電力電子技術(shù)基礎(chǔ)智慧樹知到期末考試答案章節(jié)答案2024年浙江大學(xué)

電力電子技術(shù)基礎(chǔ)智慧樹知到期末考試答案+章節(jié)答案2024年浙江大學(xué)單相SPWM逆變器的過調(diào)制將導(dǎo)致輸出電壓中的低次諧波大量出現(xiàn)。（）

答案:對帶NFT的三橋臂三相逆變器可用來實現(xiàn)三相四線制逆變器。（）

答案:對全橋方波逆變電路自身具備電壓調(diào)節(jié)能力。（）

答案:錯由于變壓器需要磁復(fù)位，所以反激式變換器最大占空比受到限制。（）

答案:錯Buck變換器的占空比可以為1。（）

答案:對所謂脈沖寬度調(diào)制的方法是一種在整個工作過程中，開關(guān)頻率不變，而開關(guān)接通的時間按照要求變化的方法。（）

答案:對單相交流調(diào)壓電路，感性負載，觸發(fā)角ɑ的移相范圍為Φ≤ɑ≤π。（）

答案:對Buck電路開關(guān)導(dǎo)通時，電感電流變化率為Ud/L。（）

答案:錯對于Buck電路，輸入電壓400V，輸出電壓100V，MOSFET的開關(guān)頻率100kHz，負載電阻100歐姆，為了保證電感電流連續(xù)，則電感值可以取為（）

答案:0.375mH;0.425mH;0.4mH以下哪些是晶閘管關(guān)斷條件（）

答案:IA＜IH;UAK＜0;tβ＞tq以下哪些器件是空穴參與工作的（）

答案:IGBT;晶閘管以下哪些直流變換電路能實現(xiàn)升降壓（）

答案:反激式變換器;Buck-Boost電路一臺電壓外環(huán)、電流內(nèi)環(huán)的逆變器設(shè)計主要包含（）

答案:功率器件設(shè)計;濾波電感設(shè)計;濾波電容設(shè)計;雙環(huán)控制器參數(shù)設(shè)計逆變器功率主電路拓撲包含（）

答案:H橋級聯(lián)型多電平逆變器;二極管箝位型多電平逆變器;半橋逆變器;全橋逆變器輸入直流母線電壓利用率最高的單相逆變器為：()

答案:方波全橋逆變器三相SCR電流型整流電路對電池進行充電，電網(wǎng)電壓為380Vac-rms/50Hz，電池組電壓位257Vdc，如果充電電流為100A,

該整流電路的網(wǎng)側(cè)電流失真度（THD）最接近以下哪個？（）

答案:30%單相方波逆變電路輸出電壓的THD值大約為：()

答案:48%對于Buck電路，輸入電壓100V，輸出電壓50V，MOSFET的開關(guān)頻率50kHz，負載電阻10歐姆，電感電流紋波峰峰值為其直流分量的20%，則MOSFET的峰值電流為（）

答案:5.5A全橋移相式調(diào)壓逆變器的工作模態(tài)等效電路有幾種：()

答案:6種有源逆變電路工作時，直流側(cè)電壓的極性是（）

答案:負三相SCR電流型整流電路的輸出電壓Ud，和控制角的關(guān)系是（）

答案:非線性,余弦三角函數(shù)關(guān)系Buck電路，設(shè)輸入電壓為200V，電感L為100μH，電容C無窮大，輸出接10Ω的電阻，電路的工作頻率是50kHz，MOSFET導(dǎo)通的占空比是0.5，則流過MOSFET的峰值電流為（）。

答案:15ABoost電路，設(shè)輸入電壓為100V，電感L為1000μH，電容C無窮大，輸出接10Ω的電阻，電路的工作頻率是50kHz，MOSFET導(dǎo)通的占空比是0.5，則輸出直流電壓Uo為（）。

答案:200V如果希望提高三相SCR整流電路的電網(wǎng)側(cè)功率因數(shù)，以下哪種措施有有效的：（）

答案:應(yīng)用于控制角較小的場合Buck電路，設(shè)輸入電壓為200V，電感L為100μH，電容C無窮大，輸出接10Ω的電阻，電路的工作頻率是50kHz，MOSFET導(dǎo)通的占空比是0.5，則輸出直流電流Io為（）。

