2025年外研版三年級起點(diǎn)選修3化學(xué)下冊月考試卷

…………○…………內(nèi)…………○…………裝…………○…………內(nèi)…………○…………裝…………○…………訂…………○…………線…………○…………※※請※※不※※要※※在※※裝※※訂※※線※※內(nèi)※※答※※題※※…………○…………外…………○…………裝…………○…………訂…………○…………線…………○…………第=page22頁，總=sectionpages22頁第=page11頁，總=sectionpages11頁2025年外研版三年級起點(diǎn)選修3化學(xué)下冊月考試卷226考試試卷考試范圍：全部知識點(diǎn)；考試時(shí)間：120分鐘學(xué)校：______姓名：______班級：______考號：______總分欄題號一二三四五六總分得分評卷人得分一、選擇題(共9題，共18分)1、我們可以將SiO2的晶體結(jié)構(gòu)想象為在晶體硅的Si—Si鍵之間插入O原子。根據(jù)SiO2晶體結(jié)構(gòu)圖,下列說法不正確的是()

A.石英晶體中每個(gè)Si原子通過Si—O極性鍵與4個(gè)O原子作用B.每個(gè)O原子也通過Si—O極性鍵與2個(gè)Si原子作用C.石英晶體中Si原子與O原子的原子個(gè)數(shù)比為1∶2,可用“SiO2”來表示石英的組成D.在晶體中存在石英分子,故能叫分子式2、下列說法正確的是A.2s電子云呈球形，表示電子繞原子核做圓周運(yùn)動B.電子云圖中的小黑點(diǎn)密度大，說明該原子核外空間電子數(shù)目多C.ns能級的原子軌道圖可表示為D.3d能級上有3個(gè)原子軌道3、電子云是處于一定空間運(yùn)動狀態(tài)的電子在原子核外空間的概率密度分布的形象化描述。下列有關(guān)電子云的說法正確的是A.概率密度的大小體現(xiàn)了電子數(shù)目的多少B.概率密度的大小體現(xiàn)了空間某處電子出現(xiàn)概率的大小C.基態(tài)C原子的1s電子的電子云和2s電子的電子云完全相同D.基態(tài)Li原子的1s電子的電子云和2s電子的電子云形狀不同4、描述電子在原子核外空間具有確定半徑的軌道上繞核進(jìn)行高速圓周運(yùn)動的原子模型是（）A.玻爾電子分層排布模型B.量子力學(xué)模型C.湯姆遜“葡萄干布丁”模型D.盧瑟福核式模型5、如圖為周期表的一小部分；A；B、C、D、E的位置關(guān)系如圖所示。其中B元素最高化合價(jià)是最低化合價(jià)絕對值的3倍，它的最高價(jià)氧化物中含氧60%。下列說法正確的是（）

。

A

D

B

E

C

A.E三種元素的第一電離能逐漸減小B.電負(fù)性：E>CC.E三種元素形成的簡單離子的半徑逐漸增大D.氣態(tài)氫化物的穩(wěn)定性順序：D>B>E6、下列說法正確的是：

①非極性分子中一定含有非極性鍵；

②S-Sσ鍵與s-pσ鍵的電子云形狀相同；

③含有π鍵的化合物與只含σ鍵的化合物的化學(xué)性質(zhì)不同；

④冰中存在極性共價(jià)鍵和氫鍵兩種化學(xué)鍵的作用。

⑤Cu(OH)2是一種藍(lán)色的沉淀；既溶于硝酸；濃硫酸，也能溶于氨水中。

⑥氨水中大部分NH3與H2O以氫鍵（用“”表示）結(jié)合成NH3·H2O分子，根據(jù)氨水的性質(zhì)可知NH3·H2O的結(jié)構(gòu)式為A.①③⑥B.①②⑤C.③⑤⑥D(zhuǎn).②③④7、以下屬于共價(jià)分子的單質(zhì)是A.氬氣B.金剛石C.重氫氣D.水8、下列每組物質(zhì)發(fā)生狀態(tài)變化所克服的粒子間的相互作用屬于同種類型的是（）A.食鹽和蔗糖的熔化B.鈉和硫熔化C.碘和冰升華D.SiO2和Na2O熔化9、下列敘述錯(cuò)誤的是A.金屬晶體中，六方最密堆積的空間利用率大于面心立方最密堆積B.由于ZnS的晶格能大于PbS的晶格能，所以巖漿冷卻時(shí)ZnS先析出C.干冰晶體中，每個(gè)CO2分子周圍距離相等且最近的CO2分子共有12個(gè)D.AgCl沉淀不溶于硝酸，但能溶于氨水評卷人得分二、填空題(共7題，共14分)10、第三周期元素中，鎂元素核外有___種能量不同的電子；氯元素的最外層電子排布式為______；由這兩種元素組成的化合物的電子式為______________。11、氫原子是最輕的原子；人們曾預(yù)言它可能是所有元素之母。碳是地球上組成生命的最基本的元素之一。按要求回答：

（1）宇宙中含量最多的元素是氫和______?；鶓B(tài)碳原子的核外電子占有______個(gè)原子軌道。

（2）光化學(xué)煙霧中除了含有NOx外，還含有HCOOH、（PAN）等二次污染物。

①PAN中C的雜化方式有______。1molPAN中含有的σ鍵數(shù)目為______。組成PAN的元素的電負(fù)性大小順序?yàn)開_____。

②相同壓強(qiáng)下，HCOOH的沸點(diǎn)比CH3OCH3______（填“高”或“低”）；

（3）水溶液中有H3O+、等微粒的形式。請畫出的結(jié)構(gòu)式：______。12、（1）碳原子最外層含有____個(gè)電子，1個(gè)碳原子可以跟其他非金屬原子形成____個(gè)____鍵，碳原子之間也能以共價(jià)鍵相結(jié)合，形成__鍵、___鍵或____鍵，連接成穩(wěn)定的長短不一的__或含碳原子數(shù)不等的碳環(huán)；從而導(dǎo)致有機(jī)物種類紛繁，數(shù)量龐大。

