【MOOC】電子技術(shù)基礎(chǔ)-模擬電子技術(shù)-南京工程學(xué)院 中國(guó)大學(xué)慕課MOOC答案

【MOOC】電子技術(shù)基礎(chǔ)—模擬電子技術(shù)-南京工程學(xué)院中國(guó)大學(xué)慕課MOOC答案1.1.1隨堂測(cè)驗(yàn)1、【單選題】本征半導(dǎo)體中，若摻入的是價(jià)元素，則形成N型半導(dǎo)體。本題答案：【5】2、【判斷題】在N型半導(dǎo)體中如果摻入足夠量的三價(jià)元素，可將其改型為P型半導(dǎo)體。本題答案：【正確】3、【判斷題】在絕對(duì)零度且無(wú)光照射時(shí)，本征半導(dǎo)體中沒(méi)有價(jià)電子能夠擺脫共價(jià)鍵的束縛。本題答案：【正確】1.1.2隨堂測(cè)驗(yàn)1、【單選題】雜質(zhì)半導(dǎo)體中，多數(shù)載流子的濃度主要取決于。本題答案：【摻入雜質(zhì)元素的多少】2、【判斷題】在本片半導(dǎo)體中如果摻入的是三價(jià)微量元素，則形成N型半導(dǎo)體。本題答案：【錯(cuò)誤】3、【判斷題】少子是由本征激發(fā)所產(chǎn)生的，所以對(duì)光照和溫度敏感。本題答案：【正確】1.1.3隨堂測(cè)驗(yàn)1、【單選題】硅二極管正常工作時(shí)，反向電流很小，且其大小隨反向電壓的增大而。本題答案：【基本不變】2、【判斷題】PN結(jié)是由于漂移運(yùn)動(dòng)所形成的。本題答案：【錯(cuò)誤】3、【判斷題】空間電荷區(qū)由不能移動(dòng)的雜質(zhì)離子所構(gòu)成的。本題答案：【正確】1.2.1隨堂測(cè)驗(yàn)1、【單選題】對(duì)于面接觸型的二極管，下列說(shuō)法正確的是。本題答案：【可以承受較大電流，適合低頻使用。】2、【判斷題】點(diǎn)接觸型二極管適合于低頻、小電流情況下使用。本題答案：【錯(cuò)誤】3、【判斷題】當(dāng)二極管用于大電流工作時(shí)，要求PN結(jié)的結(jié)面積大。本題答案：【正確】1.2.2隨堂測(cè)驗(yàn)1、【單選題】當(dāng)溫度升高時(shí)，二極管的反向飽和電流將。本題答案：【增大】2、【單選題】當(dāng)溫度升高時(shí)，二極管正反向特性曲線的特點(diǎn)是。本題答案：【正向特性曲線左移，反向特性曲線下移?！?、【判斷題】鍺管反向電流比硅管反向電流小得多。本題答案：【錯(cuò)誤】1.2.3隨堂測(cè)驗(yàn)1、【單選題】二極管的最高反向工作電壓，通常規(guī)定為。本題答案：【擊穿電壓的一半】2、【判斷題】當(dāng)工作頻率過(guò)高時(shí)，二極管將失去單向?qū)щ娦浴１绢}答案：【正確】3、【判斷題】二極管如果超過(guò)最大整流電流，就一定會(huì)燒壞。本題答案：【錯(cuò)誤】1.3.1隨堂測(cè)驗(yàn)1、【單選題】二極管導(dǎo)通后對(duì)大信號(hào)所呈現(xiàn)的電阻，稱為二極管的。本題答案：【導(dǎo)通電阻】2、【判斷題】二極管的模型主要有理想模型、恒壓降模型和小信號(hào)模型。本題答案：【正確】3、【判斷題】在同時(shí)含有直流電源和小信號(hào)交變?cè)吹碾娐分?，電流或電壓的總量約等于靜態(tài)量與動(dòng)態(tài)量的疊加。本題答案：【正確】1.3.2隨堂測(cè)驗(yàn)1、【單選題】當(dāng)二極管回路電源電壓較低時(shí)，采用模型比較合理。本題答案：【恒壓降】2、【判斷題】二極管的直流電阻、導(dǎo)通電阻和交流電阻是三個(gè)不同的概念。本題答案：【正確】3、【判斷題】用模擬指針式萬(wàn)用表的電阻擋測(cè)量二極管正向電阻時(shí)，不同量程擋測(cè)得的正向電阻值是相同的。本題答案：【錯(cuò)誤】4、【判斷題】對(duì)于既有直流電源又有小信號(hào)源的電路，應(yīng)先采用恒壓降模型估算工作點(diǎn)，再用小信號(hào)模型進(jìn)行動(dòng)態(tài)分析。本題答案：【正確】1.4.1隨堂測(cè)驗(yàn)1、【判斷題】只要穩(wěn)壓二極管兩端加反向電壓就能起穩(wěn)壓作用。本題答案：【錯(cuò)誤】2、【判斷題】利用二極管的正向特性也可以實(shí)現(xiàn)穩(wěn)壓。本題答案：【正確】3、【判斷題】正常情況下，穩(wěn)壓二極管工作在反向擊穿區(qū)。本題答案：【正確】1.4.2隨堂測(cè)驗(yàn)1、【單選題】光電二極管工作時(shí)需要加偏置電壓，工作于狀態(tài)。本題答案：【反向；截止】2、【單選題】發(fā)光二極管導(dǎo)通時(shí)發(fā)光，工作電流的典型值為。本題答案：【正偏；10mA】3、【判斷題】光電二極管的光電流隨光照強(qiáng)度的增大而上升。本題答案：【正確】1.4.3隨堂測(cè)驗(yàn)1、【單選題】肖特基二極管的導(dǎo)通電壓，大約為。