半導(dǎo)體材料摻雜用擴(kuò)散膜編制說(shuō)明

行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)《半導(dǎo)體材料摻雜用擴(kuò)散膜》編制說(shuō)明（討論稿）一、工作簡(jiǎn)況1、立項(xiàng)目的和意義半導(dǎo)體擴(kuò)散工藝是一種摻雜技術(shù)，它是將所需雜質(zhì)按要求的濃度與分布摻入到半導(dǎo)體材料中，以達(dá)到改變材料電學(xué)性能，形成半導(dǎo)體器件的目的。傳統(tǒng)的擴(kuò)散工藝一般是使用傳統(tǒng)化學(xué)品，后來(lái)發(fā)展出片擴(kuò)散技術(shù)，僅德國(guó)、美國(guó)公司控制片擴(kuò)散工藝技術(shù)，后又發(fā)展出膜擴(kuò)散技術(shù)，美國(guó)菲諾士公司掌握膜擴(kuò)散技術(shù)20多年，對(duì)我國(guó)進(jìn)行產(chǎn)期的技術(shù)封鎖?！笆奈濉币?guī)劃綱要的“第四章強(qiáng)化國(guó)家戰(zhàn)略科技力量”的“集成電路”領(lǐng)域明確提出核心電子器件、高端通用芯片等寬禁帶半導(dǎo)體的發(fā)展?！缎虏牧袭a(chǎn)業(yè)發(fā)展指南》中三、發(fā)展方向(二)中明確提及寬禁帶半導(dǎo)體材料；《新材料標(biāo)準(zhǔn)領(lǐng)航行動(dòng)計(jì)劃(2018-2020年)》中的“二(二)4先進(jìn)半導(dǎo)體材料”中“建立碳化硅、氮化鎵、氮化硼等第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料標(biāo)準(zhǔn)……”；《重點(diǎn)新材料首批次應(yīng)用示范指導(dǎo)目錄(2019版)》中“關(guān)鍵戰(zhàn)略材料”中“284碳化硅外延片、285碳化硅單晶襯底”。半導(dǎo)體材料摻雜用擴(kuò)散膜（以下簡(jiǎn)稱“擴(kuò)散膜”）的技術(shù)突破，對(duì)加快推進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展，轉(zhuǎn)變經(jīng)濟(jì)發(fā)展方式、保障國(guó)家安全、提升綜合國(guó)力具有重大戰(zhàn)略意義。擴(kuò)散膜屬于半導(dǎo)體芯片制造的重要原材料，是芯片內(nèi)部的結(jié)構(gòu)的重要組成部分，擴(kuò)散膜是芯片摻雜基礎(chǔ)材料是擴(kuò)散源的一種新型產(chǎn)品，來(lái)源于片狀源卻不同于片狀源。擴(kuò)散膜具有擴(kuò)散摻雜均勻度好，擴(kuò)散摻雜重復(fù)性好，擴(kuò)散特性容易控制，通過(guò)特定的工藝，把擴(kuò)散膜含有的雜質(zhì)原子擴(kuò)散進(jìn)入半導(dǎo)體材料的內(nèi)部，形成具有一定摻雜濃度和梯度的的半導(dǎo)體材料，在擴(kuò)散過(guò)程中，膜被分解和燃燒掉。相對(duì)于傳統(tǒng)的半導(dǎo)體擴(kuò)散材料，具有清潔環(huán)保、無(wú)毒，不易燃，不易爆，便于儲(chǔ)存、運(yùn)輸，并能有效提升芯片的特性，使用技術(shù)簡(jiǎn)單等優(yōu)勢(shì)。同時(shí)在超高濃度擴(kuò)散以及復(fù)合源擴(kuò)散方面有獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。特別適合于制造：超高壓器件、高均勻摻雜、復(fù)合源摻雜的工藝中。另外安全、環(huán)保方面非常突出，可以使用無(wú)毒無(wú)害的化學(xué)品作為擴(kuò)散膜?？煽匦院?、高均勻性是其應(yīng)用特性。目前，臺(tái)灣、日本超高壓器件芯片都在使用擴(kuò)散膜，擴(kuò)散膜在制造芯片的“技術(shù)參數(shù)優(yōu)越性”“芯片可靠性”方面有很大的優(yōu)勢(shì)，加之其安全和環(huán)保特性，會(huì)成為未來(lái)發(fā)展的主流方向。二極管芯片制造和市場(chǎng)上高端芯片都已經(jīng)使用擴(kuò)散膜。國(guó)內(nèi)擴(kuò)散膜的制備技術(shù)發(fā)展迅速，已實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)，具備了制定擴(kuò)散膜產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)的基礎(chǔ)。