（2）苯分子中碳原子的雜化方式是___；乙炔分子中碳原子的雜化方式是___。13、砷化鎵（GaAs）是優(yōu)良的半導(dǎo)體材料；可用于制作微型激光器或太陽能電池的材料等?；卮鹣铝袉栴}：

（1）寫出基態(tài)As原子的核外電子排布式_____________。

（2）根據(jù)元素周期律，原子半徑Ga_____________As（填“>”或“<”，下同），第一電離能Ga_____________As。

（3）AsCl3分子的立體構(gòu)型為_____________。

（4）鍺（Ge）是典型的半導(dǎo)體元素，比較下表中鍺鹵化物的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)，分析其變化規(guī)律及原因_____________。GeCl4GeBr4GeI4熔點(diǎn)/℃?49.526146沸點(diǎn)/℃83.1186約40014、由N；P、S、Cl、Ni等元素組成的新型材料有著廣泛的用途；請回答下列問題：

（1）基態(tài)N的原子核外___種運(yùn)動狀態(tài)不同的電子，基態(tài)P原子核外電子排布式為_____，P、S、Cl的第一電離能由大到小順序?yàn)開__。

（2）PCl3分子中的中心原子雜化軌道類型是__，該分子構(gòu)型為____。

（3）PCl3是一種無色的液體，遇水容易水解生成兩種酸，則方程式__。

（4）已知MgO與NiO的晶體結(jié)構(gòu)(如圖)相同，其中Mg2+和Ni2+的離子半徑分別為66pm和69pm。則熔點(diǎn)：MgO___NiO(填“＞”、“＜”或“＝”)，理由是__。

（5）金剛石晶胞含有__個(gè)碳原子。若碳原子半徑為r，金剛石晶胞的邊長為a，根據(jù)硬球接觸模型，則r=___a，列式表示碳原子在晶胞中的空間占有率___（請用r和a表示不要求計(jì)算結(jié)果）。

15、（1）立方氮化硼可利用人工方法在高溫高壓條件下合成，其硬度僅次于金剛石而遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于其它材料，因此它與金剛石統(tǒng)稱為超硬材料。BN的晶體結(jié)構(gòu)與金剛石相似，其中B原子的雜化方式為__________，微粒間存在的作用力是__________。

（2）用“＞”；“＜”或“＝”填寫下列空格：

①沸點(diǎn)：H2S_______H2O②酸性：H2SO4_______H2SeO4

③原子的核外電子排布中，未成對電子數(shù)：24Cr_______25Mn

④A、B元素的電子構(gòu)型分別為ns2np3、ns2np4，第一電離能：A________B

（3）SiO2晶體結(jié)構(gòu)片斷如下圖所示。SiO2晶體中：

Si原子數(shù)目和Si－O鍵數(shù)目的比例為_____________。

通常人們把拆開1mol某化學(xué)鍵所吸收的能量看成該化學(xué)鍵的鍵能。化學(xué)鍵Si－OSi－SiO＝O鍵能/KJ·mol－1460176498

Si（s)＋O2（g)SiO2（s)，該反應(yīng)的反應(yīng)熱△H=___________16、（15分）周期表前四周期的元素X；Y、Z、T、W；原子序數(shù)依次增大。X的核外電子總數(shù)與其周期數(shù)相同，Y基態(tài)原子的p電子數(shù)比s電子數(shù)少1個(gè)，Z基態(tài)原子的價(jià)電子層中有2個(gè)未成對電子，T與Z同主族，W基態(tài)原子的M層全充滿，N層只有一個(gè)電子。回答下列問題：

（1）Y、Z、T中第一電離能最大的是____（填元素符號，下同），原子半徑最小的是____。

（2）T的原子結(jié)構(gòu)示意圖為____，W基態(tài)原子的電子排布式為____。

（3）X和上述其他元素中的一種形成的化合物中，分子呈三角錐形的是____（填化學(xué)式）；分子中既含有極性共價(jià)鍵，又含有非極性共價(jià)鍵的化合物是____（填化學(xué)式；寫一種）。

（4）T與Z形成的化合物中，屬于非極性分子的是____（填化學(xué)式）。

（5）這5種元素形成的一種陰陽離子個(gè)數(shù)比為1:1型的配合物中，陰離子呈四面體結(jié)構(gòu)，陽離子的結(jié)構(gòu)如圖所示。該配合物的化學(xué)式為____，陽離子中存在的化學(xué)鍵類型有____。

評卷人得分三、實(shí)驗(yàn)題(共1題，共2分)17、現(xiàn)有兩種配合物晶體[Co(NH3)6]Cl3和[Co(NH3)5Cl]Cl2，一種為橙黃色，另一種為紫紅色。請?jiān)O(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)方案將這兩種配合物區(qū)別開來_____________________________。評卷人得分四、結(jié)構(gòu)與性質(zhì)(共3題，共24分)18、氧是地殼中含量最多的元素。

(1)氧元素基態(tài)原子核外未成對電子數(shù)為____________。

(2)H2O分子內(nèi)的O—H鍵、分子間的范德華力和氫鍵從強(qiáng)到弱依次為________。的沸點(diǎn)比高,原因是__________。

(3)甲醛(H2CO)在Ni催化作用下,加氫可得甲醇(CH3OH)。甲醇分子內(nèi)C原子的雜化方式為__________,甲醇分子內(nèi)的O—C—H鍵角____________(填“大于”或“小于”)甲醛分子內(nèi)的O—C—H鍵角。19、鉀和碘的相關(guān)化合物在化工；醫(yī)藥、材料等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。回答下列問題：

（1）基態(tài)K原子中，核外電子占據(jù)的最高能層的符號是_____，占據(jù)該能層電子的電子云輪廓圖形狀為_____。K和Cr屬于同一周期，且核外最外層電子構(gòu)型相同，但金屬K的熔點(diǎn)、沸點(diǎn)等都比金屬Cr低，原因是_____。