本題答案：【較低；0.4V】2、【單選題】變?nèi)荻O管在電路中的主要作用是。本題答案：【可變電容器】3、【判斷題】發(fā)光二極管是一種通以正向電流會(huì)發(fā)光的二極管，使用時(shí)應(yīng)加正偏電壓，且串接合適的限流電阻。本題答案：【正確】第1章作業(yè)第1章單元測(cè)驗(yàn)1、【單選題】半導(dǎo)體本征激發(fā)會(huì)成對(duì)產(chǎn)生。本題答案：【自由電子和空穴】2、【單選題】ＰＮ結(jié)外加正向電壓時(shí)，擴(kuò)散電流。本題答案：【增加】3、【單選題】ＰＮ結(jié)外加正向電壓時(shí)，耗盡層。本題答案：【變薄】4、【單選題】在室溫27度時(shí)，硅二極管的死區(qū)電壓大約為V。本題答案：【0.5】5、【單選題】在室溫27度時(shí)，鍺二極管的死區(qū)電壓大約為V。本題答案：【0.1】6、【單選題】二極管反向飽和電流隨著溫度的升高而。本題答案：【增加】7、【單選題】發(fā)光二極管正常工作時(shí)需要施加偏置電壓。本題答案：【正向】8、【單選題】雜質(zhì)半導(dǎo)體中，多數(shù)載流子的濃度主要取決于。本題答案：【摻雜濃度】9、【單選題】半導(dǎo)體器件對(duì)敏感，這會(huì)導(dǎo)致器件性能的不穩(wěn)定。本題答案：【溫度和光照】10、【單選題】半導(dǎo)體二極管的重要特性之一是。本題答案：【單向?qū)щ娦浴?1、【單選題】硅管的反向電流比鍺管的反向電流，因此硅管的單向?qū)щ娦院蜏囟确€(wěn)定性。本題答案：【小得多；較好】12、【單選題】如果把一個(gè)二極管直接同一個(gè)電動(dòng)勢(shì)為1.5V、內(nèi)阻為0的電池正向連接，則該管。本題答案：【電流過(guò)大使管子燒壞】13、【單選題】鍺二極管的開(kāi)啟電壓為。本題答案：【0.2V左右】14、【單選題】當(dāng)未加外部電壓時(shí)，PN結(jié)中的電流。本題答案：【為0】15、【單選題】PN結(jié)形成后，空間電荷區(qū)由組成。本題答案：【雜質(zhì)離子】16、【單選題】變?nèi)荻O管在電路中的主要作用是。本題答案：【可變電容器】17、【單選題】流過(guò)二極管的正向電流增大時(shí)，其直流電阻將。本題答案：【減小】18、【單選題】在下列二極管中，需要正偏工作的是。本題答案：【發(fā)光二極管】19、【單選題】二極管整流電路的作用，是將正弦電壓變成。本題答案：【單向脈動(dòng)電壓】20、【判斷題】半導(dǎo)體二極管正向偏置，處在正常工作狀態(tài)，即使流過(guò)管子的電流變化很大，管子兩端的電壓變化也很小。本題答案：【正確】21、【判斷題】光電二極管正常工作時(shí)需要施加反向偏置電壓。本題答案：【正確】22、【判斷題】在P型半導(dǎo)體中摻入足夠量的五價(jià)元素，可將其改型為N型半導(dǎo)體。本題答案：【正確】23、【判斷題】雜質(zhì)半導(dǎo)體中，存在自由電子和空穴兩種帶電粒子。本題答案：【錯(cuò)誤】24、【判斷題】雜質(zhì)離子不能移動(dòng)，因此不是載流子。本題答案：【正確】25、【判斷題】N型半導(dǎo)體因?yàn)槠涠嘧邮亲杂呻娮?，所以它帶?fù)電。本題答案：【錯(cuò)誤】26、【判斷題】二極管穩(wěn)壓電路一般由穩(wěn)壓二極管(反向接法)和負(fù)載并聯(lián)而得到，并應(yīng)接有合適的降壓電阻。本題答案：【正確】27、【判斷題】肖特基二極管導(dǎo)通電壓比普通二極管低。本題答案：【正確】28、【判斷題】發(fā)光二極管反向擊穿電壓一般大于5V，為安全起見(jiàn)，一般工作在5V以下。本題答案：【正確】29、【判斷題】光電二極管反向電流隨光照強(qiáng)度增加而上升。本題答案：【正確】30、【判斷題】穩(wěn)壓二極管工作在反向擊穿區(qū)，但屬于電擊穿。本題答案：【正確】31、【判斷題】工程中分析包含有二極管的電路，多采用恒壓降模型進(jìn)行靜態(tài)分析，再用小信號(hào)模型進(jìn)行動(dòng)態(tài)分析。本題答案：【正確】32、【判斷題】對(duì)包含多個(gè)二極管的電路進(jìn)行分析時(shí)，要注意優(yōu)先導(dǎo)通的管子會(huì)對(duì)其它管的工作狀態(tài)產(chǎn)生影響。本題答案：【正確】33、【判斷題】理想二極管等效為一個(gè)理想壓控開(kāi)關(guān)，正偏時(shí)開(kāi)關(guān)合上，反偏時(shí)開(kāi)關(guān)斷開(kāi)。本題答案：【正確】34、【判斷題】二極管的伏安特性受溫度影響較大，當(dāng)溫度升高時(shí)，正向特性曲線向右移，反向特性曲線向上移。本題答案：【錯(cuò)誤】35、【判斷題】熱擊穿是可逆的，電擊穿是不可逆的。本題答案：【錯(cuò)誤】36、【判斷題】PN結(jié)兩側(cè)的電位差稱為內(nèi)建電位差，也叫接觸電位差。