極-基極酸上發(fā)射極一基極開路，T=150℃,發(fā)射極一感極截止電流集電極基極開路，v=-2A2b基極發(fā)射極飽和電壓VA2b集電極-發(fā)射極飽和電壓VCE(sat)VA2b共基極輸出電容Va=-10V,I=0,12C77.1器件上的標志器件上的標志包括以下幾部分：——產(chǎn)品型號和分檔標志，如3CG120A;——hE分檔色標；——檢驗批的識別代號。4SJ/T1477—20167.2包裝盒上的標志——制造廠聯(lián)系方式。8訂貨資料——hE分檔色標；——質(zhì)量評定類別標志Ⅱ,如3CG120AIⅡ;——本標準編號；9試驗條件和檢驗要求試驗條件和檢驗要求按表3～表5的規(guī)定。本章中，LTPD抽樣引自GB/T12560—1999。5SJ/T1477—2016檢驗或試驗符號引用標準除非另有規(guī)定，Tmb=25℃±5℃(見GB/T4589.1-2006的4.1)極限值單位LTPD最小值最大值A(chǔ)1分組外部目檢GB/T4589.1—20064.3.1.1標志清晰，表面無機械損傷、破損5A2a分組不能工作器件集電極-基極截止電流正向電流傳輸比GB/T4587—1994,IV,1,2.1GB/T4587—1994,發(fā)射極-基極開路，Va=VcaVe=-10V,I=30mA短路：Ico≥10μA開路：hE≤5A2b分組集電極-基極截止電流集電極-發(fā)射極截止電流發(fā)射極-基極截止電流正向電流傳輸比基極-發(fā)射極飽和電壓集電極-發(fā)射極飽和電壓GB/T4587—1994,IV,1,2.1GB/T4587—1994,GB/T4587—1994,IV,1,2.2GB/T4587—1994,GB/T4587—1994,GB/T4587—1994橙橙黃綠藍紫發(fā)射極-基極開路，Ve=Vcao發(fā)射極-基極開路，Ve=Vcmo集電極-基極開路，=-2VVa=-10V,I=30mAI=5mA,I=50mAI=5mA,I=50mA——120180270-1.0-0.5—VV5A4分組特征頻率fGB/T4587—1994,IV,1,13.2Ve=-10V,I=30mA,f=100MHz—MHz注：全部試驗都是非破壞性的(見GB/T4589.1—2006的3.6.6)。6檢驗或試驗符號引用標準除非另有規(guī)定，Tm=25℃±5℃(見GB/T4589.1—2006的4.1)最小值最大值單位LTPDB1分組尺寸GB/T4589.1—20064.3.2A、φD見第1章外形圖B3分組引出端強度(D)彎曲GB/T4937—1995IⅡ,1.2方法1,受試引出端數(shù)：3,外加彎曲力：2.5N發(fā)現(xiàn)有斷裂(密封彎月面處的除外)、松動或引線和器件管體之間有相對移動，均認為器件失效B4分組可焊性GB/T4937995焊槽法潤濕良好B5分組快速溫度變化密封最后測試集電極-基極截止電流正向電流傳輸比GB/49371995Ⅲ,QB/T4937-1995CB/T4587—1994,GBYT4587-—104T=-55C7=175℃;5個循環(huán)發(fā)射極極開X=Va0I=30mA檢紫灰0B8分組電耐久性(168h)最后測試集電極-基極截止電流正向電流傳輸比GB/T4587—1994V,1GB/T4587—1994,IV,1,2.1GB/T4587—1994,工作壽命；-168h,V=0.6UPa=500m發(fā)射極-基極開路，Va=VcaoV=-10V,I=30mA——注：標明(D)的試驗是破壞性的(見GB/T4589.1—2006的3.6.6)。7檢驗或試驗符號引用標準除非另有規(guī)定，T=25℃±5℃,(見GB/T4589.1—2006的4.1)LTPD最小值最大值單位C1分組尺寸GB/T4589.1—20064.3.2除A、Φa、ΦD之外的其余尺寸見第1章外形圖C2a分組特征頻率共基極輸出電容GB/T4587—1994,IV,1,13.2GB/T4587—1994IV,8.1Ve=-10V,I=30mA,f=100MHzVa=-10V,I=0,f=1MHz7MHzC2b分組正向電流傳輸比高溫下的集電極-基極截止電流GB/T4587—1994,GB/T4587—1994,IV,1,2.1同A2b分組正向電流傳輸比發(fā)射極-基極開路，Va=-10V—C3分組引出端強度(D)拉力GB/T4937—1995IⅡ,1.1發(fā)現(xiàn)有斷裂(密封彎月面處的除外)、松動或引線和器件管體之間有相對移動均認為器件失效C4分組耐焊接熱(D)最后測試GB/T4937—1995IⅡ,2.2方法1A。周期=180d同B5分組最后測試C6分組恒定加速度最后測試GB/T4937—199520000g同B5分組最后測試C7分組穩(wěn)態(tài)濕熱(D)最后測試GB/T4937—1995Ⅲ,585℃,相對濕度85%,Va=額定電壓的85%,時間168h同B8分組最后測試C8分組電耐久性(1000h)最后測試GB/T4587—1994V,1Pat=500mW同B8分組最后測試C9分組高溫貯存(D)最后測試GB/T4937—1995Ⅲ,2Tt=175℃,t=1000h同B8分組最后測試CRRL分組提供C2a、C2b、C3、C4、C6、C7和C9的記數(shù)檢查結(jié)果及C8前后