（2）X射線衍射測定等發(fā)現(xiàn)，I3AsF6中存在I3+離子。I3+離子的幾何構(gòu)型為____________，中心原子的雜化類型為_______________。

（3）KIO3晶體是一種性能良好的非線性光學(xué)材料，具有鈣鈦礦型的立體結(jié)構(gòu)，邊長為a=0.446nm，晶胞中K、I、O分別處于頂角、體心、面心位置，如圖所示。K與O間的最短距離為_____nm，與K緊鄰的O個(gè)數(shù)為_____。

（4）在KIO3晶胞結(jié)構(gòu)的另一種表示中，I處于各頂角位置，則K處于_____________位置，O處于_____位置。20、在分析化學(xué)的電位法中，甘汞電極常做參比電極，它是由金屬汞及其難溶鹽Hg2Cl2和KCl溶液組成的電極。Hg2Cl2（甘汞）毒性較小，而HgCl2（升汞）有劇毒。

（1）K元素的基態(tài)原子的電子填充于_____個(gè)不同的能級。

（2）Hg的價(jià)層電子排布式為5d106s2，Hg元素位于元素周期表的_______區(qū)。

（3）Hg2Cl2在400~500℃時(shí)升華，由此推測Hg2Cl2的晶體類型為____。

（4）KCl和NaCl相比，____的熔點(diǎn)更高，原因是________。

（5）把NH4Cl和HgCl2按一定比例混合，在密封管中加熱時(shí)，生成某種晶體，其晶胞如圖所示。用X-射線衍射法測得該晶體的晶胞為長方體（晶胞參數(shù)a=b=419pm、c=794pm），每個(gè)NH4+可視為被8個(gè)Cl-圍繞，距離為335pm，Cl-與Cl-盡可能遠(yuǎn)離。

①該晶體的化學(xué)式為________。

②晶體中Cl-的空間環(huán)境_____________（填“相同”或“不相同”）。用題中數(shù)據(jù)說明理由_______________

③設(shè)阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，則該晶體的密度為_______g/cm3（列出計(jì)算表達(dá)式）。評卷人得分五、計(jì)算題(共2題，共14分)21、(1)石墨晶體的層狀結(jié)構(gòu)，層內(nèi)為平面正六邊形結(jié)構(gòu)(如圖a)，試回答下列問題：圖中平均每個(gè)正六邊形占有C原子數(shù)為____個(gè)、占有的碳碳鍵數(shù)為____個(gè)，碳原子數(shù)目與碳碳化學(xué)鍵數(shù)目之比為_______。

(2)2001年報(bào)道的硼和鎂形成的化合物刷新了金屬化合物超導(dǎo)溫度的最高記錄。如圖b所示的是該化合物的晶體結(jié)構(gòu)單元：鎂原子間形成正六棱柱，且棱柱的上下底面還各有1個(gè)鎂原子，6個(gè)硼原子位于棱柱內(nèi)。則該化合物的化學(xué)式可表示為_______。22、NaCl是重要的化工原料?；卮鹣铝袉栴}。

（1）元素Na的焰色反應(yīng)呈_______色。價(jià)電子被激發(fā)到相鄰高能級后形成的激發(fā)態(tài)Na原子，其價(jià)電子軌道表示式為_______。

（2）KBr具有NaCl型的晶體結(jié)構(gòu)，但其熔點(diǎn)比NaCl低，原因是________________。

（3）NaCl晶體在50~300GPa的高壓下和Cl2反應(yīng)；可以形成一種晶體，其立方晶胞如圖所示（大球?yàn)镃l，小球?yàn)镹a）。

①若A的原子坐標(biāo)為（0，0，0），B的原子坐標(biāo)為（0，），則C的原子坐標(biāo)為_______。

②晶體中，Cl構(gòu)成的多面體包含______個(gè)三角形的面，與Cl緊鄰的Na個(gè)數(shù)為_______。

③已知晶胞參數(shù)為apm，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，則該晶體的密度為_________g·cm－3（列出計(jì)算式）。評卷人得分六、工業(yè)流程題(共1題，共3分)23、飲用水中含有砷會導(dǎo)致砷中毒，金屬冶煉過程產(chǎn)生的含砷有毒廢棄物需處理與檢測。冶煉廢水中砷元素主要以亞砷酸(H3AsO3)形式存在；可用化學(xué)沉降法處理酸性高濃度含砷廢水，其工藝流程如下：

已知：①As2S3與過量的S2-存在反應(yīng)：As2S3(s)+3S2-(aq)?2(aq)；

②亞砷酸鹽的溶解性大于相應(yīng)砷酸鹽。

(1)砷在元素周期表中的位置為_______；AsH3的電子式為______；

(2)下列說法正確的是_________；

a.酸性：H2SO4>H3PO4>H3AsO4

b.原子半徑：S>P>As

c.第一電離能：S

(3)沉淀X為__________(填化學(xué)式)；

(4)“一級沉砷”中FeSO4的作用是________。

(5)“二級沉砷”中H2O2與含砷物質(zhì)反應(yīng)的化學(xué)方程式為__________；

(6)關(guān)于地下水中砷的來源有多種假設(shè)，其中一種認(rèn)為富含砷的黃鐵礦(FeS2)被氧化為Fe(OH)3，同時(shí)生成導(dǎo)致砷脫離礦體進(jìn)入地下水。FeS2被O2氧化的離子方程式為______________。參考答案一、選擇題(共9題，共18分)1、D【分析】晶體硅的結(jié)構(gòu)是五個(gè)硅原子形成正四面體結(jié)構(gòu),其中有一個(gè)位于正四面體的中心,另外四個(gè)位于四面體的頂點(diǎn),故SiO2的結(jié)構(gòu)為每個(gè)硅原子周圍有四個(gè)氧原子,而每個(gè)氧原子周圍有兩個(gè)硅原子,在晶體中Si原子與O原子的原子個(gè)數(shù)比為1∶2,“SiO2”僅表示石英的組成,故沒有單個(gè)的SiO2分子。2、C【分析】【詳解】

