現(xiàn)代催化劑表征技術(shù)知到智慧樹章節(jié)測試課后答案2024年秋浙江工業(yè)大學(xué)

現(xiàn)代催化劑表征技術(shù)知到智慧樹章節(jié)測試課后答案2024年秋浙江工業(yè)大學(xué)第一章單元測試

在催化發(fā)展歷史上，發(fā)明多于發(fā)現(xiàn)，技術(shù)大于科學(xué)，指的是催化理論的發(fā)展總是優(yōu)先于工業(yè)催化劑的開發(fā)。（）

A:錯B:對

答案:錯著名科學(xué)家（）于1925年首先提出了活性中心理論，認(rèn)為催化劑表面是不均勻的，只有具有特定結(jié)構(gòu)的催化劑表面位置才具有催化性能。

A:蘭格繆爾

B:勒夏特列

C:阿倫尼烏斯

D:泰勒

答案:泰勒

下面關(guān)于催化劑特征的描述，不正確的是（）。

A:催化劑在反應(yīng)前后,其化學(xué)性質(zhì)和物理性質(zhì)皆不變

B:催化劑只能縮短反應(yīng)達(dá)到平衡的時間,而不能改變平衡狀態(tài)

C:催化劑不能實現(xiàn)熱力學(xué)上不可能進(jìn)行的反應(yīng)

D:催化劑不能改變平衡常數(shù)

答案:催化劑在反應(yīng)前后,其化學(xué)性質(zhì)和物理性質(zhì)皆不變

催化劑表征技術(shù)的發(fā)展方向為（）。

A:逐漸從宏觀尺度向納米尺度，甚至原子尺度發(fā)展

B:逐漸從工業(yè)催化體系向模型催化體系發(fā)展

C:逐漸從空間分辨向時間分辨的方向發(fā)展

D:逐漸從靜態(tài)的表征技術(shù)向原位動態(tài)的表征技術(shù)發(fā)展

答案:逐漸從宏觀尺度向納米尺度，甚至原子尺度發(fā)展

；逐漸從靜態(tài)的表征技術(shù)向原位動態(tài)的表征技術(shù)發(fā)展

可以研究催化劑的孔結(jié)構(gòu)的表征技術(shù)有（）

A:IR

B:TEM

C:XRD

D:氮氣吸附

答案:TEM

；XRD

；氮氣吸附

第二章單元測試

Langmuir吸附是（）

A:既有單分子層吸附又有多分子層吸附

B:多分子層吸附

C:單分子層吸附

答案:單分子層吸附

物理吸附是吸附劑和吸附質(zhì)之間靠分子間作用力發(fā)生吸附作用；化學(xué)吸附是吸附劑和吸附質(zhì)之間形成（）發(fā)生吸附作用。

A:離子鍵

B:范德華力

C:化學(xué)鍵

D:分子引力

答案:化學(xué)鍵

以下的說法中符合Langmuir吸附理論基本假定的是（）。

A:固體表面是均勻的，各處的吸附能力相同

B:吸附熱與吸附的位置和覆蓋度有關(guān)

C:被吸附分子間有作用，互相影響

D:吸附分子層可以是單分子層或多分子層

答案:固體表面是均勻的，各處的吸附能力相同

下面關(guān)于BET公式中C值描述正確的是（）。

A:

B:C值也可以是負(fù)值

C:常數(shù)“C”是一個指示吸附劑－吸附質(zhì)相互作用程度的經(jīng)驗常數(shù)

D:活性炭，分子篩的C值一般都大于200

答案:

；常數(shù)“C”是一個指示吸附劑－吸附質(zhì)相互作用程度的經(jīng)驗常數(shù)

；活性炭，分子篩的C值一般都大于200

采用吸附支數(shù)據(jù)以BJH模型分析催化劑的孔徑分布時，需要注意3.9nm左右的假孔現(xiàn)象。（）

A:對B:錯

答案:錯

第三章單元測試

金屬分散度的定義為（）

A:表面活性金屬原子占催化劑中總原子數(shù)的百分比

B:活性金屬原子占催化劑中總原子數(shù)的百分比

C:表面活性金屬原子占催化劑中活性金屬總原子數(shù)的百分比

D:表面活性金屬原子占載體中金屬總原子數(shù)的百分比

答案:表面活性金屬原子占催化劑中活性金屬總原子數(shù)的百分比

在催化劑吸附了探針分子的程序升溫脫附實驗中，脫附峰的溫度代表了以下哪個參數(shù)。（）

A:催化劑表面的活性物種的還原能力

B:催化劑表面活性物種的數(shù)量

C:探針分子與催化劑表面的作用力大小

D:探針分子的沸點

答案:探針分子與催化劑表面的作用力大小

催化劑的程序升溫還原實驗裝置由哪幾個部分組成？

（）

A:取樣與進(jìn)樣單元

B:氣體凈化與切換系統(tǒng)

C:分析測量單元

D:反應(yīng)和控溫單元

答案:氣體凈化與切換系統(tǒng)

；分析測量單元

；反應(yīng)和控溫單元

從程序升溫實驗的數(shù)據(jù)圖中，可以得到的信息有？（）

A:吸附物種的強度

B:吸附物種的數(shù)目

C:活性位的數(shù)目

D:脫附反應(yīng)級數(shù)