項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)突破了擴(kuò)散膜制造的設(shè)備、配方、制造工藝等多方的的限制，對(duì)膜狀源產(chǎn)品特性和應(yīng)用非常了解，滿足擴(kuò)散膜產(chǎn)品開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化的需求供應(yīng)?？梢酝耆娲绹?guó)菲諾士公司的產(chǎn)品，能較好的解決半導(dǎo)體材料“卡脖”的問(wèn)題。目前，安徽安芯電子科技股份有限公司、山東芯源微電子有限公司等掌握半導(dǎo)體擴(kuò)散膜制造的核心技術(shù)，可以完全替代美國(guó)菲諾士公司的產(chǎn)品。擴(kuò)散膜是芯片產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)材料，應(yīng)用非常廣泛，因此，制定《半導(dǎo)體材料摻雜用擴(kuò)散膜》行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，對(duì)我國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展具有重要意義，能較好的解決半導(dǎo)體材料“卡脖”的問(wèn)題。半導(dǎo)體擴(kuò)散膜市場(chǎng)需求旺盛，生產(chǎn)企業(yè)越來(lái)越多，但沒(méi)有相關(guān)產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)，產(chǎn)品質(zhì)量參差不齊，嚴(yán)重影響了產(chǎn)業(yè)健康發(fā)展。因此申請(qǐng)制定行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，規(guī)范和引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。2、任務(wù)來(lái)源2.1計(jì)劃來(lái)源及要求根據(jù)《工業(yè)和信息化部2023年第一批行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)制修訂和外文版項(xiàng)目計(jì)劃》（工信廳科〔2023〕18號(hào)）的要求，由安徽安芯電子科技股份有限公司，負(fù)責(zé)《半導(dǎo)體材料摻雜用擴(kuò)散膜》的編制，項(xiàng)目編號(hào)：2023-0082T-YS，要求2025年完成。本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)、全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)提出并歸口，全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)具體組織編制。3、主要參加單位和工作成員及其所做的工作3.2主要參加單位情況本項(xiàng)目主編單位安徽安芯電子科技股份有限公司成立于2012年10月,注冊(cè)資本3041.6954萬(wàn)元。占地面積100余畝、員工800余人,是一家集半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測(cè)試、半導(dǎo)體關(guān)鍵材料膜狀擴(kuò)散源于一體的綜合性半導(dǎo)體研發(fā)和制造企業(yè)。產(chǎn)品主要應(yīng)用于汽車電子、智能家居、5G通訊、LED照明、消費(fèi)類電子、智能電網(wǎng)、無(wú)人機(jī)、軍工等高端電源領(lǐng)域，大量產(chǎn)品均已實(shí)現(xiàn)進(jìn)口替代，是中國(guó)領(lǐng)先的半導(dǎo)體芯片及元器件制造商之一。公司已成功通過(guò)ISO/ITF16949:2009汽車行業(yè)質(zhì)量體系認(rèn)證和ISO14001:2004環(huán)境體系認(rèn)證，擁有兩個(gè)生產(chǎn)廠區(qū)，下核五個(gè)半導(dǎo)體制造工廠：兩個(gè)整流芯片及快恢復(fù)芯片制造工廠、一個(gè)TVS芯片制造工廠和兩個(gè)元器件封裝工廠。