A.電子云是電子在原子核外空間概率密度分布的形象描述；電子云不代表電子的運(yùn)動軌跡，故A錯(cuò)誤；

B.小黑點(diǎn)的疏密表示電子出現(xiàn)概率的大??；密則出現(xiàn)概率大，疏則出現(xiàn)概率小，故B錯(cuò)誤；

C.s能級的電子云呈球形；故C正確；

D.3d能級上有5個(gè)原子軌道；故D錯(cuò)誤；

選C。3、B【分析】【詳解】

A.概率密度的大小體現(xiàn)了電子在該處出現(xiàn)的概率大；故A錯(cuò)誤；

B.概率密度的大小體現(xiàn)了空間某處電子出現(xiàn)概率的大??；故B正確；

C.基態(tài)C原子的1s電子的電子云和2s電子的電子云不完全相同；1s電子云比2s電子云小，故C錯(cuò)誤；

D.基態(tài)Li原子的1s電子的電子云和2s電子的電子云形狀相同；都為球形，故D錯(cuò)誤。

綜上所述，答案為B。4、A【分析】【詳解】

A.玻爾電子分層排布模型描述電子在原子核外空間具有確定半徑的軌道上繞核進(jìn)行高速圓周運(yùn)動；A項(xiàng)正確；

B.量子力學(xué)模型：電子是一種微觀粒子，在原子如此小的空間（直徑約10?1?m）內(nèi)____；核外電子的運(yùn)動與宏觀物體運(yùn)動不同，沒有確定的方向和軌跡，只能用電子云描述它在原子核外空間某處出現(xiàn)機(jī)會（幾率）的大小，B項(xiàng)錯(cuò)誤；

C.湯姆遜“葡萄干布丁”模型：原子呈圓球狀充斥著正電荷；而帶負(fù)電荷的電子則像一粒粒葡萄干一樣鑲嵌其中，C項(xiàng)錯(cuò)誤；

D.盧瑟福核式模型：在原子的中心有一個(gè)很小的核；叫原子核，原子的全部正電荷和幾乎全部質(zhì)量都集中在原子核里，帶負(fù)電的電子在核外空間里繞著核旋轉(zhuǎn)，這一模型也被稱為“行星模型”，D項(xiàng)錯(cuò)誤；

故選A。5、B【分析】【分析】

B元素最高化合價(jià)是最低化合價(jià)絕對值的3倍；它的最高氧化物中含氧60%，則最高正價(jià)為+6，最低價(jià)為-2，B為S元素，結(jié)合元素在周期表的位置可知，A為O，C為Se，D為P，E為Cl。

【詳解】

A.由分析可知；D為P；B為S元素、E為Cl，同一周期元素，元素的第一電離能隨著原子序數(shù)的增大而增大，但同一周期中第ⅡA族元素比第ⅢA族元素的第一電離能大，第ⅤA族比第ⅥA族第一電離能大，P、S、Cl屬于同一周期且其原子序數(shù)依次增大，但P屬于第VA元素，S屬于第ⅥA族，所以第一電離能的大小順序是Cl＞P＞S，故A錯(cuò)誤；

B.同一周期，從左到右元素電負(fù)性遞增，同一主族，自上而下元素電負(fù)性遞減，則電負(fù)性：E>C；故B正確；

C.由分析可知；D為P；B為S元素、E為Cl，三種元素形成的簡單離子核外電子結(jié)構(gòu)相同，核電荷數(shù)越大，離子半徑越小，則D、B、E三種元素形成的簡單離子的半徑逐漸減小，故C錯(cuò)誤；

D.B為S，D為P，E為Cl，非金屬性Cl>S>P，則氫化物的穩(wěn)定性為HCl>H2S>PH3；故D錯(cuò)誤；

正確答案是B。

【點(diǎn)睛】

第一電離能變化規(guī)律：同一周期元素，元素的第一電離能隨著原子序數(shù)的增大而增大，但同一周期中第ⅡA族元素比第ⅢA族元素的第一電離能大，第ⅤA族比第ⅥA族第一電離能大。6、C【分析】【詳解】

①CH4是非極性分子；分子中只存在極性鍵，故錯(cuò)誤；

②S能級電子云是球形；P能級電子云是啞鈴型，所以s-sσ鍵與s-pσ鍵的電子云形狀不同，故錯(cuò)誤；

③π鍵和σ鍵的活潑性不同導(dǎo)致物質(zhì)的化學(xué)性質(zhì)不同；含有π鍵的物質(zhì)性質(zhì)較活潑，故正確；

④氫鍵不是化學(xué)鍵；故錯(cuò)誤；

⑤氫氧化銅和氨水反應(yīng)生成絡(luò)合物離子銀氨離子；所以氫氧化銅能溶于氨水中，故正確；

⑥氫鍵應(yīng)形成于XH-Y形式當(dāng)中，X、Y必須是N、O、F元素之一，這樣就有兩種可能：(1)H3N???H-O-H；(2)H2N-H???OH2；由于一水合氨可電離出NH4+和OH-，所以(1)結(jié)構(gòu)是合理的,如果是(2)則應(yīng)電離出NH2-和H3O+；故正確；

結(jié)合以上分析可知③⑤⑥正確；

故答案為C。

【點(diǎn)睛】

準(zhǔn)確理解鍵的極性和分子的極性相關(guān)判斷方法是解題關(guān)鍵，極性鍵：不同元素的原子間形成的共價(jià)鍵；非極性鍵：同種元素的原子間形成的共價(jià)鍵；極性分子：正電荷中心和負(fù)電荷中心不相重合的分子；非極性分子：正電荷中心和負(fù)電荷中心相重合的分子；分子極性的判斷方法為：分子的極性由共價(jià)鍵的極性及分子的空間構(gòu)型兩個(gè)方面共同決定；特別注意只有非極性鍵組成的分子肯定是非極性分子，而只有極性鍵組成的可能是極性分子，也可能是非極性分子。7、C【分析】【分析】

