《高中化學(xué)》階段檢測(cè)卷三物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)元素周期律（解析版）

階段檢測(cè)卷03物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)元素周期律（考試時(shí)間：75分鐘試卷滿分：100分）一、選擇題（本題共15小題，每小題3分，共45分。每小題只有一項(xiàng)是符合題目要求的）1．我國(guó)的激光技術(shù)在世界上處于領(lǐng)先地位，科學(xué)家用激光將置于鐵室中石墨靶上的碳原子炸松，與此同時(shí)再用射頻電火花噴射氮?dú)?，碳、氮原子結(jié)合成碳氮化合物薄膜。據(jù)稱(chēng)，這種化合物可能比金剛石更堅(jiān)硬，其原因可能是（）A.碳、氮原子構(gòu)成平面結(jié)構(gòu)的晶體B.碳氮鍵鍵長(zhǎng)比金剛石中的碳碳鍵鍵長(zhǎng)更短C.氮原子電子數(shù)比碳原子電子數(shù)多D.碳、氮的單質(zhì)的化學(xué)性質(zhì)均不活潑【答案】B【解析】A項(xiàng)，根據(jù)“這種化合物可能比金剛石更堅(jiān)硬”可知該晶體應(yīng)該是一種共價(jià)晶體，共價(jià)晶體是一種空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)而不是平面結(jié)構(gòu)，錯(cuò)誤；B項(xiàng)，氮原子的半徑比碳原子的半徑小，碳氮鍵的鍵長(zhǎng)要比碳碳鍵的鍵長(zhǎng)短，所以該晶體的熔、沸點(diǎn)和硬度應(yīng)該比金剛石更高，正確；C項(xiàng)，原子的電子數(shù)一般不會(huì)影響到所形成的晶體的硬度等，錯(cuò)誤；D項(xiàng)，單質(zhì)的活潑性一般不會(huì)影響到所形成的晶體的硬度等，錯(cuò)誤。2．（2024·江蘇蘇錫常鎮(zhèn)四市教學(xué)情況調(diào)研一）超硬陶瓷材料氮化硅可由反應(yīng)3SiH4＋4NH3=Si3N4＋12H2制得。下列說(shuō)法正確的是（）A.NH3的電子式為B.SiH4為平面正方形結(jié)構(gòu)C.H2是非極性分子D.Si3N4屬于分子晶體【答案】C【解析】NH3的電子式為，A錯(cuò)誤；SiH4的價(jià)電子對(duì)數(shù)為4，雜化類(lèi)似為sp3，為正四面體形結(jié)構(gòu)，B錯(cuò)誤；H2的正電中心與負(fù)電中心重合，是非極性分子，C正確；Si3N4屬于共價(jià)晶體，D錯(cuò)誤。3．(2024·湖南岳陽(yáng)模擬)對(duì)于下列性質(zhì)的比較正確的是()A．離子半徑：r(Cl－)>r(S2－)>r(Na＋)B．元素的電負(fù)性：Si<P<NC．穩(wěn)定性：H2O>H2S>HClD．晶格能：MgO>NaBr>NaCl【答案】B【解析】電子層結(jié)構(gòu)相同的離子核電荷數(shù)越大離子半徑越小，電子層數(shù)越多離子半徑越大，故離子半徑：r(S2－)>r(Cl－)>r(Na＋)，故A錯(cuò)誤；同主族自上而下電負(fù)性呈現(xiàn)減小的趨勢(shì)，同周期自左向右電負(fù)性逐漸增大，故電負(fù)性：Si<P<N，故B正確；非金屬性：S<Cl，故氫化物穩(wěn)定性：H2S<HCl，故C錯(cuò)誤；離子半徑：r(Mg2＋)<r(Na＋)，r(O2－)<r(Cl－)<r(Br－)，且Mg2＋、O2－電荷多，故晶格能：MgO>NaCl>NaBr，故D錯(cuò)誤。4．下列關(guān)于NaHSO4的說(shuō)法正確的是()A．因?yàn)镹aHSO4是離子化合物，所以NaHSO4固體能夠?qū)щ夿．NaHSO4固體中陽(yáng)離子和陰離子的個(gè)數(shù)比是2∶1C．NaHSO4固體熔化時(shí)破壞的是離子鍵和共價(jià)鍵D．