《安全氣囊點(diǎn)火驅(qū)動(dòng)芯片》

ICS13.100

CCSE09需確認(rèn)

T/

廣西汽車工程學(xué)會(huì)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

T/T××××—××××

安全氣囊點(diǎn)火驅(qū)動(dòng)芯片

AirbagignitiondriverICs

（征求意見(jiàn)稿）

（本稿完成日期：2024.2.27）

××××-××-××發(fā)布××××-××-××實(shí)施

廣西汽車工程學(xué)會(huì)發(fā)布

MT/T××××—××××

安全氣囊點(diǎn)火驅(qū)動(dòng)芯片

1范圍

本文件規(guī)定了安全氣囊點(diǎn)火驅(qū)動(dòng)芯片的技術(shù)要求及試驗(yàn)方法。

本文件適用于安全氣囊點(diǎn)火驅(qū)動(dòng)芯片研制、使用和試驗(yàn)。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過(guò)文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，

僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本

文件。

GB/T34590.2-2022道路車輛功能安全第2部分：功能安全管理

GJB10163-2021塑封集成電路的潮濕敏感度分級(jí)試驗(yàn)方法

AEC-Q100Rev-H:FailureMechanismBasedStressTestQualificationForIntegrated

Circuits

3術(shù)語(yǔ)和定義

下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件。

3.1

安全氣囊點(diǎn)火驅(qū)動(dòng)芯片airbagignitiondriverICs

通過(guò)控制高側(cè)、低側(cè)功率MOSFET來(lái)驅(qū)動(dòng)安全氣囊爆管電阻的芯片。

4技術(shù)要求

4.1功能要求

安全氣囊點(diǎn)火驅(qū)動(dòng)芯片一般由電源管理模塊、點(diǎn)火回路、接口電路、安全控制模塊等組成，擁有多

種工作模式。

安全氣囊點(diǎn)火驅(qū)動(dòng)芯片的點(diǎn)火電流和點(diǎn)火時(shí)間可通過(guò)串行外設(shè)接口(SerialPeripheral

Interface，SPI)進(jìn)行，具備多種點(diǎn)火模式，典型點(diǎn)火時(shí)間為0.5ms~3ms，點(diǎn)火電流為1.2A~1.85A。

4.2電性能要求

按照本標(biāo)準(zhǔn)5.2的試驗(yàn)方法，表1中的特性參數(shù)達(dá)到滿足使用需求的極限值要求。

其中必須規(guī)定電源電壓、工作電流、點(diǎn)火電流、點(diǎn)火時(shí)間參數(shù)指標(biāo)，其他參數(shù)指標(biāo)可根據(jù)不同應(yīng)用

場(chǎng)景增加。

表1電特性

序號(hào)特性參數(shù)符號(hào)試驗(yàn)方法

1電源電壓VCC本標(biāo)準(zhǔn)5.2.1

1

MT/T××××—××××

2工作電流ICC本標(biāo)準(zhǔn)5.2.2

3點(diǎn)火電流(模式1、模式2)IFC本標(biāo)準(zhǔn)5.2.3

4點(diǎn)火時(shí)間tFT本標(biāo)準(zhǔn)5.2.4

5點(diǎn)火時(shí)間精度tFCR本標(biāo)準(zhǔn)5.2.5

6輸入高電平VINH本標(biāo)準(zhǔn)5.2.6

7輸入低電平VINL本標(biāo)準(zhǔn)5.2.7

4.3環(huán)境可靠性要求

4.3.1使用要求等級(jí)

4.3.1.1產(chǎn)品溫度等級(jí)

根據(jù)AEC-Q100，將芯片工作溫度分為0級(jí)、1級(jí)、2級(jí)、3級(jí)四種等級(jí)。對(duì)于安全氣囊點(diǎn)火驅(qū)動(dòng)芯片，

應(yīng)滿足0級(jí)或1級(jí)要求，如表2所示。

表2·溫度等級(jí)

溫度等級(jí)要求

0級(jí)-40°C~150°C

1級(jí)-40°C~125°C

4.3.1.1潮濕敏感度等級(jí)

根據(jù)使用環(huán)境將芯片分為MSL1、MSL2、MSL3、其他四種等級(jí)，如表3所示。

表3潮濕敏感度等級(jí)

潮濕敏感度等級(jí)要求

1級(jí)小于或等于30℃/85%RH，無(wú)限貯存壽命

2級(jí)小于或等于30℃/60%RH，一年貯存壽命

3級(jí)小于或等于30℃/60%RH，168h貯存壽命

其他以上均不滿足

4.4功能安全要求

根據(jù)GB/T34590.2-2022的要求，芯片功能安全等級(jí)應(yīng)滿足ASIL-B等級(jí)要求。

5試驗(yàn)方法

5.1總則

測(cè)試環(huán)境應(yīng)符合整車工作狀態(tài)下的電磁環(huán)境模型。測(cè)試項(xiàng)中如有涉及溫度工作條件的，所采用的溫

度范圍應(yīng)該與對(duì)應(yīng)的可靠性測(cè)試報(bào)告內(nèi)標(biāo)稱值一致。

5.2電性能測(cè)試方法

5.2.1電源電壓VCC

5.2.1.1目的

測(cè)試安全氣囊點(diǎn)火驅(qū)動(dòng)芯片的電源電壓。

5.2.1.2測(cè)試原理圖

2

MT/T××××—××××

測(cè)試原理圖如圖1所示。

電源

vVCC

控制爆

DUT管

信號(hào)電

阻

圖1VCC的測(cè)試原理圖

5.2.1.3測(cè)試條件

測(cè)試期間，應(yīng)規(guī)定下列測(cè)試條件：

a）環(huán)境或參考點(diǎn)溫度；

b）電源電壓；

c）控制信號(hào)電平。

5.2.1.4測(cè)試程序

測(cè)試期間，應(yīng)按以下程序進(jìn)行測(cè)試：

a）將被測(cè)器件接入測(cè)試系統(tǒng)；

b）接通電源；

c）加上規(guī)定的控制信號(hào)使被測(cè)器件通路處于正常狀態(tài)；

d）按相關(guān)文件的規(guī)定，將輸入電壓調(diào)至規(guī)定值；

e）測(cè)量芯片電源管腳的電源電壓，即為VCC。

5.2.2工作電流ICC

5.2.2.1目的

測(cè)試安全氣囊點(diǎn)火驅(qū)動(dòng)芯片正常工作時(shí)的工作電流。

5.2.2.2測(cè)試原理圖

測(cè)試原理圖如圖2所示。

3

MT/T××××—××××

電源

AICC

控制爆

DUT管

信號(hào)電

阻

圖2ICC的測(cè)試原理圖

5.2.2.3測(cè)試條件

測(cè)試期間，應(yīng)規(guī)定下列測(cè)試條件：

a）環(huán)境或參考點(diǎn)溫度；

b）電源電壓；

c）控制信號(hào)電平。

5.2.2.4測(cè)試程序

測(cè)試期間，應(yīng)按以下程序進(jìn)行測(cè)試：

a)將被測(cè)器件接入測(cè)試系統(tǒng)；

b)接通電源；

c)加上規(guī)定的控制信號(hào)，使被測(cè)器件處于正常狀態(tài)；

d)測(cè)出從電源端流出的電流值，即為被測(cè)器件的工作電流ICC；

5.2.3點(diǎn)火電流IFC

5.2.3.1目的

控制端加規(guī)定信號(hào)時(shí)，測(cè)試流過(guò)爆管電阻的電流。

5.2.3.2測(cè)試原理圖

測(cè)試原理圖如圖3所示。

4

MT/T××××—××××

電源

A

控制IFC

信號(hào)DUT爆

管

電

阻

圖3IFC的測(cè)試原理圖

5.2.3.3測(cè)試條件

測(cè)試期間，應(yīng)規(guī)定下列測(cè)試條件：

a）環(huán)境或參考點(diǎn)溫度；

b）電源電壓；

c）控制信號(hào)電平。

5.2.3.4測(cè)試程序

測(cè)試期間，應(yīng)按以下程序進(jìn)行測(cè)試：

a）將被測(cè)器件接入測(cè)試系統(tǒng)；

b）接通電源；

c）加上規(guī)定的控制信號(hào)（電流模式1或電流模式2）；

d）測(cè)出流過(guò)爆管電阻的電流值，即為該電流模式下的點(diǎn)火電流IFC。

5.2.4點(diǎn)火時(shí)間tFT

5.2.4.1目的

控制端加規(guī)定電平時(shí)，測(cè)量流過(guò)爆管電阻電流的持續(xù)時(shí)間。

5.2.4.2測(cè)試原理圖

測(cè)試原理圖如圖4所示。

5

MT/T××××—××××

電源

tFC

控制爆

DUT管

信號(hào)電

阻

圖4tFT的測(cè)試原理圖

5.2.4.3測(cè)試條件

測(cè)試期間，應(yīng)規(guī)定下列測(cè)試條件：

a）環(huán)境或參考點(diǎn)溫度；

b）電源電壓；

c）控制信號(hào)電平。

5.2.4.4測(cè)試程序

測(cè)試期間，應(yīng)按以下程序進(jìn)行測(cè)試：

a）將被測(cè)器件接入測(cè)試系統(tǒng)；

b）接通電源；

c）加上規(guī)定的控制信號(hào)（電流模式1或電流模式2）；

a)測(cè)出流過(guò)爆管電阻兩端的電流的持續(xù)時(shí)間，即為被測(cè)器件在該模式下下的點(diǎn)火時(shí)間tFT。

5.2.5點(diǎn)火時(shí)間精度tFCR

5.2.5.1目的

測(cè)試安全氣囊點(diǎn)火驅(qū)動(dòng)芯片工作時(shí)，爆管電阻的點(diǎn)火時(shí)間精度。

5.2.5.2測(cè)試原理圖

測(cè)試原理圖如圖4所示。

5.2.5.3測(cè)試條件

測(cè)試期間，應(yīng)規(guī)定下列測(cè)試條件：

a）環(huán)境或參考點(diǎn)溫度；

b）電源電壓；

c）控制端信號(hào)電平。

5.2.5.4測(cè)試程序

6

MT/T××××—××××

測(cè)試期間，應(yīng)按以下程序進(jìn)行測(cè)試：

a）將被測(cè)器件接入測(cè)試系統(tǒng)；

b）接通電源；

c）加上規(guī)定的控制信號(hào)，使被測(cè)器件處于工作狀態(tài)；

d）在規(guī)定的點(diǎn)火電流模式下，設(shè)置兩個(gè)不同的點(diǎn)火時(shí)間然后測(cè)試，點(diǎn)火時(shí)間分別計(jì)為tFC1和tFC2，

由公式（1）求出安全氣囊點(diǎn)火驅(qū)動(dòng)芯片在該電流模式下的點(diǎn)火時(shí)間精度。

tFCR=|tFC1-tFC2|……………………（1）

5.2.6輸入高電平VINH

5.2.6.1目的

測(cè)試數(shù)字輸入高電平閾值是否滿足高電平翻轉(zhuǎn)要求。

5.2.6.2測(cè)試原理圖

測(cè)試原理圖如圖1～圖4。

5.2.6.3測(cè)試條件

測(cè)試期間，應(yīng)規(guī)定下列測(cè)試條件：

a）環(huán)境或參考點(diǎn)溫度；

b）電源電壓；

c）控制信號(hào)電平。

5.2.6.4測(cè)試程序

測(cè)試期間，應(yīng)按以下程序進(jìn)行測(cè)試：

a）將被測(cè)器件接入測(cè)試系統(tǒng)；

b）接通電源；

c）數(shù)字端加上規(guī)定的閾值高電平VINH，使被測(cè)安全氣囊點(diǎn)火驅(qū)動(dòng)芯片處于正常狀態(tài)；

d）按5.2.1電源電壓、5.2.2工作電流、5.2.3點(diǎn)火電流、5.2.4點(diǎn)火時(shí)間、5