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專練56晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)1.[2024·湖北卷]某立方鹵化物可用于制作光電材料,其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是()A.Ca2+的配位數(shù)為6B.與F-距離最近的是K+C.該物質(zhì)的化學(xué)式為KCaF3D.若F-換為Cl-,則晶胞棱長(zhǎng)將變更2.[2024·遼寧卷]晶體結(jié)構(gòu)的缺陷美與對(duì)稱美同樣受關(guān)注。某富鋰超離子導(dǎo)體的晶胞是立方體(圖1),進(jìn)行鎂離子取代及鹵素共摻雜后,可獲得高性能固體電解質(zhì)材料(圖2)。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是()A.圖1晶體密度為eq\f(72.5,NA×a3×10-30)g·cm-3B.圖1中O原子的配位數(shù)為6C.圖2表示的化學(xué)式為L(zhǎng)iMg2OClxBr1-xD.Mg2+取代產(chǎn)生的空位有利于Li+傳導(dǎo)3.[2024·湖北卷]鑭La和H可以形成一系列晶體材料LaHn,在儲(chǔ)氫和超導(dǎo)等領(lǐng)域具有重要應(yīng)用。LaHn,屬于立方晶系,晶胞結(jié)構(gòu)和參數(shù)如圖所示。高壓下LaH2中的每個(gè)H結(jié)合4個(gè)H形成類似CH4的結(jié)構(gòu),即得到晶體LaHx。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是()A.LaH2晶體中La的配位數(shù)為8B.晶體中H和H的最短距離:LaH2>LaHxC.在LaHx晶胞中,H形成一個(gè)頂點(diǎn)數(shù)為40的閉合多面體籠D.LaHx單位體積中含氫質(zhì)量的計(jì)算式為eq\f(40,(4.84×10-8)3×6.02×1023)g·cm-34.[2024·鄭州模擬]下列有關(guān)說(shuō)法不正確的是()A.水合銅離子的模型如圖1所示,1個(gè)水合銅離子中有4個(gè)配位鍵B.CaF2晶體的晶胞如圖2所示,每個(gè)CaF2晶胞平均占有4個(gè)Ca2+C.H原子的電子云圖如圖3所示,H原子核外大多數(shù)電子在原子核旁邊運(yùn)動(dòng)D.金屬Cu中Cu原子積累模型如圖4,為最密積累,每個(gè)Cu原子的配位數(shù)均為125.有四種不同積累方式的金屬晶體的晶胞如圖所示,有關(guān)說(shuō)法正確的是()A.①為簡(jiǎn)潔立方積累,②為六方最密積累,③為體心立方積累,④為面心立方最密積累B.每個(gè)晶胞含有的原子數(shù)分別為①1個(gè)、②2個(gè)、③2個(gè)、④4個(gè)C.晶胞中原子的配位數(shù)分別為①6、②8、③8、④12D.空間利用率的大小關(guān)系為①<②<③<④6.[2024·隨州二中月考]下列性質(zhì)適合于離子晶體的是()A.熔點(diǎn)1070℃,易溶于水,水溶液能導(dǎo)電B.熔點(diǎn)10.31℃,液態(tài)不導(dǎo)電,水溶液能導(dǎo)電C.能溶于CS2,熔點(diǎn)112.8℃,沸點(diǎn)444.6℃D.熔點(diǎn)97.81℃,質(zhì)軟,導(dǎo)電,密度0.97g·cm-37.現(xiàn)有四種晶體,其離子排列方式如圖所示,其中化學(xué)式正確的是()8.[2024·河北邯鄲肥鄉(xiāng)一中學(xué)考]用NaBH4進(jìn)行“化學(xué)鍍”鍍鎳,可以得到堅(jiān)硬、耐腐蝕的愛(ài)護(hù)層(3Ni3B+Ni),反應(yīng)的離子方程式:20Ni2++16[BH4]-+34OH-+6H2O=2(3Ni3B+Ni)+10[B(OH)4]-+35H2↑。下列說(shuō)法不正確的是()A.1mol[B(OH)4]-含有σ鍵的數(shù)目為8NAB.[BH4]-的空間結(jié)構(gòu)是正四面體形C.B原子核外電子的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)和能量均不相同D.Ni的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示:,鎳原子的配位數(shù)為129.[2024·湖北卷]C60在高溫高壓下可轉(zhuǎn)變?yōu)榫哂写_定導(dǎo)電性、高硬度的非晶態(tài)碳玻璃。下列關(guān)于該碳玻璃的說(shuō)法錯(cuò)誤的是()A.具有自范性B.與C60互為同素異形體C.含有sp3雜化的碳原子D.化學(xué)性質(zhì)與金剛石有差異10.下列關(guān)于晶體說(shuō)法正確的組合是()①分子晶體中都存在共價(jià)鍵②在晶體中只要有陽(yáng)離子就確定有陰離子③金剛石、SiC、NaF、NaCl、H2O、H2S晶體的熔點(diǎn)依次降低④離子晶體中只有離子鍵,沒(méi)有共價(jià)鍵,分子晶體中確定沒(méi)有離子鍵⑤CaTiO3晶體中(晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示)每個(gè)Ti4+和12個(gè)O2-緊鄰⑥SiO2晶體中每個(gè)硅原子與2個(gè)氧原子以共價(jià)鍵相結(jié)合⑦晶體中分子間作用力越大,分子越穩(wěn)定⑧氯化鈉熔化時(shí)離子鍵被破壞A.①②③⑥ B.①②④C.③⑤⑦ D.③⑤⑧11.已知某離子晶體晶胞如右圖所示,其摩爾質(zhì)量為M,阿伏加德羅常數(shù)為NA,晶體的密度為dg/cm3。下列說(shuō)法中正確的是()A.晶體晶胞中陰、陽(yáng)離子的個(gè)數(shù)都為6B.該晶體中兩個(gè)距離最近的同種離子的核間距為eq\r(3,\f(4M,NA×d))cmC.其中陰、陽(yáng)離子的配位數(shù)都是4D.該晶胞可能是NaCl的晶胞12.[2024·湖北鄂東南省級(jí)示范中學(xué)期中]下列敘述不正確的是()A.Li2S晶胞結(jié)構(gòu)如圖甲,S2-的配位數(shù)是8B.某鎳白銅合金的立方晶胞結(jié)構(gòu)如圖乙,晶胞中銅原子與鎳原子的數(shù)量比為3∶1C.氯化鈉晶胞如圖丙,離鈉離子最近的鈉離子有6個(gè)D.銅與氧形成的晶胞如圖丁,晶胞中Cu勻稱地分散在立方體內(nèi)部,a、b的坐標(biāo)參數(shù)分別為(0,0,0)、eq\b\lc\(\rc\)(\a\vs4\al\co1(\f(1,2),\f(1,2),\f(1,2))),則d的坐標(biāo)參數(shù)為eq\b\lc\(\rc\)(\a\vs4\al\co1(\f(3,4),\f(3,4),\f(1,4)))專練56晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)1.BCa2+在晶胞體心,與其距離相等且最近的為在面心處的F-,故A項(xiàng)正確;Ca2+與F-的最近距離是棱長(zhǎng)的一半,K+與F-的最近距離是面對(duì)角線長(zhǎng)度的一半,則與F-距離最近的是Ca2+,B項(xiàng)錯(cuò)誤;Ca2+在體心,個(gè)數(shù)為1,F(xiàn)-在面心,個(gè)數(shù)為6×eq\f(1,2)=3,K+在頂角,個(gè)數(shù)為8×eq\f(1,8)=1,故C項(xiàng)正確;若F-換為Cl-,Cl-半徑大,故晶胞棱長(zhǎng)將變更,D項(xiàng)正確。2.C依據(jù)均攤法,圖1的晶胞中含Li:8×eq\f(1,4)+1=3,O:2×eq\f(1,2)=1,Cl:4×eq\f(1,4)=1,1個(gè)晶胞的質(zhì)量為eq\f(3×7+16+35.5,NA)g=eq\f(72.5,NA)g,晶胞的體積為(a×10-10cm)3=a3×10-30cm3,則晶體的密度為eq\f(72.5,NA)g÷(a3×10-30cm3)=eq\f(72.5,NA×a3×10-30)g·cm-3,A項(xiàng)正確;圖1晶胞中,O位于面心,與O等距離最近的Li有6個(gè),O原子的配位數(shù)為6,B項(xiàng)正確;依據(jù)均攤法,圖2中Li:1,Mg或空位為8×eq\f(1,4)=2,O:2×eq\f(1,2)=1,Cl或Br:4×eq\f(1,4)=1,Mg的個(gè)數(shù)小于2,依據(jù)正負(fù)化合價(jià)的代數(shù)和為0,圖2的化學(xué)式為L(zhǎng)iMgOClxBr1-x,C項(xiàng)錯(cuò)誤;進(jìn)行鎂離子取代及鹵素共摻雜后,可獲得高性能固體電解質(zhì)材料,說(shuō)明Mg2+取代產(chǎn)生的空位有利于Li+的傳導(dǎo),D項(xiàng)正確;答案選C。3.C由LaH2的晶胞結(jié)構(gòu)可知,La位于頂點(diǎn)和面心,晶胞內(nèi)8個(gè)小立方體的中心各有1個(gè)H原子,若以頂點(diǎn)La探討,與之最近的H原子有8個(gè),則La的配位數(shù)為8,故A正確;由LaHx晶胞結(jié)構(gòu)可知,每個(gè)H結(jié)合4個(gè)H形成類似CH4的結(jié)構(gòu),H和H之間的最短距離變小,則晶體中H和H的最短距離:LaH2>LaHx,故B正確;由題干信息可知,在LaHx晶胞中,每個(gè)H結(jié)合4個(gè)H形成類似CH4的結(jié)構(gòu),這樣的結(jié)構(gòu)有8個(gè),頂點(diǎn)數(shù)為4×8=32,且不是閉合的結(jié)構(gòu),故C錯(cuò)誤;1個(gè)LaHx晶胞中含有5×8=40個(gè)H原子,含H質(zhì)量為eq\f(40,NA)g,晶胞的體積為(484.0×10-10cm)3=(4.84×10-8)3cm3,則LaHx單位體積中含氫質(zhì)量的計(jì)算式為eq\f(40,(4.84×10-8)3×6.02×1023)g·cm-3,故D正確;答案選C。4.C水合銅離子中銅離子的配位數(shù)為4,配體是水,水中的氧原子供應(yīng)孤電子對(duì)與銅離子形成配位鍵,A正確;依據(jù)均攤法可以知道,在CaF2晶體的晶胞中,每個(gè)CaF2晶胞平均占有Ca2+個(gè)數(shù)為1/8×8+1/2×6=4,B正確;電子云密度表示電子在某一區(qū)域出現(xiàn)的機(jī)會(huì)的多少,H原子最外層只有一個(gè)電子,所以不存在大多數(shù)電子一說(shuō),只能說(shuō)H原子的一個(gè)電子在原子核旁邊出現(xiàn)的機(jī)會(huì)較多,C錯(cuò)誤;在金屬晶體的最密積累中,對(duì)于每個(gè)原子來(lái)說(shuō),在其四周的原子有與之同一層上有六個(gè)原子和上一層的三個(gè)及下一層的三個(gè),故每個(gè)原子四周都有12個(gè)原子與之相連,對(duì)于銅原子也是如此,D正確。5.B①為簡(jiǎn)潔立方積累、②為體心立方積累、③為六方最密積累、④為面心立方最密積累,A錯(cuò);每個(gè)晶胞含有的原子數(shù)分別為①8×eq\f(1,8)=1、②8×eq\f(1,8)+1=2、③8×eq\f(1,8)+1=2、④8×eq\f(1,8)+6×eq\f(1,2)=4,B正確;晶胞③中原子的配位數(shù)應(yīng)為12,C錯(cuò);四種晶體的空間利用率分別為52%、68%、74%、74%,④=③>②>①,D錯(cuò)。6.A離子晶體熔、沸點(diǎn)較高,質(zhì)硬,固態(tài)時(shí)不導(dǎo)電,液態(tài)能導(dǎo)電,若易溶于水,則在水溶液中完全電離而能導(dǎo)電,故A正確。7.CA離子個(gè)數(shù)是1,B離子個(gè)數(shù)為1/8×8=1,則其化學(xué)式為AB,A錯(cuò);E離子個(gè)數(shù)=1/8×4=1/2,F(xiàn)離子個(gè)數(shù)=1/8×4=1/2,則其化學(xué)式為EF,B錯(cuò);X離子個(gè)數(shù)是1,Y離子個(gè)數(shù)=1/2×6=3,Z離子個(gè)數(shù)=1/8×8=1,則其化學(xué)式為XY3Z,C正確;A離子個(gè)數(shù)=1/8×8+1/2×6=4,B離子個(gè)數(shù)=12×1/4+1=4,則其化學(xué)式為AB,D錯(cuò)。8.C1個(gè)[B(OH)4]-中4個(gè)OH-與B形成4個(gè)σ鍵,4個(gè)OH-中含有4個(gè)O—Hσ鍵,則1mol[B(OH)4]-含有σ鍵的數(shù)目為8NA,A項(xiàng)正確;[BH4]-中的B原子為sp3雜化,空間結(jié)構(gòu)是正四面體形,B項(xiàng)正確;B原子核外電子的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)各不相同,但同一能級(jí)上的電子能量相同,C項(xiàng)錯(cuò)誤;Ni的晶胞屬于面心立方最密積累,故每個(gè)Ni原子四周有12個(gè)Ni原子,鎳原子的配位數(shù)為12,D項(xiàng)正確。9.A自范性是晶體的性質(zhì),故非晶態(tài)碳玻璃不具有自范性,A項(xiàng)錯(cuò)誤;碳玻璃與C60都是由碳元素組成的單質(zhì),兩者互為同素異形體,B項(xiàng)正確;碳玻璃具有高硬度,與金剛石的物理性質(zhì)類似,說(shuō)明兩者的結(jié)構(gòu)具有確定的相像性,故碳玻璃含有sp3雜化的碳原子,C項(xiàng)正確;碳玻璃與金剛石互為同素異形體,兩者在化學(xué)性質(zhì)上有著活性的差異,D項(xiàng)正確。10.D①稀有氣體是單原子分子,不存在共價(jià)鍵,故①錯(cuò)誤;②金屬晶體由金屬陽(yáng)離子和自由電子組成,無(wú)陰離子,故②錯(cuò)誤;③晶體中熔點(diǎn)凹凸一般依次是:原子共價(jià)>離子晶體>分子晶體;在共價(jià)晶體中,原子半徑越大熔點(diǎn)越低;在離子晶體中,離子半徑越大,熔點(diǎn)越低,電荷越多,熔點(diǎn)越高;在分子晶體中,相對(duì)分子質(zhì)量越大,熔點(diǎn)越高(含有氫鍵的物質(zhì)除外),所以這幾種物質(zhì)的熔點(diǎn)凹凸依次是金剛石、SiC、NaF、NaCl、H2O、H2S,故③正確;④離子晶體中可能有共價(jià)鍵,如氯化銨中氮?dú)滏I屬于共價(jià)鍵,分子晶體中確定沒(méi)有離子鍵,故④錯(cuò)誤;⑤由晶胞結(jié)構(gòu)可知CaTiO3晶體中Ti的配位數(shù)為12,所以每個(gè)Ti4+和12個(gè)O2-緊鄰,故⑤正確;⑥SiO2晶體中每個(gè)硅原子與4個(gè)氧原子以共價(jià)鍵相結(jié)合,故⑥錯(cuò)誤;⑦分子穩(wěn)定性與分子內(nèi)共價(jià)鍵的強(qiáng)弱有關(guān),與分子間作用力無(wú)關(guān),故⑦錯(cuò)誤;⑧離子晶體熔化時(shí)離子鍵被破壞,氯化鈉是離子晶體,故⑧正確。故正確序號(hào)為③⑤⑧。綜上所述,本題正確答案為D。11.D晶體晶胞中陰、陽(yáng)離子的個(gè)數(shù)分別為8×eq\f(1,8)+6×eq\f(1,2)=4,12×eq\f(1,4)+1=4,故A錯(cuò)誤;晶胞的質(zhì)量為eq\f(4M,NA)g,晶體的密度為dg·cm-3,則晶胞的體積是eq\f(4Mg,dg·cm-3NA)=eq\f(4M,dNA)cm3,則晶胞的邊長(zhǎng)為eq\r(3,\f(4M,dNA))cm,該晶體中兩個(gè)距離最近的同種離子的核間距為晶胞面對(duì)角線的一半,為eq\f(\r(2),2)×eq\r(3,\f(4M,dNA))cm,B錯(cuò)誤;依據(jù)晶胞結(jié)構(gòu),陰、陽(yáng)離子的配位數(shù)都是6,C錯(cuò)誤;該晶胞中陰、陽(yáng)離子的個(gè)數(shù)比為1∶1,可能是NaCl的晶胞,D正確。12.C由Li2S的晶胞結(jié)構(gòu)可知,S2-的配位數(shù)是8,A項(xiàng)正確;依據(jù)“均攤法”,晶胞中Ni原子的個(gè)數(shù)為8×eq\f(1,8)=1,Cu原子的個(gè)數(shù)為6×eq\f(1,2)=3,則晶胞中銅原子與鎳原子的數(shù)量比為3∶1,B項(xiàng)正確;以頂點(diǎn)Na+為探討對(duì)象,在圖示晶胞中離其最近的Na+為位于面心上的Na
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