材料分析方法知到智慧樹(shù)章節(jié)測(cè)試課后答案2024年秋天津大學(xué)

材料分析方法知到智慧樹(shù)章節(jié)測(cè)試課后答案2024年秋天津大學(xué)緒論單元測(cè)試

材料研究方法分為（）

A:分子結(jié)構(gòu)分析B:組織形貌分析C:物相分析D:成分價(jià)鍵分析

答案:分子結(jié)構(gòu)分析；組織形貌分析；物相分析；成分價(jià)鍵分析材料科學(xué)的主要研究?jī)?nèi)容包括（）

A:材料的制備與加工B:材料應(yīng)用C:材料的成分結(jié)構(gòu)D:材料的性能

答案:材料的制備與加工；材料的成分結(jié)構(gòu)；材料的性能下列哪些內(nèi)容不屬于材料表面與界面分析（）

A:晶界組成、厚度B:晶粒大小、形態(tài)C:氣體的吸附D:表面結(jié)構(gòu)

答案:晶粒大小、形態(tài)下列哪些內(nèi)容屬于材料微區(qū)分析（）

A:位錯(cuò)B:晶格畸變C:晶粒取向D:裂紋大小

答案:位錯(cuò)；晶格畸變；晶粒取向；裂紋大小下列哪些內(nèi)容不屬于材料成分結(jié)構(gòu)分析（）

A:晶界組成、厚度B:雜質(zhì)含量C:物相組成D:晶粒大小、形態(tài)

答案:晶界組成、厚度；晶粒大小、形態(tài)

第一章單元測(cè)試

掃描電子顯微鏡的分辨率已經(jīng)達(dá)到了（）

A:1.0nmB:100nmC:0.1nmD:10nm

答案:1.0nm利用量子隧穿效應(yīng)進(jìn)行分析的儀器是

A:掃描探針顯微鏡B:掃描隧道顯微鏡C:掃描電子顯微鏡D:原子力顯微鏡

答案:掃描隧道顯微鏡

能夠?qū)悠沸蚊埠臀锵嘟Y(jié)構(gòu)進(jìn)行分析的是透射電子顯微鏡。

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)掃描隧道顯微鏡的分辨率可以到達(dá)原子尺度級(jí)別。

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)圖像的襯度是（）

A:任意兩點(diǎn)探測(cè)到的電子信號(hào)強(qiáng)度差異B:任意兩點(diǎn)探測(cè)到的信號(hào)強(qiáng)度差異C:任意兩點(diǎn)存在的明暗程度差異D:任意兩點(diǎn)探測(cè)到的光強(qiáng)差異

答案:任意兩點(diǎn)探測(cè)到的信號(hào)強(qiáng)度差異；任意兩點(diǎn)存在的明暗程度差異對(duì)材料進(jìn)行組織形貌分析包含哪些內(nèi)容（）

A:晶粒的大小B:位錯(cuò)、點(diǎn)缺陷C:材料的外觀形貌D:材料的表面、界面結(jié)構(gòu)信息

答案:晶粒的大??；位錯(cuò)、點(diǎn)缺陷；材料的外觀形貌；材料的表面、界面結(jié)構(gòu)信息光學(xué)顯微鏡的最高分辨率為（）

A:0.2μmB:0.1μmC:1μmD:0.5μm

答案:0.2μm下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）

A:X射線波長(zhǎng)為0.05~10nm，可以作為顯微鏡的照明源B:X射線不能直接被聚焦，不可以作為顯微鏡的照明源C:可見(jiàn)光波長(zhǎng)為450~750nm，比可見(jiàn)光波長(zhǎng)短的光源有紫外線、X射線和γ射線D:可供照明的紫外線波長(zhǎng)為200~250nm，可以作為顯微鏡的照明源

答案:X射線波長(zhǎng)為0.05~10nm，可以作為顯微鏡的照明源1924年，（）提出運(yùn)動(dòng)的電子、質(zhì)子、中子等實(shí)物粒子都具有波動(dòng)性質(zhì)

A:德布羅意B:狄拉克C:薛定諤D:布施

答案:德布羅意電子束入射到樣品表面后，會(huì)產(chǎn)生下列哪些信號(hào)（）

A:二次電子B:俄歇電子C:背散射電子D:特征X射線

答案:二次電子；俄歇電子；背散射電子；特征X射線

第二章單元測(cè)試

第一臺(tái)光學(xué)顯微鏡是由哪位科學(xué)家發(fā)明的（）

A:詹森父子B:伽利略C:胡克D:惠更斯

答案:詹森父子德國(guó)科學(xué)家恩斯特·阿貝有哪些貢獻(xiàn)（）

A:發(fā)明了油浸物鏡B:解釋了數(shù)值孔徑等問(wèn)題C:闡明了光學(xué)顯微鏡的成像原理D:闡明了放大理論

答案:發(fā)明了油浸物鏡；解釋了數(shù)值孔徑等問(wèn)題；闡明了光學(xué)顯微鏡的成像原理；闡明了放大理論光學(xué)顯微鏡包括（）

A:目鏡B:聚光鏡C:反光鏡D:物鏡

答案:目鏡；聚光鏡；反光鏡；物鏡下列關(guān)于光波的衍射，錯(cuò)誤的描述是（）

A:遇到尺寸與光波波長(zhǎng)相比或更小的障礙物時(shí)，光線將沿直線傳播B:障礙物線度越小，衍射現(xiàn)象越明顯C:遇到尺寸與光波波長(zhǎng)相比或更小的障礙物時(shí)，光線將偏離直線傳播D:光是電磁波，具有波動(dòng)性質(zhì)

