半導(dǎo)體-復(fù)習(xí)課件

(1-1)半導(dǎo)體的基本知識1.導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體導(dǎo)體：自然界中很容易導(dǎo)電的物質(zhì)稱為導(dǎo)體，金屬一般都是導(dǎo)體。絕緣體：有的物質(zhì)幾乎不導(dǎo)電，稱為絕緣體，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。半導(dǎo)體：另有一類物質(zhì)的導(dǎo)電特性處于導(dǎo)體和絕緣體之間，稱為半導(dǎo)體，如鍺、硅、砷化鎵和一些硫化物、氧化物等。(1-2)

半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理不同于其它物質(zhì)，所以它具有不同于其它物質(zhì)的特點(diǎn)。例如：

當(dāng)受外界熱和光的作用時，它的導(dǎo)電能力明顯變化。

往純凈的半導(dǎo)體中摻入某些雜質(zhì)，會使它的導(dǎo)電能力明顯改變。(1-3)本征半導(dǎo)體：完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體。在硅和鍺晶體中，原子按四角形系統(tǒng)組成晶體點(diǎn)陣，每個原子都處在正四面體的中心，而四個其它原子位于四面體的頂點(diǎn)，每個原子與其相臨的原子之間形成共價鍵，共用一對價電子。硅和鍺的晶體結(jié)構(gòu)：影響半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性特性的3個因素：溫度-----熱敏電阻光照-----光敏電阻摻雜------P、N型半導(dǎo)體摻入五價雜質(zhì)元素為N型半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體的應(yīng)用溫度檢測與控制（發(fā)動機(jī)溫度、進(jìn)氣溫度）；光信號檢測（傳感器和光電隔離）；磁場信號檢測（霍爾效應(yīng)）。1.2半導(dǎo)體二極管

二極管=PN結(jié)+管殼+引線NP結(jié)構(gòu)符號陽極+陰極-三.二極管的主要參數(shù)

(1)最大整流電流IF——二極管長期連續(xù)工作時，允許通過二極管的最大整流電流的平均值。(2)反向擊穿電壓UBR———

二極管反向電流急劇增加時對應(yīng)的反向電壓值稱為反向擊穿電壓UBR。

(3)反向電流IR——

在室溫下，在規(guī)定的反向電壓下的反向電流值。硅二極管的反向電流一般在納安(nA)級；鍺二極管在微安(

A)級。

1.3半導(dǎo)體三極管

半導(dǎo)體三極管，也叫晶體三極管。由于工作時，多數(shù)載流子和少數(shù)載流子都參與運(yùn)行，因此，還被稱為雙極型晶體管（BipolarJunctionTransistor,簡稱BJT）。

BJT是由兩個PN結(jié)組成的。一.BJT的結(jié)構(gòu)NPN型PNP型符號:

三極管的結(jié)構(gòu)特點(diǎn):（1）發(fā)射區(qū)的摻雜濃度＞＞集電區(qū)摻雜濃度。（2）基區(qū)要制造得很薄且濃度很低。--NNP發(fā)射區(qū)集電區(qū)基區(qū)發(fā)射結(jié)集電結(jié)ecb發(fā)射極集電極基極--PPN發(fā)射區(qū)集電區(qū)基區(qū)發(fā)射結(jié)集電結(jié)ecb發(fā)射極集電極基極

1.5場效應(yīng)管

BJT是一種電流控制元件(iB~iC)，工作時，多數(shù)載流子和少數(shù)載流子都參與運(yùn)行，所以被稱為雙極型器件。增強(qiáng)型耗盡型N溝道P溝道N溝道P溝道N溝道P溝道FET分類：

絕緣柵場效應(yīng)管結(jié)型場效應(yīng)管

場效應(yīng)管（FieldEffectTransistor簡稱FET）是一種電壓控制器件(uGS~iD)，工作時，只有一種載流子參與導(dǎo)電，因此它是單極型器件。一、共射極放大電路1、畫直流通路（計算靜態(tài)工作點(diǎn)）；2、畫交流通路（計算放大倍數(shù)）；特點(diǎn)：既有電流放大，又電壓放大作用，常用于小信號放大。二、共集電極放大電路特點(diǎn)：輸入阻抗高，只有電流放大，無電壓放大作用，常用于電子控制電路后級的功率驅(qū)動。三、共基放大電路特點(diǎn)：輸入阻抗非常低，只有電壓放大，無電流放大作用，常用高頻放大電路。

NPN型cT1bT2e

PNP型T2T1bec復(fù)合管復(fù)合管：同CC、異EC.等效第一管.放大倍數(shù)：3.1多級放大電路的耦合方式將多個單級基本放大電路合理聯(lián)接，構(gòu)成多級放大電路組成