DL∕T 846.6-2018 高電壓測(cè)試設(shè)備通 用技術(shù)條件 第6部分：六氟化硫氣體檢漏儀

備案號(hào)：68911-2019高電壓測(cè)試設(shè)備通用技術(shù)條件第6部分：六氟化硫氣體檢漏儀2018-12-25發(fā)布2019-05-01實(shí)施國家能源局發(fā)布I 12規(guī)范性引用文件 13術(shù)語和定義 14產(chǎn)品分類 25技術(shù)要求 26試驗(yàn)方法 47檢驗(yàn)規(guī)則 78標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、貯存 89供貨成套性 8附錄A(資料性附錄)檢漏儀檢測(cè)原理 9Ⅱ本部分為DL/T846的第6部分。DL/T846的本部分按照GB/T1.1—2009《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分：標(biāo)準(zhǔn)的結(jié)構(gòu)和編寫》給出本部分代替DL/T846.6—2004《高電壓測(cè)試儀器通用技術(shù)條件第6部分：六氟化硫氣體檢漏——增加了術(shù)語和定義(見第3章);——對(duì)產(chǎn)品分類的內(nèi)容進(jìn)行了調(diào)整(見2004年版第3章、第4章);1高電壓測(cè)試設(shè)備通用技術(shù)條件第6部分：本部分規(guī)定了六氟化硫氣體檢漏儀(以下簡(jiǎn)稱檢漏儀)的技術(shù)要求，試驗(yàn)方法，檢驗(yàn)規(guī)則，包電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)靜電放電抗擾度試驗(yàn)電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)射頻電磁場(chǎng)輻射抗擾度試驗(yàn)電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)電快速瞬變脈沖群抗擾度試驗(yàn)電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)浪涌(沖擊)抗擾度試驗(yàn)電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)射頻場(chǎng)感應(yīng)的傳導(dǎo)騷擾抗擾度電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)工頻磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)GB/T18268.1測(cè)量、控制和實(shí)驗(yàn)室用的電設(shè)備電磁兼容性要求第1部分：通用要求21)電源電壓：220V(1±10%)。2)電源頻率：50Hz(1±2%)。3b)最小檢測(cè)限(泄漏量):不大于1μL/s。a)最小檢測(cè)限(濃度):不大于1μL/L。c)重復(fù)性：不大于3%。e)最小檢測(cè)限(濃度):不大于1μL/L。d)浪涌(沖擊)抗擾度滿足GB/T17626.5嚴(yán)酷等級(jí)2的要求；4123交流耐壓測(cè)試儀40.2MQ～500MQ,500V,準(zhǔn)確度等級(jí)優(yōu)于10級(jí)5分度值不大于0.1s65設(shè)置標(biāo)準(zhǔn)溫差黑體(△T=2K),目標(biāo)圖像占全視場(chǎng)1/10以上，分別測(cè)量信號(hào)及噪聲電壓，按式(1)計(jì)算，結(jié)果應(yīng)符合5.5.1a)的要求?！鱐——設(shè)定溫差，單位為開爾文(K);N——均方根噪聲電平，單位為伏(V)。將標(biāo)準(zhǔn)泄漏源泄漏量或等效泄漏量設(shè)定在0.06mL/min,檢漏儀距離標(biāo)準(zhǔn)泄漏源距離d為3m(±0.1m),如圖1所示。啟動(dòng)檢漏儀，調(diào)節(jié)焦距并可清晰成像，錄像1min,然后調(diào)出保存的錄將標(biāo)準(zhǔn)泄漏源泄漏量或等效泄漏量設(shè)定在0.06mL/min,調(diào)整檢漏儀和標(biāo)準(zhǔn)泄漏源的距離，如0.5、1、3、5、10、20m等，啟動(dòng)檢漏儀，調(diào)節(jié)焦距清晰成像，錄像1min,然后調(diào)出保存的錄像，記錄錄像中六氟化硫氣體的發(fā)散情況，其中清晰可見的最小距離即為最小檢測(cè)距離，最小檢測(cè)距離應(yīng)符合在滿足檢出限的要求下，每間隔1h將六氟化硫泄漏源放回至檢漏儀3m(±0.1m)處，重新調(diào)節(jié)焦距并可清晰成像，持續(xù)錄像1min,連續(xù)工作4h,然后調(diào)出保存錄像，所有錄像中六氟化硫氣體發(fā)散67檢漏儀按GB/T17626.11的規(guī)定和方法進(jìn)行，嚴(yán)酷等級(jí)為60%UT,持續(xù)時(shí)間10個(gè)周波，試驗(yàn)對(duì)象型式試驗(yàn)出廠試驗(yàn)1見5.2見6.32見5.33電氣安全性能見6.54見5.58表2(續(xù))型式試驗(yàn)出廠試驗(yàn)50見6.76電磁兼容0見5.7見6.87☆見5.89檢漏儀檢測(cè)原理氣氣紫外電離檢漏儀利用紫外線將檢測(cè)氣體中的氧氣和六氟化硫離子化，離子遷移速度和電子吸收能力不同，導(dǎo)致電流的相位變化，通過相位的變化檢測(cè)六氟化硫的含量。紫外電離檢測(cè)器的原理如圖A.2所示。圖A.2紫外電離原理圖電子捕獲ECD型檢漏儀，利用放射源Ni63或氚放射源的離子化檢測(cè)器，使載氣電離形成基流，當(dāng)電負(fù)性氣體存在時(shí)，捕捉電子，基流減小，根據(jù)基流變化檢測(cè)六氟化硫等氣體的濃度。ECD的常用結(jié)構(gòu)如圖A.3所示。A.5局部真空電離(NIC)型檢漏儀局部真空電離NIC型檢漏儀通過調(diào)節(jié)進(jìn)氣量和抽氣泵的速率，在電離腔內(nèi)產(chǎn)生一定的真空，高頻電場(chǎng)和磁場(chǎng)共同作用于電離腔內(nèi)的稀薄氣體，產(chǎn)生高頻無極電離，六氟化硫等電負(fù)性氣體俘獲電離產(chǎn)光聲光譜檢漏儀基于六氟化硫氣體紅外吸收特性和光聲光譜原理，對(duì)六氟化硫氣體的濃度進(jìn)行檢紅外定量檢漏儀基于六氟化硫氣體紅外吸收特性和朗伯-比爾