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L712017-11-15發(fā)布2018-03-01實施國家能源局發(fā)布I前言 Ⅱ1范圍 2規(guī)范性引用文件 3術(shù)語和定義 25電子數(shù)據(jù)恢復(fù) 2 3附錄A(規(guī)范性附錄)電子數(shù)據(jù)恢復(fù)設(shè)備技術(shù)要求 附錄B(規(guī)范性附錄)電子數(shù)據(jù)擦除、銷毀設(shè)備技術(shù)要求 9Ⅱ本標(biāo)準(zhǔn)在執(zhí)行過程中的意見或建議反饋至中國電力企業(yè)聯(lián)合會標(biāo)準(zhǔn)化管理中心(北京市白廣路二1DL/T1757—2017電子數(shù)據(jù)恢復(fù)和銷毀技術(shù)要求下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的。件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改單)適用于本文件。GB/T31500—2015信息安全技術(shù)存儲介質(zhì)數(shù)據(jù)恢復(fù)服務(wù)要求[GB/T31500—2015,定義3.1]3.2承載電子數(shù)據(jù)的各類載體或設(shè)備,包括但不限于計算機硬盤、磁帶、軟盤、光盤、各種形式的存3.3[GB/T31500—2015,定義3.3]3.4源盤sourcedisk需要進行數(shù)據(jù)恢復(fù)的存儲介質(zhì),包括但不限于各種能夠存儲電子數(shù)據(jù)的硬盤、磁帶、軟盤、光3.53.62兩張圖片展示相同的文字信息,雖然其數(shù)據(jù)并非逐比特一致,但如果檢測鑒定結(jié)檢測用例inspectioncase4預(yù)處理3DL/T1757—20176.1.2對存有普通辦公文檔的電子數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)擦除次數(shù)宜為3次。填充字符應(yīng)是兩位十六進制字符,第一次可使用AAH(10101010B),第二次可使用55H(01010101B),第三次可使用隨機數(shù)。6.1.3對存有普通商密文檔的電子數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)擦除次數(shù)宜為6次。填充字符應(yīng)是兩位十六進制字符,第一次可使用00H(00000000B),第二次可使用FFH(11111111B),第三至五次可使用隨機數(shù),6.1.4對存有核心商密文檔的電子數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)擦除次數(shù)宜為9次。填充字符應(yīng)是兩位十六進制字符,第一次可使用00H(00000000B),第二次可使用FFH(11111111B),第三至八次可使用隨機數(shù),表1磁介質(zhì)一級銷毀技術(shù)要求存儲介質(zhì)類型銷毀方法技術(shù)要求硬磁盤強磁場消磁應(yīng)放置在強磁場中,且覆蓋存儲介質(zhì)的有效消磁區(qū)內(nèi)的磁場強度應(yīng)高于0.85T熔化存儲介質(zhì)應(yīng)熔化成為液體狀軟磁盤強磁場消磁應(yīng)放置在強磁場中,且覆蓋存儲介質(zhì)的有效消磁區(qū)內(nèi)的磁場強度應(yīng)高于0.85T焚化記錄信息的盤片應(yīng)完全燒毀溶解記錄信息的盤片應(yīng)完全溶解磁帶強磁場消磁應(yīng)放置在強磁場中,且覆蓋存儲介質(zhì)的有效消磁區(qū)內(nèi)的磁場強度應(yīng)高于0.85T4DL/T1757—2017表1(續(xù))存儲介質(zhì)類型銷毀方法技術(shù)要求磁帶焚化記錄信息的帶基應(yīng)完全燒毀溶解記錄信息的帶基應(yīng)完全溶解存儲介質(zhì)類型銷毀方法技術(shù)要求硬磁盤、軟磁盤切割顆粒任意兩點間的長度應(yīng)不大于31mm磁帶寬度應(yīng)不大于6mm,長度不限表3,二級銷毀技術(shù)要求見表4。表3光盤一級銷毀技術(shù)要求存儲介質(zhì)類型銷毀方法技術(shù)要求說明CD光盤熔融應(yīng)全部軟化整體熔化應(yīng)熔化成為液體狀—打磨光盤存儲層應(yīng)被刮掉0.2mm適用于只有一層存儲層的CD光盤,從光盤上表面(具有印刷圖標(biāo)的一面)開始往下打磨,被打磨刮掉的部分成粉末粉碎顆粒任意兩點間的長度應(yīng)不大于—溶解有機染料層應(yīng)完全溶解性刻錄光盤(CD—R)光盤片基應(yīng)完全溶解只讀CD光盤(CD—ROM)應(yīng)完全溶解適用于所有CD光盤DVD光盤熔融應(yīng)全部軟化整體熔化應(yīng)熔化成為液體狀溶解光盤片基應(yīng)完全溶解只讀DVD光盤應(yīng)完全溶解適用于所有DVD光盤表4光盤二級銷毀技術(shù)要求存儲介質(zhì)類型銷毀方法技術(shù)要求CD光盤、DVD光盤切割寬度應(yīng)不大于6mm,長度不限壓軋在光盤表面形成的隨機朝向的壓軋顆粒:長度應(yīng)不大于3mm、面積應(yīng)不大于9mm2、凸進上表面應(yīng)不大于0.2mm,破壞光盤的同心度,使偏差應(yīng)至少達(dá)到最大直徑的10%5DL/T1757—2017求見表6。