【詳解】

A.氬氣為單原子氣體單質(zhì)；故A不符合題意；

B.金剛石為原子晶體；不存在分子，故B不符合題意；

C.重氫氣是由兩個(gè)重氫原子通過共價(jià)鍵構(gòu)成的雙原子分子氣體；屬于單質(zhì)，故C符合題意；

D.水是化合物；故D不符合題意；

故選C。8、C【分析】【詳解】

A.食鹽是離子化合物；熔化需要克服離子鍵，蔗糖是分子晶體，熔化需要克服分子間作用力，故不選A；

B.鈉是金屬晶體；熔化克服金屬鍵，硫是分子晶體，熔化需要克服分子間作用力，故不選B；

C.碘和冰都是分子晶體；碘和冰升華克服分子間作用力，故選C；

D.SiO2是原子晶體，熔化需要克服共價(jià)鍵，Na2O是離子化合物；熔化需要克服離子鍵，故不選D；

選C。

【點(diǎn)睛】

本題考查晶體類型與化學(xué)鍵、分子間作用力，注意此類題的解題方法是：先判斷晶體類型，再根據(jù)晶體類型判斷微粒間的作用力。9、A【分析】【詳解】

A.金屬晶體中；六方最密堆積的空間利用率等于面心立方最密堆積的空間利用率，空間利用率都為74%，故A錯(cuò)誤；

B.由于ZnS的晶格能大于PbS的晶格能，ZnS的熔點(diǎn)高于PbS的熔點(diǎn)；冷卻時(shí)，先析出的是熔點(diǎn)高的，因此巖漿冷卻時(shí)ZnS先析出，故B正確；

C.干冰晶體中，以頂點(diǎn)CO2分析，每個(gè)面的面心CO2分析，一個(gè)面有4個(gè)，三個(gè)面共12個(gè)，因此每個(gè)CO2分子周圍距離相等且最近的CO2分子共有12個(gè)；故C正確；

D.AgCl沉淀不溶于硝酸；但能溶于氨水形成配合物，故D正確。

綜上所述；答案為A。

【點(diǎn)睛】

六方最密堆積的空間利用率、面心立方最密堆積空間利用率都為74%，體心立方空間利用率為68%，簡單立方空間利用率為52%。二、填空題(共7題，共14分)10、略

【分析】【詳解】

判斷電子的能量是否相同，看軌道數(shù)，鎂的核外電子排布式為：1s22s22p63s2，故鎂元素核外有4種能量不同的電子；氯是17號元素，最外層電子排布式為：3s23p5；鎂和氯形成的化合物是離子化合物，形成離子鍵，故電子式為：【解析】①.4②.3s23p5③.11、略

【分析】【分析】

判斷有機(jī)物中C原子的雜化方式可以根據(jù)有機(jī)物中C的成鍵方式進(jìn)行判斷；計(jì)算鍵數(shù)目時(shí)，要注意一個(gè)雙鍵中含有一個(gè)鍵；比較由分子構(gòu)成的物質(zhì)的沸點(diǎn)大小時(shí)，可以從摩爾質(zhì)量，氫鍵以及結(jié)構(gòu)中支鏈個(gè)數(shù)這幾個(gè)角度入手分析；書寫的結(jié)構(gòu)時(shí)；要清楚其是由水合氫離子與水分子通過氫鍵形成的。

【詳解】

(1)宇宙中氫元素占88.6%、氦占11.1%，宇宙中含量最多的元素是氫和氦；C的電子排布為1s22s22p2；s能級只有1個(gè)軌道，p能級有3個(gè)軌道，基態(tài)原子電子排布滿足洪特規(guī)則，因此基態(tài)碳原子的2p能級有兩個(gè)軌道被占據(jù)，基態(tài)碳原子核外電子總計(jì)占有4個(gè)軌道；

(2)①PAN分子中，C原子形成了單鍵和雙鍵，形成4條單鍵的碳原子，其鍵角約為109°28′，形成一個(gè)雙鍵的碳原子，其鍵角約為120°，因此碳原子的雜化類型有sp3、sp2；一個(gè)雙鍵含有一個(gè)σ鍵，由PAN結(jié)構(gòu)可知，一個(gè)PAN分子中含有10個(gè)σ鍵，所以1molPAN中含有的σ鍵數(shù)目為10NA；PAN分子中含有C；H、N、O元素；元素的非金屬性越強(qiáng)，其電負(fù)性越大，則電負(fù)性：O＞N＞C＞H；

②由于HCOOH存在分子間氫鍵，CH3OCH3只存在分子間作用力，所以HCOOH的沸點(diǎn)比CH3OCH3高；

(3)是由水分子和水合氫離子通過氫鍵形成的微粒，則的結(jié)構(gòu)式為：

【點(diǎn)睛】

對于碳原子，形成4條單鍵時(shí)一般可認(rèn)為是sp3的雜化方式，形成1個(gè)雙鍵時(shí)一般可認(rèn)為是sp2的雜化方式，形成1個(gè)三鍵時(shí)一般可認(rèn)為是sp的雜化方式；對于O原子，形成單鍵時(shí)一般可認(rèn)為是sp3的雜化方式；對于N原子，形成單鍵時(shí)一般可認(rèn)為是sp3的雜化方式，形成雙鍵時(shí)一般可認(rèn)為是sp2的雜化方式?！窘馕觥亢?sp2、sp310NA（或6.02×1024）O>N>C>H高12、略

