(高清版)GB∕T 30544.8-2019 納米科技 術(shù)語 第8部分：納米制造過程

ICS01.040.07A20GB/T30544.8—2019/ISO/TS80004-8:2013(ISO/TS80004-8:2013,IDT)國家市場監(jiān)督管理總局國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)GB/T30544.8—2019/ISO/TS80004-8:2013GB/T30544《納米科技術(shù)語》已經(jīng)或計(jì)劃發(fā)布以下部分：——第1部分：核心術(shù)語； 第4部分：納米結(jié)構(gòu)材料：——第5部分：納米/生物界面；——第6部分：納米物體表征；——第7部分：納米醫(yī)學(xué)診斷和治療；——第8部分：納米制造過程；——第9部分：納米電子產(chǎn)品和系統(tǒng)；——第10部分：納米光子元件和系統(tǒng)；——第12部分：納米科技中的量子現(xiàn)象； 本部分為GB/T30544的第8部分。本部分按照GB/T1.1—2009給出的規(guī)則起草。本部分使用翻譯法等同采用ISO/TS80004-8:2013《納米科技術(shù)語第8部分：納米制造過程》。本部分由中國科學(xué)院提出。本部分由全國納米技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC279)歸口。IⅡGB/T30544.8—2019/ISO/TS80004-8:2013納米制造是連接納米科學(xué)與現(xiàn)實(shí)世界中納米科技產(chǎn)品的重要橋梁。先進(jìn)納米技術(shù)從實(shí)驗(yàn)室到批量的加工步驟。這些生產(chǎn)過程中形成的納米材料可再進(jìn)行商業(yè)化的加工與應(yīng)用，如它們可能會(huì)被進(jìn)一步100nm的電路);——食品和食品包裝；——服裝和個(gè)人護(hù)理。1GB/T30544.8—2019/ISO/TS80004-8:2013納米科技術(shù)語第8部分：納米制造過程下列術(shù)語已在GB/T30544的其他部分中定義，只是基于內(nèi)容的需要和為了更好地理解而重復(fù)2.1[GB/T30544.3—2015,定義4.3]2.2注2:單獨(dú)靠沉淀形成的納米尺度(2.7)相材料不能歸為納米復(fù)合材料。[ISO/TS80004-4:2011,定義3.2]2.3兩個(gè)維度外部尺寸相近且處于納米尺度(2.7),另一個(gè)維度外部尺寸明顯大于納米尺度的納米注3:最長的外部尺寸可不在納米尺度(2.7)。[GB/T32269—2015,定義4.3]2.4[GB/T30544.1—2014,定義2.4]2.5[GB/T30544.1—2014,定義2.5]2GB/T30544.8—2019/ISO/TS80004-8:2013[GB/T32269—2015,定義4.1]2.7納米尺度nanoscale處于1nm至100nm之間的尺寸范圍。[GB/T30544.1—2014,定義2.1]2.8注2:修改GB/T30544.1—2014,定義2.7。[ISO/TS80004-4,定義2.11]2.9[GB/T32269—2015,定義4.4]3通用術(shù)語3.1利用納米尺度的較小基本單元來構(gòu)建更大尺度的功能化結(jié)構(gòu)或組裝體的過程。3.23.3為減小顆粒尺寸進(jìn)行的壓碎或磨碎。《納米技術(shù)>用納米尺度組件進(jìn)行外部干預(yù)而引導(dǎo)結(jié)構(gòu)的形成，理論上可形成任意界定圖形。3.63.7交替沉積兩種或多種源材料進(jìn)而得到復(fù)合層結(jié)構(gòu)的方法。3GB/T30544.8—2019/ISO/TS80004-8:2013造步驟。[GB/T30544.1—2014,定義2.11]3.10[GB/T30544.1—2014,定義2.12]組件自發(fā)形成某一圖形或結(jié)構(gòu)的過程。3.12賦予表面特定物理化學(xué)功能的化學(xué)過程。3.134定向組裝術(shù)語4.1《納米技術(shù)>利用靜電力在器件或材料內(nèi)定向或排列納米尺度單元的過程。4.2流體取向fluidicalignment(納米技術(shù)>利用液體流動(dòng)在器件或材料中定向納米尺度單元的過程。4.3<納米技術(shù)>使用多種納米制造方法在多個(gè)尺度上控制結(jié)構(gòu)的技術(shù)。4.4《納米技術(shù)>利用磁力在納米尺度上按照所需的圖形或形狀組裝。