微電子制造科學(xué)原理與技術(shù)(1+2)

微電子制造科學(xué)原理與技術(shù)選用教材：

《微電子材料與器件制備技術(shù)》王秀峰、伍媛婷等編，化學(xué)工業(yè)出版社，2008年。主要參考書目:（1）《微加工導(dǎo)論》[芬蘭]SamiFranssila著，陳迪，劉景全，朱軍等譯，電子工業(yè)出版社，2006年；（2）《微電子材料與制程》陳力俊，復(fù)旦大學(xué)出版社，2005年；（3）《芯片制造》[美]PeterVanZant著，趙樹武，朱踐知，于世恩等譯：電子工業(yè)出版社，2004年；

（4）《半導(dǎo)體器件電子學(xué)》

[美]R.M.WarnerB.L.Grung著，呂長志等譯，電子工業(yè)出版社，2005年；（5）《微電子技術(shù)概論》賈新章，郝躍著，國防工業(yè)出版社,1995年。

莆田學(xué)院現(xiàn)代教育技術(shù)中心2004年8月第一章概述

伍媛婷微電子制造科學(xué)原理與技術(shù)莆田學(xué)院現(xiàn)代教育技術(shù)中心2004年8月1.1微電子技術(shù)

20世紀(jì)60年代，電子學(xué)產(chǎn)生了一個新的學(xué)科分支，研究如何利用固體內(nèi)部的微觀特性以及一些特殊工藝，在一塊半導(dǎo)體材料上制作大量的元件，從而在一個微小面積中制造出復(fù)雜的電子系統(tǒng)，即微系統(tǒng)電子學(xué)（微電子學(xué)，Microelectronics）。微電子學(xué)中各項工藝技術(shù)的總稱便是微電子技術(shù)。這個領(lǐng)域中最主要的就是集成電路（IntegratedCircuits,IC）技術(shù)。

莆田學(xué)院現(xiàn)代教育技術(shù)中心2004年8月1947年美國電話電報公司（AT＆T）貝爾實驗室的三位科學(xué)家巴丁、布賴頓和肖克萊制成第一支晶體管（Transistor）以取代電子管。1958年出現(xiàn)了第一塊集成電路板。集成電路經(jīng)歷了小規(guī)模集成電路、中規(guī)模集成電路、大規(guī)模集成電路和超大規(guī)模集成電路四個階段。莆田學(xué)院現(xiàn)代教育技術(shù)中心2004年8月集成度是標(biāo)志集成電路水平的指標(biāo)之一。集成度是指在一定尺寸的芯片上能做出多少個元件。為了達到更高的集成度，還可以生長出更大的硅片，而硅片也隨著材料制備工藝的發(fā)展而越來越大，目前生產(chǎn)的硅片直徑可達500mm左右。

莆田學(xué)院現(xiàn)代教育技術(shù)中心2004年8月1.2微電子材料及其應(yīng)用微電子材料中主要為兩大部分，一部分是晶圓片，另一部分則是薄膜。無論是晶圓片還是薄膜材料都可以是單晶、多晶或無定形態(tài)。硅和鍺是最初兩種重要的晶圓片材料。第一個晶體管是由鍺制造的，但由于鍺的熔點不高（937℃），限制了高溫工藝，并且它的表面缺少自然氧化形成的氧化膜而容易漏電。而硅的優(yōu)點使其成為了微加工的主體材料。晶圓片的還可以是氧化硅、碳化硅、藍(lán)寶石、砷化鎵、玻璃、氧化鋁、塑料，等等。莆田學(xué)院現(xiàn)代教育技術(shù)中心2004年8月薄膜單元素薄膜（如硅、鋁、銅等）化合物薄膜（如氧化硅、氮化硅、氮化鈦、硅化物等）在微電子材料中，值得注意的是金屬與貴金屬，它們也被廣泛應(yīng)用與微加工產(chǎn)業(yè)中。莆田學(xué)院現(xiàn)代教育技術(shù)中心2004年8月1.3工藝集成電路制造流程圖

莆田學(xué)院現(xiàn)代教育技術(shù)中心2004年8月微加工工藝步驟主要包括以下幾個主要內(nèi)容：

（1）單晶生長；（2）薄膜生長；（3）圖形化（光刻、刻蝕）；（4）摻雜及熱處理；（5）層間轉(zhuǎn)移和鍵合；（6）表面處理及清洗。

以上的工藝步驟并不存在絕對的先后順序，需要根據(jù)不同器件的要求專門進行工藝設(shè)計。

莆田學(xué)院現(xiàn)代教育技術(shù)中心2004年8月電子集成技術(shù)（工藝方法）單片集成電路（以硅平面工藝為基礎(chǔ)）薄膜集成電路（以薄膜技術(shù)為基礎(chǔ)）厚膜集成電路（以絲網(wǎng)印刷技術(shù)為基礎(chǔ)）