NaHSO4固體溶于水時(shí)破壞的是離子鍵和共價(jià)鍵【答案】D【解析】雖然NaHSO4是離子化合物，但其固體中不存在能自由移動(dòng)的陰、陽(yáng)離子，因此不能導(dǎo)電；NaHSO4固體中陽(yáng)離子(Na＋)和陰離子(HSOeq\o\al(－,4))的個(gè)數(shù)比是1∶1；NaHSO4固體熔化時(shí)破壞的只是離子鍵，而溶于水時(shí)電離出Na＋、H＋和SOeq\o\al(2－,4)，破壞的是離子鍵和共價(jià)鍵。5．（2024·遼寧鞍山期末）下列各項(xiàng)敘述不正確的是（）A.若硫元素基態(tài)原子的核外電子排布圖為則違反了泡利原理B.若21號(hào)Sc元素的基態(tài)原子電子排布式為1sC.鈹原子核外有兩種能量不同的電子D.某原子的核外電子排布由1s【答案】A【解析】A項(xiàng)，題給電子排布圖中的3p6．氰氣的化學(xué)式為(CN)2，結(jié)構(gòu)式為N≡C—C≡N，性質(zhì)與鹵素相似。下列敘述正確的是()A．不能和氫氧化鈉溶液發(fā)生反應(yīng)B．分子中N≡C鍵的鍵長(zhǎng)大于C≡C鍵的鍵長(zhǎng)C．分子中既有極性鍵，又有非極性鍵D．分子中含有2個(gè)σ鍵和4個(gè)π鍵【答案】C【解析】氰氣性質(zhì)與鹵素相似，能和氫氧化鈉溶液發(fā)生反應(yīng)，故A錯(cuò)誤；同周期主族元素從左到右，原子半徑逐漸減小，原子半徑越大，鍵長(zhǎng)越長(zhǎng)，碳原子半徑大于氮原子半徑，所以氰氣分子中C≡N鍵的鍵長(zhǎng)小于C≡C鍵的鍵長(zhǎng)，故B錯(cuò)誤；該分子的結(jié)構(gòu)式為N≡C—C≡N，分子中既含有極性鍵，又含有非極性鍵，該分子中含有3個(gè)σ鍵、4個(gè)π鍵，故C正確、D錯(cuò)誤。7．下列關(guān)于能層與能級(jí)的說(shuō)法正確的是()A．同一原子中，符號(hào)相同的能級(jí)上排布電子的能量一定相同B．任意能層的能級(jí)總是從ns能級(jí)開(kāi)始，且能級(jí)總數(shù)一定等于該能層序數(shù)C．同樣是p能級(jí)，在不同的能層中所容納的最多電子數(shù)是不同的D．多電子原子中，同一能層上排布電子的能量一定相同【答案】B【解析】同一原子中，符號(hào)相同的能級(jí)上排布電子的能量不一定相同，如1s、2s、3s、4s能級(jí)上排布電子的能量逐漸升高，A錯(cuò)誤；任意能層的能級(jí)總是從ns能級(jí)開(kāi)始，np、nd、nf能級(jí)不一定存在，但能級(jí)總數(shù)一定等于該能層序數(shù)，B正確；np能級(jí)在任何能層最多排布電子數(shù)均為6，C錯(cuò)誤；多電子原子中，同一能層可能有ns、np、nd等能級(jí)，不同能級(jí)上排布電子的能量不同，D錯(cuò)誤。8．氮的最高價(jià)氧化物為無(wú)色晶體，它由兩種離子構(gòu)成，已知其陰離子的空間結(jié)構(gòu)為平面三角形，則其陽(yáng)離子的空間結(jié)構(gòu)和陽(yáng)離子中氮的雜化方式為()A．直線形sp雜化B．V形sp2雜化C．三角錐形sp3雜化D．平面三角形sp2雜化【答案】A【解析】氮的最高價(jià)氧化物為N2O5，根據(jù)N元素的化合價(jià)為＋5和原子組成可知，陰離子為NOeq\o\al(－,3)、陽(yáng)離子為NOeq\o\al(＋,2)，NOeq\o\al(＋,2)中N原子形成了2個(gè)σ鍵，孤電子對(duì)數(shù)目為0，所以雜化類(lèi)型為sp，空間結(jié)構(gòu)為直線形，故A項(xiàng)正確。9．短周期元素R基態(tài)原子最外層的p能級(jí)上有2個(gè)未成對(duì)電子。則關(guān)于基態(tài)R原子的描述中正確的是()A．基態(tài)R原子核外電子的電子云輪廓圖有兩種：球形和啞鈴形B．基態(tài)R原子的價(jià)層電子排布式為ns2np2(n＝2或3)C．基態(tài)R原子的原子軌道總數(shù)為9D．