4.5<納米技術(shù)>利用一定幾何形狀的納米顆粒(2.6)4.6利用非共價(jià)化學(xué)鍵來組裝含有表面配體的分子或納米顆粒。4.74GB/T30544.8—2019/ISO/TS80004《納米技術(shù)>用納米尺度(2.7)的形貌特征直接進(jìn)行自組裝的方法。使用LB槽在氣-液界面形成單分子層。將在氣-液界面上形成的LB單分子層通過固體襯底浸入支撐液的方法轉(zhuǎn)移到固體表面。電子束蒸發(fā)electron-beamevaporation在真空或超高真空條件下入射高能電子將材料蒸發(fā)并沉積到基底的過程。5GB/T30544.8—2019/ISO/TS80004-8:20136.1.3.16.1.4.1利用快速冷卻真空升華進(jìn)行脫水或去除溶劑的技術(shù)。6.1.4.2噴霧干燥spraydrying通過與熱氣體接觸快速去除液滴進(jìn)而將液體或漿料轉(zhuǎn)為干粉的過程。通過噴霧裝置使高于臨界溫度(Tc)和臨界壓力(Pc)的溶液膨脹而使納米物體析出的過程。6.1.6前軀體以懸浮液的形式引入等離子流的熱噴涂。6.1.7線電爆炸wireelectricexplosion6.1.8從固相或液相到氣相或等離子相的相變過程。注2:高真空的物理氣相沉積PVD壓力范圍通常在1.33×10-?Pa~1.33×10-?Pa。超高真空(UHV-PVD)為沉積6.2氣相過程——化學(xué)方法6.2.1.1通過帶氧化劑原液的放熱反應(yīng)形成固態(tài)產(chǎn)物(通常是團(tuán)聚的納米材料)。6.2.1.2從電離氣體源中形成固態(tài)產(chǎn)物噴流(通常為團(tuán)聚的納米材料)。6.2.1.36.2.1.4引入含有前驅(qū)體的溶液使氣態(tài)物質(zhì)在冷卻過程中形成固態(tài)產(chǎn)物[通常是團(tuán)聚的納米材料(2.4)],形成熱(平衡)等離子體的氣相過程。6.2.1.5使用熱源將液體前驅(qū)體霧化后經(jīng)熱解形成固態(tài)產(chǎn)物[6.2.26GB/T30544.8—2019/ISO/TS80004-8:2013產(chǎn)物通常為納米顆粒(2.6)。液體中存在的催化劑作為氣相中的種子材料使納米纖維(2.3)在基底上生長的過程。靜電紡絲electrospinning淀的過程。流延tapecasting濕法球磨wetballmilling在液體中，主要通過具有更大硬度的壓碎球軋制原料來產(chǎn)生沖擊力以減少目標(biāo)組件尺寸的球磨過程。纖維素酸化水解acidhydrolysisofcellulose用酸從纖維素中釋放納米晶體狀的纖維素。通過旋涂法和基于有機(jī)金屬分子前驅(qū)體溶液低溫固化形成原子級平整致密膜的過程。的過程。6.4.5溶膠-凝膠法sol-gelprocessing把化學(xué)溶液或膠束懸浮液(溶膠)轉(zhuǎn)變成網(wǎng)絡(luò)(凝膠),然后進(jìn)一步致密化的過程。7GB/T30544.8—2019/ISO/TS80004-8:2013從不相容鏈段聚合物相分離形成可重復(fù)的二維和三維結(jié)構(gòu)的方法。黏土分散claydispersion將黏土顆?；旌嫌谝后w基體(通常為聚合物)中之后固化形成黏土復(fù)合材料的過程。冷壓coldpressing持續(xù)剪切變形conshearingcontinuousconfinedstripsheari通過非常大的塑性應(yīng)變使體向金屬在外形尺寸沒有明顯變化的情況下產(chǎn)生晶粒的過程。研磨grinding《納米技術(shù)>通過接觸較硬材料產(chǎn)生機(jī)械剪切來獲得納米顆粒(2.6)的過程。注3:高速的定義隨每種技術(shù)的不同而變化。離子注入ionimplantation使用高能離子對表面材料進(jìn)行修飾和再結(jié)晶的過程。低溫研磨cryogenicmilling在低溫下(-150℃以下)的研磨過程。6.5.9.2干球磨dryballmilling〈納米技術(shù)>通過具有更大硬度的研磨球軋制混合兩種或多種不相容納米顆粒，然后加熱燒結(jié)生成8GB/T30544.8—2019/ISO/TS80004-8:20136.5.10多通道軋制multi-passcoin使用機(jī)械壓制片狀材料在兩個(gè)正弦形模具間產(chǎn)生連續(xù)旋轉(zhuǎn)或滾動(dòng)，產(chǎn)生大量的塑性變形以制備納6.5.116.5.126.5.13.1高溫下硬質(zhì)材料或脆性材料高壓成粉末的冶金過程。