【分析】【分析】

⑴碳原子最外層含有4個(gè)電子；碳原子主要形成共價(jià)鍵，碳原子與碳原子可以形成單鍵；雙鍵或三鍵，也可形成碳鏈或碳環(huán)。

⑵分析苯分子和乙炔分子中每個(gè)碳原子價(jià)層電子對數(shù)。

【詳解】

⑴碳原子最外層含有4個(gè)電子；1個(gè)碳原子可以跟其他非金屬原子形成4個(gè)共價(jià)鍵，碳原子之間也能以共價(jià)鍵相結(jié)合，形成單鍵；雙鍵或三鍵，連接成穩(wěn)定的長短不一的碳鏈或含碳原子數(shù)不等的碳環(huán)，從而導(dǎo)致有機(jī)物種類紛繁，數(shù)量龐大；故答案為：4；4；共價(jià)；單；雙；三；碳鏈。

⑵苯分子中每個(gè)碳原子有三個(gè)共價(jià)鍵，沒有孤對電子，價(jià)層電子對數(shù)為3對，雜化方式是sp2；乙炔分子中每個(gè)碳原子有2個(gè)共價(jià)鍵，沒有孤對電子，價(jià)層電子對數(shù)為2對，雜化方式是sp；故答案為：sp2；sp。【解析】①.4②.4③.共價(jià)④.單⑤.雙⑥.三⑦.碳鏈⑧.sp2⑨.sp13、略

【分析】【詳解】

（1）As位于元素周期表中第四周期第VA族，則基態(tài)As原子的核外電子排布式1s22s22p63s23p63d104s24p3或[Ar]3d104s24p3。故答案為：1s22s22p63s23p63d104s24p3或[Ar]3d104s24p3；

（2）同一周期元素，原子半徑隨著原子序數(shù)增大而減小，元素第一電離能隨著原子序數(shù)增大而呈增大趨勢，但第IIA族、第VA族元素第一電離能大于其相鄰元素；Ga位于第四周期第IIIA族、As位于第四周期第VA族，二者位于同一周期，根據(jù)元素周期律，原子半徑Ga>As，第一電離能Ga；<；

（3）AsCl3分子的中心原子As的價(jià)層電子對數(shù)=3+=4，As采用sp3雜化；立體構(gòu)型為三角錐形。故答案為：三角錐形；

（4）鍺的鹵化物都是分子晶體，分子間通過分子間作用力結(jié)合，對于組成與結(jié)構(gòu)相似的分子晶體，相對分子質(zhì)量越大，分子間作用力越強(qiáng)，熔沸點(diǎn)越高，由于相對分子質(zhì)量：GeCl4＜GeBr4＜GeI4，故分子間作用力：GeCl4＜GeBr4＜GeI4，熔、沸點(diǎn)：GeCl4＜GeBr4＜GeI4，故答案為：GeCl4、GeBr4、GeI4的熔沸點(diǎn)依次升高；GeCl4、GeBr4、GeI4均為分子晶體，組成和結(jié)構(gòu)相似的分子晶體，相對分子質(zhì)量越大，分子間作用力越大，熔沸點(diǎn)越高。【解析】①.1s22s22p63s23p63d104s24p3或[Ar]3d104s24p3②.>③.<④.三角錐形⑤.GeCl4、GeBr4、GeI4的熔沸點(diǎn)依次升高；GeCl4、GeBr4、GeI4均為分子晶體，組成和結(jié)構(gòu)相似的分子晶體，相對分子質(zhì)量越大，分子間作用力越大，熔沸點(diǎn)越高14、略

【分析】【詳解】

（1）基態(tài)N的原子核外有7個(gè)電子，每個(gè)電子的能量不同，不運(yùn)動狀態(tài)也不同。故有7種運(yùn)動狀態(tài)不同的電子?；鶓B(tài)P原子為15號元素，核外電子排布式為1s22s22p63s23p3；P；S、Cl為同周期元素；同周期隨原子序數(shù)增大，元素第一電離能呈增大趨勢，P元素原子3p能級為半滿穩(wěn)定狀態(tài)，能量較低，第一電離能高于同周期相鄰元素，故第一電離能：Cl＞P＞S。

答案為：7；1s22s22p63s23p3；Cl＞P＞S；

（2）根據(jù)價(jià)電子理論，PCl3分子中的中心原子的價(jià)電子對數(shù)=雜化軌道類型是sp3雜化；該分子4個(gè)原子構(gòu)成，空間構(gòu)型為三角錐形。

答案為：sp3；三角錐形；

（3）PCl3遇水容易水解生成亞磷酸和鹽酸，方程式PCl3+3H2O=H3PO3+3HCl。

答案為：PCl3+3H2O=H3PO3+3HCl；

（4）Mg2+半徑比Ni2+??；MgO晶格能比NiO大，晶格能越大，熔沸點(diǎn)越高。

答案為：＞；Mg2+半徑比Ni2+小；MgO晶格能比NiO大；

（5）金剛石晶胞中各個(gè)頂點(diǎn)、面上和體內(nèi)的原子數(shù)目依次為8、6、4，然后依據(jù)晶胞計(jì)算確定在晶體中碳原子數(shù)目，碳原子數(shù)目為n=8×1/8+6×1/2+4=8；根據(jù)硬球接觸模型可以確定，正方體對角線的就是C-C鍵的鍵長，體對角線四分之一處的原子與頂點(diǎn)上的原子緊貼，晶胞正方體對角線長度=因此有所以r=碳原子在晶胞中的空間占有率=

答案為【解析】71s22s22p63s23p3Cl＞P＞Ssp3三角錐形PCl3+3H2O=H3PO3+3HCl＞Mg2+半徑比Ni2+小，MgO晶格能比NiO大815、略

【分析】【詳解】

(1)BN的硬度較大，所以BN是原子晶體，根據(jù)金剛石的結(jié)構(gòu)知BN中B原子的雜化方式為sp3，原子晶體中只含有共價(jià)鍵，故答案為sp3；共價(jià)鍵；