莆田學(xué)院現(xiàn)代教育技術(shù)中心2004年8月1.4器件電子元器件經(jīng)歷了經(jīng)典電子元器件時代（以電子管為代表）、小型化電子元器件時代（以半導(dǎo)體分立器件為代表）和微電子元器件時代（以高頻和高速處理集成電路為代表）。莆田學(xué)院現(xiàn)代教育技術(shù)中心2004年8月1.5未來趨勢

集成電路芯片的發(fā)展規(guī)律基本上遵循了Inter公司創(chuàng)始人之一的CordonEMoore1965年的預(yù)言（摩爾定律）：集成電路的集成度（每個微電子芯片上集成的器件數(shù)），每三年左右為兩代，每代增加4倍，特征尺寸縮小2倍。

1974年，IBM的Dennard等人提出了按比例縮小原理（ScalingDownPrinciple）。即特征線條越窄，IC的工作速度越快，單元功能消耗的功率越低，從而在原理上確定了微電子“越小，越密，越快，越省電，越廉價”這一發(fā)展優(yōu)勢，為Moore定律建立了理論根據(jù)。

莆田學(xué)院現(xiàn)代教育技術(shù)中心2004年8月莆田學(xué)院現(xiàn)代教育技術(shù)中心2004年8月第二章單晶莆田學(xué)院現(xiàn)代教育技術(shù)中心2004年8月2.1概述晶體：原子在某種材料內(nèi)部周期重復(fù)排列成固定的結(jié)構(gòu)

多晶單晶非晶體（無定形）：原子沒有固定的周期性排列的材料莆田學(xué)院現(xiàn)代教育技術(shù)中心2004年8月非晶、多晶和單晶示意圖莆田學(xué)院現(xiàn)代教育技術(shù)中心2004年8月第一代半導(dǎo)體晶體是鍺（Ge）單晶和硅單晶（Si）第二代半導(dǎo)體晶體為Ⅲ一V族化合物，如砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）、磷化鎵（GaP）、氮化鎵（GaN）等單晶。目前已發(fā)展到三元或多元化合物的半導(dǎo)體晶體從提高硅集成電路成品率、降低成本方面考慮，增大直拉硅（CZ-Si）單晶的直徑和減小微缺陷的密度仍是今后發(fā)展的總趨勢。

莆田學(xué)院現(xiàn)代教育技術(shù)中心2004年8月2.2硅硅是自然界中最豐富的元素，地殼成分中27.8%是硅元素構(gòu)成的。（石英、瑪瑙、燧石、多種巖石和普通的灘石）真正能用于半導(dǎo)體生產(chǎn)用的原料都來源于高純硅石（即石英礦）。用作半導(dǎo)體材料的硅是經(jīng)還原提純的高純硅，它有非晶、多晶、單晶三種形態(tài)。硅具有易于提純、價格低廉等特點。而且硅器件易于實現(xiàn)平面工藝，效率高、壽命長、體積小、導(dǎo)熱好、耐高溫、可靠性高，大多數(shù)半導(dǎo)體器件都選用硅作原料。硅是大多數(shù)半導(dǎo)體和微電子芯片的主要原料。

莆田學(xué)院現(xiàn)代教育技術(shù)中心2004年8月2.3硅的晶體結(jié)構(gòu)與性能硅的晶體結(jié)構(gòu)（CrystalStructure）是由18個硅原子所構(gòu)成的金剛石型晶格結(jié)構(gòu)。每個硅原子周圍都有四個硅，硅原子之間形成共價鍵。其晶胞（CrystalCell/UnitCell）可以看做是由兩個面心立方體晶格插在一起形成的，晶胞的邊長a為5.43095?，兩個原子之間的距離是(3/4a)1/2，半徑是(3/8a)1/2。硅屬金剛石型晶格結(jié)構(gòu)，晶格常數(shù)為5.42×10-10m，熔點為1417℃，性脆易碎，密度小而硬度大，是呈銀灰色金屬光澤的非金屬材料。莆田學(xué)院現(xiàn)代教育技術(shù)中心2004年8月18個原子中，處于頂點的8個硅原子被8個晶胞所分，處于面上的6個硅原子則被兩個相鄰的晶胞所分，而分布在立方體內(nèi)的四個小立方體的中心的硅原子則完全屬于這一個晶胞，則這個晶胞中所占有的硅原子個數(shù)為8×1/8+6×1/2+4=8，硅原子在晶胞中只占34％的體積，這種體積占有率很小的開放型的結(jié)構(gòu)對于硅的擴散是相當(dāng)重要的。莆田學(xué)院現(xiàn)代教育技術(shù)中心2004年8月兩個在硅晶圓中最通常使用的晶向是（100）和（111）晶面。（100）晶向的晶圓用來制造MOS器件和電路，而（111）晶向的晶圓用來制造雙極型器件和電路。（100）晶面有一個正方形，而（111）晶面有一個三角形。