存儲介質(zhì)類型銷毀方法技術(shù)要求半導(dǎo)體介質(zhì)粉碎存儲芯片應(yīng)粉碎成粉末,粉末任意兩點間的長度應(yīng)不大于0.12mm熔化應(yīng)熔化成為液體狀存儲介質(zhì)類型銷毀方法技術(shù)要求半導(dǎo)體介質(zhì)切割寬度應(yīng)不大于6mm,長度不限6DL/T1757—2017(規(guī)范性附錄)A.1.2功能要求a)當(dāng)設(shè)備有SATA硬盤、SAS硬盤、USB硬盤、IDE硬盤、SCSI硬盤等接口,或單項或者多項制作的檢測用例,數(shù)據(jù)恢復(fù)成功率應(yīng)不低于80%;例,數(shù)據(jù)恢復(fù)成功率應(yīng)不低于60%;據(jù)恢復(fù)成功率應(yīng)不低于40%;A.2.1檢測環(huán)境a)溫度18℃~28℃;7DL/T1757—2017b)濕度35%~75%;d)絕緣體的靜電電位不大于1kV。通道接口類型速度要求USB2.0應(yīng)不低于0.4GB/minUSB3.0應(yīng)不低于1.5GB/min應(yīng)不低于1.5GB/min應(yīng)不低于0.3GB/min應(yīng)不低于3.2GB/minSATA機械硬盤應(yīng)不低于2.0GB/minSATA固態(tài)硬盤應(yīng)不低于7.0GB/mina)準(zhǔn)備不低于存儲介質(zhì)標(biāo)稱容量50%的電子數(shù)據(jù),分別導(dǎo)入存儲介質(zhì)A和存儲介質(zhì)B中;1)修改文件的后綴名;2)利用操作系統(tǒng)刪除文件;3)格式化存儲分區(qū);4)使用二進制數(shù)據(jù)編輯軟件修改磁盤分區(qū)信息;5)使用二進制數(shù)據(jù)編輯軟件修改文件系統(tǒng)信息;6)使用二進制數(shù)據(jù)編輯軟件修改文件簽名;7)使用二進制數(shù)據(jù)編輯軟件修改文件內(nèi)容。d)修改、刪除數(shù)據(jù)不低于標(biāo)稱容量的20%;f)通過檢測工具對存儲介質(zhì)A和存儲介質(zhì)B進行比對,確認(rèn)存儲介質(zhì)A已經(jīng)發(fā)生數(shù)據(jù)丟失的情A.2.3數(shù)據(jù)恢復(fù)A.2.4結(jié)果驗證應(yīng)使用檢測工具比對存儲介質(zhì)A和存儲介質(zhì)B,并依據(jù)A.2.2.2e)的記錄,統(tǒng)計丟失數(shù)據(jù)被恢復(fù)8DL/T1757—2017的情況?;謴?fù)出來的數(shù)據(jù)與丟失的數(shù)據(jù)含義一致,即可認(rèn)為恢復(fù)成功。數(shù)據(jù)恢復(fù)成功率應(yīng)按式(A.1)進行計算。式中:p——數(shù)據(jù)恢復(fù)成功率;k——成功恢復(fù)的數(shù)據(jù)容量,KB;n——成功恢復(fù)的文件個數(shù);m——待恢復(fù)的文件個數(shù)。若檢測結(jié)果符合A.1.2和A.1.3的相關(guān)要求,本次檢測通過,否則檢測不通過。9DL/T1757—2017(規(guī)范性附錄)B.1.1基本要求a)當(dāng)設(shè)備有SATA硬盤、SAS硬盤、USB硬盤、IDE硬盤、SCSI硬盤等MS/SD/MMC、XD/SM、CF等擴展卡接口時,設(shè)備應(yīng)自動識別出介質(zhì)的類型、容量、序列B.1.2.2性能要求通道接口類型速度要求USB2.0應(yīng)不低于0.4GB/minUSB3.0應(yīng)不低于1.5GB/min應(yīng)不低于1.5GB/min應(yīng)不低于0.3GB/min應(yīng)不低于3.2GB/minSATA機械硬盤應(yīng)不低于2.0GB/minSATA固態(tài)硬盤應(yīng)不低于7.0GB/minDL/T1757—2017使用本標(biāo)準(zhǔn)6.2中提及的數(shù)據(jù)銷毀方法對介質(zhì)進行銷毀的設(shè)備B.2.1檢測環(huán)境a)溫度18℃~28℃;b)濕度35%~75%;d)絕緣體的靜電電位不大于1kV。B.2.
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