基態(tài)R原子的軌道表示式為【答案】A【解析】由“短周期元素R基態(tài)原子最外層的p能級(jí)上有2個(gè)未成對(duì)電子”可知，可能有兩種情況：p能級(jí)上只有2個(gè)電子，R為第ⅣA族元素，C或Si；p能級(jí)上有4個(gè)電子，R為第ⅥA族元素，O或S，故只有A正確。10．5-氨基四唑硝酸鹽受熱迅速生成以N2為主的環(huán)境友好型氣體，并放出大量的熱，是制造HTPB火箭推進(jìn)劑的重要原料，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式如圖，其中五元環(huán)為平面結(jié)構(gòu)，下列說(shuō)法正確的是()A．基態(tài)N原子核外電子的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)有3種B．陰離子的空間結(jié)構(gòu)為三角錐形C．該化合物中五元環(huán)上的5個(gè)原子的雜化方式都相同D．該化合物的大π鍵為Πeq\o\al(5,5)【答案】C【解析】N為7號(hào)元素，其原子核外有7個(gè)電子，基態(tài)N原子核外電子的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)有7種，A錯(cuò)誤；陰離子為NOeq\o\al(－,3)，NOeq\o\al(－,3)中心原子N原子周?chē)膬r(jià)層電子對(duì)數(shù)為3＋eq\f(5＋1－3×2,2)＝3，無(wú)孤電子對(duì)，其空間結(jié)構(gòu)為平面三角形，B錯(cuò)誤；其中五元環(huán)為平面結(jié)構(gòu)，可知該化合物中五元環(huán)上的原子均為sp2雜化，它們的雜化方式相同，故C正確；該化合物的大π鍵應(yīng)為Πeq\o\al(7,5)，D錯(cuò)誤。11．(2024·廣東廣州天河區(qū)二模)X、Y、Z、N是原子序數(shù)依次增大的四種短周期元素，其元素性質(zhì)或原子結(jié)構(gòu)如下表。下列說(shuō)法正確的是()元素元素性質(zhì)或原子結(jié)構(gòu)X原子核外s能級(jí)上的電子總數(shù)與p能級(jí)上的電子總數(shù)相等，且第一電離能低于同周期相鄰元素Y原子核外s能級(jí)上的電子總數(shù)與p能級(jí)上的電子總數(shù)相等，且第一電離能高于同周期相鄰元素Z其價(jià)電子中，在不同形狀的原子軌道中運(yùn)動(dòng)的電子數(shù)相等N只有一個(gè)不成對(duì)電子A.原子半徑：Z>Y>XB．電負(fù)性：X>N>ZC．第一電離能：Z>N>YD．X的基態(tài)原子的電子軌道表示式：【答案】B【解析】X、Y、Z、N是原子序數(shù)依次增大的四種短周期元素，X元素原子核外s能級(jí)上的電子總數(shù)與p能級(jí)上的電子總數(shù)相等，且第一電離能低于同周期相鄰元素，則X為O；Y元素原子核外s能級(jí)上的電子總數(shù)與p能級(jí)上的電子總數(shù)相等，且第一電離能高于同周期相鄰元素，則Y為Mg；Z元素的價(jià)電子在不同形狀的原子軌道中運(yùn)動(dòng)的電子數(shù)相等，則Z為Si；N元素只有一個(gè)不成對(duì)電子且在這幾種元素中原子序數(shù)最大，則N為Cl。綜上所述，X為O，Y為Mg，Z為Si，N為Cl。原子半徑：Mg>Si>O，A項(xiàng)錯(cuò)誤；元素的非金屬性越強(qiáng)，電負(fù)性越強(qiáng)，故電負(fù)性：Cl>Si，化合物ClO2中，O顯負(fù)價(jià)，說(shuō)明電負(fù)性：O>Cl，則電負(fù)性：O>Cl>Si，B項(xiàng)正確；同周期元素從左到右第一電離能呈增大趨勢(shì)，故第一電離能：Cl>Si>Mg，C項(xiàng)錯(cuò)誤；O的基態(tài)原子的電子軌道表示式為，D項(xiàng)錯(cuò)誤。12．(2024·浙江杭州模擬)X、Y、Z、M、Q為五種短周期元素，原子序數(shù)依次增大，X和Q為同主族元素，Y和M為同周期元素。X的2s軌道全充滿，Q的s能級(jí)電子數(shù)比p能級(jí)的電子數(shù)少1，Y和M是純堿中的兩種元素。