當(dāng)晶圓破碎時這些定向會展現(xiàn)出來。（100）晶向的晶圓碎成四方形或正好90度角破裂，而（111）晶向的晶圓碎成三角形。

莆田學(xué)院現(xiàn)代教育技術(shù)中心2004年8月2.4硅晶體中的缺陷和非理想狀態(tài)

晶體缺陷會產(chǎn)生不平均的二氧化硅膜生長、差的外延膜的淀積、晶圓里不均勻的摻雜層及其它問題從而導(dǎo)致工藝問題。

生長引入缺陷：與原料（雜質(zhì)）以及硅拉拔工藝（如空缺、填隙、沉積、位錯）有關(guān)

加工引入缺陷：與切片加工（如工具中的雜質(zhì)、機械變形）和晶圓片加工（如晶體缺陷、沉積、機械變形）相關(guān)

根據(jù)缺陷的來源莆田學(xué)院現(xiàn)代教育技術(shù)中心2004年8月零維缺陷（點缺陷）：來源于晶體里雜質(zhì)原子擠壓晶體結(jié)構(gòu)引起應(yīng)力所致（置換雜質(zhì)缺陷和間隙雜質(zhì)缺陷）一維或線性缺陷（位錯）：面缺陷：（堆垛層錯、晶界和雙晶界）

體缺陷空隙：某些工藝（如晶體拉拔）中空位的聚集晶體生長條件、晶格應(yīng)力以及制造過程中的物理損壞

晶體結(jié)構(gòu)的某個位置上缺失了原子：空位沉淀

：硅錠冷卻過程中雜質(zhì)含量和摻雜濃度超過固溶度，多余的不溶雜質(zhì)和摻雜物析出

莆田學(xué)院現(xiàn)代教育技術(shù)中心2004年8月2.5硅的晶體生長及設(shè)備外延法：能夠生長和單晶襯底原子排列同樣的單晶薄膜直拉法：適宜于生長低電阻大直徑單晶，其徑向雜質(zhì)分布均勻，適宜作低壓硅器件和集成電路的材料。區(qū)熔法：區(qū)熔單晶徑向雜質(zhì)分布均勻性較直拉法差，但氧、碳含量低，用高阻區(qū)熔單晶經(jīng)過中子輻照可得雜質(zhì)分布均勻性相當(dāng)滿意的單晶材料，適宜于制作高壓大功率器件。影響單晶質(zhì)量的關(guān)鍵因素是晶格缺陷和雜質(zhì)。

莆田學(xué)院現(xiàn)代教育技術(shù)中心2004年8月2.5.1硅的純化硅的純化工藝

硅的純化工藝是硅晶圓制備中的第一步莆田學(xué)院現(xiàn)代教育技術(shù)中心2004年8月碳和原本二氧化硅中的氧結(jié)合，留下或多或少熔融狀態(tài)的硅。（這種硅被稱為多晶硅，也被稱為冶金級硅）（雜質(zhì)和混亂的晶體結(jié)構(gòu)使這冶金級別的多晶硅不適合制造半導(dǎo)體）

SiO2+C→Si+2C↑進一步提純冶金級硅能產(chǎn)生特別純凈的半導(dǎo)體級別物質(zhì)。

Si+3HCl→SiHCl3+H↑

經(jīng)過反復(fù)的蒸餾后，用氫氣把特別純的三氯硅烷還原為硅。（具有非常高的純度了，被稱為電子級硅）

2SiHCl3+2H2→2Si+6HC↑

莆田學(xué)院現(xiàn)代教育技術(shù)中心2004年8月2.5.2直拉法生長單晶硅直拉法生長單晶硅示意圖莆田學(xué)院現(xiàn)代教育技術(shù)中心2004年8月拉單晶分三段，先引出直徑為3～5mm的細(xì)頸，以消除結(jié)晶位錯，這個過程叫做引晶。然后放大單晶體直徑至工藝要求，進入等徑階段，直至大部分硅融液都結(jié)晶成單晶錠，最后是收尾。為了實現(xiàn)均勻生長、均勻摻雜、完美晶體和直徑控制，籽晶和坩堝（伴隨著拉速）在整個晶體生長過程中是以相反的方向旋轉(zhuǎn)的。