6.5.13.2納米顆粒燒結(jié)nanoparticlesintering[GB/T18930—2002,定義121]6.5.13.3火花等離子燒結(jié)sparkplasmasintering為避免內(nèi)部結(jié)構(gòu)粗化，在機(jī)械壓力下通過施加直流脈沖電流使粉末在非常高的加熱或冷卻速率(727℃/min)下產(chǎn)生致密化粉末。6.6固相過程——化學(xué)法6.6.1通過添加原子或分子選擇性地結(jié)合或分離進(jìn)而修飾固體嵌段共聚物的過程。6.6.2〈納米技術(shù)>陽極氧化和刻蝕同時(shí)進(jìn)行的化學(xué)過程，通?？僧a(chǎn)生高度有序和可控的納米尺度(2.7)6.6.3將異構(gòu)材料(原子、小分子)插入主體結(jié)構(gòu)(晶格或其他大分子結(jié)構(gòu))的過程。6.6.4兩相法two-phasemethods加熱然后快速冷卻二元混合物材料進(jìn)而制備具有納米尺度(2.7)特征的固體復(fù)合結(jié)構(gòu)的方法。7加工術(shù)語7.1納米圖形化7.1.1可以將模板或結(jié)構(gòu)三個(gè)維度均控制在納米尺度的過程。9GB/T30544.8—2019/ISO/TS80004-8:2013通過掃描的針尖將特定的溶劑材料刻寫到基底表面的方法，基底上形成的圖形尺度通常低于[ISO18115-2:2013,定義6.40]7.1.107.1.117.1.127.1.137.1.14利用加速離子結(jié)合掩模進(jìn)行曝光，在抗蝕劑上形成納米尺度(2.7)圖案的技術(shù)。GB/T30544.8—2019/ISO/TS80004-8:2013微接觸印刷micro-contactprinting在軟模板下的一種圖形化技術(shù)(3.6),軟微流控沉積microfluidicdeposition使用微米或納米尺度(2.7)的管道將材料從液體或溶液中轉(zhuǎn)移到襯底表面形成固體的過程。利用模板將圖案轉(zhuǎn)移到體相材料而非薄膜的方法。納米壓印光刻nano-imprintlithography;NIL利用電磁輻射轉(zhuǎn)移模板實(shí)現(xiàn)圖案化的過程。在抗蝕劑上利用納米尺度(2.7)金屬模具引導(dǎo)近使用掃描探針顯微鏡(SPM)的針尖對基底表面進(jìn)行標(biāo)記、涂識、局域改性。掃描隧道顯微鏡化學(xué)氣相沉積scanningtunnelingmicroscopechemicalvapourdeposition;STMCVD在STM針尖上施加電壓引起基底上的納米尺度(2.7)化學(xué)氣相沉積過程。利用彈性(或軟)模板轉(zhuǎn)移圖形的機(jī)械印刷過程。GB/T30544.8—2019/ISO/TS80004-8:20137.1.27透明和不透明區(qū)域組成，可參照光刻過程。模具通常由對X射線吸收低的膜材料和高吸收(如金屬)的圖形材注：改寫GB/T3138—2015,定義2.2。電沉積electrodeposition化學(xué)沉積electrolessdeposition7.2.10蒸發(fā)evaporation7.2.117.2.12GB/T30544.8—2019/ISO/TS80004-8:2013子束掃描，前驅(qū)體氣體將被分解成揮發(fā)性和非揮發(fā)性成分，非揮發(fā)性成分如鎢仍沉積在表面。該過程非常有7.2.137.2.14[GB/T3138—2015,定義2.12]7.2.15重復(fù)交替沉積帶相反電荷的聚合物到表面的過程。7.2.16<納米技術(shù)>從等離子體或燃燒納米顆粒源中沉積納米顆粒(2.6)并形成固體膜的過程。7.2.17旋涂spincoating7.2.18噴霧沉積spraydeposition通過噴嘴形成小液滴或氣溶膠將材料沉積到表面或最上層基底上的過程。7.2.19濺射沉積sputterdeposition7.2.20氣相或液相單體在表面形成聚合物層的過程。7.3刻蝕過程7.3.1刻蝕速率在垂直方向遠(yuǎn)高于平行表面方向的過程。7.3.2Bosch刻蝕Boschetching7.3.3使用酸或其他化學(xué)物質(zhì)從基底中溶解掉多余材料的過程。7.3.4通過基底上面的針頭或氣環(huán)引入反應(yīng)氣體的刻蝕過程。7.3.5基底冷卻到約—110℃,生成刻蝕側(cè)壁幾乎垂直結(jié)構(gòu)的過程。GB/T30544.8—2019/ISO/TS80004-8:20137.3.67.3.7反應(yīng)離子深刻蝕deepreactiveionetch用于形成高深寬比結(jié)構(gòu)的各向異性的刻蝕工藝。7.3.8干法灰化dry-ashing7.3.9利用部分電離氣體去除襯底材料的過程。7.3.10離子束(通常是鎵)通過一組靜電透鏡聚焦并在基底上形成微結(jié)構(gòu)的過程。