《金剛石制備 微波等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備》

ICS71.040.10

CCSN69

團體標準

T/CAQIXXXX—XXXX

金剛石制備微波等離子體化學(xué)氣相沉積

設(shè)備

Diamondpreparation—Microwaveplasmachemicalvapordepositionequipment

（征求意見稿）

在提交反饋意見時，請將您知道的相關(guān)專利連同支持性文件一并附上。

2023-XX-XX發(fā)布2023-XX-XX實施

中國質(zhì)量檢驗協(xié)會發(fā)布

T/CAQIXXXX—XXXX

目次

前言.................................................................................II

1范圍...............................................................................1

2規(guī)范性引用文件.....................................................................1

3術(shù)語和定義.........................................................................1

4縮略語.............................................................................2

5設(shè)備原理及分類.....................................................................2

6技術(shù)要求...........................................................................2

7技術(shù)參數(shù)...........................................................................5

8檢驗及測試.........................................................................5

9檢驗規(guī)則...........................................................................8

10標志和包裝........................................................................9

I

T/CAQIXXXX—XXXX

前言

本文件按照GB/T1.1—2020《標準化工作導(dǎo)則第1部分：標準化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》的規(guī)定

起草。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利。本文件的發(fā)布機構(gòu)不承擔識別專利的責(zé)任。

本文件由中國質(zhì)量檢驗協(xié)會提出并歸口。

本文件起草單位：XX、XX、XX、XX。

本文件主要起草人：XX、XX、XX、XX。

II

T/CAQIXXXX—XXXX

金剛石制備微波等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備

1范圍

本文件規(guī)定了用于制備金剛石的微波等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備（以下簡稱MPCVD設(shè)備）的術(shù)語和

定義、縮略語、設(shè)備原理及分類、一般要求、設(shè)計要求、安全性要求、運行要求、安全聯(lián)鎖、技術(shù)參數(shù)、

檢驗及測試、檢驗規(guī)則、標志和包裝等。

本文件適用于金剛石制備用途的微波模式為單模、多模的微波等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，

僅該日期對應(yīng)的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本

文件。

GB/T1804—2000一般公差未注公差的線性和角度尺寸的公差

GB/T5080.7—1986設(shè)備可靠性試驗恒定失效率假設(shè)下的失效率與平均無故障時間的驗證試驗

方案

GB/T5226.1—2019機械電氣安全機械電氣設(shè)備第1部分：通用技術(shù)條件

GB5959.6—2008電熱裝置的安全第6部分工業(yè)微波加熱設(shè)備的安全規(guī)范

GB/T7251.1—2013低壓成套開關(guān)設(shè)備和控制設(shè)備第1部分：總則

GB/T13384—2008機電產(chǎn)品包裝通用技術(shù)條件

GB/T32218—2015真空技術(shù)真空系統(tǒng)漏率測試方法

GBZ2.2—2017工作場所有害因素職業(yè)接觸限值第2部分：物理因素

3術(shù)語和定義

下列術(shù)語和定義適用于本文件。

3.1

微波等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備microwaveplasmachemicalvapordeposition

equipment(MPCVD)

在近真空環(huán)境下通過微波能量將原料氣體加熱和離解，使其產(chǎn)生高密度等離子體，發(fā)生化學(xué)反應(yīng)沉

積高品質(zhì)金剛石膜的設(shè)備。

3.2

沉積溫度depositiontemperature

沉積金剛石膜（單晶、多晶或其他微電子固體薄膜）時，基片需要達到的溫度。

3.3

沉積壓強depositionpressure

沉積金剛石膜的工藝過程中，滿足沉積工藝要求的工作壓強。

3.4

氣密性airtightness

氣體密封性能的優(yōu)劣程度。

3.5

微波泄漏microwaveleakage

MPCVD設(shè)備微波系統(tǒng)中泄漏出的微波輻射能。

3.6

膜厚均勻性filmthicknessuniformity

沉積金剛石膜厚不均勻程度的最大誤差分布值。

1

T/CAQIXXXX—XXXX

4縮略語

下列縮略語使用于本文件中。

CDA清潔干燥的空氣（Cleandryair）

MTBF平均無故障工作時間（Meantimebetweenfailure）

MTTR平均維修時間（Meantimetorepair）

MFC氣體質(zhì)量流量計（Gasmassflowmeter）

5設(shè)備原理及分類

5.1設(shè)備原理

設(shè)備由微波源產(chǎn)生微波，經(jīng)波導(dǎo)管傳輸至微波模式轉(zhuǎn)換器，微波模式轉(zhuǎn)換后，微波進入諧振腔內(nèi)形

成強電場區(qū)域，將輸入諧振腔內(nèi)的反應(yīng)氣體在強電場作用下，激發(fā)成等離子體產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，沉積金剛

石膜。

5.2分類

MPCVD設(shè)備根據(jù)諧振腔內(nèi)微波模式，可分為：單模、多模兩種類型，兩種微波模式激發(fā)等離子體產(chǎn)

生化學(xué)反應(yīng)沉積金剛石膜的原理一致。設(shè)備結(jié)構(gòu)根據(jù)微波饋入方式、腔內(nèi)微波模式、等離子體狀態(tài)、材

料制備等，要求不同結(jié)構(gòu)不同，其具體結(jié)構(gòu)由各廠家自行規(guī)定。

注：微波在諧振腔內(nèi)的模式為單一的模式（波形），稱為“單?！?。微波在諧振腔內(nèi)部反射震蕩，使得諧振腔內(nèi)形

成多種微波模式（波形），稱為“多?！?。

以頂部饋入微波的單模類型為例：見圖1。

標引序號說明：

1——微波發(fā)射器；6——介電窗；

2——波導(dǎo)管；7——等離子體；

3——模式轉(zhuǎn)換器；8——沉積臺；

4——諧振腔；9——排氣口；

5——進氣口；10——冷卻裝置。

圖1MPCVD單模設(shè)備示意圖

6技術(shù)要求

6.1一般要求

2

T/CAQIXXXX—XXXX

6.1.1機柜表面涂層不應(yīng)有明顯的凹痕、劃傷、露底、脫落等缺陷。柜體表面平整、焊縫均勻、無虛

焊、漏焊、銹蝕等。

6.1.2設(shè)備外觀標識文字清晰，準確，無傾斜、無翹角等。

6.1.3設(shè)備應(yīng)具有相應(yīng)的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性和足夠的機械強度。

6.1.4設(shè)備氣體管道、液體管道等無漏氣、漏液現(xiàn)象。

6.1.5設(shè)備機械結(jié)構(gòu)運轉(zhuǎn)靈活，無卡滯、無異響。

6.2設(shè)計要求

6.2.1組件

所有處于設(shè)備內(nèi)部的組件、原材料等，應(yīng)可適應(yīng)設(shè)計要求,各種材料在工作條件下,不造成微波泄漏、

真空泄漏或設(shè)備變形、損壞。組件應(yīng)按設(shè)計要求加工，圖面未注公差按GB/T1804—2000第5.1條的精密

f級管控。

6.2.2控制系統(tǒng)

控制系統(tǒng)應(yīng)能對設(shè)備的電氣參數(shù)、機械動作位置、氣體質(zhì)量流量、冷卻液狀態(tài)等主要指標進行監(jiān)測

和控制，并對異常情況顯示報警，應(yīng)有措施能防止故障擴大或切斷設(shè)備電源。

6.2.3真空系統(tǒng)

6.2.3.1真空系統(tǒng)的氣體管道及設(shè)備關(guān)聯(lián)的外部氣體管道應(yīng)使用耐腐蝕不銹鋼材料。

6.2.3.2管路中必要位置應(yīng)加裝過濾器，防止管路中的閥體受粉塵和其他雜質(zhì)堵塞。

6.2.3.3設(shè)備真空系統(tǒng)應(yīng)配備自動控制閥，設(shè)備意外停止時能自動關(guān)閉真空系統(tǒng)。

6.2.4微波系統(tǒng)

6.2.4.1應(yīng)具有良好的防泄漏裝置，保證操作位上人員的安全性。

6.2.4.2腔體與微波源在荷載情況下，應(yīng)具有良好的匹配，微波源正常運行時反射功率應(yīng)為零。

6.2.4.3微波模式轉(zhuǎn)換器應(yīng)能最大限度轉(zhuǎn)換微波能量，減少損耗，保證等離子體能量均勻性。

6.2.5冷卻系統(tǒng)

6.2.5.1冷卻系統(tǒng)的管路應(yīng)具有足夠長度、柔性和彎曲半徑，可承受由冷卻液產(chǎn)生的高壓和應(yīng)力，即

使管道堵塞，也不應(yīng)漏液。

6.2.5.2冷卻系統(tǒng)管路應(yīng)標出冷卻液流動方向。

6.2.5.3冷卻系統(tǒng)應(yīng)能集中控制，分別調(diào)節(jié)冷卻液流量，監(jiān)測支路中冷卻液的溫度、流量、壓力。

6.3安全性要求

6.3.1電氣安全要求

6.3.1.1電氣設(shè)備的連接和布線均應(yīng)符合GB/T5226.1—2019第13.1條的規(guī)定。

6.3.1.2電氣設(shè)備保護聯(lián)結(jié)電路應(yīng)首選銅質(zhì)導(dǎo)線，保護聯(lián)結(jié)電路所有部件的設(shè)計，應(yīng)能承受保護聯(lián)結(jié)

電路中由于流過接地故障電流所產(chǎn)生的最高熱應(yīng)力和機械應(yīng)力，保護導(dǎo)線截面積應(yīng)符合GB/T5226.1

—2019第8.2.2條規(guī)定。

6.3.1.3絕緣電阻：≥1MΩ。

6.3.1.4接地電阻：≤0.1Ω。

6.3.1.5漏電流：≤0.75mA。

6.3.1.6耐壓：設(shè)備應(yīng)能承受50Hz、2000V、5s的耐壓試驗，應(yīng)符合GB/T5226.1—2019第18.4

條的規(guī)定。

6.3.1.7電擊防護應(yīng)符合GB/T5226.1—2019第6章和GB/T7251.1—2013第8.4條要求，設(shè)備運行

或故障時，應(yīng)具備保護人們免受電擊的能力。

6.3.1.8設(shè)備機柜、水泵、油泵等應(yīng)可靠接地，安裝場所接地電阻應(yīng)：≤3Ω。

6.3.1.9設(shè)備可靠性（MTBF）及維修性（MTTR），MTBF：≥500h，MTTR：≤4h。

6.3.2微波安全要求

3

T/CAQIXXXX—XXXX

6.3.2.1為保證設(shè)備整體微波泄漏功率密度，分為3個模塊管控微波泄漏功率密度：

6.3.2.2諧振腔；

6.3.2.3波導(dǎo)管；

6.3.2.4微波源。

6.3.2.5各個模塊裝配后，系統(tǒng)整體微波泄漏功率應(yīng)：≤1mW/cm2。

6.3.2.6微波泄漏的防護應(yīng)符合GB5959.6—2008第6章的規(guī)定，微波加熱設(shè)備的設(shè)計、制造和運行

應(yīng)能有效防止微波泄漏產(chǎn)生的輻射危險。

6.3.2.7設(shè)備開啟時，系統(tǒng)應(yīng)有醒目的綠色微波工作指示燈，作為微波工作信號，不得在無吸收和負

載的情況下開啟微波系統(tǒng)。

6.3.2.8設(shè)備操作應(yīng)符合GB5959.5—2014第6章等離子體系統(tǒng)和設(shè)備的操作的規(guī)定。

6.3.2.9MPCVD設(shè)備使用場所的微波輻射衛(wèi)生要求，應(yīng)符合GBZ2.2—2017第8.2條的規(guī)定。

6.3.3使用安全要求

由于MPCVD設(shè)備的沉積工藝中可能使用易燃、易爆或有毒的氣體，為了保證設(shè)備安全與人身安全，

特提出以下要求:

a)設(shè)備運行環(huán)境中應(yīng)配有相應(yīng)的易燃、易爆氣體監(jiān)測設(shè)備。

b)MPCVD設(shè)備真空系統(tǒng)、微波系統(tǒng)、氣體管道、連接機構(gòu)、安全聯(lián)鎖裝置、氣瓶柜等關(guān)鍵部件，

都應(yīng)安全可靠工作,如有裝置失效或功能異常時禁止開機使用。

c)設(shè)備安裝后應(yīng)進行氣體泄漏測試，保證運行設(shè)備無泄漏。

d)MPCVD設(shè)備的氣密性、極限真空度未達到本文件規(guī)定的技術(shù)要求時，應(yīng)排除漏點，使設(shè)備滿足

要求后開機使用。

e)應(yīng)定期檢查設(shè)備微波泄漏功率密度是否符合要求。

f)當采用氧氣作為催化劑時，應(yīng)確認其混合氣體的比例在安全范圍內(nèi)，防止爆炸。

g)氣體管路安裝的密閉柜體應(yīng)有內(nèi)徑Ф≥40mm的排氣端口，防止可燃氣體累積導(dǎo)致爆炸。

h)設(shè)備應(yīng)有固定裝置，防止地震或其他意外情況時設(shè)備傾倒。

i)設(shè)備運行環(huán)境應(yīng)有良好的廢氣排放措施，場所排廢通道內(nèi)徑Ф≥50mm，如反應(yīng)氣體為有毒有

害的危險氣體，或反應(yīng)生成物中含有有毒有害物質(zhì)，需加裝報警裝置和尾氣處理裝置與設(shè)備配

套使用。

6.4運行要求

設(shè)備運行條件符合表1的要求。

表1設(shè)備運行要求

序號項目要求單位

1運行環(huán)境溫度20～26℃

2運行環(huán)境濕度25%～75%（無凝露）-

3冷卻水電導(dǎo)率＜150ms/m

4冷卻水硬度＜15°dH

5冷卻水溫16～20，無凝露℃

6冷卻進水壓力0.6～0.8MPa

7進水/回水壓差≥0.42MPa

8CDA進氣溫度15～20℃

9電源380±10%、三相五線制VAC

10頻率50/60Hz

11安裝場所接地電阻≤3Ω

12微波頻率915/2450MHz

6.5安全聯(lián)鎖

6.5.1氣體流量偏差報警

MPCVD設(shè)備應(yīng)具有反應(yīng)氣體流量超出設(shè)定時的報警功能，并設(shè)置安全防護。

4

T/CAQIXXXX—XXXX

6.5.2冷卻水流量偏差報警

MPCVD設(shè)備應(yīng)具有冷卻水流量超出設(shè)定時的報警功能。當水流量偏差超出設(shè)定時，設(shè)備自動報警。

6.5.3諧振腔壓力異常報警

MPCVD設(shè)備應(yīng)具有諧振腔壓力超出設(shè)定時的報警功能，設(shè)備自動停止運行。

6.5.4微波系統(tǒng)反射功率異常報警

當微波系統(tǒng)反射功率超出設(shè)定時，微波系統(tǒng)應(yīng)自動異常報警，設(shè)備進入保護狀態(tài)，微波系統(tǒng)自動停

止運行。

6.5.5微波系統(tǒng)溫、濕度異常報警

當微波系統(tǒng)的微波電源發(fā)熱超過50℃或環(huán)境濕度超過75%時，微波系統(tǒng)應(yīng)自動異常報警，設(shè)備進入

保護狀態(tài)，微波系統(tǒng)自動停止運行。

6.5.6微波系統(tǒng)冷卻水溫異常報警

當微波系統(tǒng)運行時冷卻水溫超過設(shè)定時，微波系統(tǒng)應(yīng)自動異常報警，設(shè)備進入保護狀態(tài)，微波系統(tǒng)

自動停止運行。

6.5.7微波系統(tǒng)滿功率提醒

當微波系統(tǒng)調(diào)節(jié)至滿功率狀態(tài)時，微波系統(tǒng)應(yīng)有滿功率提醒。

6.5.8MPCVD設(shè)備誤操作防止

MPCVD設(shè)備應(yīng)具有防止誤操作的安全保護措施，設(shè)備運行參數(shù)改動均需二次確認。

6.5.9緊急停止

MPCVD設(shè)備應(yīng)設(shè)置緊急停止按鈕。緊急停止按鈕的位置應(yīng)方便操作。

6.5.10斷電保護

MPCVD設(shè)備的停電狀態(tài)應(yīng)為安全狀態(tài)，即MPCVD設(shè)備的反應(yīng)氣體自動停止輸入，冷卻水和冷卻氣體暢

通，MPCVD設(shè)備再通電時，微波系統(tǒng)不會自動開啟。

7技術(shù)參數(shù)

7.1MPCVD設(shè)備主要技術(shù)參數(shù)見表2。

7.2需求方對技術(shù)性能有其他特殊要求時，可由供需雙方協(xié)商確定并在合同中說明。

表2技術(shù)參數(shù)

序號參數(shù)名稱參數(shù)要求單位

1整機真空漏率≤1.33×10-10Pa·m3/s

2氣體流量設(shè)定范圍0～3000（可選配）sccm

3微波泄漏功率密度≤1mW/cm2

4MFC控制精度≤±0.2%Fs（飛秒）響應(yīng)時間l0s-

5沉積溫度≤1400℃

6沉積壓強≤40KPa

7氣密性＜16Pa/h

8膜厚均勻性≤±7%

9CDA控制壓力0.5～0.7壓力可調(diào)MPa

8檢驗及測試

8.1試驗條件和儀器

5

T/CAQIXXXX—XXXX

8.1.1測試環(huán)境應(yīng)滿足表1的要求。

8.1.2試驗設(shè)備、工具，應(yīng)經(jīng)專業(yè)計量機構(gòu)檢定，并在檢定合格有效期內(nèi)，具體包括：

a)三坐標測量儀；

b)高度計；

c)千分尺；

d)卡尺；

e)扭力儀；

f)水平儀；

g)數(shù)字視頻顯微鏡；

h)氦質(zhì)譜檢漏儀；

i)紅外測溫儀；

j)兆歐表；

k)接地電阻測試儀；

l)耐壓測試儀；

m)泄漏電流測試儀；

n)電子天平（分度值0.1mg）；

o)微波漏能儀（分度值0.01mw/cm2）；

p)真空計（分度值0.1pa）；

q)氣壓表（分度值0.05Mpa）。

8.2測試方法

8.2.1一般要求檢驗

目視檢查，檢查時應(yīng)避免陽光直射，檢查場所照度應(yīng)保持500ULX以上，離樣品50cm的位置采用45°

和90°夾角觀察法，應(yīng)符合第6章的要求。

8.2.2絕緣電阻測試

采用絕緣電阻測試儀，在設(shè)備的動力導(dǎo)線與保護聯(lián)結(jié)電路間施加500Vd.c.電氣設(shè)備絕緣電阻應(yīng)符

合GB/T5226.1—2019第18.3條的規(guī)定，絕緣電阻：≥1MΩ。

8.2.3接地電阻測試

采用接地電阻測試儀測量設(shè)備接地電阻，接地電阻：≤0.1Ω

8.2.4漏電流測試

采用泄漏電流測試儀測試設(shè)備漏電流，漏電流：≤0.75mA。

8.2.5耐壓測試

采用耐壓測試儀在電源引入端與機殼間加交流2000V(有效值)電壓，5s內(nèi)，應(yīng)無擊穿、無飛弧，

應(yīng)符合8.1.6的要求。

8.2.6MPCVD設(shè)備真空漏率測試

采用氦質(zhì)譜檢漏儀檢測，符合GB/T32218—2015第7.2.3條的要求，真空部件如諧振腔、微波發(fā)射

器、波導(dǎo)管、模式變換器、的各連接處的真空漏率，應(yīng)符合表2第1項的要求。

8.2.7微波泄漏功率密度測試

采用微波漏能儀檢測，測量條件符合GB5959.6—2008第6.2、6.3條的要求，微波泄漏功率密度應(yīng)

符合表2第3項的要求。

8.2.8MFC控制精度測試

6

T/CAQIXXXX—XXXX

MFC量程應(yīng)滿足工藝反應(yīng)氣體的實際需求，具體以MFC廠家說明書為依據(jù)，使用時根據(jù)MFC說明書的

換算系數(shù)進行換算。在滿足正常運行的條件下，通入定量（2%～100%）的安全氣體（如氮氣），將壓力

設(shè)置為規(guī)定的壓力，待流量穩(wěn)定后，讀取MFC實際流量計算偏差，應(yīng)符合表2第4項的要求。

8.2.9沉積溫度測試

沉積工藝相同的條件下，采用測溫儀測試基片中心溫度，沉積溫度范圍符合表2第5項的要求。

8.2.10沉積壓強測試

當設(shè)備真空漏率符合表2第1項要求時，設(shè)定（可取不超過32KPa的任何值,一般采用16KPa）規(guī)定

壓強值，啟動工業(yè)微波源，向反應(yīng)腔通入一定量安全氣體，讀取MPCVD設(shè)備真空壓力計測得值，沉積壓

強應(yīng)符合表2第6項的要求，且能進行范圍內(nèi)的壓強調(diào)節(jié)。

8.2.11氣密性測試

開啟設(shè)備電源，關(guān)閉MPCVD設(shè)備進氣、出氣閥門，連接真空泵，對MPCVD設(shè)備進行真空抽氣。當設(shè)備

真空漏率穩(wěn)定后，保持3min～5min，然后停止抽真空，靜態(tài)保持12h，12h平均壓力波動應(yīng)符合表2

第7項的要求。

8.2.12膜厚均勻性測試

采用千分尺測量基片臺不同點位厚度，并依據(jù)公式(1)、公式(2)計算膜厚均勻性，需符合表2第8

項的要求。

a????a???

±??=×100%··················································(1)

2×??

式中：

1?

??=∑?=1a·······································································(2)

?

式中：

?a——誤差百分比；

amax——同組測試數(shù)據(jù)的最大值；

amin——同組測試數(shù)據(jù)的最小值；

ā——同組測試數(shù)據(jù)的算術(shù)平均值；

n——測試點數(shù)。

對于方形基片，在邊長1/5、2/5、3/5、4/5的4×4的網(wǎng)格上共取16個點，如圖2所示。

對于圓形基片，按圓心45°角，八等分圓，R/4、2R/4、3R/4圓心的位置上共取25個點，如圖3所示。

圖2方形基片臺膜厚均勻性測試點

7

T/CAQIXXXX—XXXX

圖3圓形基片臺膜厚均勻性測試點

8.2.13CDA控制壓力測試

MPCVD設(shè)備的壓力傳感器測得用于設(shè)備自動控制的進氣口壓力值，設(shè)備CDA控制壓力應(yīng)符合表2第9

項的要求。

8.2.14緊急停止和斷電保護測試

按下MPCVD設(shè)備緊急停止按鈕，此按鈕應(yīng)能切斷設(shè)備總電源。電源切斷后，輸入氣體、冷卻水、暢

通，再通電時，MPCVD設(shè)備不會自動開啟。

8.2.15可靠性(MTBF)及維修性（MTTR）測試

對于批量生產(chǎn)（含）3臺以上各種型號的設(shè)備，應(yīng)進行可靠性統(tǒng)計測試，采用GB/T5080.7—1986

第5章的規(guī)定進行測試，測試結(jié)果應(yīng)符合8.1.9條的要求。

9檢驗規(guī)則

9.1檢驗類型

檢驗分為：型式檢驗和出廠檢驗兩種。

9.2檢驗項目

組織在產(chǎn)品不同階段應(yīng)進行型式檢驗、出廠檢驗，具體按表3。

表3檢驗項目

序號檢驗項目型式檢驗出廠檢驗

1一般要求檢驗√√

2絕緣電阻測試√-

3接地電阻測試√-

4漏電流測試√-

5耐壓測試√-

6MPCVD設(shè)備真空漏率測試√√

7微波泄漏功率密度測試√√

8MFC控制精度測試√-

9沉積溫度測試√-

10沉積壓強測試√-

11氣密性測試√-

12膜厚均勻性測試√-

13CDA控制壓力測試√-

14緊急停止和斷電保護測試√√

可靠性（MTBF）及維修性（MTTR）

15√-

測試

9.3檢驗項目具體要求

8

T/CAQIXXXX—XXXX

檢驗項目、檢驗方法及檢驗項目要求，具體按表4。

表4檢驗項目具體要求

序號檢驗項目檢驗方法對應(yīng)章節(jié)檢驗項目要求對應(yīng)章節(jié)

1一般要求檢驗12.2.17

2絕緣電阻測試12.2.28.1.3

3接地電阻測試12.2.38.1.4

4漏電流測試12.2.48.1.5

5耐壓測試12.2.58.1.6

6MPCVD設(shè)備真空漏率測試12.2.68.2.1

7微波泄漏功率密度測試12.2.711

8MFC控制精度測試12.2.811

9沉積溫度測試12.2.911

10沉積壓強測試12.2.1011

11氣密性測試