本題答案：【正確】37、【判斷題】對(duì)小信號(hào)而言，二極管的伏安關(guān)系呈線性，因此可以用一個(gè)電阻來(lái)等效。本題答案：【正確】38、【判斷題】只要穩(wěn)壓二極管兩端加反向電壓就能起穩(wěn)壓作用本題答案：【錯(cuò)誤】39、【判斷題】本征激發(fā)會(huì)成對(duì)產(chǎn)生自由電子和空穴。本題答案：【正確】40、【判斷題】純凈的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。本題答案：【正確】41、【判斷題】N型半導(dǎo)體的多數(shù)載流子是電子。本題答案：【正確】42、【判斷題】P型半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子是空穴。本題答案：【正確】43、【判斷題】當(dāng)把P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體結(jié)合在一起時(shí)，在兩者的交界處形成一個(gè)PN結(jié)。本題答案：【正確】44、【填空題】純凈且無(wú)雜質(zhì)的半導(dǎo)體稱為。本題答案：【本征半導(dǎo)體】45、【填空題】P型半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子是。本題答案：【空穴】46、【填空題】N型半導(dǎo)體的多數(shù)載流子是。本題答案：【電子##%_YZPRLFH_%##自由電子】47、【填空題】當(dāng)把P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體結(jié)合在一起時(shí)，在兩者的交界處形成一個(gè)。本題答案：【PN結(jié)##%_YZPRLFH_%##空間電荷區(qū)##%_YZPRLFH_%##耗盡層##%_YZPRLFH_%##阻擋層##%_YZPRLFH_%##勢(shì)壘區(qū)】48、【填空題】半導(dǎo)體二極管的最重要的特點(diǎn)是具有。本題答案：【單向?qū)щ娦浴?9、【填空題】變?nèi)荻O管是一個(gè)非線性電容，電容量隨反向電壓增加而。本題答案：【減小##%_YZPRLFH_%##變小】50、【填空題】用萬(wàn)用表電阻擋測(cè)試二極管時(shí)，若正向電阻遠(yuǎn)于反向電阻，說(shuō)明二極管性能較好。本題答案：【小##%_YZPRLFH_%##低】51、【填空題】用萬(wàn)用表電阻擋測(cè)試二極管，其正、反向電阻均為零，說(shuō)明二極管內(nèi)部已。本題答案：【短路##%_YZPRLFH_%##短接##%_YZPRLFH_%##熱擊穿】52、【填空題】穩(wěn)壓二極管是利用二極管的特性實(shí)現(xiàn)穩(wěn)壓。本題答案：【反向擊穿##%_YZPRLFH_%##穩(wěn)壓】53、【填空題】光電二極管工作時(shí)需加偏置電壓。本題答案：【反向】54、【填空題】穩(wěn)壓管使用時(shí)應(yīng)串接，以保證反向電流不超過(guò)最大允許電流，避免熱擊穿。本題答案：【限流電阻##%_YZPRLFH_%##降壓電阻##%_YZPRLFH_%##電阻】2.1.1隨堂測(cè)驗(yàn)1、【單選題】晶體管分為三個(gè)摻雜區(qū)，發(fā)射區(qū)的特點(diǎn)是摻雜濃度，基區(qū)的特點(diǎn)是區(qū)域很薄，摻雜濃度，集電區(qū)的特點(diǎn)是摻雜濃度較低，但面積大。本題答案：【高；低】2、【單選題】在晶體管的圖形符號(hào)中，NPN管發(fā)射電流方向是的，PNP管的發(fā)射電流方向是的。本題答案：【流出；流入】3、【判斷題】晶體管的圖形符號(hào)中，箭頭指示了發(fā)射極位置及發(fā)射結(jié)正偏時(shí)發(fā)射極電流的方向本題答案：【正確】2.1.2隨堂測(cè)驗(yàn)1、【單選題】晶體管具有電流大作用的外部條件是，發(fā)射結(jié)，集電結(jié)。本題答案：【正偏；反偏】2、【單選題】晶體管截止的條件是，發(fā)射結(jié)，集電結(jié)。本題答案：【零偏或反偏；反偏】3、【判斷題】晶體管工作于飽和狀態(tài)時(shí)，集、射之間相當(dāng)于開(kāi)路。本題答案：【錯(cuò)誤】2.1.3隨堂測(cè)驗(yàn)1、【單選題】對(duì)于硅三極管，死區(qū)電壓約為，對(duì)于鍺三極管，死區(qū)電壓約為。本題答案：【0.5V；0.1V】2、【單選題】硅三極管的導(dǎo)通電壓通常取為。本題答案：【0.7V】3、【單選題】溫度升高時(shí)，晶體管的導(dǎo)通電壓，電流放大系數(shù)。本題答案：【減小；增大】2.1.4隨堂測(cè)驗(yàn)1、【單選題】穿透電流隨溫度的上升而，這時(shí)晶體管的溫度穩(wěn)定性。