半導(dǎo)體技術(shù)導(dǎo)論知到智慧樹章節(jié)測試課后答案2024年秋南京理工大學(xué)

半導(dǎo)體技術(shù)導(dǎo)論知到智慧樹章節(jié)測試課后答案2024年秋南京理工大學(xué)第一章單元測試

現(xiàn)代電子器件大多是基于半導(dǎo)體材料制備的？

A:錯(cuò)B:對

答案:對

第二章單元測試

p型硅摻雜V族元素，n型硅摻雜III族元素。

A:對B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)半導(dǎo)體中電流由電子電流和空穴電流構(gòu)成。

A:對B:錯(cuò)

答案:對以能帶隙種類區(qū)分，硅屬于直接能帶隙半導(dǎo)體。

A:對B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)以下哪種結(jié)構(gòu)不是固體常見的微觀結(jié)構(gòu)類型？

A:多晶體B:非晶體

C:結(jié)晶體D:單晶體

答案:結(jié)晶體從能級(jí)角度上看，導(dǎo)體就是禁帶寬度很小的半導(dǎo)體。

A:錯(cuò)B:對

答案:錯(cuò)半導(dǎo)體的電導(dǎo)率一般要大于絕緣體的電導(dǎo)率。

A:錯(cuò)B:對

答案:對在半導(dǎo)體中的空穴流動(dòng)就是電子流動(dòng)。

A:對B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)通常來說，晶格常數(shù)較大的半導(dǎo)體禁帶寬度也較大。

A:對B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)溫度為300K的半導(dǎo)體費(fèi)米能級(jí)被電子占據(jù)的幾率為（）？

A:1/4B:1/2C:1D:0

答案:1/2通常對于同種半導(dǎo)體材料，摻雜濃度越高，載子遷移率越低。

A:錯(cuò)B:對

答案:對

第三章單元測試

通常情況下，pn結(jié)p區(qū)和n區(qū)的半導(dǎo)體材料不相同。

A:對B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)pn結(jié)加反偏壓時(shí)，總電流為0。

A:對B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)平衡狀態(tài)下pn結(jié)的能帶圖中，p區(qū)和n區(qū)的費(fèi)米能級(jí)是分開的。

A:對B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)金屬與n型半導(dǎo)體接觸形成歐姆接觸，此時(shí)金屬的功函數(shù)應(yīng)當(dāng)大于半導(dǎo)體的功函數(shù)。

A:對B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)歐姆接觸也稱為整流接觸。

A:錯(cuò)B:對

答案:錯(cuò)通常，超晶格結(jié)構(gòu)是基于異質(zhì)結(jié)設(shè)計(jì)的。

A:錯(cuò)B:對

答案:對n型增強(qiáng)型MOSFET的基底是n型半導(dǎo)體。

A:對B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)MOSFET的飽和漏極電流大小是由漏極電壓決定的。

A:對B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)MOSFET的柵極氧化層采用High-K材料的目的是增加?xùn)艠O電容。

A:錯(cuò)B:對

答案:錯(cuò)BJT可用于恒定電流源的設(shè)計(jì)。

A:錯(cuò)B:對

答案:對

第四章單元測試

太陽能電池可以吸收太陽光的所有能量。

A:對B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)Voc是指短路電壓。

A:對B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)太陽能電池上表面的電極會(huì)遮擋電池吸收的陽光。

A:對B:錯(cuò)

答案:對以下幾種太陽能電池中，效率最高的是（）？

A:有機(jī)物太陽能電池B:鈣鈦礦太陽能電池C:GaAs太陽能電池D:硅基太陽能電池

答案:GaAs太陽能電池半導(dǎo)體光探測器本質(zhì)是一個(gè)pn結(jié)，這類器件工作在pn結(jié)電流電壓特性曲線的第（）象限？

A:IVB:IC:IID:III

答案:III對于同種半導(dǎo)體材料，通常PIN型光探測器的靈敏度要高于APD光探測器。

A:對B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)光探測器設(shè)計(jì)的標(biāo)準(zhǔn)是：半導(dǎo)體材料的禁帶寬度只要高于被探測光能量即可。

