(高清版)GB∕T 38621-2020 發(fā)光二極管模塊熱特性瞬態(tài)測試方法

2020-04-28發(fā)布2020-11-01實施國家市場監(jiān)督管理總局國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會 I 2 2 3 48測試報告 5附錄A(資料性附錄)相關(guān)測試結(jié)果分析示例 6附錄B(規(guī)范性附錄)相對熱特性瞬態(tài)測試方法 8 I1發(fā)光二極管模塊熱特性瞬態(tài)測試方法下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的。凡是注日期的引LED模塊LEDmodule一個或多個LED芯片或器件組成的發(fā)光單元。熱功率heatpowerPh2a)環(huán)境溫度：15℃~35℃;b)相對濕度：20%～80%;3數(shù)k;電壓/V電壓/V4時間/s7.1熱阻熱容模型及結(jié)構(gòu)函數(shù)當(dāng)熱功率施加到LED模塊上，不僅具有熱阻R?h,而且也包含熱容Cm,會有一個溫度響應(yīng)時間T(t)=Pa·Rh·[1-exp(-t/t)]5數(shù)則會以拐點等形式分割開來。越靠近縱軸代表參見附錄A。7.2不同界面相對熱特性瞬態(tài)測試8測試報告a)測試人員；6(資料性附錄)相關(guān)測試結(jié)果分析示例熱容/(Ws/K)熱容/(Ws/K)最終可以獲得該LED模塊的總熱阻為14.4K/W。7微分熱容/(W2s/K2)微分熱容/(W2s/K2)8(規(guī)范性附錄)相對熱特性瞬態(tài)測試方法采用不同界面相對熱特性瞬態(tài)測試方法，將更加有利于分辨出不同熱特性的變化。根據(jù)公式(2),B(z)=In[b(z)]以中功率LED模塊為例，利用相對熱特性瞬態(tài)測試分析有無導(dǎo)熱硅脂的情況。首先，按第6章對具有不同接觸界面的LED模塊進(jìn)行瞬態(tài)熱特性測試。第一次測量時可以在冷板和待測模塊之間不放置任何熱界面材料。第二次測量在界面處放置一層導(dǎo)熱硅脂，如圖B.1所示。50圖B.1有無導(dǎo)熱硅脂的LED模塊瞬態(tài)溫度變化曲線9熱阻/(K/W)圖B.2有無導(dǎo)熱硅脂的LED模塊微分結(jié)構(gòu)函數(shù)曲線圖B.3顯示了有無導(dǎo)熱硅脂的LED模塊雙界面相對瞬態(tài)熱特性分析曲線。其中，雙峰分別對應(yīng)芯片與銅柱之間的粘結(jié)層以及器件與鋁基板之間的界面材料?？梢钥闯鲇袩o導(dǎo)熱硅脂的LED模塊在相對熱特性曲線中的第二個峰的區(qū)域顯示出明顯的差異。無導(dǎo)熱硅脂有導(dǎo)熱硅脂時間/s圖B.3有無導(dǎo)熱硅脂的LED模塊雙界面相對瞬態(tài)熱特性分析曲線[1]EIA/JESD51-1Integratedcircuitsthermalmeasuremen[2]EIA/JESD51-14Transientdualinterfacetestresistancejunction-to-caseofsemiconductordeviceswithheatflowthroughasinglep[3]JESD51-51Implementationoftheelectricaltestmethodforthemeasurementofrealthemalresistanceandimpedanceoflight-emitting[4]Transientthermalanalysisasmeasurement