工藝控制需要一套復(fù)雜的反饋系統(tǒng)，綜合轉(zhuǎn)速、拉速及熔融物溫度參數(shù)。莆田學(xué)院現(xiàn)代教育技術(shù)中心2004年8月拉晶過程中，固態(tài)晶體與液態(tài)融液的交界處會形成一個明亮的光環(huán)，亮度很高，稱為光圈，是固液交界面處的彎月面對坩堝壁亮光的反射。當(dāng)晶體變粗時，光圈直徑變大，反之則變小。大直徑硅單晶的收頸是為了抑制位錯大量地從籽晶向頸部以下單晶延伸，收頸是靠增大提拉速度來實現(xiàn)的。最終的單晶硅稱為硅錠。由于熔融硅存在很大的表面張力，所形成的硅碇為圓柱形。莆田學(xué)院現(xiàn)代教育技術(shù)中心2004年8月在熔硅階段石英坩堝位置的調(diào)節(jié)：開始時，坩堝位置很高，待下部多晶硅熔化后，坩堝逐漸下降至正常拉晶位置。熔硅時間不宜過長，否則摻入熔融硅中的多晶硅會揮發(fā)，而且石英坩堝也容易被熔蝕。自動化系統(tǒng)可以控制融化物質(zhì)的溫度和晶體生長的速度。莆田學(xué)院現(xiàn)代教育技術(shù)中心2004年8月晶體中的摻雜濃度可以通過把少量的摻雜多晶硅加到熔融狀態(tài)的硅中進行控制。石英坩鍋里的氧和加熱物質(zhì)中的碳會溶解到熔融狀態(tài)的硅中，從而混入生長中的晶體。這些雜質(zhì)會改變最終硅的電學(xué)特性。由于在生長過程中，晶體一起是旋轉(zhuǎn)的，中間層和邊緣層的厚度是不同的，使得摻雜呈輻射狀及氧的濃度的不均一性。所以，對于整個硅錠而言，摻雜度和氧濃度是不確定的。莆田學(xué)院現(xiàn)代教育技術(shù)中心2004年8月2.5.3區(qū)熔法生長單晶硅區(qū)熔法（FloatZone,FZ）是在20世紀(jì)50年代提出，采用這種方法制備的單晶硅的電阻率非常高，特別適合制作電力電子器件。區(qū)熔法與直拉法生長的晶體相比較，具有較高的位錯密度，其成本也較高，并且所生產(chǎn)的晶圓片尺寸比較小。區(qū)熔法不需使用石英坩堝，避免了從坩堝中引入金屬雜質(zhì)，且能夠生長出低氧的高純晶體，其機械強度比直拉法所制備的硅要小。莆田學(xué)院現(xiàn)代教育技術(shù)中心2004年8月區(qū)熔法中所使用的摻雜劑也與直拉法不同，可以通過中子嬗變摻雜來得到高電阻率的晶圓片，即一個硅原子核捕捉一個中子，然后通過β衰變而轉(zhuǎn)變?yōu)橐粋€新的原子核。

區(qū)熔法包括水平區(qū)熔法和懸浮區(qū)熔法。莆田學(xué)院現(xiàn)代教育技術(shù)中心2004年8月2.5.3.1水平區(qū)熔法水平區(qū)熔法主要用于材料的物理提純，也用來生長單晶體硅在熔融狀態(tài)下有很強的化學(xué)活性，幾乎沒有不與它作用的容器，使單晶的純度受到限制。目前不用水平區(qū)熔法制取純度更高的單晶硅。莆田學(xué)院現(xiàn)代教育技術(shù)中心2004年8月2.5.3.2懸浮區(qū)熔法熔融硅有較大的表面張力和較小的密度，懸浮區(qū)熔法依靠表面張力支持正在生長的單晶和多晶棒之間的熔區(qū)。加熱溫度不受坩堝熔點限制，可以用來生長熔點高的材料，如單晶鎢等。莆田學(xué)院現(xiàn)代教育技術(shù)中心2004年8月2.5.4外延法外延是指在一定條件下，通過一定方法獲得所需原子，并使這些原子有規(guī)則地排列在襯底上，通過排列時控制有關(guān)工藝條件，形成具有一定的導(dǎo)電類型、電阻率及厚度的新單晶層的過程。外延生長法（EpitaxialGrowth）能生長出和單晶襯底原子排列同樣的單晶薄膜。