7.3.11高密度等離子體刻蝕high-densityplasmaetching通過電子回旋共振、螺旋電極、磁控或誘導(dǎo)的方法產(chǎn)生高密度(通常是1×10l1cm3~1×1012cm3)離子束進(jìn)行等離子體刻蝕(7.3.18)的技術(shù)。7.3.12通過腔體外的環(huán)繞線圈電流將能量與磁場耦合產(chǎn)生等離子體的方法。7.3.13離子銑ionbeammilling利用等離子體源產(chǎn)生離子束以去除基底材料的過程。7.3.14在水平和垂直方向刻蝕速率都相同的過程(通常是濕法)。7.3.15激光燒蝕laserablation利用脈沖激光的能量去除目標(biāo)材料表面的過程。7.3.16光輔助刻蝕light-asistedetching用光來影響或控制刻蝕過程。注：光刻蝕是基于特定條件下化學(xué)刻蝕的光敏性。根據(jù)輻照方式可以形成所需的橫GB/T30544.8—2019/ISO/TS80004-8:20137.3.17物理刻蝕physicaletching濺射刻蝕sputteretching通過物理相互作用(動(dòng)量轉(zhuǎn)移)加速惰性離子(如氬離子)和刻蝕固體的刻蝕過程。7.3.18等離子體刻蝕plasmaetching采用放電產(chǎn)生的由離子和電子組成的等離子體氣體去除基底上材料的過程。7.3.19沿固體中輻射損傷軌跡形成刻蝕結(jié)構(gòu)的過程。7.3.20反應(yīng)離子刻蝕reactiveionetching晶片放置在由射頻電源驅(qū)動(dòng)電極上進(jìn)行等離子體刻蝕(7.3.18)的方法，對電極的面積比驅(qū)動(dòng)電7.3.21選擇性刻蝕selectiveetching一種表面材料被迅速去除而另一種材料卻非常緩慢或不除去的過程。7.3.22濕法刻蝕wetetching用液體刻蝕劑去除表面材料的化學(xué)方法。7.4.1壓印embossing通過母板在易變形材料上滾壓的方式轉(zhuǎn)移圖案的技術(shù)。7.4.2《納米技術(shù)>在壓制過程中將單層膜鍵合在一起形成多層膜的方法。7.4.3納米纖維沉淀法nanofibreprec7.4.4GB/T30544.8—2019/ISO/TS80004-8:2013(資料性附錄)合成過程及方法中定義的術(shù)語合成過程及方法中定義的術(shù)語見表A.1。表A.1合成過程及方法中定義的術(shù)語合成方法名稱定義的納米制造術(shù)語能否用于制造納米物體能否用于制造納米結(jié)構(gòu)材料物理氣相方法冷氣體動(dòng)力噴涂√電子束蒸發(fā)√電火花沉積過程電火花沉積√光熱合成√溶液前驅(qū)體等離子噴涂√濺射√噴霧干燥(聚集)過程冷凍干燥√噴霧干燥(聚集)過程噴霧干燥√超臨界膨脹√懸浮燃燒熱噴涂√線電爆炸√蒸發(fā)√化學(xué)氣相方法原子層沉積√化學(xué)氣相沉積√√催化化學(xué)氣相沉積√√火焰合成(氧化)過程液態(tài)前驅(qū)體氧化√√火焰合成(氧化)過程等離子噴涂√火焰合成(氧化)過程火成作用√√火焰合成(氧化)過程噴霧熱解法√√圖形外延√熱管式爐反應(yīng)√√光熱合成√√溶液前驅(qū)體熱噴涂√√氣-液-固納米纖維的合成√GB/T30544.8—2019/ISO/TS80004-8:2013表A.1(續(xù))合成方法名稱定義的納米制造術(shù)語能否用于制造納米物體能否用于制造納米結(jié)構(gòu)材料物理液相方法粉碎√√靜電紡絲√√液體中尺寸減小的過程(粉碎)原位插層聚合√√納米顆粒分散√流延√濕法球磨√√化學(xué)液相方法纖維素酸化水解√納米顆粒沉淀√無機(jī)快速冷凝√反向膠束法√√溶膠-凝膠法√√表面活性劑模板法√Stober方法√√物理固相方法嚴(yán)重塑性變形過程高壓扭轉(zhuǎn)√嵌段共聚物法嵌段共聚物化學(xué)衍生法√嵌段共聚物法嵌段共聚物相聚集√嵌段共聚物法嵌段共聚物模板√冷壓√持續(xù)剪切變形√析晶√研磨√高速微加工√離子注入√研磨過程低溫研磨√干球磨√多通道軋制√納米模板生長√√燒結(jié)過程熱壓√納米顆粒燒結(jié)√火花等離子燒結(jié)√√化學(xué)固相方法黏土分散√電化學(xué)陽極氧化√插層√√聚合物納米顆粒分散√兩相法√GB/T30544.8—2019/ISO/TS80004-8:2013[1]GB/T30544.1—2014納米科技術(shù)語第1部分：核心術(shù)語[3]GB/T30544.6—2016納米科技術(shù)語第6部分：納米物體表征[5]ISO836:2001Terminologyforrefractories[6]ISO2080:2008Metallicandotherinorganiccoatings—Surfacetreatment,metallicandotherinorganiccoatings—Vocabulary[7]ISO3252:1999Powdermetallurgy—Vocabulary[9]ISO19353Safetyofmachinery—Firepreventionandprotection[10]ISO/TS80004-4:2011Nanotechnologies—Vocabulary—Part4:Nanostructuredmaterials[11]Appl.Phys.Lett.1982,41pp.377-379[12]BSIPAS135,Terminologyfornanofabric[13]McGraw-HillDictionaryofScientificandTechnicalTerms,6thed.September2002.GB/T30544.8—2019/ISO/TS80004-8:2013漢語拼音索引B表面功能化……3.12表面聚合……7.2.20C插層……………6.6.3超分子組裝………4.6超臨界膨脹……6.1.5持續(xù)剪切變形…………………6.5.4磁力驅(qū)動(dòng)組裝……4.4催化化學(xué)氣相沉積……………7.2.4D等離子噴涂…………………6.2.1.2等離子體刻蝕………………7.3.18等離激元光刻……………7.1.22低溫研磨……6.5.9.1電沉積…………7.2.7電火花沉積…………………6.1.3.1電噴涂…………7.2.9電化學(xué)陽極氧化………………6.6.2電子束蒸發(fā)……6.1.2電子束曝光技術(shù)……………7.1.7電感耦合等離子體…………7.3.12定向自組裝………3.5定向組裝…………3.4多級次組裝………4.3多通道軋制…………………6.5.10F反向膠束法……6.4.4反應(yīng)離子刻蝕………………7.3.20分子束外延…………………7.2.13粉碎………………3.3輻射蹤跡刻蝕………………7.3.19G干法灰化………7.3.8干球磨………6.5.9.2干涉曝光技術(shù)………………7.1.11高速微加工……6.5.7高密度等離子體刻蝕………7.3.11各向同性刻蝕………………7.3.14共沉積……………3.2光熱合成………6.2.3光輔助刻蝕…………………7.3.16H化學(xué)刻蝕……7.3.3化學(xué)沉積………7.2.8化學(xué)氣相沉積…………………7.2.3化學(xué)輔助離子束刻蝕…………7.3.4火成作用……6.2.1.3火花等離子燒結(jié)……………6.5.13.3J基于形狀的組裝…………………4.5激光燒蝕……7.3.15極紫外光刻技術(shù)………………7.1.8膠體晶化…………5.1減材工藝……7.1.26濺射沉積……7.2.19濺射刻蝕……7.3.17浸沒式光學(xué)…………………7.1.10靜電驅(qū)動(dòng)組裝……4.1聚電解質(zhì)層層沉積…………7.2.15聚合物納米顆粒分散………6.5.12聚焦電子束沉積……………7.2.11聚焦離子束沉積……………7.2.12聚焦離子束刻蝕……………7.3.10聚焦離子束刻蝕技術(shù)…………7.1.9L冷壓……………6.5.3冷凍干燥……6.1.4.1冷氣體動(dòng)力噴涂………………6.1.1離子束刻蝕…………………7.3.13離子銑………7.3.13離子束表面重構(gòu)…………………5.3離子注入………6.5.8離子誘導(dǎo)沉積………………7.1.12離子誘導(dǎo)刻蝕………………7.1.13離子投影曝光技術(shù)…………7.1.14流體取向…………4.2N納米材料…………2.4納米尺度…………2.7納米復(fù)合材料……2.2納米管……………2.9納米加工…………3.8納米結(jié)構(gòu)材料……2.8納米顆?！?.6納米顆粒沉淀…………………6.4.2納米顆粒燒結(jié)………………6.5.13.2納米顆粒噴涂法………………7.4.4納米模板生長………………6.5.11納米物體…………2.5納米纖維…………2.3納米壓印……7.1.17納米壓印光刻………………7.1.18納米制造…………3.9納米制造過程…………………3.10P噴霧干燥……6.1.4.2噴霧熱解法…………………6.2.1.5片間轉(zhuǎn)移…………4.7QGB/T30544.8—2019/ISO/TS80004-8:2013嵌段共聚物化學(xué)衍生法………6.6.1嵌段共聚物模板…………6.5.1.2嵌段共聚物相聚集…………6.5.1.1R熱管式爐反應(yīng)…………………6.2.2