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《電磁場(chǎng)與電磁波》自測(cè)試題
1.介電常數(shù)為的均勻線(xiàn)性介質(zhì)中,電荷的分布為V,則空間任一點(diǎn)V____________V
(r)gE,gD
o
2./;
1.線(xiàn)電流11與I2垂直穿過(guò)紙面,如圖所示。已知h1A,試問(wèn)
N.dl:12
?
t
vh?
?H.dl0,則I?。
2.1;1A
1.鏡像法是用等效的代替原來(lái)場(chǎng)問(wèn)題的邊界,該方法的理論依據(jù)是。
2鏡像電荷;唯一性定理
1.在導(dǎo)電媒質(zhì)中,電磁波的相速隨頻率改變的現(xiàn)象稱(chēng)為這樣的媒質(zhì)又稱(chēng)為。
2.色散;色散媒質(zhì)
Vv
1.已知自由空間一均勻平面波,其磁場(chǎng)強(qiáng)度為HeyH0cos(tx).則電場(chǎng)強(qiáng)度的方向?yàn)?/p>
能流密度的方向?yàn)?
VV
2.6Ze*
1.傳輸線(xiàn)的工作狀態(tài)有、、三種,其中狀態(tài)不傳遞電
磁能量。
2.行波;駐波;混合波;駐波
1.真空中有一邊長(zhǎng)為的正六角形,六個(gè)頂點(diǎn)都放有
點(diǎn)電荷。則在圖示兩種情形下,在六角形中心點(diǎn)處的場(chǎng)
強(qiáng)大小為圖中1圖中
2.;
1.平行板空氣電容器中,電位(其中a、b、c與d為常數(shù)),則電場(chǎng)強(qiáng)度
一電荷體密度
2.
1.在靜電場(chǎng)中,位于原點(diǎn)處的電荷場(chǎng)中的電場(chǎng)強(qiáng)度線(xiàn)是一族以原點(diǎn)為中心的___________________線(xiàn),等位
線(xiàn)為一族J
2射;同心圓
1.損耗媒質(zhì)中的平面波,其傳播系數(shù)可表示為的復(fù)數(shù)形式,其中表示衰減的為-
2-j;
1.在無(wú)損耗傳輸線(xiàn)上,任一點(diǎn)的輸入功率都_______并且等于所得到的功率。
2.相同;負(fù)載
1.在靜電場(chǎng)中,線(xiàn)性介質(zhì)是指介質(zhì)的參數(shù)不隨_________________面改變,各向同性的線(xiàn)性介質(zhì)是指介質(zhì)
的特性不隨而變化的線(xiàn)性介質(zhì)。
2.場(chǎng)量的量值變化;場(chǎng)的方向變化
1.對(duì)于只有個(gè)帶電導(dǎo)體的靜電場(chǎng)系統(tǒng),取其中的一個(gè)導(dǎo)體為參考點(diǎn),其靜電能量可表示成
,這里號(hào)導(dǎo)體上的電位是指_______________電電荷在號(hào)導(dǎo)體上引起的電位,因此計(jì)算
的結(jié)果表示的是靜電場(chǎng)的__________________能量的總和。
2.所有帶電導(dǎo)體;自有和互有
1.請(qǐng)用國(guó)際單位制填寫(xiě)下列物理量的單位磁場(chǎng)力磁導(dǎo)率—
2.N;H/m
1.分離變量法在解三維偏微分方程時(shí),其第一步是令
_____________________一代入方程后將得到個(gè)__________________方程。
2.;,常微分。
1.用差分法時(shí)求解以位函數(shù)為待求量的邊值問(wèn)題,用階有限差分近似表示處的,設(shè)
,則正確的差分格式是-
2一;
O
1.在電導(dǎo)率10s/m、介電常數(shù)的導(dǎo)電媒質(zhì)中,已知電場(chǎng)強(qiáng)度,則
在時(shí)刻,媒質(zhì)中的傳導(dǎo)電流密度、位移電流密度
2.1.41102A/m2;
1.終端開(kāi)路的無(wú)損耗傳輸線(xiàn)上,距離終端_________________________處為電流波的波腹;距離終端
_______________________處為電流波的波節(jié)。
2.;
1.鏡像法的理論根據(jù)是-鏡像法的基本思想是用集中的鏡像電荷代替
的分布。
2.場(chǎng)的唯一性定理;未知電荷
1.請(qǐng)采用國(guó)際單位制填寫(xiě)下列物理量的單位電感磁通:
2.H;Wb
1靜態(tài)場(chǎng)中第一類(lèi)邊值問(wèn)題是已知整個(gè)邊界上-其數(shù)學(xué)表達(dá)式為-
2位函數(shù)的值;
1.坡印廷矢量,它的方向表示_________________的傳輸方向,它的大小表示單位時(shí)間通過(guò)與能
流方向相垂直的________________曳磁能量。
2電磁能量;單位面積的
1損耗媒質(zhì)中其電場(chǎng)強(qiáng)度振幅和磁場(chǎng)強(qiáng)度振幅以_____一因子隨增大而_______「
2;減小
1所謂均勻平面波是指等相位面為且在等相位面上各點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)_______的電磁波。
2平面;相等
1.設(shè)媒質(zhì)1介電常數(shù))與媒質(zhì)2(介電常數(shù)為)分界面上存在自由電荷面密度,試用電位函
數(shù)寫(xiě)出其分界面上的邊界條件和。
2.;
1.圖示填有兩層介質(zhì)的平行板電容器,設(shè)兩極板上半部分的面積為,下半部分的
面積為,板間距離為,兩層介質(zhì)的介電常數(shù)分別為與。介質(zhì)分界面垂直于
兩極板。若忽略端部的邊緣效應(yīng),則此平行板電容器的電容應(yīng)為-
2.
