2025版新教材高考化學(xué)全程一輪總復(fù)習(xí)課時(shí)作業(yè)13無機(jī)非金屬材料

課時(shí)作業(yè)13無機(jī)非金屬材料一、選擇題（每小題只有1個(gè)選項(xiàng)符合題意）1．現(xiàn)代社會(huì)的發(fā)展與進(jìn)步離不開材料，下列有關(guān)材料的說法正確的是（）A．“超輕海綿”運(yùn)用的石墨烯是新型無機(jī)非金屬材料B．“C－919”大飛機(jī)運(yùn)用的氮化硅陶瓷是傳統(tǒng)無機(jī)非金屬材料C．“北斗系統(tǒng)”組網(wǎng)勝利，北斗芯片中的半導(dǎo)體材料為二氧化硅D．“神舟十一號(hào)”宇宙飛船返回艙外表面運(yùn)用的高溫結(jié)構(gòu)陶瓷的主要成分是硅酸鹽2．詩句“雨過天晴云破處，千峰碧波翠色來”描述了汝窯青瓷之美。青色主要來自添加的瑪瑙粉末，下列有關(guān)說法錯(cuò)誤的是（）A．青瓷的青色來自瑪瑙中的SiO2B．陶瓷是傳統(tǒng)的無機(jī)非金屬材料C．瓷器的質(zhì)量與原料礦物組成、升溫速度、煅燒時(shí)間等因素有關(guān)D．青瓷化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，耐酸堿侵蝕3．下列除雜方法正確的是（）A．SiO2中含Al2O3雜質(zhì)，可以加入足量NaOH溶液然后過濾除去B．CO2中含有CO雜質(zhì)，可以通入盛有CuO的玻璃管且加熱C．CO2中含有HCl雜質(zhì)，可以通過盛有Na2CO3溶液的洗氣瓶D．Na2CO3溶液中含有Na2SiO3雜質(zhì)，可以通入足量的CO2，然后過濾4．能證明硅酸的酸性弱于碳酸酸性的試驗(yàn)事實(shí)是（）A．CO2溶于水形成碳酸，SiO2難溶于水B．CO2通入可溶性硅酸鹽中析出硅酸沉淀C．高溫下SiO2與碳酸鹽反應(yīng)生成CO2D．氯化氫通入可溶性碳酸鹽溶液中放出氣體，其氣體通入可溶性硅酸鹽溶液中生成沉淀5．Ca3SiO5是硅酸鹽水泥的重要成分之一，其相關(guān)性質(zhì)的說法不正確的是（）A．可發(fā)生反應(yīng)：Ca3SiO5＋4NH4Cleq\o(=,\s\up7(△))CaSiO3＋2CaCl2＋4NH3↑＋2H2OB．具有吸水性，須要密封保存C．能與SO2反應(yīng)生成新鹽D．與足量鹽酸作用，所得固體產(chǎn)物主要為SiO26．常溫下，下列各組物質(zhì)不發(fā)生反應(yīng)的是（）①硅與NaOH溶液②硅與鹽酸③硅與氫氟酸④二氧化硅與碳酸鈉⑤二氧化硅與NaOH溶液⑥二氧化硅與濃硝酸A．①②④B．③④⑥C．②⑤⑥D(zhuǎn)．②④⑥7．中華優(yōu)秀傳統(tǒng)文化涉及許多的化學(xué)學(xué)問。下列有關(guān)說法不正確的是（）A．“自古書契多編以竹簡，其用縑帛者（絲質(zhì)品）謂之為紙”，這里的紙主要成分為纖維素B.中國藍(lán)是古代人工合成的藍(lán)色化合物，其化學(xué)式為BaCuSi4O10，可改寫成BaO·CuO·4SiO2C．東漢魏伯陽在《周易參同契》中對汞的描述：“……得火則飛，不見埃塵，將欲制之，黃芽為根?！边@里的黃芽是指硫D．《天工開物》記載：“凡埏泥造瓦，掘地二尺余，擇取無沙黏土而為之”。這里的瓦屬于傳統(tǒng)無機(jī)非金屬材料，主要成分為硅酸鹽8．由二氧化硅制高純硅的流程如圖，下列推斷中錯(cuò)誤的是（）A．①②③均屬于氧化還原反應(yīng)B．氫氣和氯化氫均可循環(huán)利用C．二氧化硅是一種堅(jiān)硬難熔的固體D．三氯甲硅烷（SiHCl3）摩爾質(zhì)量為135.5g9．高純度晶體硅是典型的無機(jī)非金屬材料，又稱“半導(dǎo)體”材料，它的發(fā)覺和運(yùn)用曾引起計(jì)算機(jī)的一場“革命”。