答案:10A對于Buck電路，輸入電壓10V，輸出電壓5V，MOSFET的開關(guān)頻率100kHz，負載電阻10歐姆，電感電流紋波峰峰值為其直流分量的20%，則電感值為（）

答案:0.25mH功率場效應(yīng)晶體管的導(dǎo)通是因為形成了反型層。（）

答案:對Buck電路，增大輸出電蓉C，可以減小輸出電壓脈動和電感電流脈動。（）

答案:錯Boost電路開關(guān)導(dǎo)通時，電感電流變化率為Ud/L。（）

答案:對功率場效應(yīng)晶體管的柵極與基片之間隔著SiO2薄層。（）

答案:對PN結(jié)功率二極管是利用PN結(jié)勢壘制成的二極管。（）

答案:對肖特基功率二極管不適合于高頻低壓應(yīng)用。（）

答案:錯由于晶閘管在觸發(fā)導(dǎo)通時積累的非平衡載流子，在關(guān)斷時需要恢復(fù)時間，使其可靠關(guān)斷，因此需要在tβ＞tq之后再施加正向電壓而不會導(dǎo)通。（）

答案:對Cuk電路的中間電容C1，在其中起到Boost電路的輸出電容、Buck電路的輸入電容的作用。（）

答案:對全橋隔離Buck變換器的占空比可以為1。（）

答案:錯反激式變換器具有升降壓能力。（）

答案:對功率MOSFET的導(dǎo)通電阻包含（）

答案:引線電阻;電極接觸電阻;溝道電阻;漂移區(qū)電阻逆變器PWM技術(shù)優(yōu)化的常用方法（）

答案:有選擇性消除諧波的PWM技術(shù);倍頻SPWM技術(shù);調(diào)制波疊加零序分量的三相SPWM技術(shù);開關(guān)角預(yù)置PWM技術(shù)全橋方波逆變電路的特點為（）

答案:直流母線端無功電流大;輸出電壓諧波含量豐富;輸出電壓調(diào)節(jié)能力差以下哪些器件是全控型器件（）

答案:功率MOSFET;IGBT對于Buck電路，輸入電壓400V，輸出電壓100V，MOSFET的開關(guān)頻率100kHz，負載電阻10歐姆，電感電流連續(xù)，其紋波峰峰值為其直流分量的10%，則占空比為（）

答案:0.25一盞臺燈由單相交流調(diào)壓電路供電，輸入電壓有效值Ui=220V，α=0°時輸出功率為40瓦，該燈泡為純阻性負載，則輸出功率為零時的控制角α為（）

答案:180度單相半控(SCR+D)橋式帶續(xù)流二級管(D3)整流電路如圖所示。單相電源電壓US=220V/50Hz，帶大電感與電阻負載，R=5Ω，SCR控制角α=60°，計算該電路。感性負載L-R上的電壓Ud值，該整流電路的網(wǎng)側(cè)有功功率P，最接近以下哪個（）

答案:4.5kW帶有輸入線路電感Lk的SCR三相整流,其輸出電壓Ud大小，和沒有Lk相比（）

答案:小于三相SCR電流型整流電路對電池進行充電，電網(wǎng)電壓為380Vac-rms/50Hz，電池組電壓位257Vdc，如果充電電流為100A,則電路控制角應(yīng)該是（）

答案:60°Boost電路，設(shè)輸入電壓為100V，電感L為1000μH，電容C無窮大，輸出接10Ω的電阻，電路的工作頻率是50kHz，MOSFET導(dǎo)通的占空比是0.5，則MOSFET阻斷時的電壓為（）。

答案:200V對于Buck電路，輸入電壓400V，輸出電壓100V，MOSFET的開關(guān)頻率100kHz，負載電阻10歐姆，電感電流連續(xù)，其紋波峰峰值為其直流分量的10%，則MOSFET的峰值電流為（）

答案:10.5A一盞臺燈由單相交流調(diào)壓電路供電，輸入電壓有效值Ui=220V，α=0°時輸出功率為40瓦，該燈泡為純阻性負載，則α=90°時的輸出功率為（）

答案:20W關(guān)斷時間是恢復(fù)晶閘管電壓阻斷能力所需的最小電路換流反壓時間。（）

答案:對Buck電路，達到同樣的輸出與輸入變換比，電感電流不連續(xù)導(dǎo)通模式比連續(xù)導(dǎo)通模式時的占空比大。（）

答案:錯晶閘管導(dǎo)通后，去掉門極電流，不能維持導(dǎo)通。（）

答案:錯將實際變壓器用其包含勵磁電感和理想變壓器的等效電路代替，用于分析包含變壓器的直流變換器。（）

答案:對功率MOSFET耐壓越高的器件，其導(dǎo)通電阻越大。（）

答案:對波逆變器輸出濾波器的轉(zhuǎn)折頻率一般設(shè)置為開關(guān)頻率的1/2。（）

答案:錯直流變換電路=方波逆變電路+全波或全橋整流電路。（）

答案:對所謂脈沖頻率調(diào)制的方法是一種在整個工作過程中，開關(guān)接通的時間不變，而開關(guān)頻率按照要求變化的方法。（）

答案:對IGBT采用雙極－MOS復(fù)合器件技術(shù)。（）

答案:對對于工作于開關(guān)狀態(tài)的GTR來說，應(yīng)當(dāng)盡量避免工作于有源區(qū)，否則功耗很大，要快速通過有源區(qū)，實現(xiàn)截止與飽和之間的狀態(tài)轉(zhuǎn)換。（）

答案:對由于注入的空穴是少子，存在少子的存儲現(xiàn)象，N－區(qū)的少子需要時間復(fù)合消失，因此IGBT的開關(guān)速度比MOSFET慢。（）

答案:對電容安秒平衡原理是指在平衡時，電容電流的平均值或直流成分必須為零。（）

答案:對Buck電路，增大電感L，可以減小輸出電壓脈動和電感電流脈動。（）

答案:對Buck-Boost電路開關(guān)導(dǎo)通時，電感電流變化率為Ud/L。（）

答案:對高壓功率MOSFET器件，溝道電阻占主要成分。（）

答案:錯關(guān)于交流調(diào)壓電路，以下哪些是正確的（）

答案:交流調(diào)壓電路的工作狀態(tài)與負載性質(zhì)密切相關(guān);交流調(diào)壓電路可用于燈光亮度調(diào)節(jié);通過對晶閘管觸發(fā)角的控制來實現(xiàn)交流電壓值的調(diào)節(jié);交流調(diào)壓電路不改變交流電的頻率對于Buck電路，輸入電壓400V，輸出電壓100V，MOSFET的開關(guān)頻率100kHz，負載電阻10歐姆，電感電流連續(xù)，其紋波峰峰值為其直流分量的10%，則以下哪些額定峰值電流的MOSFET可以采用（）

答案:20A;15A;25A以下哪些直流變換電路輸出電壓是負極性（）

答案:Buck-Boost電路;Cuk電路以下哪些直流變換電路能實現(xiàn)降壓（）

答案:正激變換器;Buck電路;Cuk電路以下哪些直流變換電路能實現(xiàn)升壓（）

答案:Boost電路;推挽隔離Buck變換器;Sepic電路下面關(guān)于逆變器PWM優(yōu)化技術(shù)描述正確的是（）

答案:方波逆變技術(shù)諧波性能最差;方波逆變技術(shù)損耗最小以下哪些器件是只有電子參與工作的（）

答案:功率MOSFET;肖特基功率二極管直流變換電路能完成以下哪些功能（）

答案:直流電極性變換;有源濾波;直流電幅值變換以下哪些是功率MOSFET特點（）

答案:所需驅(qū)動功率小;開關(guān)速度快;電壓型驅(qū)動以下哪些直流變換電路輸出電壓是正極性（）

答案:Buck電路;正激變換器;Boost電路Boost電路，設(shè)輸入電壓為100V，電感L為1000μH，電容C無窮大，輸出接10Ω的電阻，電路的工作頻率是50kHz，MOSFET導(dǎo)通的占空比是0.5，則輸出直流電流Io為（）。

答案:20A對于Buck電路，輸入電壓100V，輸出電壓50V，MOSFET的開關(guān)頻率50kHz，負載電阻10歐姆，電感電流紋波峰峰值為其直流分量的20%，則電感值為（）

答案:0.5mH二極管電容組成的整流電路，如果電容容量C很大，對電路會產(chǎn)生什么影響？（）

答案:輸入電流為尖脈沖，脈沖電流幅度大、諧波含量高帶有控制角的SCR整流電路中，原來導(dǎo)通的SCR換流關(guān)斷，是由于（）

答案:SCR負壓關(guān)斷對于Buck電路，輸入電壓10V，輸出電壓5V，MOSFET的開關(guān)頻率100kHz，負載電阻10歐姆，電感電流紋波峰峰值為其直流分量的20%，則MOSFET的峰值電壓為（）