答案:遇到尺寸與光波波長(zhǎng)相比或更小的障礙物時(shí)，光線將沿直線傳播下列說(shuō)法正確的是（）

A:兩個(gè)埃利斑靠得越近，越容易被分辨B:由于衍射效應(yīng)，樣品上每個(gè)物點(diǎn)通過(guò)透鏡成像后會(huì)形成一個(gè)埃利斑C:衍射現(xiàn)象可以用子波相干疊加的原理解釋D:埃利斑半徑與光源波長(zhǎng)成反比，與透鏡數(shù)值孔徑成正比

答案:由于衍射效應(yīng)，樣品上每個(gè)物點(diǎn)通過(guò)透鏡成像后會(huì)形成一個(gè)埃利斑；衍射現(xiàn)象可以用子波相干疊加的原理解釋在狹縫衍射實(shí)驗(yàn)中，下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）

A:整個(gè)狹縫內(nèi)發(fā)出的光波在中間點(diǎn)的波程差半波長(zhǎng)，形成中央亮斑B:子波之間相互干涉，在屏幕上形成衍射花樣C:狹縫中間每一點(diǎn)可以看成一個(gè)點(diǎn)光源，發(fā)射子波D:在第一級(jí)衍射極大值處，狹縫上下邊緣發(fā)出的光波波程差為1?波長(zhǎng)

答案:整個(gè)狹縫內(nèi)發(fā)出的光波在中間點(diǎn)的波程差半波長(zhǎng)，形成中央亮斑下列關(guān)于阿貝成像原理的描述，正確的是（）

A:物像由透射光和衍射光互相干涉而形成B:參與成像的衍射斑點(diǎn)越多，物像與物體的相似性越好。C:不同物點(diǎn)的同級(jí)衍射波在后焦面的干涉，形成衍射譜D:同一物點(diǎn)的各級(jí)衍射波在像面的干涉，形成物像

答案:物像由透射光和衍射光互相干涉而形成；參與成像的衍射斑點(diǎn)越多，物像與物體的相似性越好。；不同物點(diǎn)的同級(jí)衍射波在后焦面的干涉，形成衍射譜；同一物點(diǎn)的各級(jí)衍射波在像面的干涉，形成物像下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）

A:孔徑半角與物鏡的有效直徑成反比，與物鏡的焦距成正比B:物鏡的數(shù)值孔徑和分辨率成正比C:物鏡光軸上的物點(diǎn)與物鏡前透鏡的有效直徑所形成的角度是孔徑半角D:物鏡口徑越大，分辨率就越高

答案:孔徑半角與物鏡的有效直徑成反比，與物鏡的焦距成正比像差包括（）

A:球面像差B:色散C:像域彎曲D:色像差

答案:球面像差；像域彎曲；色像差金相顯微鏡的制樣過(guò)程包括（）

A:磨光B:鑲樣C:腐蝕D:拋光

答案:磨光；鑲樣；腐蝕；拋光

第三章單元測(cè)試

下列關(guān)于掃描電子顯微鏡的描述錯(cuò)誤的是（）

A:利用二次電子和背散射電子成像B:可觀察塊狀樣品C:景深長(zhǎng)，立體感強(qiáng)D:可觀察組織細(xì)胞內(nèi)部結(jié)構(gòu)

答案:可觀察組織細(xì)胞內(nèi)部結(jié)構(gòu)掃描電鏡的分辨率是指（）

A:二次電子像的分辨率B:俄歇電子的分辨率C:吸收電子像的分辨率D:背散射電子像的分辨率

答案:二次電子像的分辨率電子束與固體樣品相互作用，可以產(chǎn)生以下哪些信號(hào)（）

A:特征X射線B:背散射電子C:俄歇電子D:二次電子

答案:特征X射線；背散射電子；俄歇電子；二次電子下列說(shuō)法正確的是（）

A:利用彈性背散射電子信號(hào)可以進(jìn)行定量成分分析B:利用特征X射線信號(hào)可以進(jìn)行定量成分分析C:利用彈性背散射電子信號(hào)可以進(jìn)行定性成分分析D:利用特征X射線信號(hào)可以進(jìn)行定性成分分析

答案:利用特征X射線信號(hào)可以進(jìn)行定量成分分析；利用彈性背散射電子信號(hào)可以進(jìn)行定性成分分析關(guān)于二次電子的描述，正確的是（）

A:二次電子信號(hào)反映樣品的表面形貌特征B:二次電子信號(hào)反映樣品的成分信息C:二次電子信號(hào)的分辨率高D:二次電子是入射電子與原子核外的價(jià)電子發(fā)生非彈性散射時(shí)被激發(fā)的核外電子

答案:二次電子信號(hào)反映樣品的表面形貌特征；二次電子信號(hào)的分辨率高；二次電子是入射電子與原子核外的價(jià)電子發(fā)生非彈性散射時(shí)被激發(fā)的核外電子背散射電子的性質(zhì)是（）

