電子技術(shù)基礎(chǔ)Ⅰ（模擬部分）知到智慧樹章節(jié)測(cè)試課后答案2024年秋湖南師范大學(xué)

電子技術(shù)基礎(chǔ)Ⅰ（模擬部分）知到智慧樹章節(jié)測(cè)試課后答案2024年秋湖南師范大學(xué)第一章單元測(cè)試

對(duì)PN結(jié)電擊穿描述不正確的是（）。

A:齊納擊穿原理與雪崩擊穿原理近似相同，都是在外加反向電壓下實(shí)現(xiàn)的

B:雪崩擊穿屬于電擊穿

C:穩(wěn)壓二極管就是利用齊納擊穿原理實(shí)現(xiàn)的

D:PN結(jié)電擊穿時(shí)，在外電壓撤除后能夠恢復(fù)原狀態(tài)

答案:齊納擊穿原理與雪崩擊穿原理近似相同，都是在外加反向電壓下實(shí)現(xiàn)的

2AP9表示的是（）。

A:鍺材料

整流二極管B:硅材料整流二極管C:硅材料普通二極管D:鍺材料

普通二極管

答案:鍺材料

普通二極管對(duì)二極管模型的描述不正確的是（）。

A:二極管理想模型，正向偏置時(shí)電阻為零，反向偏置時(shí)電阻無(wú)窮大

B:二極管小信號(hào)模型中的等效電阻值與二極管工作的Q點(diǎn)無(wú)關(guān)

C:二極管折線模型，看成是0.5V的電源和一個(gè)電阻串聯(lián)，此時(shí)二極管電流大于1mA

D:二極管的恒壓降模型，硅管導(dǎo)通壓降0.7V，鍺管導(dǎo)通壓降0.2V

答案:二極管小信號(hào)模型中的等效電阻值與二極管工作的Q點(diǎn)無(wú)關(guān)

如圖所示，設(shè)二極管為理想二極管，則A端的輸出電壓為（）。

A:-8V

B:0V

C:-10V

D:-12V

答案:0V

如圖所示，設(shè)二極管為理想二極管，則A端的輸出電壓為（）。

A:500Ω，1W

B:600Ω，1W

C:500Ω，1/8W

D:600Ω，1/8W

答案:600Ω，1/8W

第二章單元測(cè)試

晶體三極管形成原理描述不正確的是（）。

A:由于基區(qū)很薄，電子和空穴在基區(qū)復(fù)合的概率較低

B:由于基區(qū)很薄，電子和空穴在基區(qū)復(fù)合的概率較高

C:到達(dá)基區(qū)的電子很容易穿過集電結(jié)

D:到達(dá)基區(qū)的空穴很容易穿過發(fā)射結(jié)

答案:由于基區(qū)很薄，電子和空穴在基區(qū)復(fù)合的概率較高

對(duì)晶體三極管放大電路的工程常識(shí)描述不正確的是（）。

A:放大電路的輸入信號(hào)電壓一般是毫伏甚至是微伏級(jí)電壓

B:放大電路的輸出功率一般是瓦特級(jí)

C:放大電路的輸出信號(hào)電流一般是幾毫安

D:放大電路的輸入信號(hào)電流一般是微安級(jí)的電流

答案:放大電路的輸出功率一般是瓦特級(jí)

對(duì)共基極放大電路特性描述不正確的是（）。

A:輸出電阻大，帶負(fù)載能力較差

B:由于無(wú)結(jié)電容影響，常用于放大高頻信號(hào)

C:放大電路的輸出信號(hào)與輸入信號(hào)同相

D:輸入電阻小，對(duì)前一級(jí)放大電路或信號(hào)源的帶負(fù)載能力要求不高

答案:輸入電阻小，對(duì)前一級(jí)放大電路或信號(hào)源的帶負(fù)載能力要求不高

對(duì)多級(jí)放大電路性能描述不正確的是（）。

A:多級(jí)放大電路的輸入電阻為第一級(jí)放大電路的輸入電阻

B:多級(jí)放大電路的輸出電阻為最后一級(jí)放大電路的輸出電阻

C:多級(jí)放大電路的電壓增益等于各級(jí)放大電路電壓增益分貝值之積

D:多級(jí)放大電路的頻帶帶寬比任何一級(jí)放大電路的頻帶帶寬都窄

答案:多級(jí)放大電路的電壓增益等于各級(jí)放大電路電壓增益分貝值之積

已知b=100，RS=1kW，RB1=62kW，RB2=20kW,RC=3kW，RE=1.5kW，RL=5.6kW，VCC=15V。則靜態(tài)工作點(diǎn)分別為：（）。

A:15μA，1.5mA,6V

B:30μA，3mA,6V

C:10μA，1mA,10.5V

D:20μA，2mA,6V

答案:20μA，2mA,6V

第三章單元測(cè)試

測(cè)量某MOSFET的漏源電壓為-3V,柵源電壓為-2V，其開啟電壓或夾斷電壓為-1V，該管工作在（）。

A:飽和區(qū)

B:預(yù)夾斷臨界點(diǎn)

C:截止區(qū)

D:可變電阻區(qū)

答案:飽和區(qū)

對(duì)N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管工作原理描述不正確的是（）。

A:當(dāng)漏極和源極之間加正向電壓超過預(yù)夾斷電壓時(shí)，漏極電流減少

B:柵極和源極之間加直流電壓大于開啟電壓時(shí)，漏極和源極之間加正向電壓，有漏極電流產(chǎn)生

C:柵極和源極之間加直流電壓時(shí)，產(chǎn)生導(dǎo)電溝道

D:柵極和源極之間不加電壓時(shí)，無(wú)導(dǎo)電溝道產(chǎn)生

答案:當(dāng)漏極和源極之間加正向電壓超過預(yù)夾斷電壓時(shí)，漏極電流減少

在使用MOSFET時(shí)，下列描述不正確的是（）。

A:P型襯底接低電位，N型襯底接高電位

B:焊接FET時(shí)，電烙鐵必須有外接地線，以屏蔽交流電場(chǎng)

C:GaAsMESFET正越來(lái)越多地應(yīng)用于高頻放大和數(shù)字邏輯電路中

D:由于FET的結(jié)構(gòu)對(duì)稱性，其漏極和源極在任何情況下都可以任意互換，其伏安特性幾乎無(wú)變化

答案:由于FET的結(jié)構(gòu)對(duì)稱性，其漏極和源極在任何情況下都可以任意互換，其伏安特性幾乎無(wú)變化

如圖所示耗盡型N溝道MOS管，RG=1MW，RS=2kW，RD=12kW，VDD=20V。IDSS=4mA，UGS(off)=–4V，則ID是（）。

A:4mA

B:1mA

C:2mA

D:3mA

答案:1mA

采用二階低通濾波器進(jìn)行濾波時(shí)，設(shè)截止頻率為，則在頻率為10處的增益與在頻率為處的增益相差：（）。

A:80dB

B:60dB

C:40dB

D:20dB

答案:40dB

第四章單元測(cè)試

與單管共射放大電路放大倍數(shù)一致的差動(dòng)放大電路是（）

A:雙端輸入單端輸出

B:單端輸入單端輸出

C:雙端輸入雙端輸出

D:單端輸入雙端輸出

答案:雙端輸入雙端輸出

對(duì)共模抑制比描述不正確的是（）

A:共模抑制比反映的是差動(dòng)放大電路抑制共模信號(hào)的能力

B:電路的差模增益為50，共模增益為0.05，則共模抑制比為40dB

C:共模抑制比越大，電路抑制共模信號(hào)的能力越強(qiáng)

D:噪聲屬于共模信號(hào)

答案:電路的差模增益為50，共模增益為0.05，則共模抑制比為40dB

對(duì)集成運(yùn)放參數(shù)描述不正確的是（）

A:輸入偏置電流是指集成運(yùn)放兩個(gè)輸入端靜態(tài)電流的平均值

B:輸入失調(diào)電壓是由于差動(dòng)放大電路結(jié)構(gòu)不對(duì)稱引起的

C:輸入失調(diào)電流是指輸入電壓為零時(shí)，流入放大器兩端的動(dòng)態(tài)基極電流之差

D:輸入直流誤差特性都作為運(yùn)放精度的指標(biāo)

答案:輸入失調(diào)電流是指輸入電壓為零時(shí)，流入放大器兩端的動(dòng)態(tài)基極電流之差

如圖所示電路所實(shí)現(xiàn)的功能是（）

A:加法器B:微分器C:減法器D:積分器

答案:減法器對(duì)集成電路描述不正確的是（）

A:集成電路體積小，性能好

B:模擬集成電路的直流偏置技術(shù)采用電流源電路來(lái)實(shí)現(xiàn)

C:把整個(gè)電路的元器件制作在一塊硅基片上，構(gòu)成特定功能的電子電路

D:集成電路中的各級(jí)放大電路之間采用電容耦合方式進(jìn)行的

答案:集成電路中的各級(jí)放大電路之間采用電容耦合方式進(jìn)行的

第五章單元測(cè)試

對(duì)電阻的熱噪聲描述不正確的是（）

A:熱噪聲電壓是指電子隨機(jī)熱運(yùn)動(dòng)而產(chǎn)生的隨時(shí)間變化的電壓

B:電阻元件有熱噪聲

C:純電抗元件具有熱噪聲

D:熱噪聲是傳導(dǎo)電流的自由電子隨機(jī)的熱運(yùn)動(dòng)引起的

答案:純電抗元件具有熱噪聲

三極管的主要噪聲為（）

A:熱噪聲

B:散粒噪聲

C:靜電噪聲

D:閃礫噪聲

答案:散粒噪聲

關(guān)于散粒噪聲的描述不正確的是（）

A:散粒噪聲具有瑞利分布

B:由于發(fā)射極電流和集電極電流無(wú)規(guī)則的波動(dòng)引起的

C:散粒噪聲具有白噪聲性質(zhì)

D:散粒噪聲是三極管噪聲的一個(gè)重要來(lái)源

答案:散粒噪聲具有瑞利分布

電路如圖所示，輸出與輸入之間的關(guān)系是（）

A:開平方運(yùn)算

B:指數(shù)運(yùn)算

C:開立方運(yùn)算

D:對(duì)數(shù)運(yùn)算

答案:開平方運(yùn)算

利用乘法器實(shí)現(xiàn)解調(diào)功能時(shí)，乘法器輸出后的模塊是（）

A:帶通濾波器

B:高通濾波器

C:低通濾波器

D:全通濾波器

答案:低通濾波器

第六章單元測(cè)試

使帶負(fù)載能力強(qiáng)的反饋是（）

A:電壓負(fù)反饋

B:電壓正反饋

C:電流正反饋

D:電流負(fù)反饋

答案:電壓負(fù)反饋

在深度負(fù)反饋條件下，不正確的是（）

A:輸入電流與反饋電流幾乎相等

B:放大倍數(shù)只與反饋系數(shù)相關(guān)

C:放大倍數(shù)與不帶負(fù)反饋時(shí)的放大倍數(shù)有關(guān)

D:輸入電壓與反饋電壓幾乎相等

答案:放大倍數(shù)與不帶負(fù)反饋時(shí)的放大倍數(shù)有關(guān)

如圖所示電路中，RE所引入的反饋是（）

A:電壓并聯(lián)負(fù)反饋

B:電流串聯(lián)負(fù)反饋

C:電流并聯(lián)負(fù)反饋

D:電壓串聯(lián)負(fù)反饋

答案:電流串聯(lián)負(fù)反饋

對(duì)反饋放大電路描述不正確的是（）

A:引入直流反饋是為了穩(wěn)定放大電路的靜態(tài)工作點(diǎn)

B:引入交流反饋是為了改善放大電路的性能

C:引入電壓反饋是為了穩(wěn)定輸出電壓

D:引入電流反饋是為了穩(wěn)定輸入電流

答案:引入電流反饋是為了穩(wěn)定輸入電流

使電路的輸入電阻較高的反饋是（）

A:串聯(lián)負(fù)反饋

B:并聯(lián)負(fù)反饋

C:并聯(lián)正反饋

D:串聯(lián)正反饋

答案:串聯(lián)負(fù)反饋

第七章單元測(cè)試

有一OTL電路，其電源電壓VCC=16V，。在理想情況下，可得到最大輸出功率為（）

A:8W

B:4W

C:16W

D:64W

答案:4W

在基本OCL功放電路中設(shè)輸入信號(hào)為正弦波，可以推算出其最大的輸出功率約為（）

A:18W

B:36W

C:9W

D:27W

答案:18W

OCL功放電路屬于（）

A:甲類放大

B:丙類放大

C:乙類放大

D:甲乙類放大

答案:甲乙類放大

提高功率BJT的可靠性，其主要的途徑是，使用時(shí)要降低額定值。那么下列降低額定值錯(cuò)誤的是：

A:在最壞的條件下(包括沖擊電壓在內(nèi)),工作電壓不應(yīng)超過極限值的80%。

B:在最壞的條件下(包括沖擊電流在內(nèi)),工作電流不應(yīng)超過極限值的80%。

C:工作時(shí),器件的結(jié)溫不應(yīng)超過器件允許的最大結(jié)溫的80%。

D:在最壞的條件下(包括沖擊功耗在內(nèi)),工作功耗不應(yīng)超過器件最大工作環(huán)境溫度下的最大允許功耗的80%。

答案:在最壞的條件下(包括沖擊功耗在內(nèi)),工作功耗不應(yīng)超過器件最大工作環(huán)境溫度下的最大允許功耗的80%。

下列不是功率器件特點(diǎn)的是（）

A:輸出功率大B:輸出信號(hào)無(wú)失真C:輸出效率高D:輸出信號(hào)有失真

答案:輸出信號(hào)無(wú)失真

第八章單元測(cè)試

對(duì)LC振蕩電路描述不正確的是（）

A:電路的振蕩頻率

B:LC振蕩電路主要用來(lái)產(chǎn)生高頻信號(hào)

C:電容三點(diǎn)式振蕩電路屬于LC振蕩電路

D:電路存在正反饋

答案:電路的振蕩頻率

對(duì)開關(guān)電容濾波器描述不正確的是（）

A:開關(guān)電容濾波器主要是應(yīng)用在集成電路中

B:可實(shí)現(xiàn)高精度高穩(wěn)定濾波，便于集成

C:與數(shù)字濾波器相比較，處理速度快，整體結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單

D:其工作頻率較高

答案:其工作頻率較高

對(duì)帶通濾波電路描述不正確的是（）

A:帶通濾波器的英文縮寫為BPF

B:輸入信號(hào)先通過高通濾波電路，再通過低通濾波電路來(lái)實(shí)現(xiàn)

C:輸入信號(hào)先通過低通濾波電路，再通過高通濾波電路來(lái)實(shí)現(xiàn)

D:雙T帶阻濾波電路屬于上述濾波電路

答案:雙T帶阻濾波電路屬于上述濾波電路

下列傳遞函數(shù)不表示低通濾波器和高通濾波器的是（）

A:

B:

C:

D:

答案:

；

對(duì)石英晶體振蕩電路描述不正確的是（）

A:石英晶體振蕩電路的頻率穩(wěn)定度高

B:Q值越大，頻率穩(wěn)定度就越高

C:石英晶體有兩個(gè)諧振頻率，兩個(gè)頻率相差較大

D:在電路中，晶振串聯(lián)接入一個(gè)電容后，并不影響并聯(lián)諧振頻率

答案:石英晶體有兩個(gè)諧振頻率，兩個(gè)頻率相差較大

第九章單元測(cè)試

將方波積分得到三角波，為了使三角波的峰-峰值與方波的峰-峰值相近，積分電阻和積分電容應(yīng)該（）

A:減少電阻和電容值

B:RC的乘積與信號(hào)半周期相當(dāng)

C:增加電阻和電容值

D:RC的乘積與信號(hào)周期相當(dāng)

答案:減少電阻和電容值

關(guān)于電壓比較器的描述，錯(cuò)誤的是：

A:遲滯電壓比較器抗干擾能力較強(qiáng)

B:單門限電壓比較器抗干擾能力不強(qiáng)

C:過零電壓比較器屬于單門限比較器

D:電壓比較器存在正反饋

答案:電壓比較器存在正反饋

對(duì)遲滯電壓比較器描述正確的是（）

A:有兩個(gè)門限電壓B:抗干擾能力不強(qiáng)C:只能從同相輸入端輸入信號(hào)D:只能從反相輸入端輸入信號(hào)

答案:有兩個(gè)門限電壓電路如圖所示，輸出的波形為（）

A:方波

B:鋸齒波

C:脈寬波

D:三角波

答案:鋸齒波

用現(xiàn)有的方波產(chǎn)生同頻的PWM波，正確的是（）

A:都不正確

B:方波→積分器→可調(diào)電壓比較器

C:方波→微分器

D:方波→積分器→過零比較器

答案:方波→積分器→可調(diào)電壓比較器

第十章單元測(cè)試

對(duì)整流后的濾波電路描述不正確的是（）

A:輸出電流大且負(fù)載電流大的大功率場(chǎng)合，采用電感輸入式濾波電路

B:電容濾波和電感濾波都是用來(lái)使輸出電流變得平滑

C:濾波電路一般有電容輸入式和電感輸入式兩大類

D:輸出直流電流小且負(fù)載幾乎不變時(shí)，采用電容輸入式濾波電路

答案:電容濾波和電感濾波都是用來(lái)使輸出電流變得平滑

設(shè)交流電源電壓周期為,對(duì)負(fù)載電阻和濾波電容乘積選擇正確的是（）

A:

B:

C:

D:

答案:

對(duì)穩(wěn)壓電源質(zhì)量指標(biāo)描述不正確的是（）

A:輸出電阻反映了負(fù)載電流變化對(duì)輸出電壓的影響

B:紋波抑制比表示為輸入紋波電壓有效值與輸出紋波電壓有效值之比的對(duì)數(shù)的20倍

C:輸入電