專題09 磁場(chǎng)（含解析）

A.B.C. 11B.小球運(yùn)動(dòng)過程中的速度不變 ()A.0B.BIlC.2BIlD.5BIl 22 為() A.電場(chǎng)力的瞬時(shí)功率為qEv+vB.該離子受到的洛倫茲力大小為C.v2與v1的比值不斷變大D.該 A.磁場(chǎng)方向垂直于紙面向里33A.平行于紙面向上B.平行于紙面向下 A.質(zhì)量B.電量C.比荷D.動(dòng)能 ()A.B.44C.D. ()A.當(dāng)導(dǎo)線靜止在圖(a)右側(cè)位置時(shí)，導(dǎo)線中電流方向由N指向MC.tanθ與電流I成正比D.sinθ與電流I成正比 A.C.B.D. 線通電部分的長度L，得到導(dǎo)線受到的安培力F分55A.C.B.D. B.以速度v0射入的電子(-e) A.BILB.2BILC.πBILD.2πBIL 66A.帶電粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的軌跡方程B.帶電粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的速率 A.C.B.D. ()771C.A.C.2 為d的M、N兩點(diǎn)處的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小分別為() 為B188 99A.向上B.向下 A.B.C.D. A.M處的電勢(shì)高于N處的電勢(shì)B.增大M、N之間的加速電壓可使P點(diǎn)左移D.增大偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)磁感應(yīng)強(qiáng)度的大小可使P點(diǎn)左移 A.B.C.D. A.偏轉(zhuǎn)原因是圓盤周圍存在電場(chǎng) A.向前B.向后 A.粒子帶正電 A.B.C.D. A.kBl，kBlB.kBl，kBlC.kBl，kBlD.kBl，kBl 大小為F，則線框LMN受到的安培力的大小為()A.2FB.1.5FC.0.5FD.0 描述導(dǎo)線受到的安培力F的大小與通過導(dǎo)線的電流I的關(guān)系圖象正確的是()A.B.C.D. A.粒子的運(yùn)動(dòng)軌跡可能通過圓心O 一象限內(nèi)的電磁場(chǎng)區(qū)域，在0<y<y0,0<x<x0(x0、y0為已知)區(qū)域內(nèi)有豎直向上的勻強(qiáng)電場(chǎng)，在x>x0A.粒子從NP中點(diǎn)射入磁場(chǎng)，電場(chǎng)強(qiáng)度滿足E=mv0C.粒子在磁場(chǎng)中做圓周運(yùn)動(dòng)的圓心到NMmv0 通過磁場(chǎng)區(qū)域后打在探測(cè)器上的M點(diǎn)。粒子2經(jīng)磁場(chǎng)偏轉(zhuǎn)后 t1t2A.t1<t2B.t1>t2C.Ek1<Ek2D.Ek1>Ek2 A.軌道半徑r小的粒子角速度一定小C.粒子的速度大小與軌道半徑r一定無關(guān) B.N點(diǎn)的電勢(shì)高于P點(diǎn)的電勢(shì)D.電子在M點(diǎn)所受的合力大于在P點(diǎn)所受的合力 B.O點(diǎn)的磁感應(yīng)強(qiáng)度方向由O指向c A.粒子一定帶正電m A.a帶負(fù)電荷B.b帶正電荷 A.兩導(dǎo)線受到的安培力Fb=125FaB.導(dǎo)線所受的安培力可以用F=ILB計(jì)算 度大小為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)。一帶電粒子從y軸上的M點(diǎn)A.粒子帶負(fù)電荷B.粒子速度大小為 () A.衰變方程可表示為X→--Y+HeB.核Y的結(jié)合能為(mX-mY-mα)c2C.核Y在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的半徑為D.核Y的動(dòng)能為EkY= A.EB.EC.BD.B2aB2aB22aE2aE2r=2aqvB=m q=vEq=qvB11 =2故選A。 A.小球剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)受到的洛倫茲力水平向右B.小球運(yùn)動(dòng)過程中22故選A。 ()A.0B.BIlC.2BIlD.5BIlFab=BI?2l=2BIl t0B2t0B2B242t02t04330B1=qEvA=A錯(cuò)誤；vB=2v0t0t=44t=2t0故選D。 為()k1I0=k2I/55I/=I0故選D。 A.電場(chǎng)力的瞬時(shí)功率為qEv+vB.該離子受到的洛倫茲力大小為C.v2與v1的比值不斷變大D.該故選D。 qvB=m66r=故選A。 A.平行于紙面向上B.平行于紙面向下 A.質(zhì)量B.電量C.比荷D.動(dòng)能77qE=mr=?qvB=m ()A.B.C.D.故選A。88 ()A.當(dāng)導(dǎo)線靜止在圖(a)右側(cè)位置時(shí)，導(dǎo)線中電流方向由N指向MC.tanθ與電流I成正比D.sinθ與電流I成正比故選D。 99A.B.C.D.故選B。qBv'=qE故選B。 線通電部分的長度L，得到導(dǎo)線受到的安培力F分A.B.C.D.F=BIL故選B。 A.以速度的射入的正電子(e)B.以速度v0射入的電子(-e)0B=qEv0=故選B。 A.BILB.2BILC.πBILD.2πBILF=2BILT=T=BIL故選A. A.帶電粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的軌跡方程B.帶電粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的速率OO1=atan30°=aR==a故A正確；v=故選A。 A.B.C.D. ()C.B.C.B.2r1=Rr2=3Rv=故選B。 為d的M、N兩點(diǎn)處的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小分別為()故選B。 為B1由歐姆定律和安培力公式F=BIL可得F安=mgsinθv=故選B。 故選B。 A.向上B.向下故選B。 A.B.C.D.B=(3a-rmax(2=r2+a2rmax=a mv=3 mv=3mv A.M處的電勢(shì)高于N處的電勢(shì)B.增大M、N之間的加速電壓可使P點(diǎn)左移C.偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)的方向垂直于紙面向外D.增大偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)磁感應(yīng)強(qiáng)度的大小可使P點(diǎn)左移故選D。 A.B.C.D.qBv=，T=t=?T=θmax=240°tmax=T=×= A.偏轉(zhuǎn)原因是圓盤周圍存在電場(chǎng)B.偏轉(zhuǎn)原因是圓盤周圍產(chǎn)生了磁場(chǎng)故選B。 I1>I2B1>B2I1>I2 故選B. A.向前B.向后 A.粒子帶正電 FA.B.C.D.本即運(yùn)動(dòng)由兩部分組成,第一部分是個(gè)周期,第二部分是個(gè)周期,粒子在第二象限運(yùn)動(dòng)轉(zhuǎn)過的角度為 錯(cuò)誤．. A.kBl，kBlB.kBl，kBlC.kBl，kBlD.kBl，kBld點(diǎn)射出粒子半徑為R2=l2+(R-2，R=l故選項(xiàng)符合題意 大小為F，則線框LMN受到的安培力的大小為()A.2FB.1.5FC.0.5FD.0 描述導(dǎo)線受到的安培力F的大小與通過導(dǎo)線的電流I的關(guān)系圖象正確的是()A.B.C.D.故選A。 A.粒子的運(yùn)動(dòng)軌跡可能通過圓心O故選BD。 一象限內(nèi)的電磁場(chǎng)區(qū)域，在0<y<y0,0<x<x0(x0、y0為已知)區(qū)域內(nèi)有豎直向上的勻強(qiáng)電場(chǎng)，在x>x0x+yx+ymv0C.粒子在磁場(chǎng)中做圓周運(yùn)動(dòng)的圓心到mv0x+4yx+4yxmv0x0=v0t1選項(xiàng)A正確；選項(xiàng)B錯(cuò)誤；v=qvB=m則粒子進(jìn)入磁場(chǎng)后做圓周運(yùn)動(dòng)的圓心到MN的距離為d=rcosθvym=x0=v0tqvB=mrm==mv0x+4ymv0故選AD。 故選AB。 通過磁場(chǎng)區(qū)域后打在探測(cè)器上的M點(diǎn)。粒子2經(jīng)磁場(chǎng)偏轉(zhuǎn)后qvB=mr=故選AD。 t1t2A.t1<t2B.t1>t2C.Ek1<Ek2D.Ek1>Ek2t=t1<t2Ek=mv2Ek1>Ek2故選AD。 R=LR=LqvB=m故選BC。A.軌道半徑r小的粒子角速度一定小B.電荷量大的粒子的動(dòng)能一定大?q=mω2r?q=mv=Ek=故選BC。 A.電子從N到P，電場(chǎng)力做正功B.N點(diǎn)的電勢(shì)高于P點(diǎn)的電勢(shì)C.電子從M到N，洛倫茲力不做功D.電子在M點(diǎn)所受的合力大于在P點(diǎn)所受的合力故選BC。 故選BC。 A.O點(diǎn)的磁感應(yīng)強(qiáng)度為0B.O點(diǎn)的磁感應(yīng)強(qiáng)度方向由O指向cC.e點(diǎn)的磁感應(yīng)強(qiáng)度方向沿y軸正方向D.e點(diǎn)的磁感應(yīng)強(qiáng)度方向沿y軸負(fù)方向故選BD。 mmqvB=mv=(2r)2=(、3L)2+xxm=3、5L故選ACD。 A.a帶負(fù)電荷B.b帶正電荷