公司攻率二極管芯片產(chǎn)品主要為光阻法GPP芯片，產(chǎn)能在國(guó)內(nèi)排名第二，安徽省排名第一，填補(bǔ)了安徽省高可靠性半導(dǎo)體分立器件芯片制造的空白。其生產(chǎn)技術(shù)及品質(zhì)管理在半導(dǎo)體二極管領(lǐng)域處于領(lǐng)先水平，在技術(shù)創(chuàng)新和發(fā)展方向上引領(lǐng)GPP芯片行業(yè)潮流。安芯電子擁有安徽省第一批高科技人才團(tuán)隊(duì)，領(lǐng)軍人才汪良恩為國(guó)家首批“萬(wàn)人計(jì)劃”創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)人才。公司在創(chuàng)新發(fā)展過(guò)程中，成果轉(zhuǎn)化顯著。已獲得15項(xiàng)發(fā)明專利、90多項(xiàng)實(shí)用新型專利，公司建有“安徽省功率半導(dǎo)體分立器件工程試驗(yàn)室”和“安徽省功率半導(dǎo)體分立器件企業(yè)技術(shù)中心”等研發(fā)平臺(tái)，是國(guó)家專精特新重點(diǎn)“小巨人”企業(yè)，“國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)優(yōu)勢(shì)企業(yè)”，“國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)”，曾獲得“第四屆中國(guó)創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽”優(yōu)秀獎(jiǎng)、2020年安徽省科技進(jìn)步二等獎(jiǎng)、池州市質(zhì)量獎(jiǎng)、“安徽省名牌產(chǎn)品”等榮譽(yù)。標(biāo)準(zhǔn)編制單位安徽工匠質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)研究院有限公司，山東芯源微電子有限公司，合肥增財(cái)智能科技有限公司，在標(biāo)準(zhǔn)的編制過(guò)程中，能積極主動(dòng)收集國(guó)內(nèi)外的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)，到一些有代表性的企業(yè)進(jìn)行半導(dǎo)體材料摻雜用擴(kuò)散膜的生產(chǎn)和使用等方面的調(diào)研并收集現(xiàn)場(chǎng)實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)，根據(jù)了解的現(xiàn)場(chǎng)實(shí)際情況，編制實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)表，公司帶領(lǐng)編制組成員單位認(rèn)真細(xì)致修改標(biāo)準(zhǔn)文本，征求多家企業(yè)的修改意見(jiàn)，最終帶領(lǐng)編制組完成標(biāo)準(zhǔn)的編制工作。中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)，安徽大學(xué)參與標(biāo)準(zhǔn)編制，提出了寶貴意見(jiàn)，并對(duì)標(biāo)準(zhǔn)附錄中的試驗(yàn)方法進(jìn)行了復(fù)驗(yàn)。浙江中晶科技股份有限公司參與了標(biāo)準(zhǔn)編制，對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容提出了修改意見(jiàn)。4、主要工作過(guò)程4.1起草階段本項(xiàng)目在下達(dá)計(jì)劃之日起，標(biāo)準(zhǔn)編制組內(nèi)部于2023年5月27日召開了關(guān)于標(biāo)準(zhǔn)起草的工作會(huì)議，布置了標(biāo)準(zhǔn)起草的相關(guān)工作。根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)的起草原則，編制組對(duì)我國(guó)目前生產(chǎn)半導(dǎo)體材料摻雜用擴(kuò)散膜產(chǎn)品的相關(guān)企業(yè)進(jìn)行調(diào)研和統(tǒng)計(jì)，參考國(guó)內(nèi)外相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)，同時(shí)結(jié)合相關(guān)企業(yè)的一些技術(shù)指標(biāo)和檢驗(yàn)數(shù)據(jù)起草了本標(biāo)準(zhǔn)討論稿初稿。