半導(dǎo)體器件 集成電路 第2部分：數(shù)字集成電路 第八篇：集成電路靜態(tài)讀寫存儲器空白詳細(xì)規(guī)范 征求意見稿

半導(dǎo)體器件集成電路第2-8部分：數(shù)字集成電路集成電路靜態(tài)讀/寫存儲器空白詳細(xì)規(guī)范IEC電子元器件質(zhì)量評定體系遵循IEC的章程，并在IEC的授權(quán)下進(jìn)行工作。該體系的目的是確定質(zhì)量評定程序，以這種方式使一個(gè)參加國按有關(guān)規(guī)范要求放行的電子元器件無需進(jìn)一步試驗(yàn)而為其他所有參加國同樣接受。本部分是半導(dǎo)體器件一系列空白詳細(xì)規(guī)范之一，并且與下列標(biāo)準(zhǔn)一起使用。GB/T4589.1半導(dǎo)體器件第10部分:分立器件和集成電路總規(guī)范GB/T12750半導(dǎo)體器件集成電路第11部分:半導(dǎo)體集成電路分規(guī)范(不包括混合電路)要求的資料本頁和后面括號內(nèi)的數(shù)字與下列各項(xiàng)要求的資料相對應(yīng)，這些資料應(yīng)填入本規(guī)范相應(yīng)的欄中。詳細(xì)規(guī)范的識別[1]授權(quán)發(fā)布詳細(xì)規(guī)范的國家標(biāo)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)名稱。[2]詳細(xì)規(guī)范的IECQ編號。[3]總規(guī)范和分規(guī)范的編號及版本號。[4]詳細(xì)規(guī)范的國家編號、發(fā)布日期及國家標(biāo)準(zhǔn)體系要求的其他資料。器件的識別[5]主要功能和型號。[6]典型結(jié)構(gòu)（材料、主要工藝）和封裝資料。若適用，如果具有若干種派生產(chǎn)品，則應(yīng)指出其差詳細(xì)規(guī)范應(yīng)給出包括以下內(nèi)容的簡短描述：——工藝（NMOS，HMOS——結(jié)構(gòu)（字×位）；——輸出電路的形式（例如三態(tài)——主要功能。[7]外形圖、引出端識別、標(biāo)志和/或有關(guān)外形的參考文件。[8]按總規(guī)范2.6的質(zhì)量評定類別。[9]參考數(shù)據(jù)。[本規(guī)范下頁方括號給出的條款構(gòu)成了詳細(xì)規(guī)范的首頁，這些條款僅供指導(dǎo)詳細(xì)規(guī)范的編寫，而不應(yīng)納入詳細(xì)規(guī)范2按本規(guī)范鑒定合格的器件，其有關(guān)承制方的資料，可在現(xiàn)行1標(biāo)志和訂貨資料1.1標(biāo)志見GB/T4589.1-2006中2.5。1.2訂貨資料[除另有規(guī)定外，訂購器件至少需要下列資料：——準(zhǔn)確的型號(必要時(shí)，標(biāo)稱電壓值)；——適用時(shí)，詳細(xì)規(guī)范的IECQ編號、版本號和/或日期；——GB/T12750-2006第9章規(guī)定的質(zhì)量評定類別，以及需要時(shí)，GB/T12750-2006第8章規(guī)定的篩選程序；——任何其他特殊的資料。]2應(yīng)用說明[應(yīng)給出下列特性：——標(biāo)稱電源電壓；——標(biāo)稱功耗電流；——工作模式；——電氣兼容性（適用時(shí)）。應(yīng)標(biāo)明該集成電路存儲器是否同其他專用集成電路或集成電路族電氣兼容，或是否需特殊接口。]3功能說明3.1框圖[框圖應(yīng)該充分描述存儲器內(nèi)部獨(dú)立功能單元，并標(biāo)明其主要輸入、輸出路徑及外部連接的標(biāo)識（片選允許，地址譯碼，編程……等）。][應(yīng)給出功能的圖形符號。