《模擬電子線路及技術(shù)基礎(chǔ)》課件第十一章_第1頁(yè)
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2、跨導(dǎo)線環(huán)（TL)原理跨導(dǎo)線性環(huán)原理：在一個(gè)有偶數(shù)個(gè)正向偏置結(jié)構(gòu)成的閉合環(huán)路中，若順時(shí)針結(jié)數(shù)等于逆時(shí)針結(jié)數(shù)，則順時(shí)針?lè)较虻碾娏髅芏戎e等于逆時(shí)針?lè)较虻碾娏髅芏戎e。面積比系數(shù)11.1.2跨導(dǎo)線性環(huán)——電流模電路舉例設(shè)各管發(fā)射區(qū)面積相等，有1、互補(bǔ)跟隨輸出級(jí)導(dǎo)出：或相反：若負(fù)載電流，則有若負(fù)載電流，則有2、矢量差電路環(huán)1：環(huán)2：據(jù)環(huán)1，有輸出電流與輸入電流的關(guān)系為11.2電流反饋型集成運(yùn)算放大器11.2.1電流模集成運(yùn)算放大器的基本特性互阻增益11.2.2電流模運(yùn)放的典型電路11.2.3電流模運(yùn)放的閉環(huán)特性電流模運(yùn)放的閉環(huán)低頻增益同電壓模運(yùn)放AD811電流模運(yùn)放典型接法與閉環(huán)頻率響應(yīng)11.3開(kāi)關(guān)電容網(wǎng)絡(luò)11.3.1開(kāi)關(guān)電容模擬電阻

開(kāi)關(guān)電容網(wǎng)絡(luò)：基于電容器電荷存儲(chǔ)和轉(zhuǎn)移原理，由受時(shí)鐘控制的MOS開(kāi)關(guān)、MOS電容和MOS運(yùn)放組成的網(wǎng)絡(luò)。11.3.2開(kāi)關(guān)電容積分器理想RC積分器和開(kāi)關(guān)電容積分器的傳輸函數(shù)分別為開(kāi)關(guān)電容積分器的工作情況（a)為高時(shí)；（b）為高時(shí)開(kāi)關(guān)電容有耗積分器和差分積分器開(kāi)關(guān)電容積分器實(shí)現(xiàn)理想積分運(yùn)算的條件：（a)

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