它可以按下列方法制備：SiO2eq\o(→,\s\up7(①C),\s\do5(高溫))Si（粗）eq\o(→,\s\up7(②HCl),\s\do5(300℃))SiHCl3eq\o(→,\s\up7(③過量H2),\s\do5(1000～1100℃))Si（純）下列說法正確的是（）A．步驟①的化學(xué)方程式為SiO2＋Ceq\o(=,\s\up7(高溫))Si＋CO2B.步驟①②③中每生成或反應(yīng)1molSi，轉(zhuǎn)移4mol電子C．硅和二氧化硅不能與任何酸反應(yīng)D．SiHCl3（沸點(diǎn)為33.0℃）中含有少量的SiCl4（沸點(diǎn)為67.6℃），通過蒸餾（或分餾）可提純SiHCl3二、選擇題（每小題有1個(gè)或2個(gè)選項(xiàng)符合題意）10．科學(xué)家開發(fā)出一種低成本光伏材料——蜂窩狀石墨烯。生產(chǎn)原理是Na2O＋2COeq\o(=,\s\up7(肯定條件))Na2CO3＋C（石墨烯），然后除去Na2CO3，即可制得蜂窩狀石墨烯。下列說法不正確的是（）A.石墨烯與金剛石互為同素異形體B．Na2O屬于堿性氧化物，CO屬于酸性氧化物C.上述生產(chǎn)石墨烯的反應(yīng)屬于復(fù)分解反應(yīng)D．上述生產(chǎn)石墨烯的反應(yīng)屬于氧化還原反應(yīng)11．試驗(yàn)室用H2還原SiHCl3（沸點(diǎn)：31.85℃）制備高純硅的裝置如圖所示（夾持裝置和尾氣處理裝置略去），下列說法正確的是（）A．裝置Ⅱ、Ⅲ中依次盛裝的是濃硫酸、冰水B．試驗(yàn)時(shí)，應(yīng)先打開活塞K，再加熱管式爐C．為鑒定制得的硅中是否含有微量鐵單質(zhì)，須要用到的試劑為鹽酸、雙氧水、KSCN溶液D.該試驗(yàn)中制備氫氣的裝置也可用于飽和食鹽水與電石反應(yīng)制備乙炔12．多晶硅是單質(zhì)硅的一種形態(tài)，是制造硅拋光片、太陽能電池及高純硅制品的主要原料。已知多晶硅第三代工業(yè)制取流程如圖所示。下列說法錯(cuò)誤的是（）A．Y、Z分別為H2、Cl2B．制取粗硅過程可能發(fā)生反應(yīng)：SiO2＋3Ceq\o(=,\s\up7(高溫))SiC＋2CO↑C．提純SiHCl3可采納萃取、分液的方法D．SiHCl3和SiCl4形成的晶體均為分子晶體三、非選擇題13．光纖通訊是光導(dǎo)纖維傳送信號(hào)的一種通訊手段，合成光導(dǎo)纖維及氮化硅（一種無機(jī)涂層）的工藝流程如下：回答下列問題。（1）反應(yīng)Ⅰ的化學(xué)方程式為，氧化劑為（填化學(xué)式）。（2）經(jīng)反應(yīng)Ⅱ所得的四氯化硅粗品中所含的物質(zhì)如下：組分名稱SiCl4SiHCl3SiH2Cl2HClBCl3PCl3質(zhì)量分?jǐn)?shù)0.5450.4050.04620.00030.001930.00157沸點(diǎn)/℃57.631.88.2－8512.575.5圖中“操作X”的名稱為；PCl3的電子式為。（3）反應(yīng)Ⅲ和Ⅳ中尾氣的用途為；反應(yīng)Ⅳ的化學(xué)方程式為________________________________________________________________________________________________________________________________________________。14．二氯二氫硅（SiH2Cl2）常用于外延法工藝中重要的硅源。二氯二氫硅易燃、有毒、與水接觸易水解，沸點(diǎn)為8.2℃。在銅催化作用下，HCl與硅在250～260℃反應(yīng)可以制得SiH2Cl2。（1）以濃硫酸、濃鹽酸為原料，選用A裝置制取HCl，利用了濃硫酸的性。（2）D裝置中生成二氯二氫硅的化學(xué)方程式為________________________________________________________________________________________________________________________________________________。