本題答案：【增加；變差】2、【判斷題】集電極的功耗如果超過(guò)了最大允許功率損耗，則晶體管的性能將變壞，甚至過(guò)熱燒壞。本題答案：【正確】3、【判斷題】當(dāng)晶體管工作于放大狀態(tài)時(shí)，直流放大系數(shù)與交流放大系數(shù)基本相等。本題答案：【正確】2.2.1隨堂測(cè)驗(yàn)1、【單選題】晶體管直流電路的分析方法主要有。本題答案：【工程近似分析法、圖解分析法和仿真分析法】2、【判斷題】在工程近似法中，對(duì)于硅二極管，其導(dǎo)通電壓可用0.2V表示。本題答案：【錯(cuò)誤】3、【判斷題】晶體管輸出端外電路的伏安特性方程，也稱為晶體管的輸出電路的直流負(fù)載方程。本題答案：【正確】4、【判斷題】晶體管的靜態(tài)工作點(diǎn)Q非常重要，只有當(dāng)Q點(diǎn)處于放大區(qū)時(shí)，管子才具有放大能力。本題答案：【正確】2.2.2隨堂測(cè)驗(yàn)1、【單選題】晶體管發(fā)射結(jié)正偏導(dǎo)通時(shí)，工作狀態(tài)有和兩種可能。本題答案：【放大；飽和】2、【單選題】NPN型硅晶體管工作于飽和狀態(tài)時(shí)，集射之間的電壓近似等于。本題答案：【0.3V】3、【判斷題】晶體管做為開(kāi)關(guān)電路使用時(shí)，是工作在放大狀態(tài)。本題答案：【錯(cuò)誤】2.2.3隨堂測(cè)驗(yàn)1、【單選題】當(dāng)輸入為時(shí)，可利用H參數(shù)小信號(hào)模型對(duì)放大電路進(jìn)行交流分析。本題答案：【低頻小信號(hào)】2、【判斷題】圖解分析法的缺點(diǎn)是分析問(wèn)題的過(guò)程比較復(fù)雜，對(duì)小信號(hào)而言，作圖的精度低。本題答案：【正確】3、【判斷題】在工程分析中，通常先用工程近似法進(jìn)行靜態(tài)分析，再用小信號(hào)模型分析法進(jìn)行動(dòng)態(tài)分析。本題答案：【正確】2.3.1隨堂測(cè)驗(yàn)1、【單選題】當(dāng)柵源電壓為0時(shí)，管不可能工作在恒流區(qū)。本題答案：【EMOS】2、【單選題】場(chǎng)效應(yīng)管從結(jié)構(gòu)上可分為兩大類，即和。本題答案：【MOS場(chǎng)效應(yīng)管；結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管】3、【判斷題】EMOS管存在導(dǎo)電溝道時(shí)，柵源電壓必定大于零。本題答案：【錯(cuò)誤】2.3.2隨堂測(cè)驗(yàn)1、【單選題】對(duì)于MOSFET，根據(jù)柵源電壓為0時(shí)是否存在導(dǎo)電溝道，可分為場(chǎng)效應(yīng)管和場(chǎng)效應(yīng)管。本題答案：【增加型；耗盡型】2、【判斷題】飽和漏極電流是增強(qiáng)型管的參數(shù)。本題答案：【錯(cuò)誤】3、【判斷題】從對(duì)溝道的影響來(lái)講，開(kāi)啟電壓和夾斷電壓屬于同一種參數(shù)。本題答案：【正確】2.3.3隨堂測(cè)驗(yàn)1、【判斷題】低頻跨導(dǎo)是指靜態(tài)工作點(diǎn)處漏極電流的微變量和引起這個(gè)變化的柵源電壓微變量之比。本題答案：【正確】2、【判斷題】跨導(dǎo)是一個(gè)與工作點(diǎn)無(wú)關(guān)的物理量。本題答案：【錯(cuò)誤】3、【判斷題】場(chǎng)效應(yīng)管的耗散功率大小受到管子最高工作溫度的限制。本題答案：【正確】2.3.4隨堂測(cè)驗(yàn)1、【單選題】JFET外加的柵源電壓應(yīng)使柵源間的PN結(jié)，目的是使得輸入電阻。本題答案：【反偏；很大】2、【判斷題】靜態(tài)工作點(diǎn)的分析可以采用小信號(hào)模型。本題答案：【錯(cuò)誤】3、【判斷題】場(chǎng)效應(yīng)管電路的分析方法與晶體管電路的分析方法相類似，也是先靜態(tài)分析，后動(dòng)態(tài)分析。本題答案：【正確】第2章作業(yè)第2章單元測(cè)驗(yàn)1、【單選題】某NPN管電路中，測(cè)得BE之間的電壓為0V，BC之間電壓為-2V，則可知該晶體管工作于狀態(tài)。本題答案：【截止】2、【單選題】在下列場(chǎng)效應(yīng)管中，無(wú)原始導(dǎo)電溝道的為。本題答案：【增強(qiáng)型PMOS管】3、【單選題】輸入時(shí)，可用H參數(shù)小信號(hào)模型對(duì)放大電路進(jìn)行交流分析。本題答案：【低頻小信號(hào)】4、【單選題】具有不同的低頻小信號(hào)模型。本題答案：【晶體管與場(chǎng)效應(yīng)管】5、【單選題】當(dāng)GS之間的電壓為0時(shí)，管不可能工作在恒流區(qū)。本題答案：【EMOS管】6、【單選題】工作在放大區(qū)的某三極管，如果當(dāng)IB從12uA增大到22uA時(shí)，IC從lmA變?yōu)?mA，那么它的β約為。本題答案：【100】7、【單選題】晶體管處于放大狀態(tài)時(shí)，下列的正確說(shuō)法是。本題答案：【發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏?！?、【單選題】晶體管處于飽和狀態(tài)時(shí)，要求。本題答案：【發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏?！?、【單選題】晶體管截止時(shí)，兩個(gè)PN結(jié)的偏置關(guān)系是。本題答案：【發(fā)射結(jié)反偏或零偏，集電結(jié)反偏。】10、【單選題】對(duì)小功率NPN硅管處于放大區(qū)時(shí)，。本題答案：【ＵＣＥ≥ＵＢＥ?！?1、【單選題】對(duì)增強(qiáng)型MOS管，只有在柵源電壓絕對(duì)值大于后，才會(huì)形成導(dǎo)電溝道。本題答案：【開(kāi)啟電壓絕對(duì)值】12、【單選題】利用晶體管的開(kāi)關(guān)特性可構(gòu)成開(kāi)關(guān)電路，這時(shí)管子工作在。本題答案：【飽和或截止?fàn)顟B(tài)】13、【單選題】下列說(shuō)法不正確的是。本題答案：【雙極型三極管通常簡(jiǎn)稱為FET】14、【單選題】根據(jù)結(jié)構(gòu)的不同，場(chǎng)效應(yīng)管的類型通常分為種。本題答案：【6】15、【判斷題】晶體管具有電流放大作用的外部條件是發(fā)射結(jié)正偏導(dǎo)通，集電結(jié)反偏。。本題答案：【正確】16、【判斷題】晶體管處于截止區(qū)的條件是發(fā)射結(jié)反偏或零偏，集電結(jié)反偏。。本題答案：【正確】17、【判斷題】晶體管輸出特性通常分為三個(gè)區(qū)域，它們是可變電阻區(qū)，飽和區(qū)和截止區(qū)。本題答案：【錯(cuò)誤】18、【判斷題】當(dāng)溫度升高時(shí)，晶體管的電流放大系數(shù)將變小。本題答案：【錯(cuò)誤】19、【判斷題】當(dāng)溫度升高時(shí)，晶體管的反向飽和電流將減小。本題答案：【錯(cuò)誤】20、【判斷題】場(chǎng)效應(yīng)管是利用柵源電壓改變導(dǎo)電溝道的寬窄來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)漏極電流控制的。本題答案：【正確】21、【判斷題】場(chǎng)效應(yīng)管屬于電流型控制型器件。本題答案：【錯(cuò)誤】22、【判斷題】晶體管主要作用是不失真地放大電壓信號(hào)，為保證這一點(diǎn)，選擇一個(gè)合適的靜態(tài)工作點(diǎn)非常重要。本題答案：【正確】23、【判斷題】可以采用小信號(hào)模型進(jìn)行靜態(tài)工作點(diǎn)的分析。本題答案：【錯(cuò)誤】24、【判斷題】場(chǎng)效應(yīng)管的重要特性之一是具有很高的輸入阻抗。本題答案：【正確】25、【判斷題】EMOS管存在導(dǎo)電溝道時(shí)，柵源電壓必定大于零。本題答案：【錯(cuò)誤】26、【判斷題】JFET外加的柵源電壓應(yīng)使柵源間的PN結(jié)反偏。本題答案：【正確】27、【判斷題】場(chǎng)效應(yīng)管用于放大電路時(shí)，應(yīng)工作于飽和區(qū)。本題答案：【正確】28、【判斷題】場(chǎng)效應(yīng)管主要工作原理是柵源電壓對(duì)漏極電流的控制作用，但實(shí)際上漏極電流還受到漏源電壓的影響。本題答案：【正確】29、【判斷題】FET工作時(shí)只有一種載流子參與導(dǎo)電，這就是電子。本題答案：【錯(cuò)誤】30、【判斷題】FET全夾斷時(shí)，沒(méi)有導(dǎo)電溝道，但仍有電流通過(guò)。本題答案：【錯(cuò)誤】31、【判斷題】當(dāng)溫度升高時(shí)，晶體管導(dǎo)通電壓增加。本題答案：【錯(cuò)誤】32、【判斷題】場(chǎng)效應(yīng)管的放大區(qū)也就是飽和區(qū)。本題答案：【正確】33、【判斷題】晶體管要求有合適的靜態(tài)工作點(diǎn)，目的是使管子在信號(hào)變化范圍內(nèi)近似線性工作。本題答案：【正確】34、【判斷題】在分析晶體管放大電路時(shí)，通常先估算靜態(tài)工作點(diǎn)和rbe，然后用小信號(hào)等效電路法進(jìn)行交流分析。本題答案：【正確】35、【判斷題】晶體管畫(huà)交流通路的關(guān)鍵之一是將電容斷路。本題答案：【錯(cuò)誤】36、【判斷題】晶體管畫(huà)直流通路的關(guān)鍵是：(1)將大電容視為短路；(2)直流電壓源視為短路。