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ICS25.180.10K61Part416:Polysiliconingotfurnace國家市場監(jiān)督管理總局中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會IGB/T10067.416—2019 12規(guī)范性引用文件 1 1 2 2 6 7 89訂購與供貨 8ⅢGB/T10067.416—2019——第1部分:通用部分; ——第31部分:中頻無心感應(yīng)爐;——第33部分:工頻無心感應(yīng)熔銅爐;——第34部分:晶體管式高頻感應(yīng)加熱裝置;——第35部分:中頻真空感應(yīng)熔煉爐;——第4部分:間接電阻爐; ——第44部分:箱式電阻爐;-—第46部分:罩式電阻爐;——第47部分:真空熱處理和釬焊爐; -—第49部分:自然對流井式電阻爐;--—第410部分:單晶爐;——第411部分:電熱浴爐;——第413部分:實驗用電阻爐;——第415部分:鋁材退火爐;本部分為GB/T10067的第416部分。本部分按照GB/T1.1—2009給出的規(guī)則起草。本部分由中國電器工業(yè)協(xié)會提出。本部分由全國工業(yè)電熱設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(SAC/TC121)歸口。1GB/T10067.416—2019電熱和電磁處理裝置基本技術(shù)條件第416部分:多晶硅鑄錠爐GB/T10067的本部分規(guī)定了多晶硅鑄錠爐(以下簡稱多晶爐)的術(shù)語和定義、產(chǎn)品分類、技術(shù)要本部分適用于定向凝固生長太陽能級多晶硅錠的多晶爐。2規(guī)范性引用文件下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,僅注日期的版本適用于本文GB/T150—2011(所有部分)壓力容器GB/T2900.23—2008電工術(shù)語工業(yè)電熱裝置GB3095—2012環(huán)境空氣質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)GB/T5959.1—2019電熱和電磁處理裝置的安全第1部分:通用要求GB8978—1996污水綜合排放標(biāo)準(zhǔn)GB/T10066.1—2019電熱和電磁處理裝置的試驗方法第1部分:通用部分GB/T10066.4—2004電熱設(shè)備的試驗方法第4部分:間接電阻爐GB/T10067.1—2019電熱和電磁處理裝置的基本技術(shù)條件第1部分:通用部分GB/T10067.4—2005電熱裝置基本技術(shù)條件第4部分:間接電阻爐GB12348—2008工業(yè)企業(yè)廠界環(huán)境噪聲排放標(biāo)準(zhǔn)GB16297—1996大氣污染物綜合排放標(biāo)準(zhǔn)JB/T9691—1999電熱設(shè)備產(chǎn)品型號編制方法GB/T2900.23—2008、GB/T10066.4—2004界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件。3.1利用多晶硅定向凝固技術(shù)生產(chǎn)用于太陽能級多晶硅錠的一種工業(yè)電熱設(shè)備。3.2多晶爐設(shè)計時規(guī)定并在圖紙上標(biāo)明的晶體生長室的空間尺寸。注:工作室尺寸用內(nèi)徑和高度表示。3.3熔料量charge多晶爐設(shè)計時規(guī)定的每爐次一次最大的裝料量。2GB/T10067.416—20193.4多晶爐設(shè)計時規(guī)定的多晶硅材料熔化及長晶等過程中允許使用的溫度范圍。多晶爐設(shè)計時規(guī)定的能夠滿足對加熱系統(tǒng)進(jìn)行預(yù)先煅燒處理目的而需達(dá)到的加熱溫度。4產(chǎn)品分類4.1多晶爐產(chǎn)品的型號應(yīng)按JB/T9691—1999編制。