(2)①水分子間能夠形成氫鍵，沸點(diǎn)：H2S＜H2O；②非金屬性越強(qiáng)，最高價(jià)氧化物的水化物的酸性越強(qiáng)，酸性：H2SO4＞H2SeO4；③24Cr核外電子排布式：1s22s22p63s23p63d54s1，未成對電子數(shù)為6，25Mn核外電子排布式：1s22s22p63s23p63d54s2，未成對電子數(shù)為5，所以未成對電子數(shù)：24Cr＞25Mn；④元素的電子構(gòu)型為ns2np3，為第ⅤA族，電子排布為半滿狀態(tài)，較穩(wěn)定，不易失去電子，所以第一電離能較大，B元素的電子構(gòu)型為ns2np4；為第ⅥA族，所以第一電離能：A＞B；故答案為＜；＞；＞；＞；

(3)二氧化硅晶體中每個(gè)Si原子形成4個(gè)Si-O鍵，1mol二氧化硅晶體中含有4molSi-O鍵，則SiO2晶體中Si和Si-O鍵的比例為1：4；

因晶體硅中每個(gè)Si原子與周圍的4個(gè)硅原子形成正四面體，向空間延伸的立體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，每Si原子與周圍的4個(gè)Si原子形成4個(gè)Si-Si鍵，每個(gè)Si-Si鍵為1個(gè)Si原子提供個(gè)Si-Si鍵，所以1mol晶體硅中含有1mol×4×=2molSi-Si鍵；

反應(yīng)熱△H=反應(yīng)物總鍵能-生成物總鍵能，所以Si(s)+O2(g)=SiO2(s)中；△H=176kJ/mol×2mol+498kJ/mol-460kJ/mol×4=-990kJ/mol，故答案為1：4；-990kJ/mol。

點(diǎn)睛：本題考查氫鍵、元素周期律、電子排布式、第一電離能，鍵能與反應(yīng)熱的關(guān)系等。本題的易錯(cuò)點(diǎn)是(3)中反應(yīng)熱的計(jì)算，確定1mol晶體硅中Si-Si鍵、1mol二氧化硅晶體中Si-O鍵的物質(zhì)的量是解題關(guān)鍵?！窘馕觥縮p3共價(jià)鍵＜＞＞＞1∶4－990kJ/mol16、略

【分析】試題分析：周期表前四周期的元素X；Y、Z、T、W；原子序數(shù)依次增大。X的核外電子總數(shù)與其周期數(shù)相同，則X是氫元素。Y基態(tài)原子的p電子數(shù)比s電子數(shù)少1個(gè)，則Y應(yīng)該是氮元素。Z基態(tài)原子的價(jià)電子層中有2個(gè)未成對電子，所以Z是氧元素。T與Z同主族，則T是S元素。W基態(tài)原子的M層全充滿，N層只有一個(gè)電子，則W是Cu元素。

（1）非金屬性越強(qiáng)；第一電離能越大。但氮元素的2p軌道電子處于半充滿狀態(tài)，穩(wěn)定性強(qiáng)，則氮元素的第一電離能大于氧元素的。同周期自左向右原子半徑逐漸減小，同主族自上而下原子半徑逐漸增大，則原子半徑最小的是O。

（2）S的原子序數(shù)是16，原子結(jié)構(gòu)示意圖為根據(jù)核外電子排布規(guī)律可知W基態(tài)原子的電子排布式為[Ar]3d104s1。

（3）X和上述其他元素中的一種形成的化合物中，分子呈三角錐形的是NH3。分子中既含有極性共價(jià)鍵，又含有非極性共價(jià)鍵的化合物是H2O2或N2H4。

（4）T與Z形成的化合物中，SO2是V形結(jié)構(gòu)，三氧化硫是平面三角形，則屬于非極性分子的是SO3。

（5）這5種元素形成的一種陰陽離子個(gè)數(shù)比為1:1型的配合物中，陰離子呈四面體結(jié)構(gòu)，則為硫酸根。陽離子的結(jié)構(gòu)如右圖所示，即為氨氣和銅離子形成的配位健，則該配合物的化學(xué)式為[Cu(NH3)4]SO4；陽離子中存在的化學(xué)鍵類型有配位健及氮元素與氫原子之間的共價(jià)鍵。

考點(diǎn)：考查元素推斷、第一電離能、空間構(gòu)型、原子半徑、化學(xué)鍵、核外電子排布等【解析】（1）NO（各1分）（2）（1分）[Ar]3d104s1（2分）

（3）NH3（2分）H2O2或N2H4（2分）（4）SO3（2分）

（5）[Cu(NH3)4]SO4（2分）共價(jià)鍵、配位鍵（2分）三、實(shí)驗(yàn)題(共1題，共2分)17、略

【分析】【分析】

兩種配合物可電離出的氯離子數(shù)目不同；可將等質(zhì)量的兩種配合物配制成溶液，滴加硝酸銀，根據(jù)生成沉淀的多少判斷。

【詳解】

兩種配合物晶體[Co（NH3）6]Cl3和[Co（NH3）5Cl]Cl2?NH3，內(nèi)界氯離子不能與硝酸銀反應(yīng)，外界氯離子可以與硝酸銀反應(yīng)，將這兩種配合物區(qū)別開來的實(shí)驗(yàn)方案：稱取相同質(zhì)量的兩種晶體分別配成溶液，向兩種溶液中分別滴加足量用硝酸酸化的硝酸銀溶液，充分反應(yīng)后，過濾、洗滌、干燥后稱量，所得AgCl固體質(zhì)量大的，原晶體為[Co（NH3）6]Cl3，所得AgCl固體質(zhì)量小的，原晶體為[Co（NH3）5Cl]Cl2?NH3，故答案為：取相同質(zhì)量的兩種晶體分別配成溶液，向兩種溶液中分別滴加足量AgNO3溶液，靜置、過濾、干燥、稱量，沉淀質(zhì)量大的，原晶體為[Co（NH3）6]Cl3，少的是[Co(NH3)5Cl]Cl2。

