ARM原理與設(shè)計(jì)知到智慧樹(shù)期末考試答案題庫(kù)2024年秋山東科技大學(xué)

ARM原理與設(shè)計(jì)知到智慧樹(shù)期末考試答案題庫(kù)2024年秋山東科技大學(xué)異步串行通信，波特率為9600bps，每幀數(shù)據(jù)10bit，每秒鐘最多能傳輸（）個(gè)字符？

A:96

B:480

C:960

D:1000

答案:960以下哪個(gè)是算數(shù)左移（）。

A:LSL

B:ASR

C:ASL

D:LSR

答案:ASR異常產(chǎn)生的原因可以是（）。

A:遇到未定義指令

B:執(zhí)行軟中斷指令

C:數(shù)據(jù)溢出

D:訪問(wèn)存儲(chǔ)器失敗

答案:執(zhí)行軟中斷指令EXTI是哪個(gè)外設(shè)的縮寫(xiě)。（）

A:系統(tǒng)定時(shí)器

B:模數(shù)轉(zhuǎn)換器

C:外部中斷/事件控制器

D:通用輸入輸出

答案:C下列指令正確的是（）。

A:ADDR0,#1，R2

B:SUBR0,R0，#100

C:MOVR1,#0x801

D:STR[R0],R1

答案:SUBR0,R0，#100ARM指令執(zhí)行引起的間接異常包括（）。

A:數(shù)據(jù)中止

B:軟中斷

C:未定義的指令

D:預(yù)取值中止

答案:未定義的指令###軟中斷###預(yù)取值中止以下屬于前變址的是（）。

A:LDRR,[R1,#4]!

B:LDRR0,[R1,#4]

C:LDRR0,[R1]

D:LDRR0,[R1],#4

答案:LDRR0,[R1,#4]ARM進(jìn)入ARM狀態(tài)的方法是（）。

A:當(dāng)操作寄存器Rm的最低位為1時(shí)，執(zhí)行BLRm

B:當(dāng)操作寄存器Rm的最低位為0時(shí)，執(zhí)行BLRm

C:當(dāng)操作寄存器Rm的最低位為1時(shí)，執(zhí)行BXRm

D:當(dāng)操作寄存器Rm的最低位為0時(shí)，執(zhí)行BXRm

答案:C:當(dāng)操作寄存器Rm的最低位為1時(shí)，執(zhí)行BXRm下列哪個(gè)寄存器被置1時(shí)，會(huì)關(guān)掉所有可屏蔽的異常，只剩下NMI和硬fault可以響應(yīng)（）。

A:PRIMASK

B:FAULTMASK

C:BASEPRI

D:CONTROLAPSR

答案:PRIMASKSTMFD堆棧尋址方式是（）。

A:空遞增

B:滿遞減

C:滿遞增

D:空遞減

答案:滿遞減STM32F103中斷系統(tǒng)提供16個(gè)系統(tǒng)異常和68個(gè)可屏蔽中斷源，具有（）個(gè)中斷優(yōu)先級(jí)。

A:32

B:8

C:16

D:64

答案:16MVNR0,#0X0001，指令執(zhí)行后R0值為（）。

A:0XFFFFFFFE

B:0X00000001

C:0XFFFE

D:0X0001

答案:0X0001下列ARM的狀態(tài)寄存器中，表示進(jìn)位的位是（）。

A:Z

B:N

C:C

D:V

答案:C以下實(shí)現(xiàn)R0＜-[R1+R2*4]的語(yǔ)句是（）。

A:LDRR0,[R1,R2*4]

B:LDRR0,[R1,R2,LSR#4]

C:LDRR0,[R1，R2,LSL#4]

D:LDRR0,[R1，R2]

答案:LDRR0,[R1，R2,LSL#4]MOVR0,#0X0005RSBR1,R0,#0X0007，指令執(zhí)行后R1值為（）。

A:-2

B:1

C:2

D:-1

答案:2LDMDA尋址方式是（）。

A:事前遞減

B:事前遞增

C:事后遞增

D:事后遞減

答案:D:事后遞減下列不屬于有效立即數(shù)的是（）。

A:0x456

B:0x24

C:939524079

D:200

答案:0x456CM3核外部RAM區(qū)最大空間為（）。

A:1GB

B:1.5GB

C:0.5GB

D:2GB

答案:1GB將寄存器R2的低8位取反的指令是（）。

A:MOVR2,#0X00FF

B:ANDR2,#0XFF00

C:XORR2,#0X00FF

D:EORR2,#0X00FF

答案:EORR2,#0X00FF下列哪個(gè)寄存器又稱為鏈接寄存器（）。

A:R15

B:R9

C:R8

D:R14

答案:B無(wú)條件轉(zhuǎn)移到NEXTP的指令是（）。

A:BNEXTP

B:BALNEXTP

C:BLTNEXTP

D:BNENEXTP

答案:BALNEXTP###BNEXTPAMBA是ARM公司公布的總線標(biāo)準(zhǔn)，該規(guī)范定義了哪三種總線（）。

A:USB總線

B:APB總線

C:AHB總線

D:ASB總線

答案:B:APB總線

C:AHB總線

D:ASB總線RISC的特點(diǎn)包括（）。

A:分開(kāi)的load-store結(jié)構(gòu)的內(nèi)存訪問(wèn)指令

B:基于多個(gè)通用寄存器堆操作

C:指令功能復(fù)雜

D:指令單周期完成

答案:A、B、D下列關(guān)于CortexM3說(shuō)法正確的是（）。

A:只有兩組通用寄存器

B:Handler模式永遠(yuǎn)都是特權(quán)級(jí)的

C:只有兩個(gè)堆棧指針

D:只有一組通用寄存器

答案:只有一組通用寄存器###Handler模式永遠(yuǎn)都是特權(quán)級(jí)的###只有兩個(gè)堆棧指針STM32系統(tǒng)時(shí)鐘sysclk可以由以下哪些時(shí)鐘源產(chǎn)生（）。