熱噴涂………7.2.16熱壓…………6.5.13.1溶液前驅(qū)體等離子噴涂……6.2.1.4軟圖形技術(shù)…………………7.1.25S掃描隧道顯微鏡化學(xué)氣相沉積……………7.1.24深紫外光刻技術(shù)………………7.1.5濕法刻蝕……7.3.22濕法球磨………6.3.5T碳納米管…………2.1圖形化技術(shù)………3.6圖形外延…………5.2團(tuán)簇束涂層……7.2.5W微接觸印刷…………………7.1.15微流控沉積…………………7.1.16無機(jī)快速冷凝…………………6.4.3物理氣相沉積………………7.2.14物理刻蝕……7.3.17X吸附……………7.2.1析晶……………6.5.5纖維素酸化水解………………6.4.1線電爆炸………6.1.7相差光刻……7.1.21旋涂…………7.2.17選擇性刻蝕…………………7.3.21Y研磨……………6.5.6GB/T30544.8—2019/ISO/TS80004-8:2013液態(tài)前驅(qū)體氧化……………6.2.1.1原位插層聚合…………………6.3.2Z增材工藝………7.1.2蘸筆納米刻蝕…………………7.1.6蒸發(fā)…………7.2.10逐層沉積…………5.6自發(fā)圖形化技術(shù)……………7.1.19自上而下的納米制造…………3.13自下而上的納米制造……………3.1自組裝…………3.11自組裝單層結(jié)構(gòu)…………………5.8Bosch刻蝕……7.3.2LB膜的轉(zhuǎn)移……5.5LB膜形成法……5.4Stober方法……6.4.7X射線光刻技術(shù)……………7.1.27英文對應(yīng)詞索引Aacidhydrolysisofcellulose…………………6.4.1additiveprocessing…………………………7.1.2adsorption…………………7.2.1anisotropicetching…………………………7.3.1atomiclayerdeposition……………………7.2.2Bblockcopolymerchemicalderivatization…………………6.6.1blockcopolymerphasesegregation………………………6.5.1.1blockcopolymertemplating……………6.5.1.2blockcopolymerlithography………………7.1.3Boschetching………………7.3.2bottomupnanomanufacturing………………3.1Ccarbonnanotube……………2.1catalyticchemicalvapourdeposition………………………7.2.4chemicaletching……………7.3.3chemicalvapourdeposition………………7.2.3chemicallyassistedionbeametching……………………7.3.4claydispersion……………6.5.2clusterbeamcoating………………………7.2.5co-deposition…………………3.2coldgasdynamicspraying…………………6.1.1coldpressing………………6.5.3colloidalcrystaltemplatelithography……………………7.1.4colloidalcrystallization………………………5.1communition…………………3.3conshearingcontinuousconfinedstripshearing…………6.5.420GB/T30544.8—2019/ISO/TS80004-8:2013cryogenicmilling……………6.5.9.1crystallographicetching………………………7.3.6Ddeepreactiveionetching……………………7.3.7deepultravioletlithography…………………7.1.5devitrification…………………6.5.5dipcoating……………………7.2.6dip-pennanolithography……………………7.1.6directedassembly………………3.4directedself-assembly…………………………3.5dry-ashing……………………7.3.8dryballmilling……………6.5.9.2dry-etching……………………7.3.9Eelectro-sparkdeposition………………electro-spray…………………7.2electrochemicalanodization