（3）依據(jù)氣體從左到右的方向制取SiH2Cl2的裝置（h處用止水夾夾好）連接次序?yàn)閍→（）→（）→（）→（）→（）→（）→（）（填儀器接口的字母，其中裝置C用到2次）。（4）按從左到右的依次，前面裝置C中裝的藥品為，后面裝置C的作用為________________________________________________________________________________________________________________________________________________。（5）反應(yīng)除生成二氯二氫硅之外，還會(huì)生成H2和、等。（6）制取SiH2Cl2的新方案：往硅粉中先通入Cl2，在300～350℃反應(yīng)生成SiCl4然后SiCl4再與HCl在250～260℃反應(yīng)，可以大大提高產(chǎn)率。假如通入氣體次序相反，結(jié)果會(huì)________________________________________________________________________________________________________________________________________________（用化學(xué)方程式表示）。課時(shí)作業(yè)13無機(jī)非金屬材料1．答案：A2．答案：A3．答案：B4．解析：酸性強(qiáng)弱與水溶性沒有關(guān)系，則無法據(jù)此比較酸性強(qiáng)弱，故A錯(cuò)誤；CO2通入可溶性硅酸鹽中析出硅酸沉淀，反應(yīng)方程式是Na2SiO3＋H2O＋CO2=Na2CO3＋H2SiO3↓，反應(yīng)原理是強(qiáng)酸制弱酸，說明碳酸比硅酸酸性強(qiáng)，故B正確；比較強(qiáng)酸制取弱酸是在溶液中進(jìn)行的反應(yīng)，則在高溫下固體之間的反應(yīng)不能比較酸性強(qiáng)弱，故C錯(cuò)誤；HCl通入可溶性碳酸鹽溶液中放出氣體，其氣體通入可溶性硅酸鹽溶液中生成沉淀，依據(jù)強(qiáng)酸制弱酸，只能說明鹽酸的酸性比碳酸強(qiáng)對鹽酸易揮發(fā)，可溶性硅酸鹽溶液中生成沉淀，可能為鹽酸與硅酸鹽的反應(yīng)，無法確定碳酸與硅酸酸性的強(qiáng)弱，故D錯(cuò)誤。答案：B5．解析：加熱時(shí)氯化銨分解生成HCl和氨氣，HCl與Ca3SiO5反應(yīng)得到硅酸鈣、氯化鈣和水，A項(xiàng)正確；水泥吸水會(huì)變硬，需密封保存，B項(xiàng)正確；Ca3SiO5能與二氧化硫反應(yīng)得到亞硫酸鈣，C項(xiàng)正確；由分析可知，Ca3SiO5與足量鹽酸反應(yīng)得到H2SiO3沉淀，D項(xiàng)錯(cuò)誤。答案：D6．解析：常溫下，能發(fā)生反應(yīng)①Si＋2NaOH＋H2O=Na2SiO3＋2H2↑，③Si＋4HF=SiF4↑＋2H2↑，⑤SiO2＋2NaOH=Na2SiO3＋H2O。答案：D7．解析：“自古書契多編以竹簡，其用縑帛者謂之為紙”，縑帛是絲織品，蠶絲的主要成分是蛋白質(zhì)，故A錯(cuò)誤；硅酸鹽改寫成氧化物形式時(shí)：活潑的金屬氧化物寫在前面，再寫SiO2，含氫元素的H2O寫在最終，所以BaCuSi4O10用氧化物形式表示：BaO·CuO·4SiO2，故B正確；液態(tài)的金屬汞，受熱易變成汞蒸氣，汞屬于重金屬，能使蛋白質(zhì)變性，屬于有毒物質(zhì)，但常溫下，能和硫反應(yīng)生成硫化汞，從而防止其變成汞蒸氣，黃芽指呈淡黃色的硫黃，故C正確；擇取無沙黏土而為之得到“瓦”，是傳統(tǒng)無機(jī)非金屬材料，主要成分為硅酸鹽，故D正確。答案：A8．