2023年7月20，全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)在銅陵市組織專家對(duì)標(biāo)準(zhǔn)的框架進(jìn)行了討論，2023年9月1日，起草組再次進(jìn)行了討論，2023年9月18日至10月18，對(duì)標(biāo)準(zhǔn)的技術(shù)指標(biāo)進(jìn)行了試驗(yàn)驗(yàn)證，2023年11月4日，起草組在試驗(yàn)數(shù)據(jù)的基礎(chǔ)上，形成了征求意見(jiàn)稿。二、標(biāo)準(zhǔn)編制原則本標(biāo)準(zhǔn)起草單位自接受起草任務(wù)后，成立了標(biāo)準(zhǔn)編制組負(fù)責(zé)收集生產(chǎn)統(tǒng)計(jì)、檢驗(yàn)數(shù)據(jù)、市場(chǎng)需求及客戶要求等信息，初步確定了《半導(dǎo)體材料摻雜用擴(kuò)散膜》標(biāo)準(zhǔn)起草所遵循的基本原則和編制依據(jù)：（1）查閱相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和國(guó)內(nèi)外客戶的相關(guān)技術(shù)要求；（2）根據(jù)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體材料摻雜用擴(kuò)散膜生產(chǎn)企業(yè)的具體情況，力求做到標(biāo)準(zhǔn)的合理性和實(shí)用性；（3）根據(jù)技術(shù)發(fā)展水平及測(cè)試數(shù)據(jù)確定技術(shù)指標(biāo)取值范圍；（4）按照GB/T1.1和有色加工產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)和國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)編寫示例的要求進(jìn)行格式和結(jié)構(gòu)編寫標(biāo)準(zhǔn)；（5）細(xì)化半導(dǎo)體材料摻雜用擴(kuò)散膜產(chǎn)品質(zhì)量要求，根據(jù)行業(yè)水平和用戶需求，對(duì)擴(kuò)散膜摻雜元素種類以及含量的要求進(jìn)行確定；（6）融入較為成熟半導(dǎo)體材料摻雜用擴(kuò)散膜分析檢測(cè)方法，提供準(zhǔn)確的分析數(shù)據(jù)，更好的指導(dǎo)半導(dǎo)體材料摻雜用擴(kuò)散膜的生產(chǎn)；（7）規(guī)定半導(dǎo)體材料摻雜用擴(kuò)散膜的質(zhì)量驗(yàn)收內(nèi)容，避免低劣產(chǎn)品擠占優(yōu)秀產(chǎn)品生產(chǎn)空間，促進(jìn)行業(yè)健康發(fā)展；（8）結(jié)合我國(guó)半導(dǎo)體材料工業(yè)實(shí)際生產(chǎn)水平，同時(shí)根據(jù)產(chǎn)品用戶的意見(jiàn)反饋，正確兼顧好彼此之間的關(guān)系，追求技術(shù)的先進(jìn)性、指標(biāo)的合理性和嚴(yán)謹(jǐn)性的統(tǒng)一。三、確定標(biāo)準(zhǔn)主要內(nèi)容的依據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)結(jié)合我國(guó)行業(yè)內(nèi)半導(dǎo)體材料摻雜用擴(kuò)散膜的實(shí)際生產(chǎn)和使用情況，考慮半導(dǎo)體材料摻雜用擴(kuò)散膜的發(fā)展和行業(yè)現(xiàn)狀制定而成。標(biāo)準(zhǔn)的主要內(nèi)容的確定依據(jù)詳述如下：1、標(biāo)準(zhǔn)題目與適用范圍本文件規(guī)定了半導(dǎo)體材料摻雜用擴(kuò)散膜（以下簡(jiǎn)稱“擴(kuò)散膜”）的術(shù)語(yǔ)和定義、分類、技術(shù)要求、檢驗(yàn)規(guī)則、標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、貯存、隨行文件及訂貨單內(nèi)容，描述了相應(yīng)的試驗(yàn)方法。本文件適用于用沉淀、掛膜等制造方法制造的用于制備光電子、微電子等器件的半導(dǎo)體材料摻雜用擴(kuò)散膜。2、分類擴(kuò)散膜按摻雜元素分為以下幾種：磷擴(kuò)散膜；硼擴(kuò)散膜。