這可從標(biāo)準(zhǔn)圖形符號的目錄中得到，或按GB/T4728.12的規(guī)定編制。]3.2引出端的標(biāo)識和功能[所有引出端應(yīng)在框圖中標(biāo)識（電源、地址、數(shù)據(jù)和控制端等）。][引出端功能應(yīng)在下表中說明。]3.3功能說明[應(yīng)給出下列特性：——存儲器容量：在存儲器電路中能存儲的信息總位數(shù)；——存儲器結(jié)構(gòu)：在存儲器電路中能存儲的每個(gè)字的位數(shù)；——尋址方式（例如：多路選通、鎖存等——片選1)（適用時(shí)——輸出使能1)（適用時(shí)——備用模式（適用時(shí)——真值表（該表應(yīng)能反映對應(yīng)地址輸入、選擇輸入、讀/寫輸入和數(shù)據(jù)輸入不同組合的輸出狀態(tài)）。]4極限值（絕對最大額定值體系）見IEC60134。除另有規(guī)定外，極限值適用于整個(gè)工作溫度范圍。[除另有規(guī)定外，應(yīng)給出下列極限值：——應(yīng)該包括每個(gè)集成電路特有的警示狀態(tài)，例如MOS電路的操作；——應(yīng)規(guī)定極限值的任何相互關(guān)聯(lián)；——應(yīng)注明極限值適用的所有條件；——若允許瞬時(shí)過載，應(yīng)規(guī)定其幅值和持續(xù)時(shí)間。]4所有電壓以一個(gè)確定參考端為基準(zhǔn)。VCC,VDD××VVI××VVO××VVOZ××VIO-×II-×PD ×W××℃Tstg××℃5工作條件（在規(guī)定的工作溫度范圍內(nèi)）這些條件不考核但可用于質(zhì)量評定程序。VCCa,VDDb××VVDD××V××VVIH××V××℃6電特性除另有規(guī)定外，電特性應(yīng)適用于全工作溫度范圍。[電路規(guī)定的性能在工作溫度范圍內(nèi)變化的，應(yīng)給出25℃和工作溫度范圍極限值下的輸入、輸出電壓值和對應(yīng)的電流值。應(yīng)給出每個(gè)不同功能類型的輸入和/或輸出的電流和電壓值。應(yīng)規(guī)定特殊的特性和時(shí)序要求。]56.1靜態(tài)特性所有電壓以一個(gè)確定參考端為基準(zhǔn)。VmaxICC,IDD××VmaxVDDIDD××Vmin,IVOH××VVmin,IVOL××VVmax,VIIH(1)××輸入高電平電流或漏電流(適用Vmax,VIIH(2)××Vmax,VIIL(1)××Vmax,VIIL(2)××Vmin,VIOH××Vmax,V××Vmax,VIOHX××Vmax,VIOLX××三態(tài)輸出的輸出高電平(漏)電流Vmax,VIOHZ××三態(tài)輸出的輸出低電平(漏)電流Vmax,VIOLZ××Vmax,V=0V××a適用時(shí)，VDD可以代替VCC。d適用時(shí)，在備用條件下，這些值也可以引用。f應(yīng)規(guī)定持續(xù)時(shí)間。[適用時(shí)，下列內(nèi)容也應(yīng)予以規(guī)定：——有些引出端既可做輸入也可做輸出時(shí)，應(yīng)規(guī)定相應(yīng)的條件。]66.2動態(tài)特性t...×t...×t...×t...×t...×t...×t...×6.3時(shí)序圖[應(yīng)給出時(shí)序圖，包括完整信號集表明每個(gè)電路模式的操作。應(yīng)注明需要用戶了解的任一時(shí)間間隔以確保存儲器正常工作；例如：備用條件工作和脫離備用條件工作。所有6.2規(guī)定的參數(shù)都應(yīng)在時(shí)序圖中給出。]6.4電容×COUT×7編程不適用。8機(jī)械和氣候的額定值、特性和數(shù)據(jù)見GB/T12750-2006中12.2。