【點(diǎn)睛】

把握配合物的構(gòu)成特點(diǎn)，為解答該題的關(guān)鍵。解答此類試題要注意配合物的內(nèi)界和外界的離子的性質(zhì)不同，內(nèi)界中以配位鍵相結(jié)合，很牢固，難以在水溶液中電離，而內(nèi)界和外界之間以離子鍵結(jié)合，在溶液中能夠完全電離?！窘馕觥糠Q取相同質(zhì)量的兩種晶體配成溶液，向兩種溶液中分別加入足量的硝酸銀溶液，靜置、過濾、干燥、稱量，所得氯化銀固體多的是[Co(NH3)6]Cl3，少的是[Co(NH3)5Cl]Cl2四、結(jié)構(gòu)與性質(zhì)(共3題，共24分)18、略

【分析】【分析】

【詳解】

(1)依據(jù)基態(tài)原子核外電子排布原則可寫出氧原子的電子排布圖:所以未成對電子數(shù)為2。

(2)沸點(diǎn)高說明分子間作用力大,因此結(jié)合氫鍵的形成方式得出形成分子間氫鍵,而形成的是分子內(nèi)氫鍵的結(jié)論。

(3)甲醇分子中的C原子的成鍵電子對數(shù)為4,無孤電子對,中心原子的雜化類型為sp3,立體構(gòu)型為四面體形,而甲醛中的C原子的雜化方式為sp2,立體構(gòu)型為平面三角形,故甲醛分子中的O—C—H的鍵角比甲醇中的大。【解析】①.2②.O—H鍵、氫鍵、范德華力③.形成分子內(nèi)氫鍵,而形成分子間氫鍵,分子間氫鍵使分子間作用力增大,導(dǎo)致沸點(diǎn)升高④.sp3⑤.小于19、略

【分析】【詳解】

(1)在元素周期表是19號元素，電子排布式為能層從低到高依次是所以占據(jù)最高能層符號為占據(jù)該能層的電子軌道為軌道，電子云輪廓圖形狀為球形；和處于同一周期，且核外最外層電子構(gòu)型相同，但且的價(jià)電子少于則的金屬鍵比弱，因此K的熔點(diǎn)、沸點(diǎn)比低；

(2)中心原子形成個(gè)鍵，孤電子對數(shù)即中心原子形成個(gè)鍵，還有對孤電子對，故中心原子采取雜化；因?yàn)橹挥腥齻€(gè)原子，所以幾何構(gòu)形為形；

(3)與的最短距離如圖所示，是面對角線的所以與的最短距離原子的堆積方式相當(dāng)于面心立方堆積，所以與原子相鄰的原子個(gè)數(shù)為12個(gè)；

(4)個(gè)，個(gè)，個(gè)，所以原子處于體心，原子處于棱心?！窘馕觥竣?②.球形③.原子半徑較大且價(jià)電子較少，金屬鍵較弱④.形⑤.⑥.0.315⑦.12⑧.體心⑨.棱心20、略

【分析】【詳解】

(1)K元素的基態(tài)原子核外有19個(gè)電子，核外電子排布式為1s22s22p63s23p64s1；共填充于6個(gè)不同的能級，故答案為：6；

(2)Hg的價(jià)層電子排布式為5d106s2；則Hg為第六周期第ⅡB族元素，位于元素周期表的ds區(qū)，故答案為：ds；

(3)Hg2Cl2在400~500℃時(shí)升華；熔沸點(diǎn)較低，故其為分子晶體，故答案為：分子晶體；

(4)由于NaCl和KCl均為離子晶體，離子所帶電荷相同，Na+半徑比K+小，故NaCl的晶格能更大、熔點(diǎn)更高，故答案為：NaCl；兩者均為離子晶體，離子所帶電荷相同，Na+半徑比K+小；NaCl的晶格能更大，熔點(diǎn)更高；

(5)①由晶胞示意圖可知，NH4+位于晶胞的頂點(diǎn)，一個(gè)晶胞中含有個(gè)NH4+，Cl-位于晶胞的棱上和體心，一個(gè)晶胞中含有個(gè)Cl-，Hg2+位于晶胞的體心，一個(gè)晶胞中含有1和Hg2+，則該晶體的化學(xué)式為NH4HgCl3，故答案為：NH4HgCl3；

②由題干信息可知，體心的Cl-距離NH4+為335pm，棱心的Cl-距離NH4+為則晶體中Cl-的空間環(huán)境不相同，故答案為：不相同；體心的Cl-距離NH4+為335pm，棱心的Cl-距離NH4+為397pm；

③根據(jù)公式可得，該晶體的密度故答案為：【解析】6ds分子晶體NaCl兩者均為離子晶體，離子所帶電荷相同，Na+半徑比K+小，NaCl的晶格能更大，熔點(diǎn)更高NH4HgCl3不相同體心的Cl-距離NH4+為335pm，棱心的Cl-距離NH4+為397pm五、計(jì)算題(共2題，共14分)21、略

【分析】【分析】

(1)石墨晶體的層狀結(jié)構(gòu)；層內(nèi)每個(gè)碳原子由3個(gè)正六邊形共用，每個(gè)碳碳鍵由2個(gè)正六邊形共用；

(2)根據(jù)均攤法計(jì)算晶胞中Mg原子和B原子的個(gè)數(shù)；進(jìn)而確定化學(xué)式。

【詳解】

(1)圖中層內(nèi)每個(gè)碳原子由3個(gè)正六邊形共用，每個(gè)碳碳鍵由2個(gè)正六邊形共用，則平均每個(gè)正六邊形占有C原子數(shù)為6=2個(gè)、占有的碳碳鍵數(shù)為6=2個(gè)；碳原子數(shù)目與碳碳化學(xué)鍵數(shù)目之比為2: