CdS CdSe半導(dǎo)體納米粒子 合成表征論文

CdS（CdSe）半導(dǎo)體納米粒子的合成與表征【摘要】CdS、CdSe等半導(dǎo)體納米粒子表面有大量不飽和的懸掛鍵,即表面缺陷態(tài),影響納米粒子的熒光量子產(chǎn)率。通過選用不同的表面活性劑可以有效地減少表面缺陷,合成一系列高熒光強度和量子產(chǎn)率的納米粒子。本文研究在不同的反應(yīng)體系中合成CdS、CdSe等半導(dǎo)體納米粒子,系統(tǒng)研究了不同反應(yīng)條件和表面活性劑等因素對半導(dǎo)體納米粒子的制備過程及光學(xué)性能的影響。以AOT(雙二(2-乙基己基)琥珀酸酯磺酸鈉)為表面活性劑,乙酸鎘為鎘源,硫脲和硒代硫酸鈉(NaSeSO3)為硫源和硒源,在水相中合成了CdS和CdSe半導(dǎo)體納米粒子。通過紫外-可見吸收光譜、熒光光譜、傅里葉紅外光譜、X射線衍射(XRD)和透射電子顯微鏡(TEM)等方法,對CdS和CdSe納米粒子的形貌及光學(xué)性質(zhì)進行表征和分析,結(jié)果表明AOT對CdS和CdSe(?)內(nèi)米粒子具有良好的表面修飾作用,由于AOT的兩親性質(zhì),所合成的CdS、CdSe納米粒子可以分散于極性和非極性溶劑中。依據(jù)界面反應(yīng)原理,選用十八胺或油酸鈉為表面活性劑,在甲苯和乙二醇(或水)兩相界面處合成CdS、CdSe、MnS、Ag2S等半導(dǎo)體納米粒子。紫外-可見吸收光譜、熒光光譜、X射線衍...

更多還原【Abstract】Therearealotofunsaturateddanglingbonds,namelysurfacedefectstates,whichwilleventuallyinfluencethefluorescencequantumyieldsofnanoparticlesonthesurfacesofCdSandCdSesemiconductornanoparticles.Uptonow,aseriesofsemiconductornanoparticleswithhighphotoluminecenceintensityandquantumyieldshavebeensynthesizedbyusingdifferentsurfactantswhichdecreasedthesurfacedefectsefficiently.Inthispaper,CdSandCdSenanoparticlesweresynthesizedindifferent...

更多還原【關(guān)鍵詞】CdS；CdSe；半導(dǎo)體納米粒子；合成；表征；

【Keywords】CdS；CdSe；SemiconductorNanoparticles；Synthesis；Characterization；摘要5-6Abstract6-7第一章緒論11-301.1納米材料概述11-121.2半導(dǎo)體納米材料的特性12-141.2.1量子尺寸效應(yīng)12-131.2.2表面效應(yīng)13-141.2.3宏觀量子隧道效應(yīng)141.2.4介電限域效應(yīng)141.3半導(dǎo)體納米材料的制備方法14-221.3.1金屬有機化學(xué)法14-151.3.2水熱/溶劑熱合成法15-161.3.3沉淀法161.3.4溶膠-凝膠法16-171.3.5(反相)微乳液法17-181.3.6模板法181.3.7單相法和兩相法18-221.4半導(dǎo)體納米材料的表征22-261.4.1成分分析22-231.4.2結(jié)構(gòu)和形態(tài)分析23-251.4.3性質(zhì)分析25-261.5半導(dǎo)體納米材料的應(yīng)用26-281.5.1作為光催化劑26-271.5.2作為發(fā)光材料271.5.3生物標(biāo)記中的應(yīng)用27-281.6論文的研究內(nèi)容和意義28-30第二章水相中合成CdS(CdSe)納米粒子30-462.1藥品與儀器30-312.1.1實驗藥品30-312.1.2實驗儀器312.1.3測試儀器312.2實驗內(nèi)容31-332.2.1CdS納米粒子的制備31-322.2.2CdSe納米粒子的制備32-332.3結(jié)果與討論33-442.3.1合成條件對CdS納米粒子UV-vis光譜的影響33-352.3.2CdS納米粒子的PL光譜35-362.3.3CdS納米粒子的紅外光譜(FTIR)分析36-382.3.4CdS納米粒子的透射電鏡(TEM)分析38-392.3.5反應(yīng)條件對CdSe納米粒子光譜的影響39-432.3.6CdSe納米粒子的X射線衍射(XRD)分析432.3.7CdSe納米粒子的透射電鏡(TEM)分析43-442.4本章小結(jié)44-46第三章兩相法合成半導(dǎo)體納米粒子46-653.1藥品與儀器46-473.1.1本章所用藥品46-473.1.2實驗儀器473.1.3測試儀器473.2實驗部分47-503.2.1CdS納米粒子的制備47-483.2.2CdSe納米粒子的制備48-493.2.3兩相法合成硫化錳納米粒子493.2.4兩相法合成Ag_2S納米粒子49-503.3結(jié)果與討論50-633.3.1不同反應(yīng)條件合成的CdS納米粒子UV-vis和PL光譜分析50-543.3.2CdS納米粒子的XRD分析54-553.3.3CdS納米粒子的透射電鏡(TEM)分析55-563.3.4合成條件對CdSe納米粒子UV-vis和PL光譜的影響56-593.3.5CdSe納米粒子的XRD分析59-603.3.6CdSe納米粒子的TEM分析603.3.7硫化錳納米粒子的紫外-可見吸收光譜分析60-613.3.8硫化錳納米粒子的TEM分析613.3.9Ag_2S納米粒子的UV-vis譜圖和XRD分析61-633.3.10Ag_2S納米粒子的TEM分析633.4本章小結(jié)63-65第四章乙醇相中合成CdS(CdSe)納米粒子65-784.1藥品與儀器65-664.1.1實驗藥品654.1.2實驗儀器65-664.1.3測試儀器664.2實驗部分66-674.2.1CdS納米粒子的制備66-674.2.2CdSe納米粒子的制備674.3結(jié)果與討論67-764.3.1合成條件對CdS納米粒子光譜的影響67-734.3.2CdS納米粒子的XRD分析73-