…………………6.6.2electrodeposition………………7.2.7electrolessdeposition…………………………7.2.8electron-beamevaporation……………………6.1.2electron-beamlithography……………………7.1.7electrospinning…………………6.3.1electrostaticdrivenassembly…………………4.1evaporation…………………7.2.10extremeultravioletlithography………………7.1.8Ffluidicalignment………………4.2focusedelectron-beamdeposition…………7.2.11focusedion-beamdeposition………………7.2.12focusedion-beametching……………………7.3.10focusedion-beamlithography………………7.1.9freezedrying………………6.1.4.1Ggrinding………………………6.5.6Hhierarchicalassembly…………………………4.3high-densityplasmaetching………………7.3.11GB/T30544.8—2019/ISO/TShotwalltubularreaction…………………6.2.2Iimmersionoptics……in-situintercalativepolymerization………………………6.3.2ionimplantation………………………ioninduceddeposition……………………ionprojectionlithography………………7.1.14LLangmuir-Blodgettfilmformation…………5.4Langmuir-Blodgettfilmtransfer……………layer-by-layerdeposition……………………5.6Mmicro-contactprinting………microfluidicdepositionmolecularbeamepitaxy…………………7.2.13multi-passcoinforgimultilayerfilmprocess……………Nnanocomposite…………………2.2nanofibre………nanofibreprecipitation……………………7.4.3nano-imprintlithography………………nanomanufacturing…………GB/T30544.8—2019/ISO/TS80004-8:2013nanomanufacturingprocess……………………3.10nanomaterial……………………2.4nanoparticle……………………2.6nanoparticledispersion………………………6.3.3nanoparticleprecipitation……………………6.4.2nanoparticlesintering……………………6.5.13.2nanoparticlespraycoating……………………7.4.4nanoscale…………………………2.7nanostructuredmaterial………………………2.8nanotemplatedgrowth………………………6.5.11nanotube………………naturallithography…………………………7.1.19Pphase-contrastphotolithography……………7.1.21photothermalsynthesis………………………6.2.3physicaletching……………7.3.17physicalvapourdeposition…………………7.2.14plasmaetching………………7.3.18plasmaspray………………6.2.1.2plasmoniclithography………………………7.1.22polyelectrolytelayer-by-layer………………7.2.15polymernanoparticledispersion……………6.5.12promptinorganiccondensation………………6.4.3pyrogenesis…………Rradiationtracketching………………………7.3.19reactiveionetching…………………………7.3.20reversemicelleprocess………………………6.4.4Sscanningtunnellingmicroscopechemicalvapourd