4.2多晶爐按其工作室尺寸或鑄錠的規(guī)格進(jìn)行分類:a)按工作室內(nèi)徑尺寸(單位為厘米)分為多個品種;b)按照鑄錠的規(guī)格分為多個品種(通常以此分類方法為主):2)G6多晶爐;4.3在多晶爐的產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)中應(yīng)按GB/T10067.1-2019中第4章的規(guī)定進(jìn)一步按產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)類型、氣4.4在具體產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)中對各個型號的多晶爐應(yīng)分別列出以下各項參數(shù):多晶爐的技術(shù)要求應(yīng)符合GB/T10067.4—2005中第5章的規(guī)定。3GB/T10067.416—2019平臺及樓梯部件組成。多晶爐的爐體通常由上爐體、下爐體及頂部爐蓋組在多晶爐通電加熱前,抽氣系統(tǒng)應(yīng)能把爐室抽到預(yù)定的真空度。在加熱階段,輸所有處于爐室內(nèi)的材料應(yīng)適應(yīng)設(shè)計規(guī)定的氣氛、真空度、溫度,并在該環(huán)境下保持穩(wěn)定的成分和性能。爐殼應(yīng)采用水冷結(jié)構(gòu)。筒體的設(shè)計和制造應(yīng)符合GB/T150—2011(所有部分)的規(guī)定。爐殼內(nèi)表面應(yīng)光潔平整。內(nèi)外壁可用不銹鋼材料制成。多晶爐的加熱系統(tǒng)應(yīng)根據(jù)鑄錠工藝要求進(jìn)行設(shè)計制造。水冷系統(tǒng)應(yīng)能使?fàn)t殼的筒體、封頭的表面溫升不超過5.3.6的規(guī)定;采用全水冷的電源裝置(一般應(yīng)采用可循環(huán)冷卻水),在水壓不足或壓力過高時應(yīng)有指示或報警信號,關(guān)鍵水冷部位還應(yīng)具備超溫報對水冷系統(tǒng)水質(zhì)的要求如下:c)碳酸鈣濃度≤50mg/L(不加入化學(xué)試劑);5GB/T10067.416—2019多晶爐生產(chǎn)、配套零部件和使用過程噪聲應(yīng)符合GB12348—2008的規(guī)定。多晶爐的性能應(yīng)符合GB/T10067.4—2005中5.3和5.3.2~5.3.11的要求。多晶爐應(yīng)能在30min內(nèi)抽氣到所要求的工作真空度。多晶爐爐體的表面溫度應(yīng)不超過35℃。抽氣系統(tǒng)。當(dāng)爐內(nèi)達(dá)到預(yù)定真空度時開始加熱。應(yīng)在具體產(chǎn)品技術(shù)參數(shù)中規(guī)定從冷態(tài)上升到硅料熔化溫度所需時間。多晶爐在其速度控制系統(tǒng)的調(diào)速范圍內(nèi),各項運動參數(shù)的實際測量值與指示計的指示值(或顯示值)的相對偏差應(yīng)不大于5%;各項運動參數(shù)的速度百分偏差應(yīng)不大于2%;各運動機構(gòu)運轉(zhuǎn)應(yīng)工作靈多晶爐的保溫罩部件以低速(速度范圍下限)上升(或下降)作相對運動時的爬行量應(yīng)在晶體爐產(chǎn)品技術(shù)參數(shù)中具體規(guī)定。多晶爐的鑄錠功率能耗應(yīng)在晶體爐產(chǎn)品技術(shù)參數(shù)中注明。多晶爐其他方面的性能應(yīng)分別符合5.2以及在具體產(chǎn)品技術(shù)參數(shù)和供貨合同中的相應(yīng)規(guī)定。65.4成套要求在具體產(chǎn)品中應(yīng)列出供方規(guī)定的多晶爐成套供應(yīng)范圍,一般包括下列各項:a)多晶爐主機;b)控制裝置;c)加熱電源;d)加熱及保溫系統(tǒng);e)電源電纜;f)抽氣機組各組件;g)充氣裝置;h)鋼結(jié)構(gòu)平臺及樓梯;i)選配部件,如晶體移出機構(gòu)等;在具體產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)中可對上述項目做必要的補充,并應(yīng)列出各個項目的具體內(nèi)容,包括型號、規(guī)格和數(shù)量。需方如對供方規(guī)定供應(yīng)的項目有不同要求,可按9.2提出。