1用以處理不同的物理場(chǎng)的類(lèi)比法,是指當(dāng)描述場(chǎng)的數(shù)學(xué)方式具有相似的和相似的
則它們的解答在形式上必完全相似,因而在理論計(jì)算時(shí),可以把某一種場(chǎng)的分析計(jì)算結(jié)果,推廣到另一種場(chǎng)中
去。
2微分方程;邊界條件
1.電荷分布在有限區(qū)域的無(wú)界靜電場(chǎng)問(wèn)題中,對(duì)場(chǎng)域無(wú)窮遠(yuǎn)處的邊界條件可表示為
即位函數(shù)在無(wú)限遠(yuǎn)處的取值為_(kāi)_______「
2.有限值;
1.損耗媒質(zhì)中的平面波,其電場(chǎng)強(qiáng)度,其中稱(chēng)為-稱(chēng)為_(kāi)__________「
2.衰減系數(shù);相位系數(shù)
1.在自由空間中,均勻平面波等相位面的傳播速度等于-電磁波能量傳播速度等于。
2.光速;光速
1.均勻平面波的電場(chǎng)和磁場(chǎng)除了與時(shí)間有關(guān)外,對(duì)于空間的坐標(biāo),僅與的坐標(biāo)有關(guān)。均勻平面
波的等相位面和________左向垂直。
2.傳播方向;傳播
1.在無(wú)限大真空中,一個(gè)點(diǎn)電荷所受其余多個(gè)點(diǎn)電荷對(duì)它的作用力,可根據(jù)定律和原
理求得。
2.庫(kù)侖;疊加
1.真空中一半徑為a的圓球形空間內(nèi),分布有體密度為的均勻電荷,則圓球內(nèi)任一點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度
尚er(ra);圓球外任一點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度2er(ra)。
oo
2.r/30;a/3r;
1鏡像法的關(guān)鍵是要確定鏡像電荷的個(gè)數(shù)、和。
2位置;大小
1.一均勻平面波由空氣垂直入射到良導(dǎo)體表面,則其場(chǎng)量衰減為表面值的1/e時(shí)的傳播距離稱(chēng)為該導(dǎo)體的
,其值等于設(shè)傳播系數(shù)j)。
2透入深度(趨膚深度):1/
1電磁波發(fā)生全反射的條件是,波從且入射角應(yīng)不小于J
2光密媒質(zhì)進(jìn)入光疏媒質(zhì);臨界角
1.若媒質(zhì)1為完純介質(zhì),媒質(zhì)2為理想導(dǎo)體。一平面波由媒質(zhì)1入射至媒質(zhì)2,在分界面上,電場(chǎng)強(qiáng)度的反射波
分量和入射波分量的量值相位(填相等或相反)。2.相等;相反
1.設(shè)空氣中傳播的均勻平面波,其磁場(chǎng)為,則該平面波的傳播
方向?yàn)?該波的頻率為.
2.V;6
e;510Hz
1.已知銅的電導(dǎo)率,相對(duì)磁導(dǎo)率,相對(duì)介質(zhì)電常數(shù),對(duì)于頻率為
的電磁波在銅中的透入深度為.一若頻率提高,則透入深度將變.
2.66m;小
1.一右旋圓極化波,電場(chǎng)振幅為,角頻率為,相位系數(shù)為,沿傳播,則其電場(chǎng)強(qiáng)度的瞬時(shí)表示
為.一磁場(chǎng)強(qiáng)度的瞬時(shí)表示為
V.v0Eov
2.;
EEocos(tz)exEosin(tz)eyHCOS(tsin(tz)ex
ZZ
1.設(shè)一空氣中傳播的均勻平面波,已知其電場(chǎng)強(qiáng)度為,則該平面波的磁場(chǎng)強(qiáng)
度;波長(zhǎng)為
v18
2.eEocos(6102z);1m
x120
1.在電導(dǎo)率、介電常數(shù)的導(dǎo)電媒質(zhì)中,已知電場(chǎng)強(qiáng)度,則在
時(shí)刻,媒質(zhì)中的傳導(dǎo)電流密度一位移電流密度
2.1.414102A/m2;2.36107A/m2
1.在分別位于和處的兩塊無(wú)限大的理想導(dǎo)體平板之間的空氣中,時(shí)變電磁場(chǎng)的磁場(chǎng)強(qiáng)度
則兩導(dǎo)體表面上的電流密度分別為和
2.ezcos(tz);ezcos(tz)
1.麥克斯韋方程組中的和表明不僅要產(chǎn)生電場(chǎng),而且隨時(shí)間變化的
________也要產(chǎn)生電場(chǎng)。
2.電荷;磁場(chǎng)
1.時(shí)變電磁場(chǎng)中,根據(jù)方程,可定義矢量位使,再根據(jù)方程
可定義標(biāo)量位,使
V
VV
2.gB0:EB
t
1.無(wú)源真空中,時(shí)變電磁場(chǎng)的磁場(chǎng)強(qiáng)度滿(mǎn)足的波動(dòng)方程為J正弦電磁場(chǎng)(角頻率為
)的磁場(chǎng)強(qiáng)度復(fù)矢量(即相量)滿(mǎn)足的亥姆霍茲方程為
V
V2VV
2.2|_|0°;0;2H2
1.在介電常數(shù)為,磁導(dǎo)率為、電導(dǎo)率為零的無(wú)損耗均勻媒質(zhì)中,已知位移電流密度復(fù)矢量(即相
量),那么媒質(zhì)中電場(chǎng)強(qiáng)度復(fù)矢量(即相量)
磁場(chǎng)強(qiáng)度復(fù)矢量(即相量)
2.e2-i/m:ee"A/m
Xjyj2
1.在電導(dǎo)率和介電常數(shù)的均勻媒質(zhì)中,已知電磁場(chǎng)的電場(chǎng)強(qiáng)度
,則當(dāng)頻率_____且時(shí)間-媒質(zhì)中位移電流
密度的大小與傳導(dǎo)電流密度的大小相等。(注:)
2.7.2101°Hz;10(n1),n0,1,2……
728
1.半徑為的圓形線(xiàn)圈放在磁感應(yīng)強(qiáng)度的磁場(chǎng)中,且與線(xiàn)圈平面垂直,則線(xiàn)圈上的感應(yīng)電
動(dòng)勢(shì)____________“,感應(yīng)電場(chǎng)的方向?yàn)開(kāi)___________「
25V
,2(3t1)a;e
1.真空中,正弦電磁場(chǎng)的電場(chǎng)強(qiáng)度和磁場(chǎng)強(qiáng)度分別為
那么,坡印廷矢量
平均坡印廷矢量
V1.2
2.ezEsin(z)sin(2t);0
4o
1.兩個(gè)載流線(xiàn)圈的自感分別為和,互感為,分別通有電流和,則該系統(tǒng)的自有能
為,互有能為。
2.1LI21LI2;MlI
112212
1.在恒定磁場(chǎng)中,若令磁矢位的散度等于零,則可以得到所滿(mǎn)足的微分方
程。但若的散度不為零,還能得到同樣的微分方程
嗎?0
VV
22Aj;不能
1.在平行平面場(chǎng)中,線(xiàn)與等線(xiàn)相互____________(填寫(xiě)垂直、重合或有一定的夾角)
恒定磁場(chǎng)中不同媒質(zhì)分界面處,與滿(mǎn)足的邊界條件
是,或,。
vVVVVVV
;
H“HaJsBmB2n0;n(HiH2)JS;ng(B,B2)0;
7、試題關(guān)鍵字鏡像法