下列說(shuō)法不正確的是()A．最高正價(jià)：Y<ZB．電負(fù)性：M>ZC．Y與M形成的化合物中不可能含有非極性共價(jià)鍵D．最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)水化物的酸性：X>Q【答案】C【解析】X、Y、Z、M、Q為五種短周期元素，原子序數(shù)依次增大，Q原子序數(shù)最大，s能級(jí)電子數(shù)比p能級(jí)電子數(shù)少1，Q原子的電子排布式為1s22s22p63s23p1，Q為Al，X與Al同主族，2s軌道全充滿，X為B，Y和M為同周期元素且是純堿中的兩種元素，則Y為C，M為O，則Z為N。C的最高正價(jià)為＋4價(jià)，N的最高正價(jià)為＋5價(jià)，最高正價(jià)：C<N，A正確；同周期元素從左到右電負(fù)性逐漸增強(qiáng)，電負(fù)性：O>N，B正確；C和O能形成C3O2，其結(jié)構(gòu)式為O=C=C=C=O，含有非極性共價(jià)鍵，C錯(cuò)誤；B的非金屬性強(qiáng)于Al，則最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)水化物的酸性：H3BO3>Al(OH)3，D正確。13．(2024·湖南湘潭一中模擬)BeO晶體是制備氟代硼鈹酸鉀晶體的原料之一，其晶胞結(jié)構(gòu)與ZnS類(lèi)似，下列說(shuō)法中不正確的是()A．Be原子的配位數(shù)是12B．若原子a、b的坐標(biāo)分別為(0,0,0)、eq\b\lc\(\rc\)(\a\vs4\al\co1(\f(1,2)，\f(1,2)，1))，則原子c的坐標(biāo)為eq\b\lc\(\rc\)(\a\vs4\al\co1(\f(1,4)，\f(1,4)，\f(1,4)))C．沿晶胞面對(duì)角線投影，所得的投影結(jié)果是D．設(shè)O與Be的最近距離為npm，用NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值，則BeO晶體的密度為eq\f(4×9＋16,NA\b\lc\(\rc\)(\a\vs4\al\co1(\f(4\r(3),3)n))3×10－30)g·cm－3【答案】A【解析】由晶胞結(jié)構(gòu)可知Be位于O原子構(gòu)成的四面體的體心，Be原子的配位數(shù)是4，A錯(cuò)誤；由BeO的晶胞結(jié)構(gòu)可知，每個(gè)Be處于晶胞體對(duì)角線的eq\f(1,4)處，結(jié)合原子a、b的坐標(biāo)可知原子c的坐標(biāo)為eq\b\lc\(\rc\)(\a\vs4\al\co1(\f(1,4)，\f(1,4)，\f(1,4)))，B正確；沿面對(duì)角線進(jìn)行投影，可知所得的投影結(jié)果是，C正確；若O與Be的最近距離為npm，則題中a、c之間的距離為npm，又因?yàn)閍、c之間的距離為晶胞體對(duì)角線長(zhǎng)的eq\f(1,4)，則晶胞體對(duì)角線長(zhǎng)為4npm，故晶胞棱長(zhǎng)為eq\f(4\r(3),3)npm，晶胞內(nèi)Be的個(gè)數(shù)為4，O的個(gè)數(shù)為8×eq\f(1,8)＋6×eq\f(1,2)＝4，則根據(jù)晶胞質(zhì)量＝晶胞密度×晶胞體積可得，晶胞密度為eq\f(4×9＋16,NA\b\lc\(\rc\)(\a\vs4\al\co1(\f(4\r(3),3)n))3×10－30)g·cm－3，D正確。14．(2024·遼寧朝陽(yáng)模擬)短周期主族元素X、Y、Z、W的原子序數(shù)依次增大，X原子的價(jià)電子排布式可表示為nsnnpn＋1，Y是地殼中含量最多的元素，Z的原子半徑在短周期中最大，Y、W同主族。下列說(shuō)法正確的是()A．常溫常壓下，X、Y、W的單質(zhì)均呈氣態(tài)B．簡(jiǎn)單離子半徑：Y<Z<WC．簡(jiǎn)單氣態(tài)氫化物的熱穩(wěn)定性：X<Y<WD．X、Z、W分別與Y組成的化合物均不止一種【答案】D【解析】短周期主族元素X、Y、Z、W的原子序數(shù)依次增大，X原子的價(jià)電子排布式可表示為nsnnpn＋1，n＝2，所以X是N；Y是地殼中含量最多的元素，Y是O；Z的原子半徑在短周期中最大，Z是Na；Y、W同主族，W是S。常溫常壓下，硫單質(zhì)呈固態(tài)，A錯(cuò)誤；核外電子層數(shù)越多，離子半徑越大，核外電子排布相同時(shí)離子半徑隨原子序數(shù)的增大而減小，則簡(jiǎn)單離子半徑：Na＋<O2－<S2－，B錯(cuò)誤；非金屬性越強(qiáng)，簡(jiǎn)單氫化物越穩(wěn)定，簡(jiǎn)單氣態(tài)氫化物的熱穩(wěn)定性：S<N<O，C錯(cuò)誤；N、Na、S分別與O組成的化合物均不止一種，例如NO、NO2、氧化鈉、過(guò)氧化鈉、SO2、SO3等，D正確。15．(2024·重慶渝中模擬)CaC2的晶胞與NaCl相似，但由于Ceq\o\al(2－,2)的結(jié)構(gòu)導(dǎo)致晶胞沿一個(gè)方向拉長(zhǎng)(如圖)，已知CaC2的摩爾質(zhì)量為Mg·mol－1，若阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是()A．Ca2＋填充在Ceq\o\al(2－,2)圍成的八面體空隙中B．每個(gè)Ca2＋周?chē)染嗑o鄰的Ceq\o\al(2－,2)有6個(gè)C．兩個(gè)最近Ca2＋之間的距離為eq\f(\r(2)a,2)pmD．CaC2晶體密度的計(jì)算式為eq\f(4M,NAa2b×10－30)g·cm－3【答案】B【解析】由晶胞結(jié)構(gòu)可知，Ceq\o\al(2－,2)為面心立方緊密堆積，Ca2＋填充在Ceq\o\al(2－,2)圍成的八面體空隙中，故A正確；該晶胞不是正方體，以面心Ca2＋為研究對(duì)象，每個(gè)Ca2＋周?chē)染嗑o鄰的Ceq\o\al(2－,2)不是6個(gè)，故B不正確；由晶胞結(jié)構(gòu)可知，兩個(gè)最近Ca2＋之間的距離為面對(duì)角線的一半，為eq\f(\r(2)a,2)pm，故C正確；CaC2晶體中Ca2＋的個(gè)數(shù)為8×eq\f(1,8)＋6×eq\f(1,2)＝4，Ceq\o\al(2－,2)的個(gè)數(shù)為1＋12×eq\f(1,4)＝4，密度的計(jì)算式為eq\f(4M,NAa2b×10－30)g·cm－3，故D正確。二、非選擇題（本題包括4小題，共55分）16．（14分）Ⅰ.非金屬氟化物在生產(chǎn)、生活和科研中應(yīng)用廣泛。(1)OF2分子的空間結(jié)構(gòu)為_(kāi)_________；OF2的熔、沸點(diǎn)__________(填“高于”或“低于”)Cl2O，原因是_______________________________________________。(2)Xe是第五周期的稀有氣體元素，與F形成的XeF2室溫下易升華。XeF2中心原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為_(kāi)_________，下列對(duì)XeF2中心原子雜化方式推斷合理的是__________(填字母)。A．spB．sp2C．sp3D．sp3dⅡ.我國(guó)科學(xué)家研發(fā)的全球首套千噸級(jí)太陽(yáng)能燃料合成項(xiàng)目被形象地稱(chēng)為“液態(tài)陽(yáng)光”計(jì)劃。該項(xiàng)目通過(guò)太陽(yáng)能發(fā)電電解水制氫，再采用高選擇性催化劑將二氧化碳加氫合成甲醇。(3)SiCl4是生產(chǎn)高純硅的前驅(qū)體，其中Si采取的雜化類(lèi)型為_(kāi)_________。SiCl4可發(fā)生水解反應(yīng)，機(jī)理如下：含s、p、d軌道的雜化類(lèi)型有：①dsp2、②sp3d、③sp3d2，中間體SiCl4(H2O)中Si采取的雜化類(lèi)型為_(kāi)_________(填標(biāo)號(hào))。