答案:吸附物種的強度

；吸附物種的數(shù)目

；活性位的數(shù)目

；脫附反應(yīng)級數(shù)

采用化學(xué)吸附的方法測得的金屬分散度一定比TEM測的金屬分散度準(zhǔn)確。（）

A:錯B:對

答案:錯

第四章單元測試

紅外光譜是（）

A:分子光譜B:原子光譜C:吸收光譜D:電子光譜

答案:分子光譜采用吡啶吸附的紅外光譜可以研究固體酸表面的酸中心類型，通過實驗發(fā)現(xiàn)H型的ZSM-5分子篩表面在1540cm-1波數(shù)處有譜峰，說明它

（）

A:無法判斷

B:有L酸

C:有B酸

D:既有L酸也有B酸

答案:有B酸

采用紅外光譜可以測定氧化鋁表面羥基的種類。（）

A:錯B:對

答案:對紅外光譜還可以研究吸附分子之間的相互作用。通過CO吸附態(tài)的紅外吸收帶的化學(xué)位移，可以考察其它分子在吸附時或在金屬組元之間發(fā)生的電子轉(zhuǎn)移過程。以下說法錯誤的是：（）

A:

B:

C:D:

答案:

當(dāng)用紅外光激發(fā)分子振動能級躍遷時，化學(xué)鍵越強，則（）

A:吸收光子的數(shù)目越多

B:吸收光子的波數(shù)越大

C:吸收光子的波長越長

D:吸收光子的頻率越大

E:吸收光子的能量越大

答案:吸收光子的波數(shù)越大

；吸收光子的頻率越大

；吸收光子的能量越大

第五章單元測試

面心立方點陣的消光條件是晶面指數(shù)。（）

A:其余選項都是

B:奇偶混雜

C:全奇

D:全偶

答案:奇偶混雜

一束X射線照射到晶體表面上能否產(chǎn)生衍射取決于。（）

A:是否滿足衍射強度I0

B:A+B

C:晶體形狀

D:是否滿足布拉格條件

答案:A+B

產(chǎn)生系統(tǒng)消光的因素有。（）

A:帶心點陣

B:螺旋軸

C:平移

D:滑移面

答案:帶心點陣

；螺旋軸

；滑移面

XRD衍射技術(shù)可以用來解析催化劑的哪些信息？（）

A:晶胞參數(shù)

B:物相

C:尺寸

D:元素分布

答案:晶胞參數(shù)

；物相

；尺寸

XRD圖顯示某個衍射峰相對強度增加，表明樣品晶粒暴露該晶面增多。

（）

A:對B:錯

答案:錯

第六章單元測試

下列電磁透鏡不屬于透射電鏡成像系統(tǒng)的是（）。

A:投影鏡

B:中間鏡

C:聚光鏡

D:物鏡

答案:聚光鏡

二次電子產(chǎn)生于樣品表層多少納米的深度范圍？（）

A:10-50納米

B:5-10納米

C:1-5納米

D:0.5-1納米

答案:5-10納米

EDX的優(yōu)點包括。（）

A:接收信號角度大

B:可以同時探測不同能量的X射線能譜

C:定量能力強

D:操作簡單

答案:接收信號角度大

；可以同時探測不同能量的X射線能譜

；操作簡單

特征X射線產(chǎn)生于樣品表層約多少深度范圍？（）

A:10微米

B:50微米

C:100微米

D:1微米

答案:1微米

Be產(chǎn)生的特征X射線波長太長，無法進(jìn)行檢測。（）

A:對B:錯

答案:錯

第七章單元測試

XPS技術(shù)可以用來表征催化劑的以下幾個特征：（）

A:元素的價態(tài)

B:元素含量

C:物相結(jié)構(gòu)

D:元素的配位環(huán)境

答案:元素的價態(tài)

；元素含量

；元素的配位環(huán)境處理XPS數(shù)據(jù)時首先要進(jìn)行荷電校正。（）

A:錯B:對

答案:對發(fā)生震激過程時，會在主峰的低結(jié)合能側(cè)約幾個eV的能量位置產(chǎn)生震激峰。（）

A:錯B:對

答案:錯下面哪種不是Ag原子的光電子能量次峰？（）

A:AgMNN

B:Ag4s

C:Ag3p

D:Ag4p

答案:AgMNN

下面關(guān)于X射線衛(wèi)星峰的表述錯誤的是？（）

A:X射線衛(wèi)星峰產(chǎn)生的原因是X射線光源不是單色化的

B:X射線家族中其他X射線也同樣能激發(fā)出光電子

C:其他X射線激發(fā)出的光電子往往動能較低

D:衛(wèi)星峰離光電子主峰的距離和譜峰的強度因陽極材料的不同而異

答案:其他X射線激發(fā)出的光電子往往動能較低

第八章單元測試

不可以表示負(fù)載型金屬催化劑的分散情況的參數(shù)是（）

A:比表面積

B:活性金屬比表面積

C:晶粒尺寸

D:金屬分散度

答案:比表面積

下列表征技術(shù)可以得到反應(yīng)動力學(xué)信息的是（）

A:氮氣物理吸附

B:TPSR

C:XPS

D:XRD

答案:TPSR

下列可以與程序升溫技術(shù)聯(lián)用表征催化劑表面信息的有（