1.圖示點(diǎn)電荷Q與無(wú)限大接地導(dǎo)體平板的靜電場(chǎng)問(wèn)題中,為了應(yīng)用鏡像法求解區(qū)域A
中的電場(chǎng),基于唯一性定理,在確定鏡像法求解時(shí),是根據(jù)邊界條件(用電位表示)
和。
2?AB°;0
n
1.鏡像法的關(guān)鍵是要確定鏡像電荷的大小、和。
2.位置;個(gè)數(shù)
1根據(jù)場(chǎng)的唯一性定理在靜態(tài)場(chǎng)的邊值問(wèn)題中,只要滿(mǎn)足給定的—一條件,則泊松方程或拉普拉斯方程的
解是。
2邊界;唯一的
1.以位函數(shù)為待求量的邊值問(wèn)題中,設(shè)為邊界點(diǎn)的點(diǎn)函數(shù),則所謂第一類(lèi)邊值問(wèn)題是指給定
2.f⑸;
1.分離變量法用于求解拉普拉斯方程時(shí),具體步驟是1、先假定待求的_由—的乘積所
組成。2、把假定的函數(shù)代入,使原來(lái)的_方程轉(zhuǎn)換為
兩個(gè)或三個(gè)常微分方程。解這些方程,并利用給定的邊界條件決定其中待定常數(shù)和函數(shù)后,最終即可解得待求的
位函數(shù)。
2位函數(shù);兩個(gè)或三個(gè)各自?xún)H含有一個(gè)坐標(biāo)變量的;拉氏方程;偏微分;
1.靜態(tài)場(chǎng)中第一類(lèi)邊值問(wèn)題是已知整個(gè)邊界上_,其數(shù)學(xué)表達(dá)式為。
2.位函數(shù)的值;f(S)
1.以位函數(shù)為待求量的邊值問(wèn)題中,設(shè)為邊界點(diǎn)的點(diǎn)函數(shù),則所謂第二類(lèi)邊值問(wèn)題是指給定
式。
2.f(S)
n
1.鏡像法的理論根據(jù)是_。鏡像法的基本思想是用集中的鏡像電荷代替_的分布。
2.場(chǎng)的唯一性定理;求知電荷
1電源以外恒定電流場(chǎng)基本方程的積分形式是―它說(shuō)明恒定電流場(chǎng)的傳導(dǎo)電流是-
VVVV
2蜒dl0,JdS0:連續(xù)的
1.電通密度(電位移)矢量的定義式為;若在各向同性的線(xiàn)性
電介質(zhì)中,則電通密度與電場(chǎng)強(qiáng)度的關(guān)系又可表示為
VVV
2.0EP;E
1.介電常數(shù)的電導(dǎo)率分別為及的兩種導(dǎo)電媒質(zhì)的交界面,如已知媒質(zhì)2中電流密度的法向分量
,則分界面上的電荷面密度,要電荷面密度為零,必須滿(mǎn)足條件。
22112
2.J2n
1212
1.寫(xiě)出下列兩種情況下,介電常數(shù)為的均勻無(wú)界媒質(zhì)中電場(chǎng)強(qiáng)度的量值隨距離的變化規(guī)律(1)帶電金屬球(帶
電荷量為Q)(2)無(wú)限長(zhǎng)線(xiàn)電荷(電荷線(xiàn)密度為)
2.Q/4r2;/2r
1.真空中一半徑為a的球殼,均勻分布電荷Q殼內(nèi)任一點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度;殼外任一點(diǎn)
的電場(chǎng)強(qiáng)度___________
2
2.0;Q/4
1.電偶極子是指,寫(xiě)出表征其特征的物理量電偶極矩的數(shù)學(xué)表達(dá)式J
VV
2.兩個(gè)相距一定距離的等量異號(hào)的電荷;pql
r
1.矢量場(chǎng)中A圍繞某一點(diǎn)P作一閉合曲面S,則矢量A穿過(guò)閉合曲面S的通量為;若①>0,則流出S面
的通量流入的通量,即通量由S面內(nèi)向外,說(shuō)明S面內(nèi)有。
rr
2Ads;大于;擴(kuò)散;正源
S
1.矢量場(chǎng)的散度在直角坐標(biāo)下的表示形式為,它的結(jié)果為一場(chǎng)。
r
2.AS標(biāo)量
1.散度定理的表達(dá)式為;斯托克斯定理的表達(dá)式為。
rrrrrrr
2.AdsAdv;iAdl(A)ds
SVs
1.標(biāo)量場(chǎng)的梯度是一場(chǎng),表示某一點(diǎn)處標(biāo)量場(chǎng)的。
2.矢量;變化率