A:HSI

B:PLLCLK

C:LSE

D:HSE

答案:HSI###HSE###PLLCLKRISC的中心思想包括（）。

A:精簡(jiǎn)指令集的復(fù)雜度

B:簡(jiǎn)化指令實(shí)現(xiàn)的硬件設(shè)計(jì)

C:硬件只執(zhí)行很有限的最常用的那部分指令

D:大部分的復(fù)雜操作則由簡(jiǎn)單指令合成

答案:硬件只執(zhí)行很有限的最常用的那部分指令###精簡(jiǎn)指令集的復(fù)雜度###大部分的復(fù)雜操作則由簡(jiǎn)單指令合成###簡(jiǎn)化指令實(shí)現(xiàn)的硬件設(shè)計(jì)STM32微控制器引腳作為輸出口，可配置為以下哪些模式（）。

A:復(fù)用開(kāi)漏輸出

B:復(fù)用推挽輸出

C:推挽輸出

D:開(kāi)漏輸出

答案:下拉輸入

###浮空輸入

###上拉輸入

###模擬輸入

下列屬于ARM7三級(jí)流水線的部件的是（）。

A:移位

B:執(zhí)行

C:取指

D:譯碼

答案:取指###譯碼###執(zhí)行應(yīng)用GPIO程序設(shè)計(jì)時(shí)，既可以使用庫(kù)函數(shù)編程，也可以使用寄存器編程。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)core_cm3.c是Cortex-M3內(nèi)核及其設(shè)備文件。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)ARM的中斷向量表，每個(gè)表項(xiàng)為四個(gè)字節(jié)，可以存儲(chǔ)一條指令（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)內(nèi)嵌匯編操作數(shù)可以是C語(yǔ)言表達(dá)式（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)當(dāng)ARM7剛上電時(shí)，處于32位ARM狀態(tài)。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)在線程模式用戶權(quán)限下，只能通過(guò)異常或中斷進(jìn)入特權(quán)訪問(wèn)模式。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)ARM處理器采用流水線后，每個(gè)時(shí)鐘都可以執(zhí)行一條指令（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)在CM3核中，NVIC映射的存儲(chǔ)器地址為0XE000E000~0XE000EFFF。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)IPSR的值為當(dāng)前激活的異常ISR編號(hào)。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)CortexM3的FAULTMASK寄存器置為1時(shí)，只有NMI才能響應(yīng)，其他的異常都被屏蔽了（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)ALIGN指令使得當(dāng)前存儲(chǔ)位置與指定的邊界對(duì)齊（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)當(dāng)ARM芯片工作在ARM狀態(tài)時(shí)，執(zhí)行的是字對(duì)齊的32位指令。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)ARM立即尋址中，立即數(shù)都是采用一個(gè)8位的數(shù)循環(huán)右移偶數(shù)位而間接得到的（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)ARM的狀態(tài)寄存器CPSR的T位為1時(shí)，表示處于Thumb狀態(tài)。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)STM32F103是一款ST公司推出的基于Cortex-M3內(nèi)核的32位微控制器。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)ARM的狀態(tài)寄存器CPSR的T位為1時(shí)，表示處于ARM狀態(tài)。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)ARM命名體系中，ARM7TDMI-S，D表示支持片上調(diào)試。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)RISC指令格式和長(zhǎng)度固定，指令類型少，指令功能簡(jiǎn)單，易于流水（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:A:對(duì)指令LDMDBR1!,{R2,R4,R7}與LDMDBR1!,{R4,R2,R7}執(zhí)行結(jié)果一樣（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)ARM是fabless和chipless生產(chǎn)模式的成功典范。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)所有指令都可以訪問(wèn)寄存器R0~R12。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)PUSH、POP指令間接地使用堆棧指針寄存器SP。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)兩個(gè)數(shù)據(jù)相乘，結(jié)果再與第三個(gè)數(shù)據(jù)求和，可以使用MLA指令實(shí)現(xiàn)。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)根據(jù)ATPCS規(guī)則，子程序返回結(jié)果，如果是64位，則通過(guò)寄存器R0和R1返回，其中R1保存低32位。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)ARM命名體系中，ARM7TDMI-S，I表示嵌入式跟蹤宏單元。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)所有的異常都是在ARM狀態(tài)下進(jìn)行處理的。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)ARM命名體系中，ARM920T，T表示支持Thumb指令。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)LR寄存器用于BL指令中，保存程序的返回地址。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)NVIC優(yōu)先級(jí)控制原則中，搶占優(yōu)先級(jí)相同的中斷，可以相互打斷。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)當(dāng)ARM7剛上電時(shí)，處于16位Thumb狀態(tài)。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)ARM命名體系中，ARM7TDMI-S，S表示可綜合版本。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:B:對(duì)內(nèi)嵌匯編操作數(shù)可以char、short、int類型，單都作為無(wú)符號(hào)數(shù)進(jìn)行操作（）

A: