SiC MOSFET 高壓高溫高濕反偏試驗(yàn)方法-征求意見(jiàn)稿

1碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（SiCMOSFETs）高溫高濕反偏試驗(yàn)方法本文件描述了碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（SiCMOSFETs）高溫高濕反偏試驗(yàn)方法，包GB/T4586-1994半導(dǎo)體器件分立器件第8部分場(chǎng)效應(yīng)GB/T4937.23-2023半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第23部分：高溫工作壽命T/CASAS002-2021寬禁帶半導(dǎo)體T/CASAS006-2020碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管通用技術(shù)規(guī)范GB/T4586-1994、T/CASAS006-2020、T3.1柵-源電壓gate-sourcevo3.2漏-源電壓drain-source3.3IGSS漏極-源極短路時(shí)，柵極-源極電壓VGS達(dá)到最大的條件下對(duì)應(yīng)的最大值。3.4IDSS3.5柵-源閾值電壓gate-sourcethresholdvo3.6漏-源通態(tài)電阻drain-sourceon-statere在規(guī)定的柵極電壓、溫度且忽略內(nèi)部耗散條件下的最3.73.8漏-源擊穿電壓breakdown3.9Ta3.10Tc3.11Ts3.12Tj3.13虛擬結(jié)溫virtualjunctiontemperature,通常來(lái)說(shuō)，功率半導(dǎo)體的結(jié)溫是沒(méi)有辦法直接測(cè)量到的，但是可以通過(guò)電學(xué)性能間接測(cè)量（例如MOSFET通過(guò)體二極管的正向電壓測(cè)量）。因此，TvSiCMOSFET器件高于高溫高濕反偏試驗(yàn)裝置應(yīng)能夠提供合適的SiCMOSFET偏置電壓a)功率偏置單元（電源）。功率偏置單元（電3SiCMOSFET功率半導(dǎo)體分立功率器件或功率模塊結(jié)構(gòu)的薄弱點(diǎn)。非氣密封裝的功率器件隨著時(shí)間薄弱點(diǎn)會(huì)受到不同程度的影響。污染物也可以通過(guò)濕度封裝工藝和材料的熱膨脹系數(shù)（CTE）也會(huì)對(duì)鈍化完整性產(chǎn)生重大影5.2測(cè)試b)最初測(cè)試：在測(cè)試開(kāi)始之前，進(jìn)行器件的電特性參數(shù)測(cè)試及記錄，包括但不限于IDSSf)冷卻：在去掉偏置前，處于高溫應(yīng)力下的器件應(yīng)冷卻至55℃或更低溫度。對(duì)于規(guī)g)最終測(cè)試：在測(cè)試完成之后，進(jìn)行器件的電特性參數(shù)測(cè)試及記錄，值漏極-源極電壓VDS柵極-源極電壓VGSa如果不能保證在VGS=0V時(shí)完全關(guān)斷，則必須采用數(shù)據(jù)表中推薦的最小靜態(tài)VGS.min。IDSS等器件的電特性參數(shù)在初始值的基礎(chǔ)上，加上包括DUT在內(nèi)的測(cè)量裝置的噪聲水平（在室溫a)樣品名稱及數(shù)量；b)加熱期間的試驗(yàn)偏置條件；h)其他必要的項(xiàng)目。5A.1SiCMOSFET器件高壓高求偏置電壓VDS：偏置電壓VGS：…IDSSIGSSrDS(on)VGS(th)V(BR)DSSIDSSIGSSrDS(on)VGS(th)V(BR)DSS1□2□3□…□[3]T/CASAS006-2020碳化硅金屬氧化物[11]