1.研究一個(gè)矢量場(chǎng),必須研究它的和,才能確定該矢量場(chǎng)的性質(zhì),這即是o
2.散度;旋度:亥姆霍茲定理
1.標(biāo)量場(chǎng)的梯度的方向?yàn)椋粩?shù)值為。
2.指向標(biāo)量增加率最大的方向或是等值面的法線(xiàn)方向;該方向上標(biāo)量的增加率
1.真空中兩個(gè)點(diǎn)電荷之間的作用力()
A.若此兩個(gè)點(diǎn)電荷位置是固定的,則不受其他電荷的引入而改變
B.若此兩個(gè)點(diǎn)電荷位置是固定的,則受其他電荷的引入而改變
C.無(wú)論固定與不固定,都不受其他電荷的引入而改變
2.A
1.真空中有三個(gè)點(diǎn)電荷、、。帶電荷量,帶電荷量,且O要使每個(gè)點(diǎn)電荷所受的
電場(chǎng)力都為零,則()
A.電荷位于、電荷連線(xiàn)的延長(zhǎng)線(xiàn)上,一定與同號(hào),且電荷量一定大于
B.電荷可位于連線(xiàn)的任何處,可正、可負(fù),電荷量可為任意大小
C.電荷應(yīng)位于、電荷連線(xiàn)的延長(zhǎng)線(xiàn)上,電荷量可正、可負(fù),且電荷量一定要大于
2.A
)
A.不變;B.減?。籆.增大
2.B
1.在無(wú)損耗媒質(zhì)中,電磁波的相速度與波的頻率()
A.成正比;B.成反比;C.無(wú)關(guān)
2.C
1.同軸線(xiàn)、傳輸線(xiàn)()
A只能傳輸TEM波
B只能傳輸TE波和TM波
C既能傳輸TEM波,又能傳輸TE波和TM波
2.C
7、試題關(guān)鍵字自感、互感
1.兩線(xiàn)圈的自感分別為和,互感為,若在線(xiàn)圈下方放置一無(wú)限
大鐵磁平板,如圖所示,則()
A.、增加,減小
B.、和均增加
C.、不變,增加
2.B
1.兩個(gè)極化方向相互垂直的線(xiàn)極化波疊加,當(dāng)振幅相等,相位差為或時(shí),將形成()
A.線(xiàn)極化波;B.圓極化波;C.橢圓極化波
2.B
1均勻平面波由介質(zhì)垂直入射到理想導(dǎo)體表面時(shí),產(chǎn)生全反射,入射波與反射波疊加將形成駐波,其電場(chǎng)強(qiáng)度
和磁場(chǎng)的波節(jié)位置()
A.相同;B.相差;C.相差
2B
1.已知一導(dǎo)電媒質(zhì)中平面電磁波的電場(chǎng)強(qiáng)度表示為,則該導(dǎo)電媒質(zhì)可視為
()
A.良導(dǎo)體;B.非良導(dǎo)體;C.不能判定
2.A
1.已知一均勻平面波以相位系數(shù)在空氣中沿軸方向傳播,則該平面波的頻率為()
2.C
1.已知電磁波的電場(chǎng)強(qiáng)度為,則該電磁波為()
A.左旋圓極化波;B.右旋圓極化波;C.線(xiàn)橢圓極化波
2.A
1.均勻平面波從一種本征阻抗(波阻抗)為的無(wú)耗損媒質(zhì)垂直入射至另一種本征阻抗為的無(wú)耗媒質(zhì)的
平面上,若,則兩種媒質(zhì)中功率的時(shí)間平均勻值的關(guān)系為()
2.A
1.已知一均勻平面波的電場(chǎng)強(qiáng)度振幅為,當(dāng)時(shí),原點(diǎn)處的達(dá)到最大值且取向?yàn)?,該平面?/p>
以相位系數(shù)在空氣中沿方向傳播,則其電場(chǎng)強(qiáng)度可表示為()
2B
1.若介質(zhì)為完純介質(zhì),其介電常數(shù),磁導(dǎo)率,電導(dǎo)率;介質(zhì)為空氣。平面電磁波
由介質(zhì)向分界平面上斜入射,入射波電場(chǎng)強(qiáng)度與入射面平行,若入射角,則介質(zhì)(空氣)中折射波
的折射角為()
2.B
1.一金屬圓線(xiàn)圈在均勻磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng),以下幾種情況中,能產(chǎn)生感應(yīng)電流的是()
線(xiàn)圈沿垂直于磁場(chǎng)的方向平行移動(dòng)
線(xiàn)圈以自身某一直徑為軸轉(zhuǎn)動(dòng),轉(zhuǎn)軸與磁場(chǎng)方向平行