本題答案：【錯(cuò)誤】37、【判斷題】開(kāi)啟電壓是是耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管夾斷導(dǎo)電溝道所需的柵源電壓。本題答案：【錯(cuò)誤】38、【判斷題】開(kāi)啟電壓是增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管產(chǎn)生導(dǎo)電溝道所需的柵源電壓。本題答案：【正確】39、【判斷題】低頻跨導(dǎo)是指靜態(tài)工作點(diǎn)處漏極電流的微變量與引起這個(gè)變化的柵源電壓微變量之比。本題答案：【正確】40、【判斷題】集電極功耗若超過(guò)集電極最大允許功耗，管子性能將變壞，甚至過(guò)熱燒壞。本題答案：【正確】41、【判斷題】集電極電流若超過(guò)最大允許電流，電流放大系數(shù)將明顯下降，但不一定損壞管子，但若電流過(guò)大，則會(huì)燒壞管子。本題答案：【正確】42、【判斷題】晶體管的小信號(hào)模型也稱為H參數(shù)簡(jiǎn)化小信號(hào)模型、小信號(hào)等效電路或微變等效電路。本題答案：【正確】3.1隨堂測(cè)驗(yàn)1、【單選題】某放大電路，負(fù)載開(kāi)路時(shí)輸出電壓為3V，接入2kΩ負(fù)載時(shí)輸出電壓為2V，則輸出電阻為（）kΩ。本題答案：【1】2、【單選題】某放大電路，信號(hào)源內(nèi)阻為150Ω，信號(hào)源電壓為20ｍＶ，輸入電壓為16ｍＶ，則輸入電阻為（）Ω。本題答案：【600】3、【判斷題】變壓器可以將電壓變大，它也是一種放大電路。本題答案：【錯(cuò)誤】4、【判斷題】頻率失真是由線性的電抗元件引起的，它不會(huì)產(chǎn)生新的頻率分量，屬于線性失真。本題答案：【正確】5、【填空題】已知放大電路的｜Au｜＝100，則電壓增益為dB。本題答案：【40】3.2（1）隨堂測(cè)驗(yàn)1、【單選題】電容耦合分壓式電流負(fù)反饋共射極放大電路中，欲減小UCEQ，可以（）。本題答案：【減小RB1】2、【單選題】分壓式電流負(fù)反饋共射極放大電路中，要提高工作點(diǎn)的穩(wěn)定性，可以（）。本題答案：【增大RE】3、【填空題】放大電路的靜態(tài)工作點(diǎn)根據(jù)通路進(jìn)行估算。本題答案：【直流】3.2（2）隨堂測(cè)驗(yàn)1、【單選題】電容耦合分壓式電流負(fù)反饋共射極放大電路中，欲提高電壓放大倍數(shù)，可以（）。本題答案：【增大RＢ２】2、【單選題】共射極放大電路的性能特點(diǎn)是（）。本題答案：【反相放大】3、【判斷題】分壓式電流負(fù)反饋共射極放大電路中，輸出電阻Rｏ＝RＣ∥RＬ。本題答案：【錯(cuò)誤】3.2（3）隨堂測(cè)驗(yàn)1、【單選題】為使高內(nèi)阻的信號(hào)源與低阻負(fù)載能很好配合，可以在信號(hào)源與負(fù)載之間接入（）放大電路。本題答案：【共集電極】2、【多選題】共集電極放大電路的性能特點(diǎn)有（）。本題答案：【電壓放大倍數(shù)接近于1#輸入電阻很大#帶負(fù)載能力強(qiáng)】3、【多選題】共基極放大電路的性能特點(diǎn)有（）。本題答案：【同相放大#高頻特性好#輸入電阻很小#源電壓放大倍數(shù)不高】4、【判斷題】共集電極放大電路又稱為射極跟隨器本題答案：【正確】3.2（4）隨堂測(cè)驗(yàn)1、【多選題】共源極場(chǎng)效應(yīng)管放大電路的性能特點(diǎn)有（）。本題答案：【反相放大#輸入電阻很大#放大倍數(shù)不很高】2、【判斷題】場(chǎng)效應(yīng)管放大電路的偏置電路都可以采用自給偏壓電路。本題答案：【錯(cuò)誤】3、【判斷題】共漏極場(chǎng)效應(yīng)管放大電路的電壓放大倍數(shù)小于1。本題答案：【正確】3.3（1）隨堂測(cè)驗(yàn)1、【單選題】選用差分放大電路的主要原因是（）。本題答案：【減小零漂】2、【多選題】差分放大電路中RE電阻的作用是（）。本題答案：【穩(wěn)定工作點(diǎn)#抑制零漂】3、【填空題】差分放大電路對(duì)信號(hào)具有放大作用，對(duì)信號(hào)具有很強(qiáng)的抑制作用。差分放大電路的零漂很。（答案之間用逗號(hào)隔開(kāi)）本題答案：【差模，共模，小】4、【填空題】某差分放大電路的兩個(gè)輸入端電壓分別為ui1＝40mV，ui2＝10mV，則該電路的差模輸入電壓uid為mV，共模輸入電壓uic為mV。（答案之間用逗號(hào)隔開(kāi)）本題答案：【30，25】3.3（2）隨堂測(cè)驗(yàn)1、【單選題】對(duì)電流源而言，下列說(shuō)法不正確的為（）。本題答案：【直流電阻很大】2、【單選題】把長(zhǎng)尾式差分放大電路中的發(fā)射極公共電阻RE改為電流源可以（）。本題答案：【提高共模抑制比】3、【判斷題】差分放大電路中，可以用電流源代替RE電阻是因?yàn)殡娏髟吹膬?nèi)阻很大。