(4)CO2分子中存在____________個(gè)σ鍵和__________個(gè)π鍵。(5)甲醇的沸點(diǎn)(64.7℃)介于水(100℃)和甲硫醇(CH3SH,7.6℃)之間，其原因是_____________________________________________________________________?！敬鸢浮?1)V形（1分）低于（1分）OF2和Cl2O都是分子晶體，結(jié)構(gòu)相似，Cl2O的相對(duì)分子質(zhì)量大，Cl2O的熔、沸點(diǎn)高（2分）(2)5（2分）D（2分）(3)sp3（1分）②（1分）(4)2（1分）2（1分）(5)甲硫醇不能形成分子間氫鍵，而水和甲醇均能，且水比甲醇的氫鍵多（2分）【解析】(1)根據(jù)VSEPR模型知，OF2的中心原子O的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為2＋eq\f(6－1×2,2)＝4，去掉2個(gè)孤電子對(duì)，知OF2分子的空間結(jié)構(gòu)是V形；OF2和Cl2O都是分子晶體，結(jié)構(gòu)相似，Cl2O的相對(duì)分子質(zhì)量大，Cl2O的熔、沸點(diǎn)高。(2)XeF2易升華，所以是分子晶體，其中心原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為2＋eq\f(8－1×2,2)＝5，其中心原子的雜化方式應(yīng)為sp3d。(3)SiCl4中Si原子價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4＋eq\f(4－4×1,2)＝4，因此Si原子采取sp3雜化；由圖可知，SiCl4(H2O)中Si原子的σ鍵數(shù)為5，說(shuō)明Si原子的雜化軌道數(shù)為5，由此可知Si原子的雜化類(lèi)型為sp3d。(4)CO2的結(jié)構(gòu)式為O=C=O,1個(gè)雙鍵中含有1個(gè)σ鍵和1個(gè)π鍵，因此1個(gè)CO2分子中含有2個(gè)σ鍵和2個(gè)π鍵。(5)甲醇分子之間和水分子之間都存在氫鍵，因此沸點(diǎn)高于不含分子間氫鍵的甲硫醇，甲醇分子之間氫鍵的總強(qiáng)度低于水分子之間氫鍵的總強(qiáng)度，因此甲醇的沸點(diǎn)介于水和甲硫醇之間。17．（10分）(1)As、Se、Br元素的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)開(kāi)_______，第一電離能由大到小的順序?yàn)開(kāi)_______。(2)銅、鋅兩種元素的第一電離能、第二電離能如表所示：電離能/(kJ·mol－1)I1I2銅7461958鋅9061733銅的第一電離能(I1)小于鋅的第一電離能，而銅的第二電離能(I2)卻大于鋅的第二電離能，其主要原因是______。(3)氫、氮、氧是重要的非金屬元素，在新材料和新能源開(kāi)發(fā)中有重要的作用。MH中基態(tài)H－的核外電子的電子云輪廓圖呈________形。已知H－(g)=H(g)＋e－吸收的能量為73kJ·mol－1，H(g)=H＋(g)＋e－吸收的能量為1311kJ·mol－1，則H－的第二電離能為_(kāi)____________。(4)磷及其化合物與人類(lèi)生產(chǎn)、生活密切相關(guān)。如圖表示碳、硅、磷元素的四級(jí)電離能變化趨勢(shì)，其中表示磷的曲線是________(填標(biāo)號(hào))?！