解析：①②③反應(yīng)前后元素化合價(jià)發(fā)生變更，故①②③發(fā)生的反應(yīng)均是氧化還原反應(yīng)，A正確；由二氧化硅制高純硅的流程圖中反應(yīng)過程中生成氫氣和氯化氫，同時(shí)氯化氫和氫氣也作為反應(yīng)物參加化學(xué)反應(yīng)，故氫氣和氯化氫均可循環(huán)利用，B正確；二氧化硅熔點(diǎn)比較高，硬度比較大，C正確；三氯甲硅烷（SiHCl3）摩爾質(zhì)量為135.5g·mol－1，D錯(cuò)誤。答案：D9．解析：A項(xiàng)，步驟①的化學(xué)方程式為SiO2＋2Ceq\o(=,\s\up7(高溫))Si＋2CO↑，錯(cuò)誤；B項(xiàng)，步驟①中每生成1molSi轉(zhuǎn)移4mol電子，步驟②③中每生成或反應(yīng)1molSi，轉(zhuǎn)移2mol電子，錯(cuò)誤；C項(xiàng)，硅和二氧化硅都能與氫氟酸反應(yīng)，錯(cuò)誤；D項(xiàng)，SiHCl3和SiCl4的沸點(diǎn)相差較大，可通過蒸餾（或分餾）提純SiHCl3，正確。答案：D10．解析：石墨烯與金剛石為同種元素即碳元素形成的不同單質(zhì)，互為同素異形體，A正確。和酸反應(yīng)只生成一種鹽和水的氧化物為堿性氧化物，故氧化鈉是堿性氧化物；CO與堿、水等不反應(yīng)，為不成鹽氧化物，B錯(cuò)誤。生產(chǎn)原理是Na2O＋2COeq\o(=,\s\up7(肯定條件))Na2CO3＋C（石墨烯），反應(yīng)中C元素化合價(jià)發(fā)生變更，屬于氧化還原反應(yīng)，C錯(cuò)誤，D正確。答案：BC11．答案：BC12．解析：電解飽和食鹽水得到氫氣、氯氣和氫氧化鈉，其中H2在Cl2中燃燒，而Y具有還原性，所以Y、Z分別為H2、Cl2，故A正確；SiO2＋3Ceq\o(=,\s\up7(高溫))SiC＋2CO↑中，C元素的化合價(jià)由0上升為＋2價(jià)，C元素的化合價(jià)由0降低為－4價(jià)，符合氧化還原反應(yīng)規(guī)律，可能發(fā)生，故B正確；三氯硅烷與四氯硅烷沸點(diǎn)不同，利用沸點(diǎn)的不同提純SiHCl3屬于蒸餾，故C錯(cuò)誤；SiHCl3和SiCl4都是分子晶體，故D正確。答案：C13．解析：（1）反應(yīng)Ⅰ是焦炭還原SiO2，化學(xué)方程式為SiO2＋2Ceq\o(=,\s\up7(高溫))Si＋2CO↑；氧化劑是所含元素化合價(jià)降低的物質(zhì)，依據(jù)反應(yīng)方程式可知，二氧化硅中硅的化合價(jià)由＋4價(jià)→0價(jià)，即SiO2是氧化劑。（2）依據(jù)表格數(shù)據(jù)，除HCl、BCl3和SiH2Cl2常溫下是氣體外，其余為液體，因此采納精餾（或蒸餾）的方法得到SiCl4，PCl3是共價(jià)化合物，最外層都滿意8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，其電子式為∶（3）反應(yīng)Ⅲ中得到的物質(zhì)為SiO2和HCl，尾氣是HCl，反應(yīng)Ⅳ中發(fā)生的反應(yīng)是3SiCl4＋4NH3eq\o(=,\s\up7(1400℃))Si3N4＋12HCl，尾氣是HCl，因此尾氣的用途是制備鹽酸。答案：（1）SiO2＋2Ceq\o(=,\s\up7(高溫))Si＋2CO↑SiO2（2）精餾（或蒸餾）（3）制備鹽酸（或其他合理答案）3SiCl4＋4NH3eq\o(=,\s\up7(1400℃))Si3N4＋12HCl14．解析：（1）濃硫酸有吸水性，使?jié)恹}酸更易揮發(fā)出HCl。（3）A裝置制取HCl，連接C裝置干燥，從f進(jìn)入D中反應(yīng)，SiH2Cl2從g處揮發(fā)出來，在B裝置中收集，SiH2Cl2的密度比空氣大，導(dǎo)氣管應(yīng)進(jìn)步短出，為防止空氣中的水進(jìn)入B中，則應(yīng)在B后接干燥管。（4）前面的裝置C是用來干燥氯化氫氣體的，應(yīng)選用P2O5或C