6試驗方法6.1一般要求多晶爐的試驗應(yīng)按GB/T10066.1—2019和GB/T10066.4—2004進(jìn)行。6.2壓升率的測量按GB/T10066.1—2019中9.11.3的規(guī)定。6.3額定加熱功率的檢查多晶爐使用的石墨加熱器應(yīng)與加熱電源匹配,即多晶爐所配置的加熱電源,最大輸出電壓與最大輸出電流之比,為發(fā)熱體電阻,其數(shù)值應(yīng)與石墨加熱器的電阻匹配,保證加熱電源的額定功率輸出。6.4加熱能力和熱爐抽氣能力試驗本試驗的目的在于測定多晶爐的加熱能力和熱爐抽氣能力,并檢驗多晶爐的熱爐運行情況。進(jìn)行加熱能力試驗,把爐溫設(shè)定在最高工作溫度上,當(dāng)爐室真空度達(dá)到6.5Pa時開始加熱,并根據(jù)產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定的升溫程序,把爐溫升到設(shè)定值,保溫30min,加熱開始后在產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的時間內(nèi)爐溫應(yīng)達(dá)到設(shè)定值,爐室應(yīng)在5.3.3規(guī)定的時間內(nèi)達(dá)到規(guī)定的工作真空度。停爐后應(yīng)按GB/T5959.1—2019的18.5.2進(jìn)行檢查。6.5運動參數(shù)相對偏差的測量在規(guī)定的速度范圍內(nèi),保溫罩部件處于某一(任意選定)位置,取某一(任意設(shè)定)速度(指示計指示值或顯示值),用秒表和百分表(或千分表)測量該速度下保溫罩部件上升(或下降)速度。測量5次,取平均值。相對偏差按式(1)計算:…………….7GB/T10067.416—20196.6速度百分偏差的測量在規(guī)定的速度范圍內(nèi),保溫罩部件處于某一(任意選定)位置,用秒表和百分表(或千分表)每間隔5min測量某一(任意設(shè)定)速度下保溫罩部件上升(或下降)速度。測量5次,取平均值。速度百分偏差按式(2)計算:6.7爬行量的測量在保溫罩部件以低速(速度范圍下限)上升(或下降)做相對運動時,用千分表或用光柵爬行儀測量由運動停頓到重新啟動的最大蹦跳間隔數(shù)值。6.8工業(yè)鑄錠試驗將經(jīng)過處理好的多晶硅料盛入坩堝中,盛入坩堝中的裝料量等于熔料量。在正常鑄錠工藝條件下,生長外形符合要求的晶體。生長的晶體利用率應(yīng)達(dá)到具體產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定的要求。6.9環(huán)境排放污染測量7檢驗規(guī)則7.1一般要求多晶爐的檢驗應(yīng)按7.2和7.3以及GB/T10067.1—2019中第7章進(jìn)行。7.2出廠檢驗項目多晶爐的出廠檢驗項目包括:a)觸電防護(hù)措施的試驗;b)絕緣電阻的測量;c)絕緣耐壓的試驗;d)控制電路試驗;e)運動機構(gòu)運轉(zhuǎn)情況的檢驗;f)運動參數(shù)及相對偏差的測量(包括速度百分偏差的測量和爬行量的測量);g)水路系統(tǒng)的試驗;h)氣路系統(tǒng)的試驗;i)聯(lián)鎖報警系統(tǒng)的試驗;j)極限真空度的測量;k)空爐抽氣時間的測量;1)壓升率的測量;m)配套件的檢查,包括型號、規(guī)格和出廠合格證件的檢n)供貨范圍,包括出廠技術(shù)文件完整性的檢查;o)包裝檢查。8GB/T10067.416—2019a)全部出廠檢驗項目(在型式檢驗條件下);b)空爐升溫時間的測量;c)額定功率的測量;d)最高工作溫度的測量;f)加熱試驗(加熱能力與熱爐抽氣能力的檢查);g)工作真空度的測量;j)氣體耗量的測量;k)運動機構(gòu)運轉(zhuǎn)情況或動作情況的熱態(tài)試驗;1)熱態(tài)試驗后的檢查。除另有要求外(見9.2),多晶爐的銘牌上應(yīng)標(biāo)出下列各項:a)產(chǎn)品的型號和名稱;i)產(chǎn)品編號;j)制造日期;k)出口產(chǎn)品中英文對照;1)制造廠
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