模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)（第4版）課件：場效應(yīng)管的直流偏置電路

場效應(yīng)管放大電路的靜態(tài)分析

場效應(yīng)管的直流偏置電路

在分析放大電路時(shí)，應(yīng)遵循“先靜態(tài)，后動態(tài)”的原則，首先利用直流通路求解靜態(tài)工作點(diǎn)時(shí)，再利用交流通路求解動態(tài)參數(shù)。求解靜態(tài)工作點(diǎn)的方法：解析法和圖解法。放大狀態(tài)下的直流偏置電路①保證場效應(yīng)管工作在恒流區(qū)；②偏置下的工作點(diǎn)在環(huán)境溫度變化時(shí)，應(yīng)力求保持穩(wěn)定，應(yīng)始終保持在恒流區(qū)。常用的有兩種偏置電路：RDUDDRS(自偏壓電阻)uiRGV自給偏壓式：特點(diǎn)是剛開始工作時(shí)，柵源偏置電壓UGS=0。適合JFET和D-MOSFET。電路本身存在負(fù)反饋機(jī)制，保持電路Q點(diǎn)的恒定。若

IDQ↑UGSQ(=UGQ-USQ)負(fù)向↑→USQ(=IDQRS)↑↓→IDQ

↓RDUDDRS(自偏壓電阻)uiRG2(b)RG1(分壓式偏置)混合偏置方式：分壓式偏置。三種場效應(yīng)管都適合。對于增強(qiáng)型MOSFET，只能采用混合偏置方式。常用的有兩種偏置電路：RG1RG2RG3RDRS20V10k解：畫直流通路。例：設(shè)uGSoff=-5V，IDSS=1mA，試估算電路在恒流區(qū)的靜態(tài)工作點(diǎn)。根據(jù)輸入回路，列方程：因?yàn)閕G=0，所以：例：設(shè)uGSoff=-5V，IDSS=1mA，試估算電路在恒流區(qū)的靜態(tài)工作點(diǎn)。RG1RG2RG3RDRS20V輸入回路滿足：同時(shí)在JFET滿足：例：設(shè)uGSoff=-5V，IDSS=1mA，試估算電路在恒流區(qū)的靜態(tài)工作點(diǎn)。RG1RG2RG3RDRS20V聯(lián)立上述兩方程，得到：ID1=0.61mA，ID2=1.64mA得到UGS1=-1.1V，UGS2=-11.4V——（1）——（2）因?yàn)閁GS2<UGSoff=-5V，所以ID2舍去。例：設(shè)uGSoff=-5V，IDSS=1mA，試估算電路在恒流區(qū)的靜態(tài)工作點(diǎn)。則：UDSQ=20-0.61×(10+10)=7.8V。因此：IDQ=0.61mAUGSQ=-1.1V解析法：由電流方程和柵源直流負(fù)載線方程聯(lián)立成方程組求解，即可得工作點(diǎn)。RG1RG2RG3RDRS10k

20VRDUDDRSuiRGV(a)問題：對于自偏壓式，如何聯(lián)立方程？RDUDDRS(自偏壓電