線(xiàn)圈以自身某一直徑為軸轉(zhuǎn)動(dòng),轉(zhuǎn)軸與磁場(chǎng)方向垂直
2.C
1.如圖所示,半徑為的圓線(xiàn)圈處于變化的均勻磁場(chǎng)中,線(xiàn)圈平面與垂直。已知
,則線(xiàn)圈中感應(yīng)電場(chǎng)強(qiáng)度的大小和方向?yàn)椋ǎ?/p>
,逆時(shí)針?lè)较?/p>
順時(shí)針?lè)较?/p>
逆時(shí)針?lè)较?/p>
2.C
1.已知正弦電磁場(chǎng)的電場(chǎng)強(qiáng)度矢量
則電場(chǎng)強(qiáng)度復(fù)矢量(即相量)為()
2.B
1.已知無(wú)源真空中,正弦電磁場(chǎng)的復(fù)矢量(即相量,)
其中和是常矢量,那么一定有()
和
2.C
1.對(duì)于載有時(shí)變電流的長(zhǎng)直螺線(xiàn)管中的坡印廷矢量,下列陳述中,正確的是()
A.無(wú)論電流增大或減小,都向內(nèi)
B.無(wú)論電流增大或減小,都向外
C.當(dāng)電流增大,向內(nèi);當(dāng)電流減小時(shí),向外
2.B
1.比較位移電流與傳導(dǎo)電流,下列陳述中,不正確的是()
A.位移電流與傳導(dǎo)電流一樣,也是電荷的定向運(yùn)動(dòng)
B.位移電流與傳導(dǎo)電流一樣,也能產(chǎn)生渦旋磁場(chǎng)
C.位移電流與傳導(dǎo)電不同,它不產(chǎn)生焦耳熱損耗
2.A
1.已知在電導(dǎo)率、介電常數(shù)的海水中,電場(chǎng)強(qiáng)度,則位移
電流密度為():
2.C
1.自由空間中,正弦電磁場(chǎng)的電場(chǎng)強(qiáng)度和磁場(chǎng)強(qiáng)度分別為
那么,通過(guò)平面內(nèi)邊長(zhǎng)為和的方形面積的平均功率為()
2.B
1.導(dǎo)電媒質(zhì)中,已知電場(chǎng)強(qiáng)度,則媒質(zhì)中位移電流密度的相位與傳導(dǎo)電流密度的相位
()
相差相差相同
2.A
1.兩塊平行放置載有相反方向電流線(xiàn)密度與的無(wú)限大薄板,板間距離為,這時(shí)
()
A.兩板間磁感應(yīng)強(qiáng)度為零。()
B.兩外側(cè)的磁感應(yīng)強(qiáng)度為零。(
C.板間與兩側(cè)的都為零
2.B
1.若要增大兩線(xiàn)圈之間的互感,可以采用以下措施()
A.增加兩線(xiàn)圈的匝數(shù)
B.增加兩線(xiàn)圈的電流
C.增加其中一個(gè)線(xiàn)圈的電流
2.A
1在無(wú)限長(zhǎng)線(xiàn)電流附近有一塊鐵磁物質(zhì),現(xiàn)取積分路徑1234,它部分地經(jīng)過(guò)鐵磁物質(zhì),則在以下諸式中,正
確的是()
(注:與回路鏈結(jié)的鐵磁物質(zhì)被磁化后等效的磁化電流)
2C
1.若在兩個(gè)線(xiàn)圈之間插入一塊鐵板,則()
A.兩線(xiàn)圈的自感均變小
B.兩線(xiàn)圈的百感不變
C.兩線(xiàn)圈的自感均變大
2.C
1.下列矢量哪個(gè)可能是磁感應(yīng)強(qiáng)度,式中為常數(shù)()
2.B
1
1.根據(jù)恒定磁場(chǎng)中磁感應(yīng)強(qiáng)度、磁場(chǎng)強(qiáng)度與磁化強(qiáng)度的定義可知,在各向同性媒質(zhì)中:()
與的方向一定一致,的方向可能與一致,也可能與相反
、的方向可能與一致,也可能與相反
磁場(chǎng)強(qiáng)度的方向總是使外磁場(chǎng)加強(qiáng)。
2.A
1.設(shè)半徑為a的接地導(dǎo)體球外空氣中有一點(diǎn)電荷Q,距球心的距離為,如圖所示?,F(xiàn)拆除接地線(xiàn),
再把點(diǎn)電荷Q移至足夠遠(yuǎn)處,可略去點(diǎn)電荷Q對(duì)導(dǎo)體球的影響。若以無(wú)窮
遠(yuǎn)處為電位參考點(diǎn),則此時(shí)導(dǎo)體球的電位()
A.
B.
C.
2B
1.圖示一點(diǎn)電荷Q與一半徑為a、不接地導(dǎo)體球的球心相距為
.則導(dǎo)體球的電位()
A.一定為零
15
B.可能與點(diǎn)電荷Q的大小、位置有關(guān)
C.僅與點(diǎn)電荷Q的大小、位置有關(guān)
2B
1以位函數(shù)為待求量的邊值問(wèn)題中,設(shè)都為邊界點(diǎn)的點(diǎn)函數(shù),則所謂第二類(lèi)邊值問(wèn)
題是指給定()
為在邊界上的法向?qū)?shù)值)
2B
1.以位函數(shù)為待求量邊值問(wèn)題中,設(shè)都為邊界點(diǎn)的點(diǎn)函數(shù),則所謂第一類(lèi)邊值問(wèn)
題是指給定()
(為在邊界上的法向?qū)?shù)值)
2.A
1.靜電場(chǎng)中電位為零處的電場(chǎng)強(qiáng)度()
A.一定為零;B.一定不為零;C.不能確定
2.C
1.電源以外恒定電流場(chǎng)基本方程的微分形式說(shuō)明它是()
有散無(wú)旋場(chǎng);無(wú)散無(wú)旋場(chǎng);無(wú)散有旋場(chǎng)
2.B
1.恒定電流場(chǎng)中,不同導(dǎo)電媒質(zhì)交界面上自由電荷面密度的條件是()
2.A
1.試確定靜電場(chǎng)表達(dá)式中,常數(shù)C的值是()
A.B.C.
2A
1.已知電場(chǎng)中一閉合面上的電通密度,(電移位)的通量不等于零,則意味著該面內(nèi)()
A.一定存在自由電荷;B一定存在自由電荷;C.不能確定
2.A
1.下列表達(dá)式成立的是()
A、B、gu0;cgu0;guo
AdsAdv
2.C
t關(guān)于距離矢量R下面表示正確的為()
1R111R
A、RD、
2
RRRRRR3
2D
1.下面表述正確的為()
A.矢量場(chǎng)的散度仍為一矢量場(chǎng);
B.標(biāo)量場(chǎng)的梯度結(jié)果為一標(biāo)量;
矢量場(chǎng)的旋度結(jié)果為一標(biāo)量場(chǎng);
D.標(biāo)量場(chǎng)的梯度結(jié)果為一矢量
2D
1.矢量場(chǎng)的散度在直角坐標(biāo)下的表示形式為)
AxAyAzAxvAyvAzv
A.Be
ex?yz
XyzXyz
AvAvAvAAA
C.e0D
XyXyz
2.A
2.A
1.斯托克斯定理的表達(dá)式為()
A.vvVv
vV.B
AdlA)ds'AdlA)ds
2.B
1.下面關(guān)于亥姆霍茲定理的描述,正確的是()
A研究一個(gè)矢量場(chǎng),必須研究它的散度和旋度,才能確定該矢量場(chǎng)的性質(zhì)。
B.研究一個(gè)矢量場(chǎng),只要研究它的散度就可確定該矢量場(chǎng)的性質(zhì)。
C.研究一個(gè)矢量場(chǎng),只要研究它的旋度誤就可確定該矢量場(chǎng)的性質(zhì)。
2.A
1帶電球體(帶電荷量為Q)球外任一點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)()
A.大小為Q/4or;B.與電量的大小成反比
C.與電量的大小成正比D.與距離成正比
2C
1.下列關(guān)于電場(chǎng)(力)線(xiàn)表述正確的是()
A.由正的自由電荷出發(fā),終止于負(fù)的自由電荷;
B.由正電荷出發(fā),終止于負(fù)電荷;
C.正電荷逆著電場(chǎng)線(xiàn)運(yùn)動(dòng),負(fù)電荷順著電場(chǎng)線(xiàn)運(yùn)動(dòng)
2B
1.下列關(guān)于電位移線(xiàn)表述正確的是()
A.由正的自由電荷出發(fā),終止于負(fù)的自由電荷;
B.由正電荷出發(fā),終止于負(fù)電荷;
C.正電荷逆著電位移線(xiàn)運(yùn)動(dòng),負(fù)電荷順著電位移線(xiàn)運(yùn)動(dòng)
2A
Vv
1.電位移表達(dá)式DE()
A.在各種媒質(zhì)中適用;
B.在各向異性的介質(zhì)中適用;
C.在各向同性的、線(xiàn)性的均勻的介質(zhì)中適用;
2C
1.電位移表達(dá)式vvv()
DoEp
A在各種媒質(zhì)中適用;
B只在各向異性的介質(zhì)中適用;
C.只在各向同性的、線(xiàn)性的均勻的介質(zhì)中適用;
2.A
VV
1.磁場(chǎng)強(qiáng)度表達(dá)式BH()
A.在各種磁介質(zhì)中適用;
B.只在各向異性的磁介質(zhì)中適用;
C.只在各向同性的、線(xiàn)性的均勻的磁介質(zhì)中適用;
2C
vvv
1.磁感應(yīng)強(qiáng)度表達(dá)式B0H0M()
A.在各種磁介質(zhì)中適用;
B.只在各向異性的磁介質(zhì)中適用;
C.只在各向同性的、線(xiàn)性的均勻的磁介質(zhì)中適用;
2A
1.電源以外恒定電流場(chǎng)基本方程的積分形式是()
VVVV
Atogdl0,JdS0
飛VVV
B.蟾Q0,JdS0
vv
C.蜒dl0,JdSdq/dt
2.A人
1.寫(xiě)出非限定情況下麥克斯韋方程組的微分形式,并簡(jiǎn)要說(shuō)明其物理意義。
vv
VVVVV
DB
2.答非限定情況下麥克斯韋方程組的微分形式為HJEB0,D(3
tt
分)(表明了電磁場(chǎng)和它們的源之間的全部關(guān)系除了真實(shí)電流外,變化的電場(chǎng)(位移電流)也是磁場(chǎng)的源;除電荷
外,變化的磁場(chǎng)也是電場(chǎng)的源。
1.寫(xiě)出時(shí)變電磁場(chǎng)在1為理想導(dǎo)體與2為理想介質(zhì)分界面時(shí)的邊界條件。
vvvv
2時(shí)變場(chǎng)的一般邊界條件D2n、E2t0、H2tJs、B2nOo(或矢量式n①2、nE20、
vvvvv
、
nH2JSngB20)
1寫(xiě)出矢量位、動(dòng)態(tài)矢量位與動(dòng)態(tài)標(biāo)量位的表達(dá)式,并簡(jiǎn)要說(shuō)明庫(kù)侖規(guī)范與洛侖茲規(guī)范的意義。
VV
VVVVAvA
2答矢量位BA,A0;動(dòng)態(tài)矢量位E或E。庫(kù)侖規(guī)范與洛侖茲規(guī)范
tt
vv
的作用都是限制A的散度,從而使A的取值具有唯一性;庫(kù)侖規(guī)范用在靜態(tài)場(chǎng),洛侖茲規(guī)范用在時(shí)變場(chǎng)。
1.簡(jiǎn)述穿過(guò)閉合曲面的通量及其物理定義
2.Ads是矢量A穿過(guò)閉合曲面S的通量或發(fā)散量。若中>0,流出S面的通量大于流入的通量,
即通量由S面內(nèi)向外擴(kuò)散,說(shuō)明S面內(nèi)有正源若中<0,則流入S面的通量大于流出的通量,即通量向S面內(nèi)匯
集,說(shuō)明S面內(nèi)有負(fù)源。若中=0,則流入S面的通量等于流出的通量,說(shuō)明S面內(nèi)無(wú)源。
1.證明位置矢量r的散度,并由此說(shuō)明矢量場(chǎng)的散度與坐標(biāo)的選擇無(wú)關(guān)。
2證明在直角坐標(biāo)系里計(jì)算則有
xyz
xyz
若在球坐標(biāo)系里計(jì)算,則
rr13
r(r)(rr)(r)3由此說(shuō)明了矢量場(chǎng)的散度與坐標(biāo)的選擇無(wú)關(guān)。
rr「
1.在直角坐標(biāo)系證明A0
2.
r
A
rrrrAAxrAxAzrAyA,
)]
(exeyez)[ex()ey()e2(
XyZyZZXXy
(AAy)(AxAz)(AAx)0
xyzyzxzxy
1.簡(jiǎn)述亥姆霍茲定理并舉例說(shuō)明。
2.亥姆霍茲定理研究一個(gè)矢量場(chǎng),必須研究它的散度和旋度,才能確定該矢量場(chǎng)的性質(zhì)。例靜電場(chǎng)
VV
有源
DdsD0
VVv
?Edl0E0無(wú)旋
Rr
.已知,證明
1RrrRR?R
R
2.證明
rRrRrRVXXvyyVzz
R?y?zexe2
xyzRRR
RR
1.試寫(xiě)出一般電流連續(xù)性方程的積分與微分形式,恒定電流的呢?
VVV
2.一般電流dSdq/dtO,J/t;
VVV
恒定電流?JdS0,J0
1.試寫(xiě)出靜電場(chǎng)基本方程的積分與微分形式。
2.答靜電場(chǎng)基本方程的
rr1rr
積分形式3Edsq,QEdl0
r0r'
微分形式D,E0
1.試寫(xiě)出靜電場(chǎng)基本方程的微分形式,并說(shuō)明其物理意義。
vv
2.靜電場(chǎng)基本方程微分形式D,E0,說(shuō)明激發(fā)靜電場(chǎng)的源是空間電荷的分布(或是激發(fā)靜
電場(chǎng)的源是是電荷的分布)。
1.試說(shuō)明導(dǎo)體處于靜電平衡時(shí)特性。
2.答導(dǎo)體處于靜電平衡時(shí)特性有
V
①導(dǎo)體內(nèi)E0:
②導(dǎo)體是等位體(導(dǎo)體表面是等位面);
③導(dǎo)體內(nèi)無(wú)電荷,電荷分布
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