莆田學(xué)院現(xiàn)代教育技術(shù)中心2004年8月2.5.5生長設(shè)備2.5.5.1石英坩堝單晶硅生長所用盛裝原料多晶硅的坩堝是由玻璃質(zhì)二氧化硅制成的。石英坩堝的原料為石英玻璃，它在許多方面接近石英玻璃的特點，其抗沖擊性能好于石英玻璃，可以制成大規(guī)格及形狀各異的坩堝產(chǎn)品。莆田學(xué)院現(xiàn)代教育技術(shù)中心2004年8月石英坩堝具有以下幾點主要性能：①石英坩堝的熱膨脹系數(shù)為0.5×10-61/℃，可在1700℃以下灼燒，其在1100℃～20℃溫度水冷急變下三次不炸裂。②石英坩堝的體積密度為1.9～

1.95g/cm3，氣孔率<15%，耐壓強度>45MPa。③石英坩堝耐鹽酸、硫酸、氯氣、磷酸侵蝕，但不能和HF接觸，高溫時，極易和苛性堿及堿金屬的碳酸鹽作用。④石英坩堝的電擊穿強度為16～20KV/mm，介電常數(shù)為3.17～3.42（20～1300℃）。莆田學(xué)院現(xiàn)代教育技術(shù)中心2004年8月影響石英坩堝質(zhì)量的因素包括坩堝氣孔大小和分布、材料韌性關(guān)系、熱傳導(dǎo)性質(zhì)等等。選用坩堝的直徑大小由長晶爐的大小而定。石英坩堝不僅要擁有好的表面的清潔度，而且其純度要更高。

莆田學(xué)院現(xiàn)代教育技術(shù)中心2004年8月2.5.5.2長晶爐支撐石英坩鍋的基座及整個熱區(qū)則采用高純度石墨為材料。

長晶爐的熱場分布狀況以及長晶工藝條件和質(zhì)量受石墨的材質(zhì)、熱傳系數(shù)及形狀的影響。莆田學(xué)院現(xiàn)代教育技術(shù)中心2004年8月為了避免硅在高溫下氧化，爐子必須在惰性的氬氣氣氛下操作。石英坩堝在高溫且惰性的氣氛下逐漸脫氧：

SiO2→O+SiO

Si+SiO2→2SiO氧原子以氣態(tài)一氧化硅的形式進入氬氣氣流中排出長晶爐，或溶入硅融液中成為硅晶棒氧雜質(zhì)的來源。一氧化硅可與石墨反應(yīng)生成碳化硅顆粒：

SiO+C→SiC+CO

莆田學(xué)院現(xiàn)代教育技術(shù)中心2004年8月為了控制單晶棒的雜質(zhì)成份免于各種污染源，不論是晶棒拉伸腔室或是石墨加熱區(qū)域，真空或惰性氣氛環(huán)境是長晶爐最基本的要求。拉晶速度、轉(zhuǎn)速、液面位置以及溫度等是影響單晶尺寸的主要控制參數(shù)。

監(jiān)測設(shè)施一般用非接觸式的光學(xué)或是電子學(xué)技術(shù)間接方法來測量。在某固定直徑的長晶條件下，融液溫度瞬間變高將導(dǎo)致晶棒直徑有變小的傾向，進而造成鎢絲線上升速率急速變慢，反之則變快。溫度的不穩(wěn)定會引起鎢絲線上升速率交互跳動，從而造成晶體質(zhì)量不良。

莆田學(xué)院現(xiàn)代教育技術(shù)中心2004年8月（一）GaAs和InPGaAs具有類似金剛石結(jié)構(gòu)的硫化鋅晶體結(jié)構(gòu)（閃鋅礦結(jié)構(gòu)）。GaAs晶體中每個Ga原子和As原子共有一對價電子，形成四個共價鍵，組成共價四面體。閃鋅礦結(jié)構(gòu)和金剛石結(jié)構(gòu)的不同之處在于套構(gòu)成晶胞的兩個面心立方分別是由兩種不同原子組成的。2.6其它單晶