3、技術(shù)要求3.1表面質(zhì)量表面應(yīng)無(wú)裂紋、夾雜、凹坑、孔洞、缺邊、沾污等。3.2顏色磷膜：粉色或粉紅色；硼膜白色或藍(lán)色或灰色；中性膜白色或藍(lán)色。也可雙方約定，并在訂單中說(shuō)明。3.3尺寸偏差尺寸允許偏差不應(yīng)大于1mm?？蛻羧粲刑厥庑枨螅瑒t由供需雙方協(xié)商確定并在訂貨單中注明。3.4擴(kuò)散膜主元素濃度磷膜主元素濃度應(yīng)符合表1的要求，硼膜主元素濃度應(yīng)符合表2的要求。客戶若有特殊需求，則由供需雙方協(xié)商確定并在訂貨單中注明。磷膜主元素濃度要求型號(hào)主元素濃度（CONC）A級(jí)品B級(jí)品C級(jí)品P402.07*1021±5%±6%±10%P502.25*1021P602.32*1021P70-12.69*1021P70-22.57*1021P752.69*1021硼膜主元素濃度要求型號(hào)主元素濃度（CONC）A級(jí)品B級(jí)品C級(jí)品B101.63*1021±5%±6%±10%B201.94*1021B303.0*1021B404.6*1021（1）相關(guān)的解釋和確定依據(jù)半導(dǎo)體材料摻雜用擴(kuò)散膜的主元素濃度要求是經(jīng)過(guò)對(duì)多家用戶的使用反饋信息統(tǒng)計(jì)、分析而得，在滿足顧客使用要求和質(zhì)量要求的情況下，經(jīng)過(guò)細(xì)致的溝通和調(diào)研，并得到使用方的廣泛認(rèn)可。（2）主要驗(yàn)證情況分析編制組對(duì)多批次半導(dǎo)體材料摻雜用擴(kuò)散膜產(chǎn)品的化學(xué)成分實(shí)測(cè)值進(jìn)行了詳細(xì)的統(tǒng)計(jì)，不同型號(hào)膜狀源摻雜主元素實(shí)際含量，詳細(xì)見(jiàn)表3。摻雜主元素濃度實(shí)測(cè)值產(chǎn)品批號(hào)型號(hào)摻雜主元素摩爾濃度（mol/Kg)摻雜主元素conc230406503B102.76571.63*1021230327504B204.02371.94*1021230625508B305.84593.0*1021230616510B4010.54484.6*1021230307306P404.62382.07*1021230518213P504.44952.25*1021230408102P605.04362.32*1021230506210P70-15.48272.69*1021230413209P70-24.89512.57*1021230410301P754.67872.69*1021主元素濃度范圍根據(jù)不同芯片對(duì)摻雜濃度精度控制不同，對(duì)產(chǎn)品所含有的摻雜源濃度控制范圍如下：A級(jí)品：批次產(chǎn)品摻雜源濃度范圍：±5%；B級(jí)品：批次產(chǎn)品摻雜源濃度范圍：±6%；C級(jí)品：批次產(chǎn)品摻雜源濃度范圍：±10%。更高均勻度的要求，由供需雙方協(xié)商確定并在訂貨單中注明。主元素濃度誤差（不同區(qū)域摻雜主元素實(shí)測(cè)值）產(chǎn)品批號(hào)型號(hào)檢測(cè)位置摻雜主元素摩爾濃度（mol/Kg)摻雜主元素conc區(qū)域誤差230406503B10內(nèi)2.57151.52*10210.8%中2.60851.54*1021外2.55301.51*1021230327504B20內(nèi)4.17172.06*10212.46%中4.08842.02*1021外4.06992.01*1021230625508B30內(nèi)6.29913.23*10214.78%中6.00313.08*1021外6.06793.11*1021230616510B40內(nèi)10.90564.77*10210.21%中10.65584.67*1021外10.77614.72*1021230307306P40內(nèi)5.38592.41*10212%中5.47302.45*1021外5.48922.46*1021230518213P50內(nèi)5.74752.91*10213.78%中5.64422.86*1021外5.86052.97*1021230408102P60內(nèi)5.88962.72*10212.2%中5.88632.71*1021外6.00582.77*1021230506210P70-1內(nèi)6.34163.12*10212.6%中6.24803.07*1021外6.