本題答案：【錯(cuò)誤】3.3（3）隨堂測(cè)驗(yàn)1、【單選題】差分放大電路由雙端輸出改為單端輸出，則差模電壓放大倍數(shù)（）。本題答案：【減小為原來(lái)的一半】2、【判斷題】空載時(shí)，差分放大電路單端輸入的電壓放大倍數(shù)變?yōu)殡p端輸入時(shí)的一半。本題答案：【錯(cuò)誤】3、【判斷題】差分放大電路雙端輸出時(shí)，主要靠發(fā)射極公共電阻的負(fù)反饋?zhàn)饔脕?lái)抑制溫漂。本題答案：【錯(cuò)誤】4、【判斷題】單端輸出的具有電流源的差分放大電路，主要靠電流源的恒流特性來(lái)抑制溫漂。本題答案：【正確】3.4（1）隨堂測(cè)驗(yàn)1、【單選題】把放大電路分為甲類、乙類、甲乙類是根據(jù)晶體管在一個(gè)信號(hào)周期內(nèi)的（）來(lái)區(qū)分的。本題答案：【導(dǎo)通時(shí)間】2、【單選題】功率放大電路、共射極放大電路、射極輸出器的共同點(diǎn)是：（）本題答案：【是能量轉(zhuǎn)換器】3、【判斷題】功率放大器主要要求輸出功率大，所以輸出功率越大越好。本題答案：【錯(cuò)誤】3.4（2）隨堂測(cè)驗(yàn)1、【單選題】OCL電路的最大管耗發(fā)生在（）。本題答案：【Uom約等于0.64Vcc】2、【判斷題】功率放大電路的效率是指最大不失真輸出功率與直流電源所提供的平均功率之比。本題答案：【錯(cuò)誤】3、【判斷題】乙類互補(bǔ)對(duì)稱功放在輸出不失真情況下，輸入信號(hào)越大，則輸出功率越大，效率越高。本題答案：【正確】4、【判斷題】OCL電路中最大不失真輸出功率Pom≈V2CC/2RL，說(shuō)明Pom與管子參數(shù)和輸入信號(hào)無(wú)關(guān)。本題答案：【錯(cuò)誤】5、【填空題】輸出功率為10W的乙類OCL電路，所選用晶體管的額定管耗至少為W。本題答案：【2】3.4（3）隨堂測(cè)驗(yàn)1、【單選題】在OTL功放電路中，若最大輸出功率為1W，則電路中功放管的最大集電極功耗約為（）。本題答案：【0.2W】2、【單選題】下圖中能構(gòu)成NPN型復(fù)合管電路的為（）。本題答案：【】3、【判斷題】OTL電路輸出端必須串接大容量的電容器，它起到將單電源功放電路等效為雙電源功放電路的作用。本題答案：【正確】3.5（1）隨堂測(cè)驗(yàn)1、【單選題】直接耦合放大電路不能放大（）。本題答案：【頻率遠(yuǎn)大于該電路上限頻率的信號(hào)】2、【單選題】直接耦合多級(jí)放大電路中零漂危害最大的一級(jí)是（）。本題答案：【輸入級(jí)】3、【判斷題】多級(jí)放大電路的輸入電阻與第二級(jí)電路的輸入電阻無(wú)關(guān)。本題答案：【錯(cuò)誤】4、【判斷題】多級(jí)放大電路的輸出電阻與末前級(jí)電路的輸出電阻無(wú)關(guān)。本題答案：【錯(cuò)誤】5、【判斷題】多級(jí)放大電路的總增益等于各級(jí)放大電路增益的乘積。本題答案：【正確】6、【填空題】多級(jí)放大電路中常用的耦合方式有耦合、直接耦合、變壓器耦合和光電耦合等。本題答案：【電容】3.5（2）隨堂測(cè)驗(yàn)1、【單選題】集成運(yùn)放輸入級(jí)多采用差分放大電路主要是為了（）。本題答案：【減小溫度漂移】2、【判斷題】集成運(yùn)放的中間級(jí)應(yīng)提供足夠大的放大倍數(shù)；輸出級(jí)應(yīng)具有較強(qiáng)的帶負(fù)載能力，并且最大不失真輸出電壓應(yīng)盡量大。本題答案：【正確】3、【判斷題】集成運(yùn)放的兩個(gè)輸入端之間滿足虛短和虛斷。本題答案：【錯(cuò)誤】4、【填空題】由理想集成運(yùn)放構(gòu)成的電路如下圖所示，已知ui=2V，則輸出電壓uo=V。本題答案：【8】3.1~3.3作業(yè)3.4~3.5作業(yè)3.1~3.3單元測(cè)驗(yàn)1、【單選題】某放大電路，負(fù)載開(kāi)路時(shí)輸出電壓為3V，接入1kΩ負(fù)載時(shí)輸出電壓為1.5V，則輸出電阻為kΩ。本題答案：【1】2、【單選題】某放大電路，信號(hào)源內(nèi)阻為100Ω，信號(hào)源電壓為20ｍＶ，輸入電壓為16ｍＶ，則輸入電阻為Ω。本題答案：【400】3、【單選題】已知放大電路的?Au?=100，?Ai?=10，則下述錯(cuò)誤的為。本題答案：【功率增益為60dB】4、【單選題】反映了放大電路對(duì)信號(hào)源或前級(jí)電路的影響。本題答案：【輸入電阻】5、【單選題】放大電路中負(fù)載電阻的能量取自于。本題答案：【直流電源】6、【單選題】雙極型三極管基本組態(tài)放大電路中，輸入電阻最大的是共極電路本題答案：【集電】7、【單選題】三極管三種基本組態(tài)放大電路中，輸出電阻最小的是共極電路本題答案：【集電】8、【單選題】單級(jí)三極管放大電路中，既能放大電壓又能放大電流的是共極電路本題答案：【發(fā)射】9、【單選題】單級(jí)晶體管放大電路中，輸出電壓與輸入電壓反相的有共極電路。