2024-2025學(xué)年高二化學(xué)蘇教版同步課件 選擇性必修2-專題2 第一單元 第2課時(shí) 原子核外電子的排布

第一單元原子核外電子的運(yùn)動(dòng)高中化學(xué)選擇性必修2專題2第2課時(shí)原子核外電子的排布1了解核外電子運(yùn)動(dòng)、電子云輪廓圖和核外電子運(yùn)動(dòng)的狀態(tài)。2.會(huì)書寫和說明1～36號(hào)元素基態(tài)原子的核外電子排布式和軌道表示式。3.了解泡利原理、洪特規(guī)則和能量最低原理學(xué)習(xí)目標(biāo)

一構(gòu)造原理

1．構(gòu)造原理在多電子原子中，電子在能級(jí)上的排布順序是：電子先排在能量較低的能級(jí)上，然后依次排在能量較高的能級(jí)上，如圖所示：

2．核外電子的填充順序根據(jù)構(gòu)造原理，絕大多數(shù)元素原子核外電子的排布都遵循下列順序：1s、2s、2p、3s、3p、4s、3d、4p、5s、4d、5p、6s、4f、5d……3．能級(jí)交錯(cuò)現(xiàn)象從構(gòu)造原理示意圖(見P1要點(diǎn)三)可以看出，從第三能層開始，不同能層的能級(jí)出現(xiàn)“能級(jí)交錯(cuò)”現(xiàn)象。能級(jí)交錯(cuò)是指能層序數(shù)較大的某些能級(jí)的能量反而低于能層序數(shù)較小的能級(jí)的能量的現(xiàn)象。如E(3d)>E(4s)、E(4d)>E(5s)、E(4f)>E(6s)等。能級(jí)交錯(cuò)可表示為ns<(n－2)f<(n－1)d<np，如4s<3d,5s<4d,6s<4f<5d等。2二、電子排布式的書寫1．簡單原子的電子排布式(1)按照構(gòu)造原理將電子依次填充到能量逐漸升高的能級(jí)中。微粒 電子排布式 微粒 電子排布式6C 1s22s22p2 10Ne 1s22s22p617Cl 1s22s22p63s23p5 19K 1s22s22p63s23p64s1(2)為了避免繁瑣，可以把內(nèi)層達(dá)到稀有氣體結(jié)構(gòu)的部分以相應(yīng)稀有氣體元素符號(hào)外加方括號(hào)來表示。如Na的核外電子排布式為1s22s22p63s1，可簡化為[Ne]3s1；K的核外電子排布式為1s22s22p63s23p64s1或[Ar]4s1。2．復(fù)雜原子的電子排布式對(duì)于較復(fù)雜的電子排布式，應(yīng)先按能量從低到高排列，然后將同一能層的電子移到一起。如26Fe：先按能量從低到高排列為1s22s22p63s23p64s23d6，然后將同一能層的能級(jí)移到一起，即該原子的電子排布式為1s22s22p63s23p63d64s2，簡化為[Ar]3d64s2。3．離子的電子排布式元素原子得或失電子轉(zhuǎn)化為相應(yīng)的陰離子或者陽離子時(shí)，一般是元素原子核外最外電子層上的電子數(shù)發(fā)生變化。例1下列電子排布式不符合構(gòu)造原理的是(

)A．16S：1s22s22p63s23p4B．24Cr：1s22s22p63s23p64s24p4C．11Na：1s22s22p63s1D．19K：1s22s22p63s23p64s1解析根據(jù)構(gòu)造原理，電子在各能級(jí)上的能量排列順序?yàn)?s、2s、2p、3s、3p、4s、3d……故Cr的電子排布式應(yīng)為1s22s22p63s23p63d54s1，B項(xiàng)錯(cuò)誤。答案：B例1下列電子排布式不符合構(gòu)造原理的是(

)A．16S：1s22s22p63s23p4B．24Cr：1s22s22p63s23p64s24p4C．11Na：1s22s22p63s1D．19K：1s22s22p63s23p64s1解析根據(jù)構(gòu)造原理，電子在各能級(jí)上的能量排列順序?yàn)?s、2s、2p、3s、3p、4s、3d……故Cr的電子排布式應(yīng)為1s22s22p63s23p63d54s1，B項(xiàng)錯(cuò)誤。答案：B二核外電子排布的原則三原子核外電子排布表示方法小結(jié)：1．原子的電子排布遵循構(gòu)造原理能使整個(gè)原子的能量處于最低狀態(tài)，簡稱能量最低原理。處于最低能量的原子叫做基態(tài)原子。2．泡利原理：在一個(gè)原子軌道里，最多只能容納2個(gè)電子，而且它們的自旋狀態(tài)相反。3．洪特規(guī)則：當(dāng)電子排布在同一能級(jí)的不同軌道時(shí)，基態(tài)原子中的電子總是優(yōu)先單獨(dú)占