A:錯(cuò)B:對

答案:錯(cuò)以下哪種LED量產(chǎn)最晚？

A:紅光LEDB:藍(lán)光LEDC:白光LEDD:綠光LED

答案:藍(lán)光LEDLED的壽命通常比白熾燈長。

A:錯(cuò)B:對

答案:對半導(dǎo)體激光器中沒有諧振腔結(jié)構(gòu)。

A:對B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)

第五章單元測試

摩爾定律是指集成電路的集成度每12個(gè)月提升一倍。

A:錯(cuò)B:對

答案:錯(cuò)早期的半導(dǎo)體公司大多成立于美國的硅谷。

A:錯(cuò)B:對

答案:對目前半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)分工越來越細(xì)，主要是由于技術(shù)越來越復(fù)雜，產(chǎn)品需求量越來越大。

A:對B:錯(cuò)

答案:對半導(dǎo)體代工廠中主要進(jìn)行集成電路設(shè)計(jì)。

A:對B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)涉及的知識(shí)領(lǐng)域主要是物理學(xué)和材料學(xué)，與化學(xué)無關(guān)。

A:對B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)目前量產(chǎn)的半導(dǎo)體器件節(jié)點(diǎn)尺寸是（）？

A:7nmB:5nmC:10nmD:18nm

答案:5nm以下半導(dǎo)體產(chǎn)線上最昂貴的設(shè)備是（）？

A:CVD鍍膜機(jī)B:封裝機(jī)C:曝光顯影機(jī)

D:晶片清洗機(jī)

答案:曝光顯影機(jī)

在CMOS工藝中，通常采用對光刻膠曝光顯影來實(shí)現(xiàn)所設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)的圖案制備。

A:錯(cuò)B:對

答案:對邏輯電路的基本元件是MOS管。

A:錯(cuò)B:對

答案:對集成電路中只能制造二極管和三極管，而無法制造電阻。

A:對B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)

第六章單元測試

利用氫氟酸蝕刻SiO2薄膜具有各向異性。

A:錯(cuò)B:對

答案:錯(cuò)利用正光刻膠曝光、顯影、蝕刻的過程中，掩膜版上透光圖案對應(yīng)的基底部位將被蝕刻掉。

A:錯(cuò)B:對

答案:對通過擴(kuò)散方式摻雜對雜質(zhì)濃度和摻雜深度的控制精度比通過離子注入的方式摻雜要高。

A:對B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)以下哪種材料無法通過分子束外延生長法制備？

A:GaAs

B:Si

C:GaND:IGZO

答案:IGZO以下哪種不屬于化學(xué)氣相沉積法

A:PECVDB:DPCVD

C:MOCVDD:LPCVD

答案:DPCVD

化學(xué)氣相沉積法的反應(yīng)原料是氣體，反應(yīng)物是固體，副產(chǎn)物也可以是固體

A:錯(cuò)B:對

答案:錯(cuò)化學(xué)氣相沉積法和物理氣相沉積法最主要的區(qū)別在于前者需要在真空環(huán)境下進(jìn)行。

A:錯(cuò)B:對

答案:錯(cuò)12英寸硅晶片是指硅晶片的（）是12英寸。

A:厚度B:直徑C:器件大小D:半徑

答案:直徑利用液封直拉法得到的晶錠可以直接切割成晶片。

A:錯(cuò)B:對

答案:錯(cuò)以下晶體硅生長過程中的產(chǎn)物中哪種是單晶體？

A:晶錠B:電子級(jí)硅晶體C:冶金級(jí)硅晶體D:石英砂

答案:晶錠

第七章單元測試

通常TEM觀測的分辨率要高于SEM。

A:錯(cuò)B:對

答案:對SEM觀測的主要原理是搜集入射電子激發(fā)的二次電子進(jìn)行逐點(diǎn)成像的。

A:對B:錯(cuò)

答案:對表面不導(dǎo)電的樣品無法用SEM進(jìn)行觀測。

A:對B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)TEM可觀測厚度1微米以上的樣品。

A:對B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)AFM的探針針尖與樣品表面直接接觸，所以測量時(shí)會(huì)損傷樣品。

A:錯(cuò)B:對

答案:錯(cuò)AFM可觀測樣品內(nèi)部形貌特征。

A:錯(cuò)B:對

答案:錯(cuò)以下哪種檢測方式不涉及X射線？

A:XPSB:EDX

C:XRD

D:SIMS

答案:S