模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)（第4版）課件：場(chǎng)效應(yīng)管工作狀態(tài)分析

場(chǎng)效應(yīng)管工作狀態(tài)分析

DGSDGSN溝道P溝道結(jié)型FET各種場(chǎng)效應(yīng)管的符號(hào)的對(duì)比各種場(chǎng)效應(yīng)管的符號(hào)的對(duì)比各種場(chǎng)效應(yīng)管轉(zhuǎn)移特性的對(duì)比

uDSiD0線性可變電阻區(qū)01234560123－1－2－3－3－4－5－6－7－8－9結(jié)型P溝耗盡型MOSP溝－3－4－5－60－1－20123－1－2－33456789結(jié)型N溝耗盡型增強(qiáng)型MOSN溝UGS/VUGS/V增強(qiáng)型各種場(chǎng)效應(yīng)管輸出特性的對(duì)比

管型截止區(qū)恒流區(qū)可變電阻區(qū)N溝道JFETUGS

UGSoffUGSoff<UGS

0UGD

UGSoffUGSoff<UGS

0UGSoff

<UGD

0P溝道JFETUGS

UGSoff0

UGS<UGSoff

UGD

UGSoff0

UGS<UGSoff

0

UGD<UGSoffN溝道增強(qiáng)型MOSFETUGS<UGSthUGS

UGSth

UGD<UGSthUGS

UGSth

UGD

UGSthN溝道耗盡型MOSFETUGS<UGSoffUGS

UGSoffUGD<UGSoffUGS

UGSoff

UGD

UGSoffP溝道增強(qiáng)型MOSFETUGS>UGSthUGS

UGSthUGD>UGSthUGS

UGSth

UGD

UGSthP溝道耗盡型MOSFETUGS>UGSoffUGS

UGSoffUGD>UGSofUGS

UGSoff

UGD

UGSof場(chǎng)效應(yīng)管工作區(qū)間與極間電壓的關(guān)系UGSoffUGSoffN溝道P溝道uGSiD截止區(qū)：靠近G極處溝道夾斷?？勺冸娮鑵^(qū)：靠近G極處溝道未夾斷，靠近D極未夾斷恒流區(qū)：G極處溝道未夾斷，D極夾斷JFETDGSUDSUGS溝道局部夾斷IDPP幾乎不變E-MOSFET(增強(qiáng)型)UGSthUGsthN溝道P溝道uGSiD場(chǎng)效應(yīng)管工作狀態(tài)的判斷方法UDD

UGS(th)，則管子截止1、首先判斷是否進(jìn)入截止區(qū)：此時(shí)：IG=ID=IS=0，UGS=UDD，UDS=UDD。若UDD

UGS(th)，靠近源極的溝道沒(méi)有夾斷，下面關(guān)鍵是判斷是恒流區(qū)還是可變電阻區(qū)。RDUDDRS(自偏壓電阻)uiRG2(b)RG1(分壓式偏置)2.判斷是處于恒流區(qū)還是可變電阻區(qū)：方法：假設(shè)法。場(chǎng)效應(yīng)管工作狀態(tài)的判斷方法RDUDDRSuiRG2RG1(分壓式偏置)c若UGDQ使漏極處的溝道夾斷

,則處于恒流狀態(tài)；若UGDQ使漏極處的溝道沒(méi)有夾斷

,則處于可變電阻區(qū)。例:判斷圖所示的場(chǎng)效應(yīng)管電路，管子的IDSS=3mA,UGSoff=-5V,管子工作在什么區(qū)間？解：假設(shè)法：首先假設(shè)管子工作在恒流區(qū)。UGS=-2V例:判斷圖所示的場(chǎng)效應(yīng)管電路，管子的IDSS=3mA,UGSoff=-5V,管子工作在什么區(qū)間？解：假設(shè)法：首先假設(shè)管子工作在恒流區(qū)。