17693.04*1021230413209P70-2內(nèi)5.72493.01*10213.7%中5.50532.90*1021外5.57312.93*1021230410301P75內(nèi)5.00812.89*10217.6%中4.79822.77*1021外5.18572.99*1021從產(chǎn)品的多批次實(shí)測(cè)結(jié)果看，擴(kuò)散膜主元素的濃度符合標(biāo)準(zhǔn)中要求的指標(biāo)值,擴(kuò)散膜主元素濃度要求主要是結(jié)合產(chǎn)品用戶要求以及不同半導(dǎo)體材料摻雜用擴(kuò)散膜生產(chǎn)方的水平確定的，多個(gè)用戶對(duì)此指標(biāo)的要求一致。綜上所述，本標(biāo)準(zhǔn)能滿足我國(guó)與摻雜主元素濃度相關(guān)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的客觀要求，既體現(xiàn)了我國(guó)半導(dǎo)體材料摻雜用擴(kuò)散膜制備技術(shù)的先進(jìn)水平，又兼顧我國(guó)現(xiàn)階段的具體實(shí)際。本標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施后，將進(jìn)一步保障行業(yè)需求，也有利于將我國(guó)的半導(dǎo)體材料摻雜用擴(kuò)散膜產(chǎn)品推向國(guó)外市場(chǎng)。3.5濃度分布均勻度擴(kuò)散膜濃度分步均勻性誤差邊緣與中心小于15%。更高均勻度的要求，由供需雙方協(xié)商確定并在訂貨單中注明。相關(guān)驗(yàn)證詳見(jiàn)表4區(qū)域誤差。4檢驗(yàn)規(guī)則4.1檢查和驗(yàn)收產(chǎn)品應(yīng)由供方或第三方進(jìn)行檢驗(yàn)，保證產(chǎn)品質(zhì)量符合本文件及訂貨單的規(guī)定。需方可對(duì)收到的產(chǎn)品按照本文件的規(guī)定進(jìn)行檢驗(yàn)。如檢驗(yàn)結(jié)果與本文件或訂貨單的規(guī)定不符，應(yīng)以書面形式向供方提出，由供需雙方協(xié)商解決。屬于外形尺寸或表面質(zhì)量的異議，應(yīng)在收到產(chǎn)品之日起1個(gè)月內(nèi)提出，屬于其他性能的異議，應(yīng)在收到產(chǎn)品之日起3個(gè)月內(nèi)提出。如需仲裁，仲裁取樣應(yīng)由供需雙方共同進(jìn)行。4.2組批產(chǎn)品應(yīng)成批提交驗(yàn)收，每批應(yīng)由供需雙方一致確認(rèn)的相同技術(shù)指標(biāo)的擴(kuò)散膜組成。4.3檢驗(yàn)項(xiàng)目每批擴(kuò)散膜應(yīng)對(duì)表面質(zhì)量、顏色、尺寸偏差、燃燒殘留、摻雜主元素濃度和濃度分布均勻度進(jìn)行檢驗(yàn)。4.4取樣每批擴(kuò)散膜的檢驗(yàn)按照GB/T2828.1抽樣檢查，或按供需雙方商定的方法抽樣。如需對(duì)其他項(xiàng)目進(jìn)行檢驗(yàn)，可由供需雙方協(xié)商確定并在訂貨單中注明。4.5檢驗(yàn)結(jié)果的判定如需方抽檢有任一不合格，判該批產(chǎn)品為不合格。5、標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、貯存和隨行文件5.1標(biāo)志每個(gè)擴(kuò)散膜包裝盒上都有標(biāo)簽，標(biāo)簽上注明公司名稱、公司地址及聯(lián)系電話、產(chǎn)品名稱、保存條件、保質(zhì)期、擴(kuò)散膜批號(hào)、型號(hào)、尺寸、數(shù)量。5.2包裝每批次檢驗(yàn)合格的擴(kuò)散膜，裝入包裝袋后密封，再裝入適當(dāng)?shù)陌b盒內(nèi)，四周襯上軟性材料，以免損傷，再將包裝盒裝入包裝箱內(nèi)，附上隨行文件。5.3運(yùn)輸產(chǎn)品在運(yùn)輸過(guò)程中應(yīng)輕裝輕卸、勿擠勿壓，并有防震措施。5.4貯存磷擴(kuò)散膜、中性擴(kuò)散膜室溫(50℃以下)密封保存，存放于干燥環(huán)境中，避免紫外線輻射。硼擴(kuò)散膜（包括硼鋁擴(kuò)散膜）密封，長(zhǎng)期儲(chǔ)存需冷藏保存，保存溫度-10～10℃，短期存放（2周以內(nèi)）溫度30℃以下。避免紫外線輻射。5.5隨行文件每批擴(kuò)散膜發(fā)貨均附有本批次產(chǎn)品的檢驗(yàn)合格證和