A:可用于樣品的表面形貌分析B:產(chǎn)額隨原子序數(shù)增加而增加C:產(chǎn)生范圍在表層100~1000nm內(nèi)D:可用于樣品的表面成分分析

答案:可用于樣品的表面形貌分析；產(chǎn)額隨原子序數(shù)增加而增加；產(chǎn)生范圍在表層100~1000nm內(nèi)；可用于樣品的表面成分分析掃描電子顯微鏡有以下哪種信號(hào)的探測(cè)器（）

A:二次電子B:特征X射線C:法拉第網(wǎng)杯D:背散射電子

答案:二次電子；特征X射線；背散射電子關(guān)于掃描電子顯微鏡景深的描述，錯(cuò)誤的是（）

A:掃描電子顯微鏡景深比光學(xué)顯微鏡的景深大B:電子束的入射半角越大，景深越大C:景深是對(duì)樣品高低不平的各部位同時(shí)聚焦成像的能力范圍D:掃描電子顯微鏡景深比透射電子顯微鏡的景深小

答案:電子束的入射半角越大，景深越大；掃描電子顯微鏡景深比透射電子顯微鏡的景深小關(guān)于掃描電子顯微鏡的樣品制備，哪個(gè)說(shuō)法是錯(cuò)誤的（）

A:對(duì)于非導(dǎo)電樣品，要進(jìn)行鍍膜處理，增加導(dǎo)電性B:鍍膜方法為離子濺射或真空蒸發(fā)C:鍍膜可以是金、銀、碳，膜厚在10~20nmD:對(duì)于導(dǎo)電性好的樣品，只需直接粘在樣品臺(tái)上，即可進(jìn)行觀察

答案:鍍膜可以是金、銀、碳，膜厚在10~20nm；對(duì)于導(dǎo)電性好的樣品，只需直接粘在樣品臺(tái)上，即可進(jìn)行觀察電子槍由（）組成

A:陰極、陽(yáng)極B:陰極、陽(yáng)極、柵極C:正極、負(fù)極、柵極D:陰極、柵

答案:陰極、陽(yáng)極、柵極

第四章單元測(cè)試

掃描探針顯微鏡的優(yōu)點(diǎn)有（）

A:可以在高溫和低溫狀態(tài)下工作B:可以在大氣、真空、溶液環(huán)境下進(jìn)行工作C:橫向分辨率為0.01nm，縱向分辨率為0.01nmD:可以對(duì)金屬樣品進(jìn)行掃描

答案:可以在高溫和低溫狀態(tài)下工作；可以在大氣、真空、溶液環(huán)境下進(jìn)行工作下列哪些顯微鏡屬于掃描探針顯微鏡（

）。

A:靜電力顯微鏡B:原子力顯微鏡C:掃描離子電導(dǎo)顯微鏡D:掃描隧道顯微鏡

答案:靜電力顯微鏡；原子力顯微鏡；掃描離子電導(dǎo)顯微鏡；掃描隧道顯微鏡下列關(guān)于掃描探針顯微鏡的描述，錯(cuò)誤的是（）

A:可以獲得樣品表面的摩擦力、粘附力等信息性B:可以對(duì)原子分子進(jìn)行操縱C:一種具有非常高的空間分辨率的三維輪廓儀D:分辨率從原子尺度級(jí)到毫米量級(jí)

答案:分辨率從原子尺度級(jí)到毫米量級(jí)掃描探針顯微鏡的組成部分有（）

A:計(jì)算機(jī)系統(tǒng)B:粗調(diào)定位系統(tǒng)C:壓電掃描器D:反饋系統(tǒng)

答案:計(jì)算機(jī)系統(tǒng)；粗調(diào)定位系統(tǒng)；壓電掃描器；反饋系統(tǒng)掃描隧道顯微鏡是基于哪個(gè)原理進(jìn)行工作的（）

A:原子間相互作用力B:表面效應(yīng)C:量子尺寸效應(yīng)D:量子隧穿效應(yīng)

答案:量子隧穿效應(yīng)下列關(guān)于掃描隧道顯微鏡的描述，正確的是（）

A:探針與樣品間距發(fā)生變化時(shí)，隧穿電流發(fā)生指數(shù)級(jí)改變B:當(dāng)探針與樣品表面相距1nm左右時(shí)，會(huì)發(fā)生隧穿效應(yīng)C:分辨率可以達(dá)到原子尺度級(jí)別D:使用鉑絲或者鎢絲探針進(jìn)行掃描

答案:探針與樣品間距發(fā)生變化時(shí)，隧穿電流發(fā)生指數(shù)級(jí)改變；當(dāng)探針與樣品表面相距1nm左右時(shí)，會(huì)發(fā)生隧穿效應(yīng)；分辨率可以達(dá)到原子尺度級(jí)別；使用鉑絲或者鎢絲探針進(jìn)行掃描掃描隧道顯微鏡的兩種工作模式是（）

A:恒定電流模式B:恒定電壓模式C:恒定掃速模式D:恒定高度模式

答案:恒定電流模式；恒定高度模式原子力顯微鏡（）

A:利用硅懸臂上的硅針尖進(jìn)行掃描B:是利用原子間的吸引力來(lái)呈現(xiàn)樣品的表面特性C:可以對(duì)導(dǎo)電樣品或非導(dǎo)電樣品進(jìn)行觀測(cè)D:探測(cè)針尖和樣品之間作用力變化所導(dǎo)致的懸臂彎曲或偏轉(zhuǎn)

答案:利用硅懸臂上的硅針尖進(jìn)行掃描；可以對(duì)導(dǎo)電樣品或非導(dǎo)電樣品進(jìn)行觀測(cè)；探測(cè)針尖和樣品之間作用力變化所導(dǎo)致的懸臂彎曲或偏轉(zhuǎn)在接觸式原子力顯微鏡中，哪個(gè)描述是錯(cuò)誤的（）

A:利用原子之間吸引力的變化來(lái)記錄樣品表面輪廓的起伏B:探針與樣品的距離小于1nmC:針尖與樣品有輕微的物理接觸D:針尖與懸臂受范德瓦爾斯力和毛細(xì)力兩種力的作用

答案:利用原子之間吸引力的變化來(lái)記錄樣品表面輪廓的起伏

第五章單元測(cè)試

相的內(nèi)涵是具有特定的結(jié)構(gòu)和性能的物質(zhì)狀態(tài)，包括（）

A:等離子相B:液相C:氣相D:固相

答案:等離子相；液相；氣相；固相利用衍射分析的方法可以研究材料的（）

A:物相結(jié)構(gòu)B:元素組成C:晶胞常數(shù)D:晶格類(lèi)型

答案:物相結(jié)構(gòu)；晶胞常數(shù)；晶格類(lèi)型物相分析的手段包括（）

A:光子衍射B:中子衍射C:電子衍射D:X射線衍射

答案:中子衍射；電子衍射；X射線衍射電子與物質(zhì)的相互作用時(shí)（）

A:入射能量為10~200KeV的高能電子穿透能力比X射線強(qiáng)，可用于薄膜分析B:入射電子束可以被聚焦C:入射電子與樣品原子發(fā)生彈性散射，散射波相互干涉形成衍射波D:入射能量為10~500eV的低能電子可用于分析樣品表面1-5個(gè)原子層的結(jié)構(gòu)信息

答案:入射電子束可以被聚焦入射電子與樣品原子發(fā)生（），散射波會(huì)相互干涉形成衍射波。

A:疊加干涉B:非彈性散射C:衍射D:彈性散射

答案:彈性散射利用電磁波或電子束、中子束等與材料內(nèi)部規(guī)則排列的原子作用，產(chǎn)生非相干散射，從而獲得材料內(nèi)部結(jié)構(gòu)信息

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)X射線衍射方法可以進(jìn)行多相體系的綜合分析，也可以實(shí)現(xiàn)對(duì)亞微米量級(jí)單顆晶體材料的微觀結(jié)構(gòu)分析

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)純鐵在低于1000度時(shí)，呈現(xiàn)α相。

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)材料內(nèi)部的晶體結(jié)構(gòu)和相組成可以通過(guò)衍射線的方向和強(qiáng)度而決定。

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)低能電子衍射可以觀測(cè)樣品表面的原子結(jié)構(gòu)信息。

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)

第六章單元測(cè)試

七大晶系包括（）

A:正交晶系B:六方晶系C:立方晶系D:四方晶系

答案:正交晶系；六方晶系；立方晶系；四方晶系立方晶系中，指數(shù)相同的晶面和晶向（）

A:無(wú)必然聯(lián)系B:相互垂直C:成一定角度范圍D:相互平行

答案:相互垂直在正方晶系中，晶面指數(shù){100}包括幾個(gè)晶面（）

A:4B:1C:2D:6

答案:4關(guān)于電子與物質(zhì)的相互作用，下列描述錯(cuò)誤的是（）

A:入射電子束可以被聚焦B:入射能量為10~500eV的低能電子可用于分析樣品表面1-5個(gè)原子層的結(jié)構(gòu)信息C:入射電子與樣品原子發(fā)生彈性散射，散射波相互干涉形成衍射波D:入射能量為10~200KeV的高能電子穿透能力比X射線強(qiáng)，可用于薄膜分析

答案:入射能量為10~200KeV的高能電子穿透能力比X射線強(qiáng)，可用于薄膜分析利用電磁波或電子束、中子束等與材料內(nèi)部規(guī)則排列的原子作用，產(chǎn)生非相干散射，從而獲得材料內(nèi)部結(jié)構(gòu)信息

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)X射線衍射方法可以進(jìn)行多相體系的綜合分析，也可以實(shí)現(xiàn)對(duì)亞微米量級(jí)單顆晶體材料的微觀結(jié)構(gòu)分析

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)凡屬于[uvw]晶帶的晶面，其晶面指數(shù)(hkl)必滿足關(guān)系hu+kv+lw=0

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)構(gòu)成晶體的質(zhì)點(diǎn)包括（）

A:分子B:離子C:電子D:原子

答案:分子；離子；原子電子入射到晶體以后，哪三者存在嚴(yán)格的對(duì)應(yīng)關(guān)系（）

A:衍射波的波矢量B:衍射圖譜C:衍射角度D:產(chǎn)生衍射的晶面

答案:衍射波的波矢量；衍射圖譜；衍射角度；產(chǎn)生衍射的晶面簡(jiǎn)單立方結(jié)構(gòu)單晶的電子衍射花樣可能呈現(xiàn)（）

A:六邊形結(jié)構(gòu)B:同心圓環(huán)C:方格子結(jié)構(gòu)D:平行四邊形結(jié)構(gòu)

答案:方格子結(jié)構(gòu)

第七章單元測(cè)試

關(guān)于衍射現(xiàn)象的描述，錯(cuò)誤的是（）

A:不受晶體內(nèi)周期性的原子排布影響B(tài):入射的電磁波和物質(zhì)波與晶體發(fā)生作用的結(jié)果C:在空間某些方向上發(fā)生波的相干抵消D:在空間某些方向上發(fā)生波的相干增強(qiáng)

答案:不受晶體內(nèi)周期性的原子排布影響X射線與物質(zhì)發(fā)生相互作用時(shí)（）

A:若與內(nèi)層強(qiáng)束縛電子作用，會(huì)發(fā)生相干增強(qiáng)的衍射B:康普頓散射是相干散射C:若與外層弱束縛電子作用，會(huì)發(fā)生非相干散射D:原子核外電子包括外層弱束縛電子和內(nèi)層強(qiáng)束縛電子

答案:若與內(nèi)層強(qiáng)束縛電子作用，會(huì)發(fā)生相干增強(qiáng)的衍射；康普頓散射是相干散射；若與外層弱束縛電子作用，會(huì)發(fā)生非相干散射；原子核外電子包括外層弱束縛電子和內(nèi)層強(qiáng)束縛電子電子與物質(zhì)發(fā)生相互作用時(shí)（）

A:入射電子受原子核的散射作用時(shí)，原子核基本不動(dòng)，電子不損失能量，發(fā)生彈性散射B:電子在物質(zhì)中的彈性散射大于非彈性散射C:入射電子受核外電子的散射作用時(shí)，入射電子能量會(huì)轉(zhuǎn)移給核外電子，損失部分能量，波長(zhǎng)發(fā)生改變，發(fā)生非彈性散射D:入射電子受核外電子的散射作用時(shí)，入射電子能量會(huì)轉(zhuǎn)移給核外電子，損失部分能量，波長(zhǎng)不發(fā)生改變，發(fā)生非彈性散射

答案:入射電子受原子核的散射作用時(shí)，原子核基本不動(dòng)，電子不損失能量，發(fā)生彈性散射；電子在物質(zhì)中的彈性散射大于非彈性散射；入射電子受核外電子的散射作用時(shí)，入射電子能量會(huì)轉(zhuǎn)移給核外電子，損失部分能量，波長(zhǎng)發(fā)生改變，發(fā)生非彈性散射下列關(guān)于晶體對(duì)電子的衍射作用的描述，錯(cuò)誤的是（）

A:電子衍射強(qiáng)度比X射線高1000倍B:電子衍射可以提供試樣晶體結(jié)構(gòu)、原子排列、原子種類(lèi)等信息C:透射電子顯微鏡可以看到原子尺度上的結(jié)構(gòu)信息D:在彈性散射情況下，晶體內(nèi)部某些方向的散射波發(fā)生相干增強(qiáng)，形成衍射波

答案:電子衍射強(qiáng)度比X射線高1000倍；電子衍射可以提供試樣晶體結(jié)構(gòu)、原子排列、原子種類(lèi)等信息對(duì)于簡(jiǎn)單點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)的晶體，系統(tǒng)消光的條件是()

A:不存在系統(tǒng)消光B:h、k、l為異性數(shù)C:h+k+l為奇數(shù)D:h+k為奇數(shù)

答案:不存在系統(tǒng)消光面心立方晶體產(chǎn)生系統(tǒng)消光的晶面有（）

A:112B:200C:220D:111

答案:112將等同晶面?zhèn)€數(shù)對(duì)衍射強(qiáng)度的影響因子稱(chēng)為()

A:結(jié)構(gòu)因子B:多重性因子C:角因子D:吸收因子

答案:多重性因子布拉格方程從數(shù)學(xué)的角度進(jìn)行解答衍射方向問(wèn)題

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)厄瓦爾德圖解以作圖的方式分析衍射發(fā)現(xiàn)問(wèn)題

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)入射波為電磁波或者物質(zhì)波，它們的衍射波遵循不同的衍射幾何和強(qiáng)度分布規(guī)律

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)

第八章單元測(cè)試

下列關(guān)于X射線的描述，正確的是（）

A:X射線是一種電磁波B:X射線具有波動(dòng)性C:勞厄發(fā)現(xiàn)X射線衍射現(xiàn)象D:倫琴發(fā)現(xiàn)X射線

答案:X射線是一種電磁波；X射線具有波動(dòng)性；勞厄發(fā)現(xiàn)X射線衍射現(xiàn)象；倫琴發(fā)現(xiàn)X射線與X射線及晶體衍射有關(guān)的諾貝爾獎(jiǎng)是（）

A:赫茲發(fā)現(xiàn)陰極射線B:倫琴發(fā)現(xiàn)X射線C:布拉格父子開(kāi)創(chuàng)了晶體結(jié)構(gòu)的X射線分析D:勞厄發(fā)現(xiàn)晶體的X射線衍射

答案:倫琴發(fā)現(xiàn)X射線；布拉格父子開(kāi)創(chuàng)了晶體結(jié)構(gòu)的X射線分析；勞厄發(fā)現(xiàn)晶體的X射線衍射進(jìn)行晶體結(jié)構(gòu)分析的X射線學(xué)分支是（）

A:X射線衍射學(xué)B:X射線光譜學(xué)C:X射線能譜學(xué)D:X射線透射學(xué)

答案:X射線衍射學(xué)常用的X射線衍射方法是（）

A:粉末法B:轉(zhuǎn)動(dòng)晶體法C:勞厄法D:德拜法

答案:粉末法；轉(zhuǎn)動(dòng)晶體法；勞厄法當(dāng)樣品為單晶體時(shí)，可以采用下列哪種X射線衍射方法（）

A:粉末法B:德拜法C:勞厄法D:轉(zhuǎn)動(dòng)晶體法

答案:勞厄法；轉(zhuǎn)動(dòng)晶體法測(cè)角儀中，探測(cè)器的轉(zhuǎn)速與樣品的轉(zhuǎn)速滿足哪種關(guān)系（）

A:1:0B:1:2C:2:1D:1:1

答案:2:1M層電子遷遷移到K層后，多余的能量釋放的特征X射線是（）

A:KαB:LαC:KγD:Kβ

答案:KβX射線照射到晶體上時(shí)，產(chǎn)生衍射的條件是（）

A:晶體形狀B:滿足布拉格條件C:衍射強(qiáng)度不為0D:滿足布拉格條件，同時(shí)衍射強(qiáng)度不為0

答案:滿足布拉格條件，同時(shí)衍射強(qiáng)度不為0用X射線對(duì)固溶體進(jìn)行分析時(shí)，得到的結(jié)果是（）

A:成分B:元素種類(lèi)C:相結(jié)構(gòu)D:組織結(jié)構(gòu)

答案:相結(jié)構(gòu)利用X射線衍射儀進(jìn)行定性分析時(shí)，若已知樣品的一種或幾種化學(xué)成分，可以使用（）

A:數(shù)字索引B:Hanawalt索引C:Fink索引D:字母索引

答案:字母索引

第九章單元測(cè)試

設(shè)計(jì)并制造了世界第一臺(tái)透射電子顯微鏡的科學(xué)家是（）

A:CharlesB:RohrerC:BinnigD:Ruska

答案:Ruska經(jīng)典電子衍射實(shí)驗(yàn)是由哪幾位科學(xué)家做出的（）

A:C.J.DavissonB:G.P.ThompsonC:L.H.GermerD:A.Reid

答案:C.J.Davisson；G.P.Thompson；L.H.Germer；A.Reid下列關(guān)于透射電子顯微鏡的描述錯(cuò)誤的是（）

A:利用透射電子成像B:分辨率高，性能最完善C:觀察細(xì)胞內(nèi)部超微結(jié)構(gòu)D:景深長(zhǎng)、立體感強(qiáng)

答案:景深長(zhǎng)、立體感強(qiáng)讓衍射束通過(guò)物鏡光闌，用物鏡光闌套住某一衍射斑點(diǎn)，擋住中心透射斑點(diǎn)和其它衍射斑點(diǎn)，選擇衍射束成像，是（）

A:暗場(chǎng)成像B:中心暗場(chǎng)成像C:中心明場(chǎng)成像D:明場(chǎng)成像

答案:暗場(chǎng)成像將入射電子束轉(zhuǎn)動(dòng)一定角度，使得衍射束沿著光軸傳播，讓衍射束通過(guò)物鏡光闌，用物鏡光闌套住某一衍射斑點(diǎn)，擋住透射束和其它衍射斑點(diǎn)擋住，選擇衍射束成像，是（）

A:中心暗場(chǎng)成像B:暗場(chǎng)成像C:中心明場(chǎng)成像D:明場(chǎng)成像

答案:中心暗場(chǎng)成像透射電子顯微鏡的兩種主要功能是（）

A:內(nèi)部組織和成分價(jià)鍵B:表面形貌和成分價(jià)鍵C:表面形貌和晶體結(jié)構(gòu)D:內(nèi)部組織和晶體結(jié)構(gòu)

答案:內(nèi)部組織和晶體結(jié)構(gòu)多晶體的電子衍射花樣是（）

A:規(guī)則的平行四邊形斑點(diǎn)B:不規(guī)則斑點(diǎn)C:同心圓環(huán)D:暈環(huán)

答案:同心圓環(huán)由于入射電子波長(zhǎng)的非單一性造成的像差是（）

A:像散B:球面像差C:色像差D:像域彎曲

答案:色像差透射電子顯微鏡的衍射模式是將（）

A:關(guān)閉中間鏡B:關(guān)閉物鏡C:中間鏡的物平面與物鏡的后焦面重合D:中間鏡的物平面與與物鏡的像平面重合

答案:中間鏡的物平面與物鏡的后焦面重合薄片狀晶體的倒易點(diǎn)形狀是（）

A:尺寸很大的球B:尺寸很小的倒易點(diǎn)C:有一定長(zhǎng)度的倒易桿D:倒易圓盤(pán)

答案:有一定長(zhǎng)度的倒易桿

第十章單元測(cè)試

在原子系統(tǒng)中，自旋磁量子數(shù)是（）

A:mB:lC:nD:ms

答案:ms關(guān)于原子核外的電子分布描述，錯(cuò)誤的是（）

A:遵從泡利不相容原理B:遵循洪特規(guī)則C:按照M、L、M等層由低到高依次填充D:滿足能量最低原理

答案:按照M、L、M等層由低到高依次填充關(guān)于原子核外的電子躍遷描述，錯(cuò)誤的是（）

A:入射波激發(fā)核外電子，使之發(fā)生層間躍遷B:始態(tài)和終態(tài)的能量差E是表征原子差別的特征能量C:能量差E與元素種類(lèi)無(wú)關(guān)D:依據(jù)電子躍遷信息，可以進(jìn)行成分和價(jià)鍵分析

答案:能量差E與元素種類(lèi)無(wú)關(guān)關(guān)于俄歇電子產(chǎn)生的過(guò)程描述，正確的是（）

A:外層電子脫離原子核的束縛，成為自由電子發(fā)射出去B:內(nèi)層電子脫離原子核的束縛，成為自由電子發(fā)射出去C:激發(fā)態(tài)和基態(tài)的能量差轉(zhuǎn)移給原子核外的內(nèi)層電子D:激發(fā)態(tài)和基態(tài)的能量差轉(zhuǎn)移給原子核外的外層電子

答案:外層電子脫離原子核的束縛，成為自由電子發(fā)射出去；激發(fā)態(tài)和基態(tài)的能量差轉(zhuǎn)移給原子核外的外層電子利用俄歇電子能譜可以進(jìn)行（）

A:定量分析B:半定量分析C:半定性分析D:定性分析

答案:半定量分析；定性分析關(guān)于X光譜的描述，正確的是（）

A:反映樣品表面和內(nèi)部的成分信息B:無(wú)法探測(cè)元素的化學(xué)環(huán)境C:穿透深度為100nm~1mD:空間分辨率低，能量分辨率高，

答案:反映樣品表面和內(nèi)部的成分信息；無(wú)法探測(cè)元素的化學(xué)環(huán)境下列說(shuō)法正確的是（）

A:XPS適用于輕元素、重元素分析B:AES采樣深度為0.1~1nmC:AES的能量分辨率比XPS高D:XPS的采樣深度0.5~2.5nm,

答案:AES的能量分辨率比XPS高；XPS的采樣深度0.5~2.5nm,特征X射線的頻率或波長(zhǎng)只取決于物質(zhì)的原子結(jié)構(gòu)，是物質(zhì)固有特性，與其它外界因素?zé)o關(guān)。

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)X射線熒光光譜分析的入射束是熒光X射線

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)電子探針X射線顯微分析儀的入射束是電子束

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)

第十一章單元測(cè)試

特征X射線產(chǎn)生的機(jī)理是(

)

A:原子內(nèi)層電子躍遷B:外層電子被打掉C:高速電子受阻

答案:原子內(nèi)層電子躍遷能譜儀的分辨率比波譜儀（）

A:不能比較B:高C:低D:相同

答案:低對(duì)鋼中Mn、S、P等元素的定量分析可以采用以下分析手段

A:WDSB:EDSC:XRDD:XRF

答案:WDS；EDS；XRF如要分析斷口上某種顆粒相的化學(xué)成分，應(yīng)采用哪種分析方法？

A:WDSB:EDSC:XRDD:XRF

答案:WDS；EDS對(duì)鋼斷口中Mn、S、P等元素的分布狀態(tài)進(jìn)行分析可以采用哪種分析模式

A:高度掃描B:線掃描C:面掃描D:點(diǎn)掃描

答案:線掃描；面掃描電子束與固體樣品作用時(shí)產(chǎn)生的信號(hào)有（）

A:背散射電子B:二次電子C:特征X射線D:俄歇電子

答案:背散射電子；二次電子；特征X射線；俄歇電子X(jué)射線光譜分析的信號(hào)是（）

A:光電子B:特征X射線C:連續(xù)X射線D:二次電子

答案:特征X射線產(chǎn)生X射線的激發(fā)源可以是（）

A:紫外光B:X射線C:電子束D:離子束

答案:X射線；電子束X射線光譜能給出材料的哪些信息（）

A:元素的分布B:元素組成C:元素價(jià)態(tài)D:元素的含量

答案:元素的分布；元素組成；元素的含量X射線光譜能對(duì)元素周期表中所有元素進(jìn)行定性分析。

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)

第十二章單元測(cè)試

光電子產(chǎn)生的機(jī)理是（）

A:外層電子被電子激發(fā)B:內(nèi)層電子被電子激發(fā)C:內(nèi)層電子被X射線激發(fā)D:外層電子被X射線激發(fā)

答案:內(nèi)層電子被X射線激發(fā)光電子的動(dòng)能受哪些因素影響（）

A:逸出功B:激發(fā)源的波長(zhǎng)C:電子的平均自由程D:電子的結(jié)合能

答案:逸出功；激發(fā)源的波長(zhǎng)；電子的結(jié)合能表面與界面成分分析的手段有

A:EDSB:AESC:XPSD:XRF

答案:EDS；AES；XPS在光電子能譜中，影響化學(xué)位移的因素有（）

A:原子氧化態(tài)B:相鄰原子的電負(fù)性C:原子序數(shù)D:激發(fā)源的能量

答案:原子氧化態(tài)；相鄰原子的電負(fù)性X射線光電子能譜譜圖中可能存在的譜峰有

A:X射線衛(wèi)星峰B:俄歇電子譜峰C:光電子譜峰D:特征能量損失峰

答案:X射線衛(wèi)星峰；俄歇電子譜峰；光電子譜峰；特征能量損失峰X(qián)射線光電子能譜可以得到的信息有

A:成分和價(jià)鍵B:內(nèi)部結(jié)構(gòu)C:表面形貌D:晶體結(jié)構(gòu)

答案:成分和價(jià)鍵對(duì)聚苯乙烯表面的氧化狀態(tài)進(jìn)行分析，可以采取下面哪些分析手段？

A:EDSB:XFSC:XPSD:WDS

答案:XPS光電子譜峰由哪幾個(gè)參數(shù)來(lái)標(biāo)記（）

A:主量子數(shù)B:元素符號(hào)C:自旋-軌道耦合量子數(shù)D:角量子數(shù)

答案:主量子數(shù)；元素符號(hào)；自旋-軌道耦合量子數(shù)；角量子數(shù)碳元素的主光電子峰是()

A:C3sB:C2sC:C2pD:C1s

答案:C1s在光電子能譜圖中，出現(xiàn)在主光電子峰高動(dòng)能端的伴峰可能是（）

A:震離峰B:震激峰C:特征能量損失峰D:X射線衛(wèi)星峰

答案:X射線衛(wèi)星峰

第十三章單元測(cè)試

產(chǎn)生俄歇電子深度范圍為表層以下

A:100nm左右B:20nm左右C:2nm左右D:1000nm左右

答案:2nm左右俄歇電子能譜分析有哪些應(yīng)用（

）

A:表面元素價(jià)態(tài)分析B:表面形貌分析C:元素深度分布分析D:元素定性分析

答案:表面元素價(jià)態(tài)分析；元素深度分布分析；元素定性分析對(duì)于化學(xué)價(jià)態(tài)相同的原子，俄歇化學(xué)位移的差別主要和原子間的電負(fù)性差有關(guān)。

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)俄歇電子的能量主要與以下哪些因素有關(guān)

A:填充電子能級(jí)B:激發(fā)源能量C:初始空位能級(jí)D:躍遷電子能級(jí)

答案:填充電子能級(jí)；初始空位能級(jí)；躍遷電子能級(jí)影響俄歇電子強(qiáng)度的因素有（）

A:電離截面B:激發(fā)源能量C:電子的平均自由程D:原子序數(shù)

答案:電離截面；激發(fā)源能量；電子的平均自由程；原子序數(shù)光電子能譜的空間分辨率高于俄歇電子的空間分辨率

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)相鄰元素或基團(tuán)的電負(fù)性越強(qiáng)，俄歇電子的化學(xué)位移越大

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)俄歇電子的化學(xué)位移較光電子更敏感

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)改變激發(fā)源的能量，俄歇電子譜峰的位置不動(dòng)。

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)俄歇過(guò)程和熒光過(guò)程是兩個(gè)競(jìng)爭(zhēng)的過(guò)程。

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)

第十四章單元測(cè)試

二氧化碳分子的平動(dòng)、轉(zhuǎn)動(dòng)和振動(dòng)自由度的數(shù)目分別是

A:2，3，4B:3，3，3C:3，2，4D:3，4，2

答案:3，2，4紅外吸收光譜的產(chǎn)生是由于

A:分子外層電子的能級(jí)躍遷B:分子振動(dòng)-轉(zhuǎn)動(dòng)能級(jí)的躍遷C:分子外層電子、振動(dòng)、轉(zhuǎn)動(dòng)能級(jí)的躍遷D:原子外層電子、振動(dòng)、轉(zhuǎn)動(dòng)能級(jí)的躍遷

答案:分子振動(dòng)-轉(zhuǎn)動(dòng)能級(jí)的躍遷下列哪種因素不是影響紅外光譜譜峰位置的影響因素

A:分子含量B:氫鍵效應(yīng)C:誘導(dǎo)效應(yīng)D:共軛效應(yīng)

答案:分子含量在紅外光譜分析中，用KBr制作為試樣池，這是因?yàn)?/p>

A:KBr晶體在4000～400cm-1范圍內(nèi)不會(huì)散射紅外光B:在4000～400cm-1范圍內(nèi)，KBr對(duì)紅外無(wú)反射C:KBr在4000～400cm-1范圍內(nèi)有良好的紅外光吸收特性D:KBr在4000～400cm-1范圍內(nèi)無(wú)紅外光吸收

答案:KBr在4000～400cm-1范圍內(nèi)無(wú)紅外光吸收紅外光譜中官能團(tuán)區(qū)為

A:3600~3000B:1330~400C:2000~1600D:3600~1330

答案:3600~1330紅外光譜法試樣可以是

A:含