敬鸢浮?1)Br＞Se＞As（2分）Br＞As＞Se（2分）(2)Cu失去一個(gè)電子變成電子結(jié)構(gòu)為[Ar]3d10的Cu＋，能量較低，結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，所以Cu的第二電離能相對(duì)較大(或Zn失去一個(gè)電子變成電子結(jié)構(gòu)為[Ar]3d104s1的Zn＋，易再失去一個(gè)電子，所以Zn的第二電離能相對(duì)較小或Cu原子失去一個(gè)電子后，核外電子排布式為[Ar]3d10，而Zn原子失去1個(gè)電子后的核外電子排布式變?yōu)閇Ar]3d104s1，Cu達(dá)到了較穩(wěn)定狀態(tài)，所以Cu的第二電離能相對(duì)較大)（2分）(3)球（1分）1311kJ·mol－1（1分）(4)b（2分）【解析】(3)MH中基態(tài)H－的核外電子排布式是1s2，故電子云輪廓圖呈球形；H－eq\o(→,\s\up10(失去1個(gè)電子))Heq\o(→,\s\up10(失去1個(gè)電子))H＋，故H－失去第二個(gè)電子所吸收的能量即為氫原子失去一個(gè)電子所吸收的能量。H－的第二電離能為H－失去第二個(gè)電子所吸收的能量，即H(g)=H＋(g)＋e－吸收的能量，則H－的第二電離能為1311kJ·mol－1。(4)C、Si和P的價(jià)電子排布式分別為2s22p2、3s23p2、3s23p3，P失去的第四個(gè)電子是3s2電子，3s能級(jí)處于全充滿狀態(tài)，較難失去電子，故P的第三和第四電離能差值較大，故b曲線表示P。18．（17分）硫、鈷及其化合物用途非常廣泛?；卮鹣铝袉?wèn)題：（1）基態(tài)Co原子價(jià)層電子排布圖為，第四電離能I4（Co）＜I4（Fe），其原因是；Co與Ca同周期且最外層電子數(shù)相同，單質(zhì)鈷的熔、沸點(diǎn)均比鈣大，其原因是。（2）單質(zhì)硫與熟石灰加熱產(chǎn)物之一為CaS3，S32?的空間結(jié)構(gòu)是，中心原子雜化方式是（3）K和Na位于同主族，K2S的熔點(diǎn)為840℃，Na2S的熔點(diǎn)為950℃，前者熔點(diǎn)較低的原因是。（4）S與O、Se、Te位于同一主族，它們的氫化物的沸點(diǎn)如圖所示，沸點(diǎn)按圖像所示變化的原因是。（5）鈷的一種化合物晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。①已知A點(diǎn)的原子坐標(biāo)參數(shù)為（0，0，0），B點(diǎn)為,12,0，則C點(diǎn)的原子坐標(biāo)參數(shù)為②已知晶胞參數(shù)a＝0.5485nm，則該晶體的密度為g·cm－3（列出計(jì)算表達(dá)式即可）?！敬鸢浮浚?）（2分）鐵失去的是較穩(wěn)定的3d5上的一個(gè)電子，鈷失去的是3d6上的一個(gè)電子（2分）鈷的原子半徑比鈣小，價(jià)電子數(shù)比鈣多，鈷中的金屬鍵比鈣中的強(qiáng)（2分）（2）V形（2分）sp3（2分）（3）K＋的半徑比Na＋大，K2S的離子鍵比Na2S弱（2分）（4）H2O分子間存在較強(qiáng)的氫鍵，其他三種分子間不含氫鍵，所以H2O的沸點(diǎn)最高；H2S、H2Se及H2Te的結(jié)構(gòu)相似，隨著相對(duì)分子質(zhì)量的增大，范德華力增大，所以沸點(diǎn)逐漸升高（2分）（5）①12（1分）12②1556.02×1【解析】（1）基態(tài)Co原子價(jià)層電子排布式為3d74s2，價(jià)層電子排布圖為（2）單質(zhì)硫與熟石灰加熱產(chǎn)物之一為CaS3，S32-中中心原子孤電子對(duì)的數(shù)目為6+2-2×22＝2，形成（5）①已知A點(diǎn)的原子坐標(biāo)參數(shù)為（0，0，0），B是面心，B點(diǎn)為12,12,0，C是體心，則C點(diǎn)的原子坐標(biāo)參數(shù)為12,12,12。②立方晶胞頂角粒子占18，面上粒子占12，晶胞內(nèi)部粒子為整個(gè)晶胞所有，因此一個(gè)晶胞中含有Ti4＋的個(gè)數(shù)為8×18＝1，O2－的個(gè)數(shù)為6×12＝3，Co2＋的個(gè)數(shù)為1，取1mol晶胞，則1mol晶胞的質(zhì)量為155g，1mol晶胞含有NA個(gè)晶胞，晶胞參數(shù)a＝0.5485nm＝0.5485×10－7cm，則一個(gè)晶胞的體積V＝（0.5485×