9附加資料(不用于檢驗(yàn))[作為最少設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)可選下列附加資料：——熱阻。熱阻應(yīng)基于在規(guī)定的功耗下，以最嚴(yán)酷的推薦工作條件工作時(shí)，允許在器件表面參考點(diǎn)產(chǎn)生的最高溫度?！垢蓴_度(輸入，電源電壓等)?！娫措妷?。適用時(shí)，應(yīng)給出電源電流（適用時(shí)，或電源電壓）的典型變化范圍，包括脈沖電源的控制信號頻率超出規(guī)定的范圍?！?fù)載水平：給出輸出負(fù)載能力。——輸入或輸出電路簡圖（必要時(shí)）]。10篩選（如要求）見GB/T12750-2006第8章。[老煉條件(若必須)：應(yīng)規(guī)定下列條件：——環(huán)境溫度：最高工作溫度，除另有規(guī)定外；——電源電壓：額定值，除另有規(guī)定外；——頻率；——電路圖和條件。]11質(zhì)量評定程序11.1鑒定批準(zhǔn)程序[見GB/T4589.1-2006第3章和GB/T12750-2006中5.1。]11.2能力批準(zhǔn)程序考慮中。812結(jié)構(gòu)相似性程序[見GB/T12750-2006第6章。]13試驗(yàn)條件和檢驗(yàn)要求13.1通則13.1.1電氣和功能測試的通用條件見GB/T4589.1-2006中4.4.1。測試程序是產(chǎn)品規(guī)范的一部分。[承制方應(yīng)向NSI(國家標(biāo)準(zhǔn)機(jī)構(gòu))證明功能測試程序是充分的，參照制造廠給出的定義(功能、試驗(yàn)范圍等)。]該資料應(yīng)由承制方和NSI保密，沒有承制方允許不得公開。13.1.2功能驗(yàn)證13.1.2.1通用條件見GB/T4589.1-2006。13.1.2.2功能定義和驗(yàn)證[在本部分第3章中應(yīng)盡可能詳細(xì)地描述集成電路實(shí)現(xiàn)的功能。][應(yīng)使用承制方的測試程序進(jìn)行功能驗(yàn)證，這個(gè)測試程序是產(chǎn)品規(guī)范的一部分。][承制方應(yīng)向NSI保證測試程序?qū)τ诠δ茯?yàn)證是充分的，另外，還應(yīng)向其保證通過測試程序的功能驗(yàn)證在整個(gè)電源電壓和工件溫度范圍內(nèi)是有效的。][NSI可以要求承制方說明測試程序及其任何變化，但該資料是保密的。][NSI有權(quán)向被承制方認(rèn)可的專家咨詢。][測試程序中的功能驗(yàn)證不在詳細(xì)規(guī)范中說明。]13.2抽樣要求和檢驗(yàn)批構(gòu)成抽樣要求見GB/T12750-2006第9章和GB/T4589.1-2006中3.7。對于A組試驗(yàn)，應(yīng)選擇AQL體系。檢驗(yàn)批的構(gòu)成：見GB/T12750-2006中5.1.1和程序規(guī)則12.2（IEC發(fā)布QC001002）。13.3檢驗(yàn)表除另有規(guī)定外，試驗(yàn)在25℃下進(jìn)行。標(biāo)有(D)的試驗(yàn)是破壞性的。表1A組：逐批檢驗(yàn)最低和最高工作溫度下的功能驗(yàn)證(不a對于輸出參數(shù),應(yīng)給出預(yù)置順序和負(fù)極限值可以與A3分組不同表1（續(xù)）在規(guī)定的控制序列圖中應(yīng)規(guī)定輸入信號的電壓序列和組合及由此產(chǎn)生的輸最低和最高工作溫度下動態(tài)特性(不適a同表2B組：逐批檢驗(yàn)（在Ⅰ類情況下見GB/T4589.1-2006中2.6）GB/T4589.1-2006，4.3.2和b)非空封器件和環(huán)氧GB/T4589.1-2006,4.