答案:10V對于Buck電路，輸入電壓400V，輸出電壓100V，MOSFET的開關(guān)頻率100kHz，負載電阻100歐姆，為了保證電感電流連續(xù)，則電感的最小取值為（）

答案:0.375mH單相逆變器的載波頻率記為fc,基波頻率記為f,SPWM技術(shù)的頻率調(diào)制比為：()

答案:fc/f下面哪個逆變技術(shù)的諧波性能最優(yōu)：()

答案:倍頻SPWM技術(shù)Buck電路，設(shè)輸入電壓為200V，電感L為100μH，電容C無窮大，輸出接10Ω的電阻，MOSFET導(dǎo)通的占空比是0.5，要將MOSFET的峰值電流為輸出直流電流Io的110％，則電路的工作頻率為（）。

答案:250kHz從電能變換的功能角度，以下電氣設(shè)備，哪個是整流裝置（）

答案:電動汽車充電三相SCR電流型整流電路對電池進行充電，電網(wǎng)電壓為380Vac-rms/50Hz，電池組電壓位257Vdc，如果充電電流為100A,

該整流電路的網(wǎng)側(cè)功率因數(shù)是（）

答案:0.475對于Buck電路，輸入電壓10V，輸出電壓5V，MOSFET的開關(guān)頻率100kHz，負載電阻10歐姆，電感電流紋波峰峰值為其直流分量的20%，則MOSFET的峰值電流為（）

答案:0.55A特大功率的整流，通常采用以下哪種電路方案（）

答案:移相多脈整流一般取電感電流最大紋波值為逆變器滿功率輸出時正弦電流峰值的：()

答案:10%到20%一盞臺燈由單相交流調(diào)壓電路供電，輸入電壓有效值Ui=220V，α=0°時輸出功率為40瓦，該燈泡為純阻性負載，則臺燈燈泡的阻值為（）

答案:1210歐姆下面哪些技術(shù)對解決單相SPWM逆變電路直流電壓利用率低問題沒有幫助的：()

答案:增加逆變器的輸出功率對于Buck電路，輸入電壓400V，輸出電壓100V，MOSFET的開關(guān)頻率100kHz，負載電阻10歐姆，電感電流連續(xù)，其紋波峰峰值為其直流分量的10%，則電感值為（）

答案:0.75mH比較：逆變電路、可關(guān)斷器件IGBT組成的三相高頻PWM整流電路，兩種電路（）

答案:電路拓撲相同，同一個電路通過不同的控制方法，既可以整流，又可以逆變。以下概念，哪個是不正確的是（）

答案:單相boostPFC電路結(jié)構(gòu)較簡單，所以經(jīng)常用于幾十kW的整流應(yīng)用。電流型SCR整流電路，對電網(wǎng)產(chǎn)生了不利影響，主要體現(xiàn)在（）

答案:電流和電壓有相位差，有無功;功率因數(shù)低;輸入電流非正弦，諧波大不同控制角，SCR整流輸出電壓值（）

答案:瞬時值和平均值可以是正的，也可以是負的SCR整流電路的控制角，就是（）

答案:某兩相電壓之間線電壓的過零點單相PFC電路，為了實現(xiàn)輸入電流的正弦化和輸出電壓的穩(wěn)定，需要采用電壓和電流2個控制環(huán)路，對boost電路進行控制。是否正確？（）

答案:對為了輸出平穩(wěn)的直流電壓，電容濾波的二極管整流電路，其輸出側(cè)濾波電容越大越好，是否正確？

（）

答案:錯逆變器的PWM優(yōu)化技術(shù)有（）。

答案:有選擇性消諧波的PWM技術(shù);全橋倍頻SPWM技術(shù);調(diào)制波疊加零序分量的三相SPWM技術(shù)方波逆變技術(shù)產(chǎn)生的基波幅值小于傳統(tǒng)SPWM逆變技術(shù)產(chǎn)生的基波幅值。（）

答案:錯單相全橋方波逆變電路的直流電壓利用率約為（）。

答案:0.9對單相SPWM逆變電路采用三次諧波注入法，可使得在合成調(diào)制波無過調(diào)制情況下，將輸出電壓基波幅值增加到正弦波線性調(diào)制時的（）。

答