本題答案：【發(fā)射】10、【單選題】本題答案：【B】11、【單選題】本題答案：【A】12、【單選題】共射極放大電路空載時(shí)輸出電壓有截止失真，在輸入信號(hào)不變的情況下經(jīng)耦合電容接上負(fù)載電阻時(shí)，失真消失，這是由于。本題答案：【晶體管交流負(fù)載電阻減小】13、【單選題】本題答案：【D】14、【單選題】本題答案：【C】15、【單選題】本題答案：【B】16、【單選題】示電路是共極放大電路。本題答案：【基】17、【單選題】本題答案：【B】18、【單選題】選用差分放大電路的主要原因是。本題答案：【減小零漂】19、【單選題】把長(zhǎng)尾式差分放大電路中的發(fā)射極公共電阻改為電流源可以。本題答案：【提高共模抑制比】20、【單選題】對(duì)電流源而言，下列說(shuō)法不正確的為。本題答案：【直流電阻很大】21、【單選題】本題答案：【D】22、【單選題】本題答案：【D】23、【判斷題】為了不失真地放大信號(hào)，要求放大電路的通頻帶不小于信號(hào)的頻帶。本題答案：【正確】24、【判斷題】放大電路的輸出電阻可由放大電路的開(kāi)路輸出電壓除以短路輸出電流求得。本題答案：【正確】25、【判斷題】放大電路的輸出電阻越小，則負(fù)載對(duì)輸出電壓的影響就越小，放大電路帶負(fù)載能力就越強(qiáng)。本題答案：【正確】26、【判斷題】放大電路只要靜態(tài)工作點(diǎn)合理，就可以放大電壓信號(hào)。本題答案：【錯(cuò)誤】27、【判斷題】頻率失真是由線性的電抗元件引起的，它不會(huì)產(chǎn)生新的頻率分量，屬于線性失真。本題答案：【正確】28、【判斷題】場(chǎng)效應(yīng)管放大電路的偏置電路可以采用自給偏壓電路。本題答案：【錯(cuò)誤】29、【判斷題】本題答案：【錯(cuò)誤】30、【判斷題】放大電路的靜態(tài)工作點(diǎn)根據(jù)直流通路進(jìn)行估算。本題答案：【正確】31、【判斷題】欲將小信號(hào)放大100倍，可選用共射極放大電路，也可選用共基極放大電路。本題答案：【正確】32、【判斷題】欲采用一級(jí)電路將小信號(hào)放大90倍，可選用共射極放大電路，也可選用共源極放大電路。本題答案：【錯(cuò)誤】33、【判斷題】欲放大器的放大倍數(shù)為-10，輸入電阻為2MHz，可選用共射極放大電路，也可選用共源極放大電路。本題答案：【錯(cuò)誤】34、【判斷題】性能較好的差分放大電路，對(duì)差模信號(hào)具有放大作用，而對(duì)共模信號(hào)和零漂具有很強(qiáng)的抑制作用。本題答案：【正確】35、【判斷題】本題答案：【正確】36、【判斷題】差模電壓放大倍數(shù)與共模電壓放大倍數(shù)之比的絕對(duì)值稱為共模抑制比.本題答案：【正確】37、【判斷題】將差分放大電路由雙端輸入改為單端輸入，差模電壓放大倍數(shù)將保持不變。本題答案：【正確】3.4~3.5單元測(cè)驗(yàn)1、【單選題】乙類放大管在一個(gè)信號(hào)周期內(nèi)的導(dǎo)通情況，下述正確的為。本題答案：【導(dǎo)通時(shí)間為半周】2、【單選題】由于晶體管存在死區(qū)電壓，所以乙類互補(bǔ)對(duì)稱電路會(huì)產(chǎn)生失真。本題答案：【交越】3、【單選題】輸出功率為10W的乙類OCL電路，所選用晶體管的額定管耗至少為W。本題答案：【2】4、【單選題】本題答案：【B】5、【單選題】功率放大電路、共發(fā)射極放大電路和射極輸出器的共同點(diǎn)是。本題答案：【是能量轉(zhuǎn)換器】6、【單選題】本題答案：【D】7、【單選題】功率放大電路中采用乙類工作狀態(tài)是為了提高。本題答案：【放大器效率】8、【單選題】OTL電路負(fù)載電阻RＬ=10Ω，電源電壓VCC=10Ｖ，略去晶體管的飽和壓降，其最大不失真輸出功率為Ｗ。本題答案：【1.25】9、【單選題】本題答案：【電容器C的電容量應(yīng)足夠小】10、【單選題】本題答案：【D】11、【單選題】本題答案：【A】12、【單選題】本題答案：【D】13、【單選題】本題答案：【A】14、【單選題】模擬集成電路中，同一芯片上相同元器件。本題答案：【參數(shù)一致性好】15、【單選題】集成運(yùn)放中間級(jí)采用有源負(fù)載和復(fù)合管主要是為了。本題答案：【提高電壓放大倍數(shù)】16、【單選題】本題答案：【B電路的小】17、【單選題】本題答案：【C】18、【判斷題】A類、B類和AB類功放電路中，B類的效率最高本題答案：【正確】19、【判斷題】提高功率放大器效率的常用措施是增大放大管的導(dǎo)通角。本題答案：【錯(cuò)誤】20、【判斷題】復(fù)合管的管型由首管決定，等效b值約等于組成該復(fù)合管的各管b值之積，帶負(fù)載能力則由末管決定。本題答案：【正確】21