GaAs結(jié)構(gòu)莆田學(xué)院現(xiàn)代教育技術(shù)中心2004年8月特點直接帶隙材料電子飽和漂移速度高耐高溫抗輻照應(yīng)用激光通信移動通信及全球定位系統(tǒng)衛(wèi)星接收非摻雜半絕緣GaAs單晶是高速數(shù)字電路、微波單片電路、大功率器件、低噪聲器件和功率模塊的基礎(chǔ)材料發(fā)展趨勢：增大晶體直徑、提高材料的電學(xué)和光學(xué)微區(qū)均勻性、降低單晶的缺陷密度（特別是位錯）等莆田學(xué)院現(xiàn)代教育技術(shù)中心2004年8月液體掩蓋直拉法（LEC）用來生長GaAs晶體

LEC為GaAs做了重要改進。一方面是給單晶爐加壓來抑制砷的揮發(fā)，另一方面是液體掩蓋直拉法工藝。液體掩蓋直拉法使用一層氧化硼（B2O3）漂浮在熔融物上面來抑制砷的揮發(fā)。莆田學(xué)院現(xiàn)代教育技術(shù)中心2004年8月（二）GaN

特點耐高壓、高溫特性、高頻特性

直接帶隙寬化學(xué)穩(wěn)定性好熱傳導(dǎo)性能優(yōu)良擊穿電壓高介電常數(shù)低應(yīng)用光電子領(lǐng)域和高溫高頻電子藍(lán)光LED及藍(lán)/紫LD紫外探測器

高溫、大功率、高頻器件莆田學(xué)院現(xiàn)代教育技術(shù)中心2004年8月GaN體單晶襯底的生長方法鹵化物汽相外延（HVPE）氣相傳輸法高壓氮氣溶液法（HNPSG）助溶劑法氨熱法提拉法HVPE工藝簡單、生長速率快，是目前生長GaN體材料較常用，也是實用化程度較高的方法

莆田學(xué)院現(xiàn)代教育技術(shù)中心2004年8月將激光從藍(lán)寶石襯底射入，激光能量將被GaN/Al2O3界面吸收，局部溫度瞬間升高，使GaN分解為N2和液體Ga，通過激光束的掃描，就可以將藍(lán)寶石和GaN分開。激光剝離是利用了GaN在高溫下分解的特性莆田學(xué)院現(xiàn)代教育技術(shù)中心2004年8月一種直接寬帶隙半導(dǎo)體光電材料，在探測器、新型大功率微波器件等領(lǐng)域具有應(yīng)用潛力。具有的光學(xué)、電學(xué)和結(jié)構(gòu)特性優(yōu)于GaN、SiC等寬禁帶材料，具有很好的抗輻照性能、對可見光透明、適合進行濕法化學(xué)加工處理等優(yōu)點。這些特性使得ZnO光電器件在發(fā)用方面可用于超高密度光存儲、全色顯示、激光打印、污染檢測儀、紫外光控制器、紫外光譜儀以及透明大功率電子器件等，在軍用方面可用于激光器、飛機和導(dǎo)彈尾焰紫外探測、生化戰(zhàn)劑監(jiān)測和紫外報警器等。（三）ZnO

莆田學(xué)院現(xiàn)代教育技術(shù)中心2004年8月ZnO還具有優(yōu)異的壓電特性和體敏特性，可用于制備高性能的聲換能器、聲表面波器件和可燃?xì)怏w傳感器件。ZnO還是綠色環(huán)保的透明電極材料，可替代傳統(tǒng)的ITO電極用于太陽能電池和OLED顯示器。莆田學(xué)院現(xiàn)代教育技術(shù)中心2004年8月

0001）面藍(lán)寶石晶體（α-Al2O3單晶）是目前最常用的InN的外延襯底材料，其具有良好的高溫穩(wěn)定性和機械力學(xué)性能，且由于對其研究較多，生產(chǎn)技術(shù)較為成熟，而且價格較便宜，現(xiàn)在仍然是應(yīng)用最為廣泛的襯底材料。（四）藍(lán)寶石

莆田學(xué)院現(xiàn)代教育技術(shù)中心2004年8月

晶圓是指硅半導(dǎo)體體電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓。

2.7晶圓制備莆田學(xué)院現(xiàn)代教育技術(shù)中心2004年8月

SOI（Silicon-on-insulator）技術(shù)：一種芯片制造技術(shù)，它使晶體管裹在二氧化硅薄膜里，與圓片襯底隔離，從而能更有效的控制電子。與CMOS芯